JP6619021B2 - 発光素子並びに発光方法 - Google Patents
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Description
本発明の実施の一形態について、図1の(a)・(b)および図2に基づいて説明すれば、以下の通りである。
図2に示すように、本実施形態にかかる有機EL素子10は、基板1上に、陽極2(第1電極)、有機EL層3(有機層、機能層)、および陰極4(第2電極)が、基板1側から、この順に積層された構成を有している。
基板1は、絶縁性を有していれば、特に限定されるものではなく、例えば公知の絶縁基板を用いることができる。
陽極2および陰極4は、対の電極である。陽極2は、有機EL層3に正孔(h+)を注入(供給)する電極としての機能を有している。一方、陰極4は、有機EL層3に電子(e−)を注入(供給)する電極としての機能を有している。
本実施形態にかかる有機EL層3は、図2に示すように、陽極2側から、正孔注入層31、正孔輸送層32、発光層33、電子輸送層34、電子注入層35が、この順に積層された構成を有している。
発光層33は、第1発光層33a(第1の発光層)、第2発光層33b(第2の発光層)、および第3発光層33c(第3の発光層)からなる3層構造を有している。
本実施形態では、上述した遅延蛍光材料として、TTF(Triplet-Triplet-Fusion)材料およびTADF材料(Thermally Activated Delayed Fluorescence材料、熱活性化遅延蛍光材料)を使用する。
また、第2発光層33bでは、上述した遅延蛍光材料として、TADF材料を使用する。第2発光層33bは、ホスト材料(第2ホスト材料)およびTADF材料のうち、少なくともTADF材料を含む。
第3発光層33cには、前述したように、発光層33に使用される発光材料のうち発光ピーク波長が最も長波長の蛍光材料が使用される。第3発光層33cは、ホスト材料(第3ホスト材料)および上記蛍光材料のうち、少なくとも上記蛍光材料を含む。
正孔注入層31は、正孔注入性材料を含み、発光層33への正孔注入効率を高める機能を有する層である。
電子注入層35は、電子注入性材料を含み、発光層33への電子注入効率を高める機能を有する層である。
次に、本実施形態にかかる有機EL素子10の発光原理について、図1の(a)・(b)を参照して以下に説明する。
有機EL素子10の製造方法は、一対の電極(陽極2および陰極4)のうち一方の電極を第1電極とし、他方の電極を第2電極とすると、第1電極を形成する第1電極形成工程と、有機EL層3を形成する有機EL層形成工程(機能層形成工程)と、第2電極を形成する第2電極形成工程と、を備えている。
本実施例では、図2に示すように、基板1上に、非透光性電極21、透光性電極22、正孔注入層31、正孔輸送層32、第1発光層33a、第2発光層33b、第3発光層33c、電子輸送層34、電子注入層35、陰極4を、基板1側からこの順に積層した。
透光性電極22(陽極2):ITO(65nm)
正孔注入層31:HAT−CN(10nm)
正孔輸送層32:α−NPD(20nm)
第1発光層33a(青色発光層、発光層33):BH1(ホスト材料、90%)/BD1(TTF材料、10%)(5nm)
第2発光層33b(緑色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、50%)/PXZ−DPS(TADF材料、50%)(10nm)
第3発光層33c(赤色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、90%)/DCM(蛍光材料、10%)(20nm)
電子輸送層34:Bphen(30nm)
電子注入層35:LiF(1nm)
陰極4(半透明電極):Ag−Mg合金(Ag/Mg混合比=0.9/0.1)(20nm)
なお、第1発光層33aには、TTF現象を生じさせるドーパント材料(TTF材料)およびホスト材料として、ホスト材料であるBH1のT1準位からドーパント材料(TTF材料)であるBD1のS1準位へのTTFが起こる遅延蛍光材料の組み合わせを用いた。具体的には、前述した、TTF現象を生じさせる、ドーパント材料とホスト材料との組み合わせのなかから、キャリア輸送性(正孔輸送性および電子輸送性)やエネルギー準位(HOMO準位、LUMO準位、T1準位、S1準位)について、前述した条件を満たすホスト材料を選択し、ドーパント材料には、ホスト材料との組み合わせが好適なものを選択した。
実施例1では、第1発光層33a、第2発光層33b、および第3発光層33cが、ホスト材料に、ドーパント材料として蛍光材料をドープすることによって形成される場合を例に挙げて示している。
透光性電極22(陽極2):ITO(65nm)
正孔注入層31:HAT−CN(10nm)
正孔輸送層32:α−NPD(20nm)
第1発光層33a(青色発光層、発光層33):BH1(ホスト材料、90%)/BD1(TTF材料、10%)(5nm)
第2発光層33b(緑色発光層、発光層33):PXZ−DPS(TADF材料、10nm)
第3発光層33c(赤色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、90%)/DCM(蛍光材料、10%)(20nm)
電子輸送層34:Bphen(30nm)
電子注入層35:LiF(1nm)
陰極4:Ag−Mg合金(Ag/Mg混合比=0.9/0.1)(20nm)
すなわち、本実施例にかかる有機EL素子10は、第2発光層33bを、ドーパント材料であるTADF材料の単膜としたことを除けば、実施例1にかかる有機EL素子10と同じである。
本発明の実施の他の形態について、図3に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施例では、図3に示すように、基板1上に、透光性電極22、正孔注入層31、正孔輸送層32、第1発光層33a、第2発光層33b、第3発光層33c、電子輸送層34、電子注入層35、陰極4を、基板1側からこの順に積層した。
正孔注入層31:HAT−CN(10nm)
正孔輸送層32:α−NPD(20nm)
第1発光層33a(青色発光層、発光層33):BH1(ホスト材料、90%)/BD1(TTF材料、10%)(5nm)
第2発光層33b(緑色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、50%)/PXZ−DPS(TADF材料、50%)(10nm)
第3発光層33c(赤色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、90%)/DCM(蛍光材料、10%)(20nm)
電子輸送層34:Bphen(30nm)
電子注入層35:LiF(1nm)
陰極4(反射電極):Al(100nm)
本実施例にかかる有機EL素子10は、陽極2および陰極4の材料および厚みが異なることを除けば、実施例1にかかる有機EL素子10と同じである。
本発明の実施のさらに他の形態について、図4および図5に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施例では、図4に示すように、基板1上に、非透光性電極21、透光性電極22、正孔注入層31、正孔輸送層32、第1発光層33a、第2発光層33b、第3発光層33c、電子輸送層34、電子注入層35、陰極4を、基板1側からこの順に積層した。
透光性電極22(陽極2):ITO(画素100Rでは30nm、画素100Gでは120nm、画素100Bでは80nm)
正孔注入層31:HAT−CN(10nm)
正孔輸送層32:α−NPD(20nm)
第1発光層33a(青色発光層、発光層33):BH1(ホスト材料、90%)/BD1(TTF材料、10%)(5nm)
第2発光層33b(緑色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、50%)/PXZ−DPS(TADF材料、50%)(10nm)
第3発光層33c(赤色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、90%)/DCM(蛍光材料、10%)(20nm)
電子輸送層34:Bphen(30nm)
電子注入層35:LiF(1nm)
陰極4(半透明電極):Ag−Mg合金(Ag/Mg混合比=0.9/0.1)(20nm)
本実施例にかかる有機EL素子10は、各画素100R・100G・100Bで陽極2における透光性電極22の厚みが異なることを除けば、実施例1にかかる有機EL素子10と同じである。
本発明の実施のさらに他の形態について、図6に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施例では、図6に示すように、基板1上に、非透光性電極21、透光性電極22、正孔注入層31、正孔輸送層32、第3発光層33c、第2発光層33b、第1発光層33a、電子輸送層34、電子注入層35、陰極4を、基板1側からこの順に積層した。
透光性電極22(陽極2):ITO(65nm)
正孔注入層31:HAT−CN(10nm)
正孔輸送層32:α−NPD(20nm)
第3発光層33c(赤色発光層、発光層33):mCP(ホスト材料、90%)/DCM(蛍光材料、10%)(20nm)
第2発光層33b(緑色発光層、発光層33):mCP(ホスト材料、50%)/PXZ−DPS(TADF材料、50%)(10nm)
第1発光層33a(青色発光層、発光層33):BH2(ホスト材料、90%)/BD2(TTF材料、10%)(5nm)
電子輸送層34:Bphen(30nm)
電子注入層35:LiF(1nm)
陰極4(半透明電極):Ag−Mg合金(Ag/Mg混合比=0.9/0.1)(20nm)
本実施例にかかる有機EL素子10は、第1発光層33a、第2発光層33b、第3発光層33cの材料および積層順が異なることを除けば、実施例1にかかる有機EL素子10と同じである。
本発明の実施のさらに他の形態について、図7および図8に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施例では、図7に示すように、基板1上に、非透光性電極21、透光性電極22、正孔注入層31、正孔輸送層32、第3発光層33c、第2発光層33b、第1発光層33a、電子輸送層34、電子注入層35、陰極4を、基板1側からこの順に積層した。
透光性電極22(陽極2):ITO(65nm)
正孔注入層31:HAT−CN(10nm)
正孔輸送層32:α−NPD(20nm)
第1発光層33a(青色発光層、発光層33):BD3(TTF材料、0.5nm)
第2発光層33b(緑色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、50%)/PXZ−DPS(TADF材料、50%)(10nm)
第3発光層33c(赤色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、90%)/DCM(蛍光材料、10%)(20nm)
電子輸送層34:Bphen(30nm)
電子注入層35:LiF(1nm)
陰極4(半透明電極):Ag−Mg合金(Ag/Mg混合比=0.9/0.1)(20nm)
BD3は、BCPよりもHOMO準位が低いとともにBCPよりもLUMO準位が高く、ホスト材料を使用せずにドーパント材料単体でTTF現象を生じさせることができるTTF材料である。
本発明の実施のさらに他の形態について、図9に基づいて説明すれば、以下の通りである。
本実施例では、図9に示すように、基板1上に、非透光性電極21、透光性電極22、正孔注入層31、正孔輸送層32、第1発光層33a、第2発光層33b、バッファ層36、第3発光層33c、電子輸送層34、電子注入層35、陰極4を、基板1側からこの順に積層した。
透光性電極22(陽極2):ITO(65nm)
正孔注入層31:HAT−CN(10nm)
正孔輸送層32:α−NPD(20nm)
第1発光層33a(青色発光層、発光層33):BH1(ホスト材料、90%)/BD1(TTF材料、10%)(5nm)
第2発光層33b(緑色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、50%)/PXZ−DPS(TADF材料、50%)(10nm)
バッファ層36:BCP(5nm)
第3発光層33c(赤色発光層、発光層33):BCP(ホスト材料、90%)/DCM(蛍光材料、10%)(20nm)
電子輸送層34:Bphen(30nm)
電子注入層35:LiF(1nm)
陰極4(半透明電極):Ag−Mg合金(Ag/Mg混合比=0.9/0.1)(20nm)
上述したように、本実施例にかかる有機EL素子10は、第2発光層33bと第3発光層33cとの間にバッファ層36が設けられていることを除けば、実施例1にかかる有機EL素子10と同じである。
本発明の態様1にかかる発光素子(有機EL素子10)は、第1電極(陽極2および陰極4のうち一方の電極)と第2電極(陽極2および陰極4のうち他方の電極)とで、第1の発光層(第1発光層33a)と第2の発光層(第2発光層33b)と第3の発光層(第3発光層33c)とを少なくとも含む機能層(有機EL層3)を挟持する発光素子であって、上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、(I)ホスト材料と、(II)該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低い。
上記第1の発光層を挟んで上記第2の発光層とは反対側に積層された層のうち、上記第1の発光層に隣接して積層された層に含まれる材料のHOMO準位が、上記第2の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のHOMO準位よりも低くてもよい。
2 陽極
3 有機EL層(機能層)
4 陰極
5封止体
6 充填材
10 有機EL素子
11 信号線
12 TFT
13 層間絶縁膜
13a コンタクトホール
15 エッジカバー
15a 開口
21 非透光性電極
22 透光性電極
30 発光領域
31 正孔注入層
32 正孔輸送層
33 発光層
33a 第1発光層
33b 第2発光層
33c 第3発光層
34 電子輸送層
35 電子注入層
36 バッファ層
51R・51G・51B CF
100 有機EL表示装置
Claims (23)
- 第1電極と第2電極とで、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とを少なくとも含む機能層を挟持する発光素子であって、
上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、
上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低く、
上記第2の発光層で生成した励起子のエネルギーが、デクスター型のエネルギー移動により上記第1の発光層に移動し、上記第2の発光層で生成した励起子のエネルギーが、フェルスター型のエネルギー移動により上記第3の発光層に移動して、上記第1の発光層、上記第2の発光層、上記第3の発光層がそれぞれ発光することを特徴とする発光素子。 - 第1電極と第2電極とで、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とを少なくとも含む機能層を挟持する発光素子であって、
上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、
上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低く、
上記第1電極が陽極であり、上記第1の発光層、上記第2の発光層、上記第3の発光層は、上記第1電極側からこの順に積層されており、
上記第1の発光層は、正孔移動度が電子移動度よりも高い材料を含み、上記第2の発光層および上記第3の発光層は、電子移動度が正孔移動度よりも高い材料を含むことを特徴とする発光素子。 - 第1電極と第2電極とで、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とを少なくとも含む機能層を挟持する発光素子であって、
上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、
上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低く、
上記第1電極が陰極であり、上記第1の発光層、上記第2の発光層、上記第3の発光層は、上記第1電極側からこの順に積層されており、
上記第1の発光層は、電子移動度が正孔移動度よりも高い材料を含み、上記第2の発光層および上記第3の発光層は、正孔移動度が電子移動度よりも高い材料を含むことを特徴とする発光素子。 - 第1電極と第2電極とで、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とを少なくとも含む機能層を挟持する発光素子であって、
上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、
上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低く、
上記第2の発光層に含まれる、少なくとも、混合比率が最も高い材料のHOMO準位が、上記第1の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のHOMO準位よりも高いことを特徴とする発光素子。 - 第1電極と第2電極とで、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とを少なくとも含む機能層を挟持する発光素子であって、
上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、
上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低く、
上記第2の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のHOMO準位が、上記第3の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のHOMO準位よりも高いことを特徴とする発光素子。 - 第1電極と第2電極とで、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とを少なくとも含む機能層を挟持する発光素子であって、
上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、
上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低く、
上記第2の発光層に含まれる、少なくとも、混合比率が最も高い材料のLUMO準位が、上記第1の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のLUMO準位よりも低いことを特徴とする発光素子。 - 第1電極と第2電極とで、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とを少なくとも含む機能層を挟持する発光素子であって、
上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、
上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低く、
上記第2の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のLUMO準位が、上記第3の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のLUMO準位よりも低いことを特徴とする発光素子。 - 第1電極と第2電極とで、第1の発光層と第2の発光層と第3の発光層とを少なくとも含む機能層を挟持する発光素子であって、
上記第1の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、
上記第2の発光層は、上記第1の発光層と上記第3の発光層との間に、上記第1の発光層に隣接して積層されており、少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含み、
上記第3の発光層は、上記発光層中、発光ピーク波長が最も長波長であり、少なくとも蛍光材料を含み、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、
上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記第2の発光層に含まれる上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低く、
上記第1の発光層の層厚が5nmより薄く、上記第1の発光層中の上記TTF材料の含有比率が50%よりも大きいことを特徴とする発光素子。 - 上記第1電極が陽極であり、上記第1の発光層、上記第2の発光層、上記第3の発光層は、上記第1電極側からこの順に積層されており、
上記第1の発光層は、正孔移動度が電子移動度よりも高い材料を含み、上記第2の発光層および上記第3の発光層は、電子移動度が正孔移動度よりも高い材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 上記第1電極が陰極であり、上記第1の発光層、上記第2の発光層、上記第3の発光層は、上記第1電極側からこの順に積層されており、
上記第1の発光層は、電子移動度が正孔移動度よりも高い材料を含み、上記第2の発光層および上記第3の発光層は、正孔移動度が電子移動度よりも高い材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の発光素子。 - 上記第2の発光層に含まれる、少なくとも、混合比率が最も高い材料のHOMO準位が、上記第1の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のHOMO準位よりも高いことを特徴とする請求項1〜3、9、10の何れか1項に記載の発光素子。
- 上記第2の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のHOMO準位が、上記第3の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のHOMO準位よりも高いことを特徴とする請求項1〜4、9〜11の何れか1項に記載の発光素子。
- 上記第2の発光層に含まれる、少なくとも、混合比率が最も高い材料のLUMO準位が、上記第1の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のLUMO準位よりも低いことを特徴とする請求項1〜5、9〜12の何れか1項に記載の発光素子。
- 上記第2の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のLUMO準位が、上記第3の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のLUMO準位よりも低いことを特徴とする請求項1〜6、9〜13の何れか1項に記載の発光素子。
- 上記第1の発光層の層厚が5nmより薄く、上記第1の発光層中の上記TTF材料の含有比率が50%よりも大きいことを特徴とする請求項1〜7、9〜14の何れか1項に記載の発光素子。
- 上記機能層は、上記第1の発光層を挟んで上記第2の発光層とは反対側に積層された層を少なくとも一層備え、
上記第1の発光層を挟んで上記第2の発光層とは反対側に積層された層のうち、上記第1の発光層に隣接して積層された層に含まれる材料のHOMO準位が、上記第2の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のHOMO準位よりも低いことを特徴とする請求項8または15に記載の発光素子。 - 上記機能層は、上記第1の発光層を挟んで上記第2の発光層とは反対側に積層された層を少なくとも一層備え、
上記第1の発光層を挟んで上記第2の発光層とは反対側に積層された層のうち、上記第1の発光層に隣接して積層された層に含まれる材料のLUMO準位が、上記第2の発光層に含まれる、少なくとも混合比率が最も高い材料のLUMO準位よりも高いことを特徴とする請求項8または15に記載の発光素子。 - 上記第2の発光層の上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位から上記第1の発光層の上記TTF材料の励起三重項準位に上記デクスター型のエネルギー移動が起こり、上記TTF材料の励起三重項準位から上記TTF材料の励起一重項準位に再励起が起こり、上記第2の発光層の上記熱活性化遅延蛍光材料の励起一重項準位から上記第3の発光層の蛍光材料の励起一重項準位に上記フェルスター型のエネルギー移動が起こることを特徴とする請求項1〜17の何れか1項に記載の発光素子。
- 上記第2の発光層の層厚が20nm以下であることを特徴とする請求項1〜18の何れか1項に記載の発光素子。
- 上記第2の発光層と上記第3の発光層との間に、蛍光材料を含まないバッファ層が設けられていることを特徴とする請求項1〜19の何れか1項に記載の発光素子。
- 上記第2の発光層と、上記バッファ層との合計の層厚が20nm以下であることを特徴とする請求項20に記載の発光素子。
- 少なくとも熱活性化遅延蛍光材料を含む第2の発光層で生成した励起子のエネルギーを、上記第2の発光層に隣接して積層された、発光ピーク波長が上記第2の発光層よりも短波長であり、ホスト材料と、該ホスト材料と協働して、もしくは単独で、TTF(Triplet-Triplet-Fusion;以下、TTFとする)現象を生じさせる遅延蛍光材料であるTTF材料と、のうち少なくとも上記TTF材料を含み、上記第1の発光層に含まれる上記ホスト材料が、アントラセン誘導体であり、上記第1の発光層に含まれる上記TTF材料が、アミノアントラセン誘導体、アミノクリセン誘導体、およびアミノピレン誘導体から選ばれる少なくとも1種であり、上記ホスト材料およびTTF材料のうち少なくとも一方の励起三重項準位が、上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位よりも低い第1の発光層に、デクスター型のエネルギー移動により移動させるとともに、上記第2の発光層で生成した励起子のエネルギーを、上記第2の発光層を介して上記第1の発光層とは反対側に積層された、発光ピーク波長が上記第2の発光層よりも長波長であり、少なくとも蛍光材料を含む第3の発光層に、フェルスター型のエネルギー移動により移動させて、上記第1の発光層、上記第2の発光層、上記第3の発光層をそれぞれ発光させることを特徴とする発光方法。
- 上記第2の発光層の上記熱活性化遅延蛍光材料の励起三重項準位から上記第1の発光層の上記TTF材料の励起三重項準位に上記デクスター型のエネルギー移動が起こり、上記TTF材料の励起三重項準位から上記TTF材料の励起一重項準位に再励起が起こり、上記第2の発光層の上記熱活性化遅延蛍光材料の励起一重項準位から上記第3の発光層の蛍光材料の励起一重項準位に上記フェルスター型のエネルギー移動が起こることで、上記第1の発光層、上記第2の発光層、上記第3の発光層をそれぞれ発光させることを特徴とする請求項22に記載の発光方法。
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