CN112103401A - 一种柔性显示屏封装结构及其制备方法 - Google Patents
一种柔性显示屏封装结构及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN112103401A CN112103401A CN202011031240.XA CN202011031240A CN112103401A CN 112103401 A CN112103401 A CN 112103401A CN 202011031240 A CN202011031240 A CN 202011031240A CN 112103401 A CN112103401 A CN 112103401A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- hole
- stress release
- inorganic layer
- flexible display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 32
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 abstract description 14
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 abstract description 14
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 13
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 abstract description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 216
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 229920006280 packaging film Polymers 0.000 description 14
- 239000012785 packaging film Substances 0.000 description 14
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 6
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- -1 polyethylene naphthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/844—Encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及柔性显示屏封装技术领域，特别涉及一种柔性显示屏封装结构及其制备方法，包括玻璃基板，玻璃基板的一侧面上依次层叠设有TFT电路层、OLED器件层、第一无机层、强化干燥层、有机缓冲层、第二无机层和外围强化层，通过在第一无机层设置第一应力释放孔和在第二无机层设置第二应力释放孔，能够用以缓解整体成膜过程中的应力积累，防止过度的应力累积导致膜层结构完整性被破坏；通过在第一无机层上设置第一过孔、在有机缓冲层上设置第二过孔和在第二无机层上设置第三过孔，实现上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝的目的，防止外围膜层发生破裂点后向内延伸，进而达到提升柔性显示屏使用寿命的目的。
Description
技术领域
本发明涉及柔性显示屏封装技术领域，特别涉及一种柔性显示屏封装结构及其制备方法。
背景技术
物联网快速发展的今天，不可或缺的显示技术也在快速发展，OLED(英文全称为Organic Light-Emitting Diode，有机发光二极管)因其自发光、广视角、低电耗、可挠曲、不需背光源、对比度高、厚度薄、反应速度快等各项优点，成为柔性显示的最佳技术选择。
OLED器件对水汽极其敏感，为保证产品的发光效率并延长其使用寿命，器件在封装时一定要隔绝氧和水，为了保证柔性OLED显示器的使用寿命大于10000小时，必须要求阻隔水汽的透过率(WVTR)和氧透过率(OTR)要分别低于10E-6g/m2/day和10E-5cm3/m2/day。
为实现柔性显示屏的可挠曲，在封装技术的选择上，则需选择薄膜封装技术，与传统的OLED器件封装技术不同的是，薄膜封装将原有的封装盖板舍弃，用单层或者多层的薄膜替换盖板，对薄膜封装的基本要求是：
1、必须能与OLED器件的基板紧密结合；
2、水氧渗透率满足OLED器件的寿命要求；
3、要有一定的机械强度和稳定性，以提高产品使用质量；
4、薄膜封装的前提是，封装膜层和封装制程过程不影响OLED器件基板的正常功能。
目前，薄膜封装技术，存在三个较大的问题，如下：
A)由于薄膜封装在沉积无机膜时是整体成膜的，整体成膜过程存在较大的内应力，内应力的存在会导致膜层结构不完整、甚至破裂；
B)整体成膜的另一个问题点，在于整体的膜层，外围出现破裂点后，该破裂点会一直向内延伸，最终导致封装失效，产品寿命下降甚至是失效；
C)薄膜封装相对于传统的盖板封装，其膜层韧性和强度不足，容易受外界外力影响和破坏。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种柔性显示屏封装结构及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的第一种技术方案为：
一种柔性显示屏封装结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠设有TFT电路层、OLED器件层、第一无机层、强化干燥层、有机缓冲层、第二无机层和外围强化层，所述第一无机层上设有第一过孔和两个以上的第一应力释放孔，所述第二无机层上设有两个以上的第二应力释放孔，所述有机缓冲层上设有第二过孔，所述第二无机层上设有第三过孔，所述第二应力释放孔与第一应力释放孔一一对应设置，所述第二过孔与第一过孔对应设置，所述第三过孔与第二过孔对应设置，所述第一过孔中填充有有机缓冲层，所述第一过孔中的有机缓冲层与玻璃基板接触，所述第一应力释放孔中填充有强化干燥层，所述第二应力释放孔中填充有外围强化层，所述第二过孔中填充有第二无机层，所述第三过孔中填充有外围强化层。
本发明采用的第二种技术方案为：
一种柔性显示屏封装结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板的一侧面上覆盖有TFT电路层；
S2、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT电路层表面；
S3、形成第一无机层，且覆盖于所述OLED器件层表面，在所述OLED器件层中形成第一过孔和第一应力释放孔；
S4、形成强化干燥层，且覆盖于所述第一无机层表面；
S5、形成有机缓冲层，且覆盖于所述强化干燥层表面，在所述有机缓冲层中形成第二过孔；
S6、形成第二无机层，且覆盖于所述有机缓冲层表面，在所述第二无机层中形成第三过孔和第二应力释放孔；
S7、形成外围强化层，且覆盖于所述第二无机层表面。
本发明的有益效果在于：
通过在第一无机层设置第一应力释放孔和在第二无机层设置第二应力释放孔，能够用以缓解整体成膜过程中的应力积累，防止过度的应力累积导致膜层结构完整性被破坏；通过在第一无机层上设置第一过孔、在有机缓冲层上设置第二过孔和在第二无机层上设置第三过孔，使得在上一层膜层成膜时，将各过孔填充，实现上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝的目的，防止外围膜层发生破裂点后向内延伸；通过设置外围强化层，能够提升薄膜封装的韧性和强度，进而达到提升柔性显示屏使用寿命的目的。
附图说明
图1为根据本发明的一种柔性显示屏封装结构的结构示意图；
图2为根据本发明的一种柔性显示屏封装结构的第一应力释放孔的结构示意图；
图3为根据本发明的一种柔性显示屏封装结构的第一无机层的局部俯视结构示意图；
图4为根据本发明的一种柔性显示屏封装结构的制备方法的步骤流程图；
标号说明：
1、玻璃基板；
2、TFT电路层；21、第四过孔；
3、OLED器件层；
4、第一无机层；41、第一过孔；42、第一应力释放孔；
5、强化干燥层；
6、有机缓冲层；61、第二过孔；
7、第二无机层；71、第二应力释放孔；72、第三过孔；
8、外围强化层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
请参照图1，本发明提供的一种技术方案：
一种柔性显示屏封装结构，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠设有TFT电路层、OLED器件层、第一无机层、强化干燥层、有机缓冲层、第二无机层和外围强化层，所述第一无机层上设有第一过孔和两个以上的第一应力释放孔，所述第二无机层上设有两个以上的第二应力释放孔，所述有机缓冲层上设有第二过孔，所述第二无机层上设有第三过孔，所述第二应力释放孔与第一应力释放孔一一对应设置，所述第二过孔与第一过孔对应设置，所述第三过孔与第二过孔对应设置，所述第一过孔中填充有有机缓冲层，所述第一过孔中的有机缓冲层与玻璃基板接触，所述第一应力释放孔中填充有强化干燥层，所述第二应力释放孔中填充有外围强化层，所述第二过孔中填充有第二无机层，所述第三过孔中填充有外围强化层。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在第一无机层设置第一应力释放孔和在第二无机层设置第二应力释放孔，能够用以缓解整体成膜过程中的应力积累，防止过度的应力累积导致膜层结构完整性被破坏；通过在第一无机层上设置第一过孔、在有机缓冲层上设置第二过孔和在第二无机层上设置第三过孔，使得在上一层膜层成膜时，将各过孔填充，实现上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝的目的，防止外围膜层发生破裂点后向内延伸；通过设置外围强化层，能够提升薄膜封装的韧性和强度，进而达到提升柔性显示屏使用寿命的目的。
进一步的，所述第一应力释放孔和第二应力释放孔的数量均为五个。
由上述描述可知，通过设置五个第一应力释放孔和五个第二应力释放孔，能够保证封装无机膜层的致密性的同时，防止过度的应力累积导致膜层结构完整性被破坏。
进一步的，所述第一应力释放孔和第二应力释放孔均为圆锥形盲孔。
由上述描述可知，将第一应力释放孔和第二应力释放孔均设置为圆锥形盲孔，能够避免膜层之间导通，防止水氧从盲孔位置入侵至OLED器件层。
进一步的，所述第一过孔、第二过孔和第三过孔的竖直截面的形状均为等腰梯形。
由上述描述可知，通过设置上述的结构，实现上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝的目的，防止外围膜层发生破裂点后向内延伸。
进一步的，所述TFT电路层上设有第四过孔，所述第四过孔中填充有第一无机层，所述第四过孔中的第一无机层与玻璃基板接触。
由上述描述可知，通过在TFT电路层上设置第四过孔，能够加强薄膜封装对下层TFT的吸附效果。
请参照图4，本发明提供的另一种技术方案：
一种柔性显示屏封装结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板的一侧面上覆盖有TFT电路层；
S2、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT电路层表面；
S3、形成第一无机层，且覆盖于所述OLED器件层表面，在所述OLED器件层中形成第一过孔和第一应力释放孔；
S4、形成强化干燥层，且覆盖于所述第一无机层表面；
S5、形成有机缓冲层，且覆盖于所述强化干燥层表面，在所述有机缓冲层中形成第二过孔；
S6、形成第二无机层，且覆盖于所述有机缓冲层表面，在所述第二无机层中形成第三过孔和第二应力释放孔；
S7、形成外围强化层，且覆盖于所述第二无机层表面。
从上述描述可知，本发明的有益效果在于：
通过在第一无机层设置第一应力释放孔和在第二无机层设置第二应力释放孔，能够用以缓解整体成膜过程中的应力积累，防止过度的应力累积导致膜层结构完整性被破坏；通过在第一无机层上设置第一过孔、在有机缓冲层上设置第二过孔和在第二无机层上设置第三过孔，使得在上一层膜层成膜时，将各过孔填充，实现上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝的目的，防止外围膜层发生破裂点后向内延伸；通过设置外围强化层，能够提升薄膜封装的韧性和强度，进而达到提升柔性显示屏使用寿命的目的。
进一步的，所述步骤S1和步骤S2之间还包括以下步骤：
在所述TFT电路层中形成第四过孔，所述第四过孔中填充有第一无机层，所述第四过孔中的第一无机层与玻璃基板接触。
进一步的，所述第一应力释放孔和第二应力释放孔的数量均为五个。
从上述描述可知，通过设置五个第一应力释放孔和五个第二应力释放孔，能够保证封装无机膜层的致密性的同时，防止过度的应力累积导致膜层结构完整性被破坏。
进一步的，所述第一应力释放孔和第二应力释放孔均为圆锥形盲孔。
进一步的，所述第一过孔、第二过孔和第三过孔的竖直截面的形状均为等腰梯形。
从上述描述可知，通过设置上述的结构，实现上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝的目的，防止外围膜层发生破裂点后向内延伸。
请参照图1至图3，本发明的实施例一为：
请参照图1，一种柔性显示屏封装结构，包括玻璃基板1，所述玻璃基板1的一侧面上依次层叠设有TFT电路层2(TFT，英文全称为Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)、OLED器件层3、第一无机层4、强化干燥层5、有机缓冲层6、第二无机层7和外围强化层8，所述第一无机层4上设有第一过孔41和两个以上的第一应力释放孔42，所述第二无机层7上设有两个以上的第二应力释放孔71，所述有机缓冲层6上设有第二过孔61，所述第二无机层7上设有第三过孔72，所述第二应力释放孔71与第一应力释放孔42一一对应设置，所述第二过孔61与第一过孔41对应设置，所述第三过孔72与第二过孔61对应设置，所述第一过孔41中填充有有机缓冲层6，所述第一过孔41中的有机缓冲层6与玻璃基板1接触，所述第一应力释放孔42中填充有强化干燥层5，所述第二应力释放孔71中填充有外围强化层8，所述第二过孔61中填充有第二无机层7，所述第三过孔72中填充有外围强化层8。
所述OLED器件层3包括从上至下依次层叠放置的有机保护膜层(厚度为50nm)、阳极层(厚度为20nm)、电子注入层(厚度为25nm)、电子传输层(厚度为25nm)、OLED发光层(厚度为100nm)、空穴传输层(厚度为25nm)、空穴注入层(厚度为25nm)和阳极层(厚度为50nm)。
所述TFT电路层2为IGZO-TFT(即铟镓锌氧化物材料的薄膜场效应晶体管)。
所述第一无机层4，为密封层，是薄膜封装的主封装层，采用等离子增强化学气相沉积或者等离子增强原子沉积的方式生成，材料可选择氮化硅、氧化硅等无机材料，在成膜过程中使用倒梯形Mask(掩膜板)，在倒梯形阻隔坝的位置留出倒梯形空隙(即第一过孔41)，在上一层膜层成膜时，将这一倒梯形空隙填充，实现上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝的目的，上述倒梯形阻隔坝空隙Mask和圆锥形应力释放孔Mask可制作在同一张Mask上；
由于纳米氧化铝xz-L14耐热性强，成型性好，晶相稳定，硬度高，尺寸稳定性好，同时也具备干燥和提高膜层致密效果的功能，故采用等离子增强化学气相沉积的方式在第一无机层4上沉积强化干燥层5，能够起到干燥和加强封装致密性的效果，同时该膜层在形成的过程中会填充第一应力释放孔42，将第一无机层4上五个第一应力释放孔42填充完成；
所述有机缓冲层6，起到缓冲效果，也可释放薄膜封装的应力，也可以对薄膜封装起到平坦化的作用，使得封装结构更加可靠和完整，可采用喷墨打印技术生成，材料可选择有机聚合物，如聚甲基丙烯酸甲酯、聚偏二氯乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯等，有机缓冲层6上的倒梯形阻隔坝在有机缓冲层6成膜后，通过蚀刻的工艺挖出倒梯形空隙(即第二过孔61)，这和第一无机层4形成的倒梯形空隙方法不同；
所述第二无机层7的形成方法同第一无机层4，此处不再重复；
所述外围强化层8，用于加强封装结构的韧性和强度，采用等离子增强原子沉积的方式生成，材料可选择氧化铝、氧化钛、氧化锆、氧化镁等不活泼的透明金属氧化物。
所述第一应力释放孔42和第二应力释放孔71的数量均为五个，五个所述第一应力释放孔42在第一无机层的设置位置请参照图3，同样的，第二应力释放孔71在第二无机层的位置也是如此。
请参照图2，所述第一应力释放孔42和第二应力释放孔71均为圆锥形盲孔。
请参照图1，所述第一过孔41、第二过孔61和第三过孔72的竖直截面的形状均为等腰梯形。
请参照图1，所述TFT电路层2上设有第四过孔21，所述第四过孔21中填充有第一无机层4，所述第四过孔21中的第一无机层4与玻璃基板1接触。
所述玻璃基板1的厚度范围为0.3mm-0.5mm，优选为0.4mm；
所述TFT电路层2的厚度范围为3.5μm-6μm，优选为4μm；
所述OLEDT器件层3的厚度范围为0.25μm-0.35μm，优选为0.3μm；
所述第一无机层4的厚度范围为0.1μm-0.35μm，优选为0.2μm；
所述第一过孔41的深度范围为3μm-5μm，优选为4.2μm；上长范围为0.9mm-1.5mm，优选为1.2mm；下长范围为0.8mm-1.5mm，优选为1.0mm；
所述第一应力释放孔42的圆锥直径范围为0.3μm-0.6μm，优选为0.5μm；深度范围为0.06μm-0.15μm，优选为0.1μm；
所述强化干燥层5的厚度范围为0.03μm-0.06μm，优选为0.05μm；
所述有机缓冲层6的厚度范围为0.2μm-0.3μm，优选为0.25μm；
所述第二过孔61的深度范围为0.3μm-0.5μm，优选为0.25μm；上长范围为0.9mm-1.5mm，优选为1.2mm；下长范围为0.8mm-1.5mm，优选为1.0mm；
所述第二无机层7的厚度范围为0.1μm-0.25μm，优选为0.2μm；
所述第二应力释放孔71的圆锥直径范围为0.3μm-0.6μm，优选为0.5μm；深度范围为0.06μm-0.15μm，优选为0.1μm；
所述第三过孔72的深度范围为0.3μm-0.5μm，优选为0.2μm；上长范围为0.9mm-1.5mm，优选为1.2mm；下长范围为0.8mm-1.5mm，优选为1.0mm；
所述外围强化层8的厚度范围为0.05μm-0.15μm，优选为0.1μm。
本方案设计的柔性显示屏封装结构，优化了薄膜封装技术，完善薄膜封装结构，通过在成膜过程中设置应力释放孔来缓解整体成膜过程中的应力累积，防止过度的应力累积导致膜层结构完整性被破坏，在成膜过程中使用Mask，上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝，最后在薄膜封装的外围设立封装外围强化层8，提升薄膜封装的韧性和强度，达到提高柔性显示屏使用寿命的目的。
请参照图4，本发明的实施例二为：
一种柔性显示屏封装结构的制备方法，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板1，在玻璃基板1的一侧面上覆盖有TFT电路层2；
S2、形成OLED器件层3，且覆盖于所述TFT电路层2表面；
S3、形成第一无机层4，且覆盖于所述OLED器件层3表面，在所述OLED器件层3中形成第一过孔41和第一应力释放孔42；
S4、形成强化干燥层5，且覆盖于所述第一无机层4表面；
S5、形成有机缓冲层6，且覆盖于所述强化干燥层5表面，在所述有机缓冲层6中形成第二过孔61；
S6、形成第二无机层7，且覆盖于所述有机缓冲层6表面，在所述第二无机层7中形成第三过孔72和第二应力释放孔71；
S7、形成外围强化层8，且覆盖于所述第二无机层7表面。
所述步骤S1和步骤S2之间还包括以下步骤：
在所述TFT电路层2中形成第四过孔21，所述第四过孔21中填充有第一无机层4，所述第四过孔21中的第一无机层4与玻璃基板1接触。
所述第一应力释放孔42和第二应力释放孔71的数量均为五个。
所述第一应力释放孔42和第二应力释放孔71均为圆锥形盲孔。
所述第一过孔41、第二过孔61和第三过孔72的竖直截面的形状均为等腰梯形。
综上所述，本发明提供的一种柔性显示屏封装结构及其制备方法，通过在第一无机层设置第一应力释放孔和在第二无机层设置第二应力释放孔，能够用以缓解整体成膜过程中的应力积累，防止过度的应力累积导致膜层结构完整性被破坏；通过在第一无机层上设置第一过孔、在有机缓冲层上设置第二过孔和在第二无机层上设置第三过孔，使得在上一层膜层成膜时，将各过孔填充，实现上一层封装膜层为下一层封装膜层提供裂缝阻隔坝的目的，防止外围膜层发生破裂点后向内延伸；通过设置外围强化层，能够提升薄膜封装的韧性和强度，进而达到提升柔性显示屏使用寿命的目的。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种柔性显示屏封装结构，其特征在于，包括玻璃基板，所述玻璃基板的一侧面上依次层叠设有TFT电路层、OLED器件层、第一无机层、强化干燥层、有机缓冲层、第二无机层和外围强化层，所述第一无机层上设有第一过孔和两个以上的第一应力释放孔，所述第二无机层上设有两个以上的第二应力释放孔，所述有机缓冲层上设有第二过孔，所述第二无机层上设有第三过孔，所述第二应力释放孔与第一应力释放孔一一对应设置，所述第二过孔与第一过孔对应设置，所述第三过孔与第二过孔对应设置，所述第一过孔中填充有有机缓冲层，所述第一过孔中的有机缓冲层与玻璃基板接触，所述第一应力释放孔中填充有强化干燥层，所述第二应力释放孔中填充有外围强化层，所述第二过孔中填充有第二无机层，所述第三过孔中填充有外围强化层。
2.根据权利要求1所述的柔性显示屏封装结构，其特征在于，所述第一应力释放孔和第二应力释放孔的数量均为五个。
3.根据权利要求1所述的柔性显示屏封装结构，其特征在于，所述第一应力释放孔和第二应力释放孔均为圆锥形盲孔。
4.根据权利要求1所述的柔性显示屏封装结构，其特征在于，所述第一过孔的竖直截面的形状为等腰梯形。
5.根据权利要求1所述的柔性显示屏封装结构，其特征在于，所述TFT电路层上设有第四过孔，所述第四过孔中填充有第一无机层，所述第四过孔中的第一无机层与玻璃基板接触。
6.一种权利要求1所述的柔性显示屏封装结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、提供一玻璃基板，在玻璃基板的一侧面上覆盖有TFT电路层；
S2、形成OLED器件层，且覆盖于所述TFT电路层表面；
S3、形成第一无机层，且覆盖于所述OLED器件层表面，在所述OLED器件层中形成第一过孔和第一应力释放孔；
S4、形成强化干燥层，且覆盖于所述第一无机层表面；
S5、形成有机缓冲层，且覆盖于所述强化干燥层表面，在所述有机缓冲层中形成第二过孔；
S6、形成第二无机层，且覆盖于所述有机缓冲层表面，在所述第二无机层中形成第三过孔和第二应力释放孔；
S7、形成外围强化层，且覆盖于所述第二无机层表面。
7.根据权利要求6所述的柔性显示屏封装结构的制备方法，其特征在于，所述步骤S1和步骤S2之间还包括以下步骤：
在所述TFT电路层中形成第四过孔，所述第四过孔中填充有第一无机层，所述第四过孔中的第一无机层与玻璃基板接触。
8.根据权利要求6所述的柔性显示屏封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一应力释放孔和第二应力释放孔的数量均为五个。
9.根据权利要求6所述的柔性显示屏封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一应力释放孔和第二应力释放孔均为圆锥形盲孔。
10.根据权利要求6所述的柔性显示屏封装结构的制备方法，其特征在于，所述第一过孔的竖直截面的形状为等腰梯形。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011031240.XA CN112103401A (zh) | 2020-09-27 | 2020-09-27 | 一种柔性显示屏封装结构及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202011031240.XA CN112103401A (zh) | 2020-09-27 | 2020-09-27 | 一种柔性显示屏封装结构及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN112103401A true CN112103401A (zh) | 2020-12-18 |
Family
ID=73756338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202011031240.XA Pending CN112103401A (zh) | 2020-09-27 | 2020-09-27 | 一种柔性显示屏封装结构及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN112103401A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112563439A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-26 | 福建华佳彩有限公司 | 一种曲面屏封装结构及其封装方法 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140152174A1 (en) * | 2012-12-03 | 2014-06-05 | Au Optronics Corp. | Electroluminescent display panel |
| CN104795403A (zh) * | 2015-04-16 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制作方法、显示装置 |
| CN106409873A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-02-15 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置及制造方法 |
| WO2019006825A1 (zh) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled阵列基板的制作方法、oled显示面板 |
| US10269830B1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-04-23 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible array substrate and manufacturing method thereof |
| WO2019127689A1 (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、柔性oled显示器件 |
| WO2019169736A1 (zh) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| US20200194526A1 (en) * | 2018-08-20 | 2020-06-18 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Thin film transistor substrates and display panels |
| CN213093227U (zh) * | 2020-09-27 | 2021-04-30 | 福建华佳彩有限公司 | 一种柔性显示屏封装结构 |
-
2020
- 2020-09-27 CN CN202011031240.XA patent/CN112103401A/zh active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20140152174A1 (en) * | 2012-12-03 | 2014-06-05 | Au Optronics Corp. | Electroluminescent display panel |
| CN104795403A (zh) * | 2015-04-16 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性基板及其制作方法、显示装置 |
| US20170069701A1 (en) * | 2015-04-16 | 2017-03-09 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Flexible substrate, method for manufacturing flexible substrate, and display device |
| CN106409873A (zh) * | 2016-10-12 | 2017-02-15 | 上海天马微电子有限公司 | 柔性显示装置及制造方法 |
| WO2019006825A1 (zh) * | 2017-07-06 | 2019-01-10 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性oled阵列基板的制作方法、oled显示面板 |
| US10269830B1 (en) * | 2017-11-27 | 2019-04-23 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | Flexible array substrate and manufacturing method thereof |
| WO2019127689A1 (zh) * | 2017-12-26 | 2019-07-04 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、柔性oled显示器件 |
| WO2019169736A1 (zh) * | 2018-03-07 | 2019-09-12 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板及其制备方法 |
| US20200194526A1 (en) * | 2018-08-20 | 2020-06-18 | Yungu (Gu'an) Technology Co., Ltd. | Thin film transistor substrates and display panels |
| CN213093227U (zh) * | 2020-09-27 | 2021-04-30 | 福建华佳彩有限公司 | 一种柔性显示屏封装结构 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN112563439A (zh) * | 2020-12-28 | 2021-03-26 | 福建华佳彩有限公司 | 一种曲面屏封装结构及其封装方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI699020B (zh) | 有機發光二極體裝置 | |
| KR102111562B1 (ko) | 표시 장치 | |
| WO2018086191A1 (zh) | Oled显示器及其制作方法 | |
| US8552634B2 (en) | Organic light-emitting display apparatus | |
| JP2020532043A (ja) | 表示基板及びその製造方法、表示装置 | |
| CN110649072A (zh) | 有机发光二极管显示器、包括其的电子装置及其制造方法 | |
| JP2010140980A (ja) | 機能性有機物素子及び機能性有機物装置 | |
| CN106450026A (zh) | Oled显示器及其制作方法 | |
| US10978677B2 (en) | Organic light emitting display device | |
| KR20160104807A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR20120138307A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| CN110571347B (zh) | 一种显示面板及其制备方法 | |
| WO2020211288A1 (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| KR101410102B1 (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| CN113782577A (zh) | 透明有机发光显示设备以及制造其的方法 | |
| KR20220138841A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| CN110246983B (zh) | 有机发光显示面板及其制造方法、封装薄膜 | |
| CN213093227U (zh) | 一种柔性显示屏封装结构 | |
| KR20040102653A (ko) | 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
| CN112103401A (zh) | 一种柔性显示屏封装结构及其制备方法 | |
| KR20200069118A (ko) | 표시 장치 | |
| WO2019104859A1 (zh) | 用于封装oled器件的封装结构、显示装置 | |
| CN107845734A (zh) | 一种薄膜封装材料、薄膜封装结构和oled显示面板 | |
| CN212182364U (zh) | 一种柔性amoled面板封装结构 | |
| KR20160068336A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |