CN103915577B - 有机发光显示器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及有机发光显示器件及其制造方法。该发光显示器件具有提高的发光效率和颜色视角。该方法包括以下步骤：在基板上形成红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中每一个的第一电极；在所述第一电极上形成白色有机公共层；以及在所述白色有机公共层上形成第二电极，其中，所述第一电极包括多个透明导电层并且被形成为使得所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素当中的两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度大于另外两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度，并且所述第一电极的所述多个透明导电层当中不包括最低层的至少两个层被形成为覆盖所述最低层的相对侧。

Description

有机发光显示器件及其制造方法
技术领域
本发明涉及有机发光显示器件及其制造方法，具体地，涉及一种具有提高的发光效率和颜色视角的有机发光显示器件及其制造方法。
背景技术
在屏幕上显示各种信息的显示器是信息和通信技术的核心，并且正在变得更薄、更轻、更便携和具有更高的性能。因此，作为能够解决阴极发射管（CRT）中多种问题的平面显示器件，通过控制有机发光层（EML）的发光来显示图像的有机发光二极管（OLED）显示器件受到了关注。
在有机发光显示器件（OLED）中，基本上以矩阵形式设置由红色、绿色和蓝色子像素构成的像素，从而显示图像。但是，在一种OLED形式的白色OLED（WOLED）中，红色、绿色和蓝色滤色器形成在白色有机发光单元中以实现颜色。但是，白色有机发光显示单元是利用生成不同颜色的EML来实现白色的，因此，发光特性根据波长而发生变化，导致视角和效率特性变差。
发明内容
因此，本发明涉及一种有机发光显示器件及其制造方法，其基本上能够消除由于相关技术的限制和缺点引起的一个或更多个问题。
本发明的一个目的是提供一种具有提高的发光效率和颜色视角的有机发光显示器件及其制造方法。
本发明附加的优点、目的和特征将会作为随后的说明书的一部分提出，并且当调查随后的说明书时，其部分的对于本领域技术人员来说是明显的或者可从本发明的实践中得出。本发明的目的和优点可以通过书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构实现并获得。
根据本发明的目的，为了实现这些目标和其他优点，如在此具体地和宽泛描述的，一种制造有机发光显示器件的方法包括以下步骤：在基板上形成红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中每一个的第一电极；在所述第一电极上形成白色有机公共层；以及在所述白色有机公共层上形成第二电极，其中，所述第一电极包括多个透明导电层并且被形成为使得所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素当中的两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度大于另外两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度，并且所述第一电极的所述多个透明导电层当中不包括最低层的至少两个层被形成为覆盖所述最低层的相对侧。
所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述第一电极的厚度可以比所述绿色子像素和所述白色子像素中每一个的所述第一电极厚了约至约
所述红色子像素的所述第一电极的厚度可以与所述蓝色子像素的所述第一电极的厚度相同，并且所述绿色子像素的所述第一电极的厚度可以与所述白色子像素的所述第一电极的厚度相同。
所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述第一电极的厚度都可以为至并且所述绿色子像素和所述白色子像素中的每一个的所述第一电极的厚度都可以为至
形成所述第一电极的步骤可以包括：在所述红色子像素和所述蓝色子像素中的每一个中形成包括第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层的第一电极；以及在所述绿色子像素和所述白色子像素中的每一个中形成包括所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层中的至少一个的第一电极。
形成所述第一电极的步骤可以包括：利用光刻和蚀刻在所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素中的每一个中形成第一透明导电层；利用光刻和蚀刻在所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素中的每一个中形成第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖了所述第一透明导电层的第一侧；以及利用光刻和蚀刻在所述红色子像素和所述蓝色子像素中的每一个中形成第三透明导电层，所述第三透明导电层覆盖了所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的每一个的第二侧。
在本发明的另一方面，一种有机发光显示器件包括：形成在基板上的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中的每一个的第一电极；与所述第一电极面对的第二电极；以及形成在所述第一电极与所述第二电极之间的白色有机公共层；其中，每个所述第一电极都包括多个透明导电层，并且被形成为使得所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素当中的两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度大于另外两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度，并且所述第一电极的所述多个透明导电层当中不包括最低层的至少两个层被形成为覆盖所述最低层的相对侧。
所述第一电极的厚度相同的所述红色子像素和所述蓝色子像素可以被彼此相邻地布置，并且所述第一电极的厚度相同的所述绿色子像素和所述白色子像素可以被彼此相邻地布置。
所述白色有机公共层可以包括：形成在所述第一电极与所述第二电极之间的至少两个发光单元；以及形成在所述至少两个发光单元之间的至少一个电荷发生层。
所述白色有机公共层可以包括：第一发光单元，其形成在所述第一电极上并包括用于实现蓝色的第一发射层；第一电荷发生层，其形成在所述第一发光单元上；以及第二发光单元，其形成在所述第一电荷发生层上并包括用于实现黄绿色的第二发射层。
所述白色有机公共层还可以包括：第二电荷发生层，其形成在所述第二发光单元上；以及第三发光单元，其形成在所述第二电荷发生层上并包括用于实现红色的第三发射层和用于实现蓝色的第四发射层。
应当理解，对本发明的上述一般性描述和随后的详细描述是示例性的和解释性的，并且旨在对所要求保护的本发明提供进一步的解释。
附图说明
提供对本发明的进一步理解并且与本申请结合并作为本申请一部分的所包含的附图对本发明的实施方式进行说明，并与说明书一起用来对本发明的主旨进行解释。其中：
图1是根据本发明第一实施方式的有机发光显示板的平面图；
图2是图1的有机发光显示板的截面图；
图3是对图2所示的有机公共（common）层进行具体说明的截面图；
图4A和4B是对图2所示的第一电极的另一示例进行说明的截面图；
图5是对图1所示的红色、绿色、蓝色和白色子像素的另一布置示例进行说明的图；
图6A至6C是示出比较例1、比较例2和实施例1的发光光谱的曲线图；
图7A至7F是对图2的有机发光显示板的制造方法进行说明的截面图；
图8A至8C是用于对图7D所示的第一电极的制造进行解释的截面图；
图9是根据本发明第二实施方式的有机发光显示器件的截面图；
图10A至10C是示出比较例3、比较例4和实施例2的发光光谱的曲线图；
图11是根据本发明第三实施方式的有机发光显示器件的截面图；
图12A至12C是示出比较例5、比较例6和实施例3的发光光谱的曲线图。
具体实施方式
对本发明的优先实施方式用在附图中示出的附图标记进行了详细标注。只要有可能，在附图中使用的相同的附图标记指代相同或相似的部分。
以下将会结合附图对本发明的实施方式进行详细说明。
图1是根据本发明的R、G、B子像素区的等效电路图。图2是根据图1所示的R、G、B子像素区的有机发光显示板的截面图。
参见图1和2，根据本发明实施方式的有机发光显示板包括由选通线GL、数据线DL和电力线PL的交叉所限定的多个子像素区。
子像素区包括R子像素区、G子像素区、B子像素区、W子像素区，并且R、G、B、W子像素区以矩形布置以显示图像。
R、G、B、W子像素区中的每一个都包括盒（cell）驱动单元200和与盒驱动单元200连接的有机发光盒。
盒驱动单元200包括与选通线GL和数据线DL连接的开关薄膜晶体管TS、与开关薄膜晶体管TS连接并位于电力线PL和有机发光器件（OLED）的第一电极之间的驱动薄膜晶体管TD，以及连接在电力线PL和开关薄膜晶体管TS的漏极110之间的存储电容器C。
开关薄膜晶体管TS包括与相应选通线GL连接的栅极、与相应数据线DL连接的源极，以及与存储电容器C和驱动薄膜晶体管TD的栅极连接的漏极110。驱动薄膜晶体管TD包括与相应电力线L连接的源极和与第一电极122连接的漏极110。存储电容器C连接在相应电力线PL和驱动薄膜晶体管TD之间。
当扫描脉冲被提供到选通线GL时，开关薄膜晶体管TS导通，因此提供到数据线DL的数据信号被提供到存储电容器C和驱动薄膜晶体管TD的栅极。驱动薄膜晶体管TD响应于提供到栅极的数据信号来控制从电力线PL向OLED提供的电流I，从而对OLED的发光进行调节。此外，即便开关薄膜晶体管TS截止，由于在存储电容器C中充入的电压，驱动薄膜晶体管TD仍然提供恒定的电流I直到提供了下一帧的数据信号，从而OLED保持发光。
如图2所示，驱动薄膜晶体管TD连接到选通线GL，并且包括：形成在基板100上的栅极102；形成在栅极102上的栅极绝缘膜112；形成为与选通电极102对应、其间设置有栅极绝缘膜112的氧化物半导体层114；蚀刻阻止部106，其形成在氧化物半导体层114上以防止对氧化物半导体层114的损害并保护氧化物半导体层114使其与氧隔离；与数据线DL连接的源极108，且漏极110面对该源极108。此外，由氧化物绝缘层材料形成的有机保护层118形成在驱动薄膜晶体管TD上以平坦化设置有驱动薄膜晶体管TD的基板100。在另一实施方式中，驱动薄膜晶体管TD上的有机保护膜118可形成为两层，其包括由无机绝缘材料形成的无机保护膜形成和由有机绝缘绝缘材料形成的有机保护膜。氧化物半导体层114由氧化物形成，该氧化物包括选自Zn、Cd、Ga、In、Sn、Hf和Zr中的至少一种金属。相比于包括硅半导体层的薄膜晶体管，包括氧化物半导体层114的薄膜晶体管具有更高的电荷迁移率和更低的漏电流。此外，包括硅半导体层的薄膜晶体管是通过高温制造工艺制成的，并且需要经历晶化工艺，因此，由于薄膜晶体管被制成为具有大面积，因此在制造过程中均匀性变差，会使得制造大面积薄膜晶体管变得困难。相比之下，包括氧化物半导体层114的薄膜晶体管可通过低温制造工艺制造，并且优势在于适合大面积制造。
作为滤色器，R滤色器124R形成在R子像素区的有机保护层118上以实现红色（R）；G滤色器124G形成在G子像素区的有机保护层118上以实现绿色（G）；B滤色器124B形成在B子像素区的有机保护层118上以实现蓝色（B）；W子像素区的有机保护层118上没有滤色器，因此W子像素区实现白色（W）。
有机发光盒包括与驱动薄膜晶体管TD的漏极110连接的第一电极122、设置有堤岸（bank）孔132以暴露出第一电极122的堤岸绝缘膜130、第一电极122上的有机公共层134，以及形成在有机公共层134上的第二电极136。
如图3所示，有机公共层134包括电荷发生层CGL以及其间设置有CGL的第一和第二发光单元134a和134b。第一和第二发光单元134a和134b都包括空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发射层（EML）和电子传输层（ETL）。具体地，第一发光单元134a的第一EMLEML1包括荧光蓝色掺杂物和宿主以发射蓝色光，第二发光单元134b的第二EMLEML2包括磷光黄绿色掺杂物和宿主以发射黄-绿色光。因此，通过将第一发光单元134a的蓝色光与第二发光单元134b的黄绿色光混合，有机公共层134可实现白色光。此外，有机公共层134可使用不同的荧光和磷光掺杂物来实现白色光。
根据R、G、B、W子像素，将作为阳极的第一电极122形成为不同的厚度。也就是说，决定视角的各个G和W子像素的第一电极122G和122W被形成为第一厚度，决定发光效率的R和B子像素的第一电极122R和122B被形成为比第一厚度厚了约至的第二厚度。例如，各个G和W子像素的第一电极122G和122W具有至的厚度，各个R和B子像素的第一电极122R和122B具有至的厚度。
采用透明导电材料，例如铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）或IGZO，将第一电极122形成为单层或多层。在第一电极122形成为由ITO和IZO形成的两层的情形下，当ITO层比IZO层的厚度大时，黄绿色光的强度降低，因此，IZO层可以比ITO层的厚度大。具体地，如下表1所示，在根据本发明的实施例中，第一电极122形成为由ITO/IZO或IZO/ITO形成的两层并具有至的厚度，该实施例具有黄绿色光的最大效率并且因此降低了蓝色光的效率，因此，相比于第一电极具有的厚度并由ITO形成的比较例，该实施例具有更宽的颜色视角。
[表1]
类似地，当第一电极被形成为由ITO和IZO的混合物形成的单层时，IZO的量可以大于ITO的量。
各个R和B子像素的第一电极122R和122B都包括逐个叠层起来的第一、第二和第三透明导电层122a、122b和122c，各个G和W子像素的第一电极122G和122W都包括第一、第二和第三透明导电层122a、122b和122c中的至少一个。以下参考图2，以示例方式对第一和第二透明导电层122a和122b叠层在各个G和W子像素的第一电极122G和122W的每一个上的情形进行详细描述。
各个R和B子像素的第一电极122R和122B的每一个的第一、第二和第三透明导电层122a、122b和122c都叠层为如图2、4A或4B所示。
参见图2，形成第二透明导电层122b以覆盖第一透明导电层122a的第一侧，形成第三透明导电层122c以覆盖第一和第二透明导电层122a和122b的每一个的第二侧。
参见图4A，形成第二透明导电层122b以覆盖第一透明导电层122a的第一侧，形成第三透明导电层122c以覆盖第二透明导电层122b的第一侧。
参见图4B，形成第二透明导电层122b以覆盖第一透明导电层122a的相对侧，形成第三透明导电层122c以覆盖第一和第二透明导电层122a和122b的每一个的第一侧。在此情况下，各个G和W子像素的第一电极122G和122W的每一个可具有第一和第三透明导电层122a和122c叠层起来的结构。
此外，各个R和B子像素的第一电极122R和122B可具有各种其他结构。
这样，构成R、G、B、W子像素的每一个的第一电极122的多个透明导电层具有阶梯结构，因此，形成用以覆盖第一电极122相对侧的外覆层（overcoatlayer）的阶梯覆盖得到了提高。
此外，R和B子像素的微腔（microcavity）长度比G和W子像素的微腔长度大了第一电极122之间的厚度差。因此，提高了经由各个R和B子像素的第一电极122R和122B发射的白光的强度，因此提高了发光效率。具体地，在R和B子像素中，从第一电极122R和122B的每一个的下表面到有机公共层134的上表面的总厚度被形成为满足以下公式1所示的谐振条件。
[公式1]
n a d a λ y = Σ j n j w d j w λ y = 1.72 ~ 2.12
公式1中，λy表示黄绿色光的峰波长，da表示第一电极122的厚度，dw表示有机公共层134的总厚度，nw表示有机公共层133的折射系数，na表示第一电极122的折射系数。就此而言，各个R和B子像素的第一电极122R和122B的厚度与有机公共层134的厚度的总和可介于约到之间。为了满足该总和条件，随着第一电极122R和122B厚度增大，必须减小有机公共层134的厚度并且厚度变化比为1：1或更大。当第一电极122的厚度被形成为高达的厚度时，可以减小有机公共层134的厚度，其结果是原材料成本降低，并且减小了第一和第二电极122和136之间的距离，因此可降低驱动电压。
作为阴极的第二电极136由例如铝（Al）的反射金属材料形成。如图2所示，有机发光显示器件可以是底部发射型，但实施方式并不限于此。也就是说，根据第一和第二电极122和136的材料，有机发光显示器件可以是底部发射型、顶部发射型或双向发射型。
在有机发光盒中，当在第一电极122和第二电极136之间施加电压时，从第一电极122注入的空穴和从第二电极136注入的电子发生复合，形成激子，并且当激子降至基态时，沿着有机发光显示器件的底部方向发光。
同时，在图2中，R、G、B、W子像素以降序布置。但是，在另一实施方式中，包括具有相同厚度的第一电极122的子像素可被彼此邻近地布置。也就是说，如图5所示，R、G、B、W子像素以这种降序方式来布置。
图6A至6C是示出根据第一电极122的厚度的实施例和比较例的发光光谱的曲线图。在图6A至6C中，光致发光（PL）峰表示从每个EML发射的光的峰，发射率（emittance，EM）峰表示随着构成第一和第二电极122与136之间的有机公共层134的每个层的厚度和光学特性而发生变化的光的峰，电致发光（EL）峰表示用PL峰乘以EM峰所获得的峰。
此外，在图6A至6C以及下表2中，比较例1代表R、G、B、W子像素区的每一个的第一电极都被形成为第一厚度的有机发光显示器件；比较例2代表R、G、B、W子像素区的每一个的第一电极都形成为大于第一厚度的第二厚度的有机发光显示器件；而实施例1代表R和B子像素区的每一个的第一电极122都被形成为第二厚度，并且G和W子像素区的每一个的第一电极122都被形成为第一厚度的有机发光显示器件。如图3所示，比较例1、2和实施例1的有机发光显示器件中的每一个都包括用于发射蓝色光的第一发光单元134a和用于发射黄绿色光的第二发光单元134b。
[表2]
与图6B所示的比较例2的有机发光显示器件的黄绿色光EM峰波长的半最大值全宽度（FWHM）和蓝色光EM峰波长的FWHM相比，图6A所示的比较例1的有机发光显示器件分别具有更宽的黄绿色光EM峰波长的FWHM和更宽的蓝色光EM峰波长的FWHM。因此，如表2所示，可以确定包括具有第二厚度的第一电极的比较例2的有机发光显示器件与包括具有第一厚度的第一电极的比较例1的有机发光显示器件相比具有更窄的颜色视角。
此外，图6A所示的比较例1的蓝色光和黄绿色光中的每一个的EM峰的密度都低于图6B所示的比较例2的蓝色光和黄绿色光的每一个的EM峰的密度。因此可以确定，如表2所示，当与比较例2的有机发光显示器件相比时，比较例1的有机发光显示器件的板效率特性变差，其中，比较例1包括具有第一厚度的第一电极，比较例2包括具有第二厚度的第一电极。具体地，如表1所示，可以确定，与比较例2的R和B子像素的效率相比，比较例1的R和B子像素的效率更低，其中，比较例1的每个R和B子像素都包括具有第一厚度的第一电极，比较例2中的R和B子像素包括具有第二厚度的第一电极。
与之相比，如图6C所示，在实施例1中，从G、W子像素区发射的白光的EM峰波长具有与从R和B子像素区发射的白光的EM峰波长相似的相位，其中，G、W子像素区域分别包括具有第一厚度的第一电极122G和122W，R和B子像素区域分别包括具有第二厚度的第一电极122R和122B。因此，当与比较例1和2的有机发光显示器件相比时，实施例1的有机发光显示装具有提高的板效率并具有与比较例1的有机发光器件相同的颜色视角特性。
图7A至7F是解释图2的有机发光显示板的制造方法的截面图。
参见图7A，驱动薄膜晶体管形成在基板100上，其中，驱动薄膜晶体管包括栅极106、栅极绝缘膜112、半导体图案115、源极108和漏极110。
具体地，通过沉积（例如溅射等）在基板100上形成栅极金属层。栅极金属层由金属材料，例如，Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金、Al合金、Mo-Ti合金等形成。然后，通过光刻和蚀刻对栅极金属层进行构图以形成栅极102。
接下来，利用无机绝缘材料，例如氧化硅（SiOx）、氮化硅（SiNx）等在上面形成有栅极102的基板100的整个上表面上形成栅极绝缘膜112。然后，通过光刻和蚀刻在上面具有栅极绝缘膜112的基板100上依次形成氧化物半导体层114和蚀刻阻止部116。
接下来，通过沉积（例如溅射等）在具有半导体图案的基板100上形成数据金属层。数据金属层由钛（Ti）、钨（W）、铝基金属、钼（Mo）、铜（Cu）等形成。然后，通过光刻和蚀刻对数据金属层进行构图以形成源极108和漏极110。
参见图7B，在上面形成有源极108和漏极110的基板100上形成有机保护膜118，并且在相应子像素区中形成R、G、B滤色器124R、124G、124B。
具体地，采用有机绝缘材料（例如基于丙烯醛基的树脂）在上面形成有源极108和漏极110的基板100的整个上表面上形成有机保护膜118。接下来，通过将用红颜色（R）染色的红颜色树脂涂覆在有机保护膜118上并在上面执行光刻和蚀刻来在R子像素区的有机保护膜118上形成红色滤色器124R。然后，通过将用绿颜色（G）染色的绿颜色树脂涂覆在有机保护膜118上并在上面执行光刻和蚀刻来在G子像素区的有机保护膜118上形成绿色滤色器124G。然后，通过将用蓝颜色（B）染色的蓝颜色树脂涂覆在有机保护膜118上并在上面执行光刻和蚀刻来在B子像素区的有机保护膜118上形成蓝色滤色器124B。因此，分别在R、G、B子像素区中形成了R、G、B滤色器124R、124G、124B。
参见图7C，在上面形成有R、G、B的滤色器124R、124G、124B的基板100上形成具有像素接触孔120的外覆层126。
具体地，通过在上面形成有R、G、B滤色器124R、124G、124B的基板100上形成由基于丙烯醛基的树脂形成的感光有机膜来形成外覆层126。然后，通过利用光刻和蚀刻对有机保护膜118和外覆层126进行构图来形成像素接触孔120。像素接触孔120露出了相应子像素区的驱动薄膜晶体管的漏极110。
参见图7D，在上面形成有像素接触孔120的基板100上的R、G、B、W子像素区中分别形成第一电极122R、122G、122B、122W。
具体地，通过沉积（例如溅射等）在上面形成有像素接触孔120的基板100上形成第一透明导电材料，例如ITO、IZO等。然后，如图8A所示，通过以第一光致抗蚀剂图案140a作为掩模对第一透明导电材料进行蚀刻，在R、G、B、W子像素区中分别形成第一透明导电层122a，其中，第一光致抗蚀剂图案140a是通过利用第一光掩模的曝光和显影处理形成的。
接下来，通过沉积（例如溅射等）在上面形成有第一透明导电层122a的基板100上形成第二透明导电材料，例如ITO、IZO等。就此而言，第二透明导电材料与第一透明导电材料相同或不同。然后，如图8B所示，通过以第二光致抗蚀剂图案140b作为掩模对第二透明导电材料进行蚀刻，在R、G、B、W子像素区中分别形成第二透明导电层122b，其中，第二光致抗蚀剂图案140b是通过利用光掩模的曝光和显影处理形成的。因此，在G和W子像素区中分别形成了第一电极122G和122W，其中，第一电极122G和122W中的每一个都包括第一和第二透明导电层122a和122b。同时，如果在第二透明导电材料上对准光掩模期间，发生了误差范围内的失准或者光掩模向一侧移位时，如图8B所示，形成第二透明导电层122b以覆盖第一透明导电层122a的一侧。
然后，通过沉积（例如溅射等）在上面形成有第二透明导电层122b的基板上形成第三透明导电材料，例如ITO、IZO等。就此而言，第三透明导电材料与第一和第二透明导电材料相同或不同。然后，如图8C所示，通过以第三光致抗蚀剂140c作为掩模对第三透明导电材料进行蚀刻，在R和B子像素区中分别形成第三透明导电层122c，其中，第三光致抗蚀剂图案140c是通过利用光掩模的曝光和显影处理形成的。因此，在R和B子像素区分别形成了第一和第二电极122R和122B，其中，第一电极122R和122B中的每一个都包括第一、第二和第三透明导电层122a、122b和122c。这样，在本发明中，厚度高达的第一电极122被蚀刻两次或更多次，而不是蚀刻第一电极122一次，因此，可以缩短蚀刻时间，结果是提高了制造工艺的效率。
参见图7E，在上面形成有第一电极122的基板100上形成具有堤岸孔132的堤岸绝缘膜130。
具体地，通过将有机绝缘材料例如光亚克力（photoacryl）涂覆在上面形成有第一电极122的基板100的整个上表面上来形成堤岸绝缘膜130。然后，通过光刻和蚀刻对堤岸绝缘膜130进行构图以形成具有堤岸孔132的堤岸绝缘膜130，其中，通过堤岸孔132露出了第一电极122。
参见图7F，在上面形成有堤岸绝缘膜130的基板100上形成有机公共层134，并且在有机公共层134上形成第二电极136。
具体地，在第一电极122上形成图3所示的具有叠层结构的有机公共层134。然后，通过在有机公共层134上沉积Al或Ag来形成第二电极136。
图9是根据本发明第二实施方式的有机发光显示器件的截面图。
除了图9中的有机发光器件包括三个发光单元之外，图9的有机发光显示器件包括与图1的有机发光器件相同的元件。因此，在此将会省略对相同元件的详细描述。
图9中的有机公共层134包括：形成在第一和第二电极122和136之间的第一、第二和第三发光单元134a、134b和134c；形成在第一和第二发光单元134a和134b之间的第一电荷发生层CGL1；以及形成在第二和第三发光单元134b和134c之间的第二电荷发生层CGL2。
第一、第二和第三发光单元134a、134b和134c的每一个都包括空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发射层（EML）和电子传输层（ETL）。具体地，第一发光单元134a的第一EMLEML1包括荧光蓝色掺杂物和宿主以发射蓝色光，第二发光单元134b的第二EMLEML2包括磷光黄绿色掺杂物和宿主以发射黄绿色光，第三发光单元134c的第三EMLEML3包括荧光蓝色掺杂物和宿主以发射蓝色光。因此，通过混合从第一发光单元134a发射的蓝色光、从第二发光单元134b发射的黄绿色光和从第三发光单元134c发射的蓝光，有机公共层134可实现白色光。此外，利用其他荧光掺杂物和磷光掺杂物也可以实现白光。
图10A至10C是示出根据比较例3、4和实施例2的有机发光器件的第一电极厚度的发光光谱的曲线图。
在图10A至10C和下表3中，比较例3的有机发光显示器件包括形成在R、G、B、W子像素中并具有第一厚度的第一电极；比较例4的有机发光显示器件包括形成在R、G、B、W子像素中并具有第二厚度的第一电极，其中第二厚度大于第一厚度；实施例2的有机发光显示器件包括形成在R和B子像素区的每一个中并具有第二厚度的第一电极以及形成在G和W子像素区的每一个中并具有第一厚度的第一电极。如图9所示，在比较例3、4和实施例2的有机发光显示器件中，每个子像素区的发光盒都包括第一EMLEML1、第二EMLEML2、第三EMLEML3。
[表3]
相比于图10B所示的比较例4的有机发光显示器件的黄绿色光的EM峰波长的半最大值全宽度(FWHM)和蓝色光的EM峰波长的FWHM，图10A所示的比较例3的有机发光显示器件分别具有更宽的黄绿色光的EM峰波长的FWHM和更宽的蓝色光的EM峰波长的FWHM。因此，如表3所示，可以确定，当与包括具有第一厚度的第一电极的比较例3的有机发光显示器件相比时，包括具有第二厚度的第一电极的比较例4的有机发光显示器件的颜色视角特性变差。
此外，与图10B所示的比较例4的有机发光显示器件的蓝色光和黄绿色光中每一个的EM峰的强度相比，图10A所示的比较例3的有机发光显示器件的蓝色光和黄绿色光中的每一个的EM峰的强度都更低。因此，如表3所示，可以确定，当与包括具有第二厚度的第一电极的比较例4的有机发光显示器件相比，包括具有第一厚度的第一电极的比较例3的有机发光器件的板效率特性变差。具体地，如表3所示，可以确定，与包括具有第二厚度的第一电极的比较例4的有机发光显示器件的R和B子像素的效率相比，包括具有第一厚度的第一电极的比较例3的有机发光显示器件的R和B子像素的效率更低。
相比之下，如图10C所示，在实施例2中，从G和W子像素区发射的白色光的EM峰波长具有与从R和B子像素区发射的白色光的EM峰波长相似的相位，其中，G和W子像素区分别包括具有第一厚度的第一电极122G和122W，R和B子像素区分别包括具有第二厚度的第一电极122R和122B。因此，如表3所示，实施例2的有机发光显示器件表现出与比较例3的有机发光显示器件相同的板效率，其高于比较例4的有机发光显示器件的板效率，并且实施例2的有机发光显示器件表现出与比较例3的有机发光显示器件相同的颜色视角，其宽于比较例4的有机发光显示器件的颜色视角。具体地，当与实施例1的有机发光显示器件相比时，实施例2的有机发光显示器件还包括第三发光单元134c以发射蓝色光，因此，实施例2的有机发光显示器件与实施例1相比具有更高的蓝色光EL峰的强度，其结果是提高了蓝色光效率。
这样，如图10C所示，根据本发明第二实施方式的有机发光显示器件发出波长为450nm至480nm的蓝色光以及波长为540nm至570nm的黄绿色光，因此可以发出具有两个峰的光。
图11是根据本发明第三实施方式的有机发光显示器件的截面图。
除了图11的有机发光显示器件包括三个发光单元之外，图11的有机发光显示器件包括与图1的有机发光显示器件相同的元件。因此，在此省略对相同元件的详细说明。
图11的有机公共层134包括：形成在第一和第二电极122和136之间的第一、第二和第三发光单元134a、134b和134c；形成在第一和第二发光单元134a和134b之间的第一电荷发生层CGL1；以及形成在第二和第三发光单元134b和134c之间的第二电荷发生层CGL2。
第一、第二和第三发光单元134a、134b和134c中的每一个都包括HIL、HTL、EML和ETL。具体地，第一发光单元134a的第一EMLEML1包括荧光蓝色掺杂物和宿主以发射蓝色光，第二发光单元134b的第二EMLEML2包括磷光黄绿色掺杂物和宿主以发射黄绿色光，第三发光单元134c的第三EMEML3包括荧光红色掺杂物和宿主以发射红色光，第三发光单元134c的第四EMLEML4包括荧光蓝色掺杂物或磷光蓝色掺杂物和宿主以发射蓝色光。因此，通过混合从第一发光单元134a发射的蓝色光、从第二发光单元134b发射的黄绿色光以及从第三发光单元134c发射的红色光，有机发光层134可实现白色光。此外，采用其他荧光掺杂物或磷光掺杂物，有机发光层也可实现白色光。这样，根据本发明第三实施方式的有机发光显示器件包括第四EMLEML4以发射红色光，因此增强了色彩再现性。
图12A至12C是示出根据比较例5、6和实施例3的有机发光显示器件的第一电极的厚度的发光光谱的曲线图。
在图12A至12C和下表4中，比较例5的有机发光显示器件包括形成在R、G、B、W子像素区并具有第一厚度的第一电极；比较例6的有机发光显示器件包括在R、G、B、W子像素区形成并具有大于第一厚度的第二厚度的第一电极；实施例3的有机发光显示器件包括形成在R和B子像素区中的每一个中并具有第二厚度的第一电极以及形成在G喝W子像素区中的每一个中并具有第一厚度的第一电极。如图11所示，在比较例5、6和实施例3的有机发光显示器件中，每个子像素区的发光盒都包括第一EMLEML1、第二EMLEML2、第三EMLEML3和第四EMLEML4。
[表4]
相比于图12B所示的比较例6的有机发光显示器件的蓝色光的EM峰波长的半最大值全宽度(FWHM)和黄绿色光的EM峰波长的FWHM，图12A所示的比较例5的有机发光显示器件分别具有更宽的黄绿色光的EM峰波长的FWHM和更宽的蓝色光的EM峰波长的FWHM。因此，如表4所示，可以确定，当与包括具有第一厚度的第一电极的比较例5的有机发光显示器件相比时，包括具有第二厚度的第一电极的比较例6的有机发光显示器件的颜色视角特性变差。
此外，与图12B所示的比较例6的有机发光显示器件的蓝色光和黄绿色光中每一个的EM峰的强度相比，图12A所示的比较例5的有机发光显示器件的蓝色光和黄绿色光中的每一个的EM峰的强度都更低。因此，如表4所示，可以确定，当与包括具有第二厚度的第一电极的比较例6的有机发光显示器件相比，包括具有第一厚度的第一电极的比较例5的有机发光器件的板效率特性变差。具体地，如表4所示，可以确定，与包括具有第二厚度的第一电极的比较例6的有机发光显示器件的R和B子像素的效率相比，包括具有第一厚度的第一电极的比较例5的有机发光显示器件的R和B子像素的效率更低。
相比之下，如图12C所示，在实施例3中，从G和W子像素区发射的白色光的EM峰波长具有与R和B子像素区发射的白色光峰波长相似的相位，其中，G和W子像素区分别包括具有第一厚度的第一电极122G和122W，R和B子像素区分别包括具有第二厚度的第一电极122R和122B。因此，如表4所示，实施例3的有机发光显示器件可表现出与比较例6的有机发光显示器件相同的板效率，其高于比较例5的有机发光显示器件的板效率，并且实施例3的有机发光显示器件表现出与比较例5的有机发光显示器件相同的颜色视角，其宽于比较例6的有机发光显示器件的颜色视角。
这样，如图12C所示，根据本发明第三实施方式的有机发光显示器件发出波长为450nm至480nm的蓝色光、波长为540nm至570nm的黄绿色光以及波长为620nm至640nm的红色光，因此，可发出具有三个峰的光。
根据本发明的有机发光显示器件包括多达三个发光单元，但实施方式并不限于此。也就是说，可以形成四个或者更多个发光单元。
如从前述说明书可以明显看出，根据有机发光显示器件及其制造方法，R和B子像素中的每一个的第一电极的厚度都大于G和W子像素中每一个的第一电极的厚度。因此，利用该制造方法制造的有机发光显示器件可增大视角和效率。
在不脱离本发明精神和范围的情况下，可以对本发明实施方式进行各种修改和变形，这对于本领域技术人员来说是明显的。因此，如果这些修改和变形落入权利要求及其等同物所要求的保护范围内，那么本发明涵盖这些修改和变形。
本申请要求2012年12月31日提交的韩国专利申请No.10-2012-0158109和2013年9月26日提交的韩国专利申请No.2013-0114539的优先权，在此通过结合并入，如同在此进行了充分阐述。

Claims (20)

1.一种制造有机发光显示器件的方法，该方法包括以下步骤：
在基板上形成红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中每一个的第一电极；
在所述第一电极上形成白色有机公共层；以及
在所述白色有机公共层上形成第二电极，
其中，所述第一电极包括多个透明导电层并且被形成为使得所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素当中的两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度大于另外两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度，并且
所述第一电极的所述多个透明导电层当中不包括最低层的至少一个层被形成为覆盖所述最低层的两侧。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述第一电极的厚度比所述绿色子像素和所述白色子像素中每一个的所述第一电极厚了至
3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述红色子像素的所述第一电极的厚度与所述蓝色子像素的所述第一电极的厚度相同，并且所述绿色子像素的所述第一电极的厚度与所述白色子像素的所述第一电极的厚度相同。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述第一电极的厚度都为至并且所述绿色子像素和所述白色子像素中的每一个的所述第一电极的厚度都为至
5.根据权利要求2所述的方法，其中，形成所述第一电极的步骤包括：在所述红色子像素和所述蓝色子像素中的每一个中形成包括第一透明导电层、第二透明导电层和第三透明导电层的第一电极；以及在所述绿色子像素和所述白色子像素中的每一个中形成包括所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层中的至少一个的第一电极。
6.根据权利要求5所述的方法，其中，形成所述第一电极的步骤包括：
利用光刻和蚀刻在所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素中的每一个中形成第一透明导电层；
利用光刻和蚀刻在所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素中的每一个中形成第二透明导电层，所述第二透明导电层覆盖了所述第一透明导电层的第一侧；以及
利用光刻和蚀刻在所述红色子像素和所述蓝色子像素中的每一个中形成第三透明导电层，所述第三透明导电层覆盖了所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中的每一个的第二侧。
7.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述白色有机公共层的步骤包括：
在所述第一电极与所述第二电极之间形成至少两个发光单元；以及
在所述至少两个发光单元之间形成至少一个电荷发生层。
8.根据权利要求7所述的方法，其中，形成所述白色有机公共层的步骤包括：
在所述第一电极上形成第一发光单元，所述第一发光单元包括用于实现蓝色的第一发射层；
在所述第一发光单元上形成第一电荷发生层；以及
在所述第一电荷发生层上形成第二发光单元，所述第二发光单元包括用于实现黄绿色的第二发射层。
9.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述白色有机公共层的步骤还包括：
在所述第二发光单元上形成第二电荷发生层；以及
在所述第二电荷发生层上形成第三发光单元，所述第三发光单元包括用于实现蓝色的第三发射层。
10.根据权利要求8所述的方法，其中，形成所述白色有机公共层的步骤还包括：
在所述第二发光单元上形成第二电荷发生层；以及
在所述第二电荷发生层上形成第三发光单元，所述第三发光单元包括用于实现红色的第三发射层和用于实现蓝色的第四发射层。
11.一种有机发光显示器件，该有机发光显示器件包括：
形成在基板上的红色子像素、绿色子像素、蓝色子像素和白色子像素中的每一个的第一电极；
与所述第一电极面对的第二电极；以及
形成在所述第一电极与所述第二电极之间的白色有机公共层；
其中，每个所述第一电极都包括多个透明导电层，并且被形成为使得所述红色子像素、所述绿色子像素、所述蓝色子像素和所述白色子像素当中的两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度大于另外两个子像素中的每一个的所述第一电极的厚度，并且
每个所述第一电极的所述多个透明导电层当中不包括最低层的至少一个层都被形成为覆盖所述最低层的两侧。
12.根据权利要求11所述的有机发光显示器件，其中，所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述第一电极的厚度比所述绿色子像素和所述白色子像素中每一个的所述第一电极厚了至
13.根据权利要求11所述的有机发光显示器件，其中，所述红色子像素的所述第一电极的厚度与所述蓝色子像素的所述第一电极的厚度相同，并且所述绿色子像素的所述第一电极的厚度与所述白色子像素的所述第一电极的厚度相同。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示器件，其中，所述红色子像素和所述蓝色子像素中每一个的所述第一电极的厚度都为至并且所述绿色子像素和所述白色子像素中的每一个的所述第一电极的厚度都为至
15.根据权利要求14所述的有机发光显示器件，其中，所述第一电极的厚度相同的所述红色子像素和所述蓝色子像素被彼此相邻地布置，并且所述第一电极的厚度相同的所述绿色子像素和所述白色子像素被彼此相邻地布置。
16.根据权利要求12所述的有机发光显示器件，其中，所述红色子像素和所述蓝色子像素中的每一个的所述第一电极都包括：
第一透明导电层，其形成在所述基板上；
第二透明导电层，其形成为覆盖所述第一透明导电层的第一侧；以及
第三透明导电层，其形成为覆盖所述第一透明导电层和所述第二透明导电层中每一个的第二侧，并且
所述绿色子像素区和所述白色子像素区中每一个的所述第一电极都包括所述第一透明导电层、所述第二透明导电层和所述第三透明导电层中的至少一个。
17.根据权利要求11所述的有机发光显示器件，其中，所述白色有机公共层包括：
形成在所述第一电极与所述第二电极之间的至少两个发光单元；以及
形成在所述至少两个发光单元之间的至少一个电荷发生层。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示器件，其中，所述白色有机公共层包括：
第一发光单元，其形成在所述第一电极上并包括用于实现蓝色的第一发射层；
第一电荷发生层，其形成在所述第一发光单元上；以及
第二发光单元，其形成在所述第一电荷发生层上并包括用于实现黄绿色的第二发射层。
19.根据权利要求18所述的有机发光显示器件，其中，所述白色有机公共层还包括：
第二电荷发生层，其形成在所述第二发光单元上；以及
第三发光单元，其形成在所述第二电荷发生层上并包括用于实现蓝色的第三发射层。
20.根据权利要求18所述的有机发光显示器件，其中，所述白色有机公共层还包括：
第二电荷发生层，其形成在所述第二发光单元上；以及
第三发光单元，其形成在所述第二电荷发生层上并包括用于实现红色的第三发射层和用于实现蓝色的第四发射层。
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Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101923175B1 (ko) * 2013-01-04 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102111974B1 (ko) * 2013-07-03 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
EP2950362B1 (en) * 2014-05-26 2021-03-24 LG Display Co., Ltd. White organic light emitting device
US10388705B2 (en) * 2014-05-27 2019-08-20 Lg Display Co., Ltd. Display panel and method for manufacturing thereof
TWI577008B (zh) * 2014-05-28 2017-04-01 友達光電股份有限公司 顯示面板
TWI777568B (zh) * 2014-05-30 2022-09-11 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件，發光裝置，電子裝置以及照明裝置
JP2016085968A (ja) 2014-10-24 2016-05-19 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置
US9847513B2 (en) 2014-12-08 2017-12-19 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display device
CN104576694A (zh) * 2014-12-17 2015-04-29 深圳市华星光电技术有限公司 Oled显示装置及其制造方法
CN104576700B (zh) * 2014-12-29 2017-11-03 深圳市华星光电技术有限公司 Coa型woled结构及制作方法
JP6458525B2 (ja) * 2015-02-10 2019-01-30 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
CN104882449A (zh) * 2015-04-01 2015-09-02 深圳市华星光电技术有限公司 一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示面板
CN104867961B (zh) 2015-04-24 2020-06-30 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、其制造方法及显示装置
KR102256498B1 (ko) * 2015-07-24 2021-05-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6619021B2 (ja) * 2015-11-10 2019-12-11 シャープ株式会社 発光素子並びに発光方法
US10797113B2 (en) * 2016-01-25 2020-10-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device with layered electrode structures
CN105789266A (zh) 2016-05-30 2016-07-20 京东方科技集团股份有限公司 一种oled阵列基板及其制备方法、显示装置
KR20180013536A (ko) * 2016-07-29 2018-02-07 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치
CN106229300B (zh) * 2016-08-23 2019-03-22 武汉华星光电技术有限公司 像素结构及制作方法
CN106298854B (zh) 2016-08-24 2019-05-07 武汉华星光电技术有限公司 有机发光显示器及其制作方法
JP6817145B2 (ja) * 2017-05-29 2021-01-20 エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド 有機電界発光装置および有機電界発光装置の製造方法
US10468476B2 (en) * 2017-08-28 2019-11-05 HKC Corporation Limited Display panel and manufacturing method thereof and display device
CN110164912A (zh) * 2018-07-18 2019-08-23 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及显示装置
US11289557B2 (en) * 2018-12-17 2022-03-29 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting display panel and organic light emitting display device including the same
KR102087102B1 (ko) * 2018-12-17 2020-04-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시패널 및 이를 포함하는 유기발광 표시장치
KR20200080741A (ko) * 2018-12-27 2020-07-07 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
KR20220018140A (ko) * 2020-08-05 2022-02-15 삼성디스플레이 주식회사 광조사장치 및 이의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315243A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN102569345A (zh) * 2011-12-30 2012-07-11 昆山维信诺显示技术有限公司 Oled彩色显示屏及其制造方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7816677B2 (en) * 2008-02-12 2010-10-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device
KR20090089151A (ko) * 2008-02-18 2009-08-21 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR100953540B1 (ko) * 2008-06-11 2010-04-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102315243A (zh) * 2010-06-30 2012-01-11 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管显示器
CN102569345A (zh) * 2011-12-30 2012-07-11 昆山维信诺显示技术有限公司 Oled彩色显示屏及其制造方法

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