CN110034243A - 一种白光有机电致发光器件 - Google Patents

一种白光有机电致发光器件 Download PDF

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Abstract

一种白光有机电致发光器件，包括基板，依次层积在基底上的第一电极层、发光层、第二电极层，其中发光层使用蓝光发光层搭配黄光发光层，黄发光层采用高T1主体与具有热延迟荧光性质的材料作为双主体材料掺杂黄光染料，蓝光发光层为具有热延迟荧光性质的主体掺杂热延迟荧光蓝光染料。本发明充分利用材料的热延迟机理来提升蓝光效率，从而显著提升了白光的效率。

Description

一种白光有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及一种白光有机电致发光器件。
背景技术
OLEDs的研究始于二十世纪六十年代，最初发光层采用荧光材料，其内量子效率最大只有25％，限制了荧光OLEDs的发展。含有重金属原子的磷光材料可使OLED的内量子效率增至100％，但是稀有金属资源有限，价格昂贵，并且缺少高效稳定的蓝光磷光材料，依然限制了OLEDs的商业化发展。
2012年，日本九州大学的Adachi研究组在《Nature》杂志上报道了一种基于热活化延迟荧光材料的高效OLEDs，其外量子效率超过了传统荧光器件。该类材料在环境温度下就可以使T1态激子收到热激发吸收能量反系间窜跃到S1态而发光，无需引入重金属原子即可实现100％的内量子效率，被认为是继传统荧光材料和磷光材料之后的第三代有机电致发光材料。同时，这一新机制为突破蓝光瓶颈、获得高效稳定的白光OLEDs带来了希望。
白光OLED被认为是下一代显示和照明光源。提升白光效率和寿命，是亟待解决的问题，白光效率的主要限制是在于蓝光效率偏低，而使用TADF材料，在无重金属原子的作用下就能大大提升器件的内量子效率。专利文献中(专利号：CN106410053A)使用蓝色热活化荧光主体搭配红绿磷光染料或高三线态橙色热活化荧光主体搭配蓝色磷光染料制备高效单层白光器件，充分利用了主体和染料的S1和T1能量；专利文献中(专利号：CN106206958A)使用热活化荧光材料做主体，制备高效率和长寿命的白光器件；专利文献中(专利号：CN106340594A)使用热活化荧光材料杂化磷光材料，使用湿法工艺制备单层白光器件。经实验发现TADF蓝光主体搭配TADF蓝光染料能显著提升TADF蓝光的效率，能够充分利用所有的能量，减少非辐射衰减，为此我们搭配黄光制备了高效的白光器件。
发明内容
解决的技术问题：使用TADF主体搭配荧磷染料或使用非TADF主体搭配TADF染料不能够完全利用载流子复合产生的激子，降低器件的效率。本发明使用第三代热活化延迟荧光制备的白光OLED器件，充分利用主体和染料S1和T1的能量，极大的提升了白光器件的效率。
本发明提供了一种新型结构的白光有机电致发光器件，包括基板，空穴注入层，空穴传输层，黄光层、蓝光层，电子传输层、电子注入层，有效的提升了白光器件的效率。
技术方案：一种白光有机电致发光器件，包括基板，依次层积在基底上的第一电极层、发光层以及第二电极层，所述发光层为依次为黄光层、蓝光层。
所述黄光层包含第一主体、第二主体和客体材料；
所述黄光层的第一主体材料为高T1主体材料，优选自以下化合物：
第二主体材料为具有热延迟荧光特性的蓝光材料，优选自以下化合物：
客体材料为黄色荧光或者磷光染料，黄色荧光染料优选自以下化合物：
黄色磷光染料优选自以下化合物：
所述黄光层第二主体浓度为第一主体浓度的10-50％；
所述黄色染料的浓度为第一主体浓度的5-15％；
所述黄光层的厚度为30-50nm；
所述蓝光层的主体材料为热延迟荧光蓝光主体材料；
所述蓝光层的客体材料为热延迟蓝光染料；
所述蓝光层的厚度为8-25nm。
所述蓝光层的客体掺杂比例为5-10％。
热延迟荧光蓝光主体选自以下化合物：
热延迟荧光蓝光染料选自以下化合物：
进一步的，本发明的有机电致发光器件中，在第一电极层与发光层间设置有第一有机层，在发光层与第二电极层之间设置有第二有机层。所述第一有机层为空穴注入层和/或空穴传输层，所述第二有机层为电子传输层和/或电子注入层。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1)现有技术中，采用TADF主体掺杂普通荧光染料(荧光染料的T1非辐射衰减)或普通荧光主体掺杂TADF染料(主体的T1非辐射衰减)来提升效率，只可以完全利用主体或者完全利用染料中的T1，而不能两者同时得到有效利用。本发明的发光层使用TADF体系，蓝光部分采用热延迟荧光主体掺杂热延迟荧光染料，能够使得两者的T1均得到有效利用，充分的利用了S1和T1的能量，使得蓝光的内量子效率在理论上能够达到100％，从而提升了白光器件的效率。
2)本发明的黄光层采用高T1材料为第一主体材料，具有热延迟特性的蓝光材料为第二主体，掺杂黄光染料(包含荧光和磷光)，相比于上述的现有技术，可使得第一主体中的T1和S1充分传递到第二主体的T1和S1，再由第二主体的T1或者S1传递至染料的T1(磷光染料)或者S1(荧光染料)加以利用，提升黄光的器件性能，从而获得高效率的白光器件。
3)本发明黄光层比蓝光层更靠近出光面，由于黄光波长要长于蓝光，故可使器件的光耦合特性得到提高，使器件外量子效率得到改善，提升白光器件的性能。
有益效果：
从能量充分利用的角度出发，通过对热延迟荧光材料的合理应用，充分利用载流子复合所产生的激子，减少了器件内部的非辐射衰减，有效提升了白光器件中黄蓝波段的效率，从而提高了不同波段复合白光的效率和寿命，有一定的商用价值。
附图说明
图1为白光有机电致发光器件的结构示意图：
图1中：01-基底，02-第一电极层，03-空穴注入层，04-空穴传输层，05-黄光发光层，06-蓝光发光层，07-电子传输层，08-电子注入层，09-第二电极层
图2为本发明黄荧光结构能量传递图；
图3为本发明黄磷光结构能量传递图；
图4为本发明蓝光结构能量传递图；
图5为本发明白光器件的能级结构图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方案详细阐述本发明的内容。本发明并不局限于下述实施方式，而是仅作为本发明的说明实施方案。
如图1所示，一种有机电致发光器件，包括基板01，依次在基板上形成的第一电极层02、空穴注入层03、空穴传输层04、蓝光层05、黄光层06、电子传输层07、电子注入层08以及第二电极层09。
使用高T1主体作为黄光层的第一主体、具有热延迟特性的蓝光材料作为第二主体，掺杂黄光染料(荧光以及磷光)，能够有效利用在该层所产生的激子，图2描述了黄光层中激子能量的传输方向。高T1材料作为第一主体，主体中的S1以及T1均可传递至第二主体的S1和T1，再由第二主体S1和T1传递至黄荧光染料的S1和T1，黄荧光染料的S1最终以光的形式辐射跃迁。整个传递过程比较充分利用了S1和T1的激子。
使用第一主体高T1主体材料混第二主体TADF特性的蓝光材料掺杂黄色磷光染料能有效利用在该层所产生的激子并且有效减少激子淬灭从而提高效率。图3描述了黄光层主体和染料的能量传输方向，使用高T1材料作第一主体，TADF特性的蓝光材料作为第二主体和黄色磷光染料。主体有高T1性质，其S1能及T1能量会传递至第二主体的S1和T1，再由第二主体S1和T1传递至黄磷光染料的S1和T1，由于重金属的作用，黄磷光染料的S1会快速传递至客体的T1，最终以光的形式辐射跃迁；另一部分由主体直接传递至黄磷光染料的S1和T1，同样由于重金属作用，黄磷光T1辐射发光。整个传递过程充分利用了S1和T1的激子，并且减少了激子堆积导致的淬灭
使用TADF主体掺杂TADF染料能有效利用在该层所产生的激子。图4描述了蓝光层中使用TADF主体掺杂TADF染料的能量传输方向，使用热延迟荧光材料作主体，掺杂热延迟荧光染料。由于均有TADF的性质，主体T1的能量会传递至主体S1，同时，染料T1的能量会传递至染料S1，使得原本不能利用的三线态激子得以利用；同时，主体S1能量会充分传递至客体的S1，主体中未完全传递至S1的T1也会传递至客体的T1，通过客体的RISC传递至客体的S1，最终以光的形式辐射跃迁。传递过程充分利用了S1和T1的激子。
本发明的有机电致发光器件中，采用真空蒸镀方式制备，也可采用其他方式制备，不局限于真空沉积。本发明仅用真空沉积方式制备的器件来进行说明。基片清洗，后烘，预处理，入腔，依次真空沉积空穴注入层，空穴传输层，发光层(多发光层)，电子传输层、电子注入层，阴极。
基底可以采用刚性基底或柔性基底，刚性基底包括玻璃基底、Si基底等，柔性基底包括聚乙烯醇(PVA)薄膜、聚酰亚胺(PD)薄膜、聚酯(PET)薄膜等。本发明基底优选刚性玻璃基底。
阳极，可优选功函数较大的导电性化合物、合金、金属以及该种材料的混合物。可以采用无机材料，无机材料包括氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)等金属氧化物或金、银、铜、铝等功函数较高的金属或金属与金属或非金属的交替形成的层叠物等。本发明阳极优选ITO。
空穴注入层是为了降低驱动电压提升器件亮度，便于空穴从阳极进入空穴传输层而设置在阳极和阴极之间的一层。一般采用单层HATCN、MoO3或空穴传输材料掺杂P-dopant材料。本发明中优选空穴传输材料掺杂p-dopant，空穴传输材料优选HT-1、HT-2、HT-3、HT-4、HT-5、HT-6、HT-7、MATADA其结构为：
P-dopant材料优选F4-TCNQ，其结构为：
空穴传输层即为具有空穴传输性能的层，可为单层，也可为多层。空穴传输材料可以选自芳胺类或枝聚芴类低分子材料，本发明中优选HT-8、HT-9、HT-10、HT-11、HT-12、HT-13、HT-14、NPB其结构为：
电子传输层即为具有电子传输性能的层，可为单层，也可为多层。材料可以选自有机金属配合物或其他常用于电子传输层的材料，优选以下结构：
阴极一般采用锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属或它们与铜、金、银的合金，或金属与金属氟化物交替形成的电极层。本发明中阴极优选LiF和Al。
以如下对比例和实施例对本发明进行说明：
第一组器件实施例：
对比例1：蓝光层(TADF主体掺杂TADF染料)+黄光层(荧光主体掺杂荧光染料)
对比例1的发光层采用TADF蓝色荧光层为第一发光层，且使用TADF主体和TADF染料，黄色荧光层为第二发光层，二者组合白光。
在膜厚150nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极玻璃基板上，利用真空蒸镀法，当真空度达到2*10-4Pa下对各膜层进行沉积。首先，在ITO上形成MATADA:4％F4TCNQ薄膜作为注入层，MATADA与F4TCNQ的蒸镀速率比例为1:0.04，MATADA的蒸镀速率为1埃/秒，注入层总厚度为100nm；接着沉积20nm厚度NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为1埃/秒。自不同的蒸发源共蒸镀TADF主体C1-5和TADF染料C2-5作为第一发光层，TADF主体C1-5和TADF染料C2-5的蒸镀速率比为1:0.05，TADF主体C1-5的蒸镀速率为1埃/秒，第一发光层的厚度为18nm；自不同的蒸发源共蒸镀9-(1-萘基)-10-(2-萘基)蒽(NNA)和PTBR作为第二发光层，NNA和PTBR的蒸镀速率比为1:0.03，NNA的蒸镀速率为1埃/秒，第二发光层的厚度为12nm。沉积20nm厚的Bphen作为电子传输层，蒸镀速率为1埃/秒。继而沉积1nm的LiF作为电子注入层，蒸镀速率为0.1埃/秒。继而对Al形成80nm的厚度，作为金属阴极。制成有机电致发光器件，如下：
ITO/MATADA:4％F4TCNQ(100nm)/NPB(20nm)/C1-5:5％C2-5(18nm)/NNA:3％PTBR(12nm)/Bphen(20nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)
对比例2：蓝光层(TADF主体掺杂TADF染料)+黄光层(磷光主体掺杂磷光染料)
对比例2的发光层采用TADF蓝色荧光层为第一发光层，且使用TADF主体和TADF染料，黄色磷光层为第二发光层，二者组合白光。
在膜厚150nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极玻璃基板上，利用真空蒸镀法，当真空度达到2*10-4Pa下对各膜层进行沉积。首先，在ITO上形成MATADA:4％F4TCNQ薄膜作为注入层，MATADA与F4TCNQ的蒸镀速率比例为1:0.04，MATADA的蒸镀速率为1埃/秒，注入层总厚度为100nm；接着沉积20nm厚度NPB作为空穴传输层，蒸镀速率为1埃/秒。自不同的蒸发源共蒸镀TADF主体C1-5和TADF染料C2-5作为第一发光层，TADF主体C1-5和TADF染料C2-5的蒸镀速率比为1:0.05，TADF主体C1-5的蒸镀速率为1埃/秒，第一发光层的厚度为18nm；自不同的蒸发源共蒸镀CBP和Ir(dphp)2(acac)作为第二发光层，CBP和Ir(dphp)2(acac)的蒸镀速率比为1:0.05，CBP的蒸镀速率为1埃/秒，第二发光层的厚度为12nm。沉积20nm厚的Bphen作为电子传输层，蒸镀速率为1埃/秒。继而沉积1nm的LiF作为电子注入层，蒸镀速率为0.1埃/秒。继而对Al形成80nm的厚度，作为金属阴极。制成有机电致发光器件，如下：
ITO/MATADA:4％F4TCNQ(100nm)/NPB(20nm)/C1-5:5％C2-5(18nm)/CBP:5％Ir(dphp)2(acac)(12nm)/Bphen(20nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)
实施例1：黄光层(高T1第一主体、TADF蓝光第二主体掺杂荧光染料)+蓝光层(TADF主体掺杂TADF染料)
实施例1的发光层采用高T1材料o-CBP与TADF特性蓝光材料作为主体掺杂黄荧光染料为第一发光层，蓝光层使用TADF主体和TADF染料，二者组合白光。
在膜厚150nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极玻璃基板上，利用真空蒸镀法，当真空度达到2*10-4Pa下对各膜层进行沉积。首先，在ITO上形成MATADA:4％F4TCNQ薄膜作为注入层，MATADA与F4TCNQ的蒸镀速率比例为1:0.04，MATADA的蒸镀速率为1埃/秒，注入层总厚度为100nm；接着沉积20nm厚度的NPB材料作为空穴传输层，蒸镀速率为1埃/秒。自不同的蒸发源共蒸镀高T1主体o-CBP、热延迟蓝光材料C2-1和PTBR作为第一发光层，高T1主体、C2-1和PTBR的蒸镀速率比为1：0.35:0.1，高T1主体o-CBP的蒸镀速率为1埃/秒，第一发光层的厚度为35nm。自不同的蒸发源共蒸镀TADF主体C1-5和TADF染料C2-5作为第二发光层，TADF主体C1-5和TADF染料C2-5的蒸镀速率比为1:0.05，TADF主体C1-5的蒸镀速率为1埃/秒，第二发光层的厚度为18nm；沉积20nm厚的Bphen作为电子传输层，蒸镀速率为1埃/秒。继而沉积1nm的LiF作为电子注入层，蒸镀速率为0.1埃/秒。继而对Al形成80nm的厚度，作为金属阴极。制成有机电致发光器件，如下：
ITO/MATADA:4％F4TCNQ(100nm)/NPB(20nm)/o-CBP:35％C2-1:10％PTBR(35nm)/C1-5:5％C2-5(18nm)/Bphen(20nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)
实施例2：黄光层(高T1第一主体、TADF蓝光第二主体掺杂荧光染料)+蓝光层(TADF主体掺杂TADF染料)
实施例2的发光层采用高T1材料mCP与TADF特性蓝光材料作为主体掺杂黄荧光染料为第一发光层，蓝光层使用TADF主体和TADF染料，二者组合白光。
在膜厚150nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极玻璃基板上，利用真空蒸镀法，当真空度达到2*10-4Pa下对各膜层进行沉积。首先，在ITO上形成MATADA:4％F4TCNQ薄膜作为注入层，MATADA与F4TCNQ的蒸镀速率比例为1:0.04，MATADA的蒸镀速率为1埃/秒，注入层总厚度为100nm；接着沉积20nm厚度的NPB材料作为空穴传输层，蒸镀速率为1埃/秒。自不同的蒸发源共蒸镀高T1主体mCP、热延迟蓝光材料C2-1和PTBR作为第一发光层，高T1主体、C2-1和PTBR的蒸镀速率比为1：0.35:0.1，高T1主体mCP的蒸镀速率为1埃/秒，第一发光层的厚度为35nm。自不同的蒸发源共蒸镀TADF主体C1-5和TADF染料C2-5作为第二发光层，TADF主体C1-5和TADF染料C2-5的蒸镀速率比为1:0.05，TADF主体C1-5的蒸镀速率为1埃/秒，第二发光层的厚度为18nm；沉积20nm厚的Bphen作为电子传输层，蒸镀速率为1埃/秒。继而沉积1nm的LiF作为电子注入层，蒸镀速率为0.1埃/秒。继而对Al形成80nm的厚度，作为金属阴极。制成有机电致发光器件，如下：
ITO/MATADA:4％F4TCNQ(100nm)/NPB(20nm)/m-CP:35％C2-1:10％PTBR(35nm)/C1-5:5％C2-5(18nm)/B phen(20nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)
实施例3：：黄光层(高T1第一主体、TADF蓝光第二主体掺杂磷光染料)+蓝光层(TADF主体掺杂TADF染料)
实施例3的发光层采用高T1材料o-CBP与TADF特性蓝光材料作为主体掺杂黄磷光染料为第一发光层，蓝光层使用TADF主体和TADF染料，二者组合白光。
在膜厚150nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极玻璃基板上，利用真空蒸镀法，当真空度达到2*10-4Pa下对各膜层进行沉积。首先，在ITO上形成MATADA:4％F4TCNQ薄膜作为注入层，MATADA与F4TCNQ的蒸镀速率比例为1:0.04，MATADA的蒸镀速率为1埃/秒，注入层总厚度为100nm；接着沉积20nm厚度的NPB材料作为空穴传输层，蒸镀速率为1埃/秒。自不同的蒸发源共蒸镀高T1主体o-CBP、热延迟蓝光材料C2-1和PTBR作为第一发光层，高T1主体、C2-1和Ir(dphp)2(acac)的蒸镀速率比为1：0.35:0.1，高T1主体o-CBP的蒸镀速率为1埃/秒，第一发光层的厚度为35nm。自不同的蒸发源共蒸镀TADF主体C1-5和TADF染料C2-5作为第二发光层，TADF主体C1-5和TADF染料C2-5的蒸镀速率比为1:0.05，TADF主体C1-5的蒸镀速率为1埃/秒，第二发光层的厚度为18nm；沉积20nm厚的Bphen作为电子传输层，蒸镀速率为1埃/秒。继而沉积1nm的LiF作为电子注入层，蒸镀速率为0.1埃/秒。继而对Al形成80nm的厚度，作为金属阴极。制成有机电致发光器件，如下：
ITO/MATADA:4％F4TCNQ(100nm)/NPB(20nm)/o-CBP:35％C2-1:10％Ir(dphp)2(acac)(35nm)/C1-5:5％C2-5(18nm)/Bphen(20nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)
实施例4：黄光层(高T1第一主体、TADF蓝光第二主体掺杂磷光染料)+蓝光层(TADF主体掺杂TADF染料)
实施例4的发光层采用高T1材料mCP与TADF特性蓝光材料作为主体掺杂黄磷光染料为第一发光层，蓝光层使用TADF主体和TADF染料，二者组合白光。
在膜厚150nm的形成有包含铟锡氧化物(ITO)的阳极玻璃基板上，利用真空蒸镀法，当真空度达到2*10-4Pa下对各膜层进行沉积。首先，在ITO上形成MATADA:4％F4TCNQ薄膜作为注入层，MATADA与F4TCNQ的蒸镀速率比例为1:0.04，MATADA的蒸镀速率为1埃/秒，注入层总厚度为100nm；接着沉积20nm厚度的NPB材料作为空穴传输层，蒸镀速率为1埃/秒。自不同的蒸发源共蒸镀高T1主体mCP、热延迟蓝光材料C2-1和Ir(dphp)2(acac)作为第一发光层，高T1主体、C2-1和Ir(dphp)2(acac)的蒸镀速率比为1：0.35:0.1，高T1主体mCP的蒸镀速率为1埃/秒，第一发光层的厚度为35nm。自不同的蒸发源共蒸镀TADF主体C1-5和TADF染料C2-5作为第二发光层，TADF主体C1-5和TADF染料C2-5的蒸镀速率比为1:0.05，TADF主体C1-5的蒸镀速率为1埃/秒，第二发光层的厚度为18nm；沉积20nm厚的Bphen作为电子传输层，蒸镀速率为1埃/秒。继而沉积1nm的LiF作为电子注入层，蒸镀速率为0.1埃/秒。继而对Al形成80nm的厚度，作为金属阴极。制成有机电致发光器件，如下：
ITO/MATADA:4％F4TCNQ(100nm)/NPB(20nm)/mCP:35％C2-1:10％Ir(dphp)2(acac)(35nm)/C1-5:5％C2-5(18nm)/Bphen(20nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)
器件结构是从已有的大量实验对比数据中筛选的，用来支持本发明的观点。
对以上对比例和实施例进行测试，结果如下表1所示：
表1：
序号 亮度(nit) 电压(V) 效率(cd/A) CIE-x CIE-y
对比例1 2000 5.8 26.1 0.35 0.34
对比例2 2000 5.8 35.3 0.39 0.42
实施例1 2000 6.1 57.8 0.35 0.34
实施例2 2000 6.2 55.7 0.35 0.33
实施例3 2000 6.0 65.9 0.35 0.33
实施例4 2000 6.2 61.2 0.30 0.33
通过对比例和实施例可以看出，在依据本发明技术方案制备的实施例1至4的白光器件中，采用本发明的体系结构：黄光层(高T1第一主体、TADF蓝光第二主体掺杂磷光染料)+蓝光层(TADF主体掺杂TADF染料)，由于黄光层中存在着第二主体，可使其内的激子通过第一主体、第二主体、染料三者形成的优良能级结构和转移体系，进行良好的传递的同时减少三线太激子的淬灭，从而使载流子复合所产生的三线太激子和单线态激子同时得到充分的利用，充分利用载流子复合所产生的能量，因而得到具备较高发光效率的白光器件。
第二组器件实施例：
本组实施例目的为对器件中的各个发光层的浓度以及厚度进行一系列对比实验：
器件的制备方法与第一组器件实施例中的实施例3相同，且制备器件各个功能层的材料与第一组中的实施例3中所用材料相同，对器件发光层浓度以及厚度进行一系列对比，器件结构为：
ITO/MATADA:4％F4TCNQ(100nm)/NPB(20nm)/o-CBP:35％C2-1:10％Ir(dphp)2(acac)(35nm)/C1-5:5％C2-5(18nm)/Bphen(20nm)/LiF(1nm)/Al(80nm)
器件1-3和对比器件1-6中的发光层掺杂浓度及发光层厚度数值以及性能测试结果如下表2所示：
表2：
薄膜的厚度以及第二主体和染料的浓度的选择对器件的性能有较大的影响。当薄膜太薄，激子无法充分产生，降低器件效率；薄膜太厚，虽然激子得以充分产生，但是影响激子的传递转移甚至会引起激子的淬灭，较低效率；当薄膜内材料浓度过小时，会限制能量的转移，导致器件效率变低，浓度过大，激子数量同样增多，造成激子湮灭，降低效率。上表表明发光层中的浓度以及发光层厚度对器件性能有较大的影响，而本发明所述的浓度以及厚度的选择可使器件的性能保持在比较高的水平。
以上所述实施例仅是为充分说明本发明而所举的较佳的实施例，本发明的保护范围不限于此。本技术领域的技术人员在本发明基础上所做的等同替代或变更，均在本发明保护范围内。

Claims (8)

1.一种白光有机电致发光器件，包括基板，依次形成在所述基板上的第一电极层、发光层以及第二电极层，其特征在于：
所述发光层中包括黄光层和蓝光层；
所述黄光层中包括第一主体、第二主体和客体材料，其中第一主体材料为高三线态能级的材料，第二主体为具有热延迟荧光特征的蓝光材料，客体材料为黄色磷光染料或黄色荧光染料；
所述蓝光层中包括主体材料和客体材料，主体材料为具有热延迟荧光特征的蓝光主体材料，客体材料为热延迟蓝光染料。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述黄光层中，第二主体材料在第一主体材料中的掺杂浓度为10-50％，黄色染料在第一主体材料中的掺杂浓度为5-15％。
所述黄光层厚度为30-50nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于：
所述蓝光层中，客体材料在主体材料中的掺杂浓度为5-10％；
蓝光层的厚度为8-25nm。
4.根据权利要求1-3中任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝光层中的具有热活化延迟荧光特征的蓝光主体材料选自以下化合物：
5.根据权利要求1-3中任一所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述蓝光层中的热活化延迟蓝荧光染料选自以下化合物：
6.根据权利要求1-3中任一所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述黄光层中的作为第一主体的高三线态材料的T1≥2.7eV，选自以下化合物：
7.根据权利要求1-3中任一所述的有机电致发光器件，其特征在于：所述黄光层中的作为第二主体的具有热延迟荧光特征的蓝光材料选自下述化合物：
8.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，所述第一电极层与发光层间设置有第一有机层，所述发光层与第二电极层之间设置有第二有机层，所述第一有机层为空穴注入层和/或空穴传输层，所述第二有机层为电子传输层和/或电子注入层。
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