JP2003168569A - フルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法 - Google Patents

フルカラー有機電界発光表示素子及びその製造方法

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JP2003168569A JP2002338475A JP2002338475A JP2003168569A JP 2003168569 A JP2003168569 A JP 2003168569A JP 2002338475 A JP2002338475 A JP 2002338475A JP 2002338475 A JP2002338475 A JP 2002338475A JP 2003168569 A JP2003168569 A JP 2003168569A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極の開口部のエッジ部部分で発生する
有機ＥＬ層のパターン不良を防止できるフルカラー有機
電界発光表示素子及びその製造方法の提供することであ
る。 【解決手段】本発明は基板上に形成された下部膜と；下
部膜が露出されるように基板上に形成された絶縁膜と；
露出された下部膜上に形成された有機薄膜層を含み、絶
縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴とする。
絶縁膜の厚さは望ましく２００ｎｍ以下であって、さら
に望ましくは１００ないし２００ｎｍである。有機薄膜
層は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層、電子
輸送層、電子注入層中の一つ以上を含み、レーザー転写
法を利用してパターニングされる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はフルカラー有機電界
発光表示素子の構造及び製造方法に係り、さらに具体的
にレーザー転写法で有機薄膜層をパターニングする時に
絶縁膜と透明電極間の境界で発生する有機薄膜層のエッ
ジ不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及
びその製造方法に関する発明である。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ(ＯＥＬＤ、Ｏｒｇａｎｉｃ
Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐ
ｌａｙ)素子は蛍光性有機化合物薄膜に電流を流せば電
子と正孔が有機化合物層で再結合しながら光を発生する
現象を利用した自発光型表示素子である。このような有
機ＥＬ素子は構造的に薄形、軽量で部品が簡素して、製
造工程が簡単な長所を有する。また、光視野角確保、完
壁な動映像と高色純度具現で高画質表示素子に適用可能
であり、低消費電力、低電圧ＤＣ駆動でモバイル(Ｍｏ
ｂｉｌｅ)素子に適合な電気的特性を有する。
【０００３】このような有機電界発光表示素子は、駆動
方式によってパッシブマトリックス(ＰＭ、Ｐａｓｓｉ
ｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)素子とアクティブマトリックス(Ａ
Ｍ、Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ)素子に区分される。
ＰＭ素子は陽極と陰極の電極が相互交差するように単純
マトリックス状で配列されて、これら間に有機化合物で
なされた有機ＥＬ層が介在された構造であって、陰極と
陽極の電極が交差する部分に一つの画素が形成される。
このようなＰＭ素子はスキャンラインが順次に選択され
る時、データラインに印加される信号によって選択され
た画素が瞬間的に発光する駆動方式で、構造と工程が単
純で、投資費用及び生産費用が少なくかかる長所がある
反面、高解像度及び大面積化が難しくて消費電力が高い
短所があって、スキャンラインが２００以下である１〜
２インチの小型表示素子に適合である。
【０００４】ＡＭ素子はスキャンラインとデータライン
の交差部に、複数のＴＦＴと、ＴＦＴに連結された画素
電極を含む画素が各々配列される構造であって、各画素
の画素電極がＴＦＴによって駆動されて、スキャンライ
ンとデータラインに掛かる電気的信号によって各画素が
独立的に駆動する。このようなＡＭ素子は高解像度及び
大面積化が可能であって、高画質具現が可能であり、消
費電力が低くて寿命が比較的長いと言う長所を有する反
面、投資費用及び生産費用がＰＭ素子に比べて高い短所
があって、スキャンライン数が２００以上である３〜２
０インチの表示素子に適合である。
【０００５】一般的に、フルカラー有機電界発光表示素
子は、陽極の透明電極上に順次形成された正孔注入層、
正孔輸送層、発光のためのＲ、Ｇ、Ｂ有機薄膜層、電子
輸送層、電子注入層及び陰極の多層構造を有する。前記
有機薄膜層はシャドーマスクを利用した真空蒸着法また
は光エッチング法を利用して形成されるが、真空蒸着法
の場合は物理的なギャップの最小値に限界があり、マス
クの変形等によって数十μｍの微細パターンを有する有
機電界発光表示素子には適用が難しくて大型化に限界が
ある。一方、光エッチング法は微細パターンの形成は可
能であるが、現像液またはエッチング液等によって有機
薄膜層の特性を低下させる問題点があった。
【０００６】最近には、前記のような問題点を解決する
ために乾式エッチング工程である熱転写法を利用して有
機薄膜層を形成する方法が出現している。熱転写法は光
源から出た光を熱エネルギーに変換して、変換された熱
エネルギーによってイメージ形成物質を基板に転写させ
て有機薄膜層のＲ、Ｇ、Ｂカラーパターンを形成する方
法である。熱転写法を利用したカラーパターン形成技術
は大別して光源からの光を調節する技術と転写フィルム
に関する技術に大別して分けることができるが、光を調
節する技術としては大体的に任意の値にフォーカス調節
されたレーザービームを基板上に置いて転写フィルムで
所望するパターンによってスキャニングする技術が用い
られている。
【０００７】米国特許第５，５２１，０３５号にはカラ
ー物質を転写フィルムから基板にレーザー誘導熱転写し
てカラーフィルタを製造する技術が開示されたが、この
技術はＮｄ：ＹＡＧレーザーを用いて基板の表面にカラ
ー物質を転写する技術である。このとき、Ｎｄ：ＹＡＧ
レーザーはビームの形態がガウス関数分布を有するガウ
スビームを形成するようになるが、このようなガウスビ
ームはその直径を大きく、大体６０μｍ以上にする場合
ビームの中心点から遠ざかるほどエネルギー分布を緩慢
にする特性を示すようになる。したがって所定直径のガ
ウスビームでスキャニングしてカラーパターンを形成す
るようになれば、カラーパターンの縁部分ではビーム強
さが弱まるので中心部位に比べてイメージ形成が低下し
て、カラーパターンの縁に対するイメージ品質問題をも
たらすようになる。
【０００８】一方、転写フィルムに対しては研究が活発
に進行しているが、転写フィルムは大部分ＯＬＥＤで有
機薄膜層のパターニング、カラーフィルタの形成または
スペーサの配置に用いられる。このような転写フィルム
に対する特許ではＤ’Ａｕｒｅｌｉｏ ｅｔ ａｌの
Ｕ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，２２０，３４８；Ｅｌｌｉ
ｓ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，２５６，
５０６；Ｂｉｌｌｓ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎ
ｏ．５，２７８，０２３；Ｂｉｌｌｓ ｅｔ ａｌの
Ｕ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，３０８，７３７；Ｉｓｂｅ
ｒｇ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．５，９９
８，０８５；Ｈｏｆｆｅｎｄ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐ
ａｔ．Ｎｏ．６，２２８，５５５；Ｗｏｌｋ ｅｔ ａ
ｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，１９４，１１９、６，
１４０，００９；Ｉｓｂｅｒｇ ｅｔａｌのＵ．Ｓ．Ｐ
ａｔ．Ｎｏ．６，０５７，０６７；Ｓｔａｒａｌ ｅｔ
ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．６，２８４，４２５；
Ｊｅｆｆｒｅｙ ｅｔ ａｌのＵ．Ｓ．Ｐａｔ．Ｎｏ．
６，２７０，９３４、Ｎｏ．６，１９０，８２６、Ｎ
ｏ．５，９８１，１３６などがある。
【０００９】転写フィルムに関する特許は主に熱転写ド
ナー素子(ｔhｅｒｍａｌ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｄｏｎｏ
ｒ ｅｌｅｍｅｎｔ)に係り、熱転写ドナー素子はベー
ス層(ｂａｓｅ ｌａｙｅｒ)、光吸収層(ｒａｄｉａｔ
ｉｏｎ ａｂｓｏｒｂｅｒ)及び転写層(ｔｒａｎｓｆｅ
ｒ ｌａｙｅｒ)を含み、ガス生成用ポリマー層(ｇａｓ
−ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ ｐｏｌｙｍｅｒ ｌａｙｅ
ｒ)をさらに含む場合もある。
【００１０】しかし、前記特許は大部分は転写フィルム
技術にのみ限定されていて、カラー薄膜層のパターニン
グ時カラー薄膜パターンの縁に対するイメージ品質、す
なわち転写品質問題に対しては考慮されなかった。
【００１１】通常的に、フルカラーＯＬＥＤはボトムゲ
ート(ｂｏｔｔｏｍ ｇａｔｅ)構造またはトップゲート
(ｔｏｐ ｇａｔｅ)構造の薄膜トランジスタが製作され
た基板上にＩＴＯ等でなされた透明電極を形成して、そ
の上に前記透明電極が露出されるように絶縁膜を形成
し、露出された透明電極上に有機ＥＬ層を形成して製作
する。
【００１２】このとき、透明電極のエッジ部分が絶縁膜
によって覆われるように形成されるが、これは低分子Ｏ
ＬＥＤの場合は透明電極のパターンエッジから有機ＥＬ
層の劣化現象による寿命短縮問題を解決して、一方、高
分子ＯＬＥＤの場合は有機ＥＬ層を形成するためのイン
クジェット印刷時溶液が溜まることができるようにウォ
ール(ｗａｌｌ)を形成するためである。このような技術
はＥＰ ９６９７０１とＳＩＤ ９９ Ｄｉｇｅｓｔ
Ｐ．３９６，ＩＥＥＥ’９９ Ｐ．１０７等でよく知ら
れている。
【００１３】一方、レーザー転写法を利用したフルカラ
ーＯＬＥＤの製造方法は、韓国特許登録番号１０−０１
９５１７５及び韓国特許出願番号２０００−４９２８７
そしてＵＳ５，９９８，０８５に開示されている。レー
ザー転写法を利用したＯＬＥＤ製造方法は薄膜トランジ
スタが形成された基板に転写フィルムを密着させた次に
光源から出た光で転写フィルムをスキャニングすれば光
が転写フィルムの光吸収層に吸収されて熱エネルギーに
転換されて、転換された熱エネルギーによって転写フィ
ルムのイメージ形成物質が基板に転写されてＲ、Ｇ、Ｂ
有機薄膜層のパターンを形成する。
【００１４】従来には寄生キャパシタンスを考慮して、
絶縁膜を５００ｎｍないし１０００ｎｍ或いはそれ以上
に厚く形成した。これによってレーザー熱転写法を利用
して有機薄膜層をパターニングする場合、図９に示した
ように、有機薄膜層のエッジで不良が発生することが分
かる。
【００１５】すなわち、絶縁膜のエッジ部分でカラーパ
ターンがきちんと転写されないで取れたり、複数のピク
セルにかけてカラーパターンが取れたりまたは正常的に
カラーパターンが転写された場合にも転写境界がきれい
でないなどの不良が発生するようになる。
【００１６】このような不良は、有機ＥＬ層の下部に形
成された下部膜の特性に影響を受けるが、下部膜が均一
に形成されていなかったり、絶縁膜のエッジ部分で発光
物質が蒸着されないで穴で残っている部分があったり、
または下部膜が他の薄膜層との接着力が悪くて下部膜の
形成特性が良くないことなどが影響を及ぼすようにな
る。特に、下部薄膜層との吸着力が良い発光物質の場合
にはレーザー転写時に既に蒸着された下部薄膜層と一緒
にカラーパターンが取れるようになる。
【００１７】一方、透明電極と絶縁層の境界で有機薄膜
層の不良を防止するための絶縁層の形成方法と関連した
技術が米国特許５，６８４，３６５号に提示された。前
記特許に提示されたＡＭタイプの有機電界発光表示素子
の断面構造が図１に図示された。
【００１８】図１を参照すると、絶縁基板１００上にソ
ース／ドレイン領域１２４、１２５を備えたポリシリコ
ンからなったアイランド状の半導体層１２０が形成され
て、半導体層１２０を含んだ基板上にゲート絶縁膜１３
０が形成されて、ゲート絶縁膜１３０上にゲート１３５
が形成される。前記ゲート１３５を含んだゲート絶縁膜
１３０上に前記ソース／ドレイン領域１２４、１２５を
露出させるコンタクトホール１４４、１４５を備えた層
間絶縁膜１４０が形成される。
【００１９】前記層間絶縁膜１４０上には、前記コンタ
クトホール１４４を通して前記ソース領域１２４に連結
されるソース電極１５４と、前記コンタクトホール１４
５を通して前記ドレイン領域１２５に連結される画素電
極１７０が形成される。
【００２０】そして、前記画素電極１７０が露出される
ように開口部１８５を備えた保護膜１８０が前記層間絶
縁膜１４０に形成されて、開口部１８５に有機薄膜層１
９０が形成されて、有機薄膜層１９０を含んだ保護膜１
８０上に陰極１９５が形成された構造を有する。
【００２１】このとき、前記保護膜１８０は、前記画素
電極１７０を露出させる開口部１８５のエッジ、すなわ
ち画素電極１７０上部の保護膜１８０が１０ないし３０
゜のテーパエッジ(ｔａｐｅｒｅｄ ｅｄｇｅ)を有する
ように形成する。このような保護膜１８０のテーパエッ
ジは後続工程で形成される有機薄膜層１９０の接着力
(ａｄhｅｓｉｏｎ)を向上させて不良発生を防止するた
めのものである。
【００２２】レーザー転写法を利用して有機薄膜層を製
造する場合には前記のように、テーパ角を有するように
絶縁膜を形成しても絶縁膜の厚さが５００μｍ以上であ
る場合には有機薄膜層のエッジ不良が相変わらず発生す
る問題点があった。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
従来技術の問題点を解決するためのものであり、画素電
極の開口部のエッジ部部分で発生する有機ＥＬ層のパタ
ーン不良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子
及びその製造方法を提供することにその目的がある。
【００２４】本発明の他の目的は画素電極上の絶縁膜を
５００ｎｍ以下の厚さを有するように形成して画素電極
の開口部のエッジ部分における有機ＥＬ層のパターン不
良を防止できるフルカラー有機電界発光表示素子及びそ
の製造方法を提供することにその目的がある。
【００２５】本発明の他の目的は詳細に後述される本発
明の詳細な説明によってさらに明確になることである。
【００２６】
【課題を解決するための手段】このような本発明の目的
を達成するために本発明は基板上に形成された下部膜
と；前記下部膜が露出されるように基板上に形成された
絶縁膜と；前記露出された下部膜上に形成された有機薄
膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下である
ことを特徴とする表示素子を提供する。
【００２７】本発明はまた基板上に形成されて、ソース
／ドレイン電極を備えた薄膜トランジスタと；前記薄膜
トランジスタのソースドレイン電極中の一つと連結され
る下部電極と；前記下部電極を露出するように前記基板
上に形成された絶縁膜と；前記露出された下部電極上に
形成された有機薄膜層を含み、前記絶縁膜の厚さは５０
０ｎｍ以下であることを特徴とする有機電界発光表示素
子を提供する。
【００２８】本発明はまた基板上に下部電極を形成する
段階と；前記下部電極を露出させるように前記基板上に
絶縁膜を形成する段階と；前記露出された下部電極上に
有機薄膜層を形成する段階を含んで、前記絶縁膜の厚さ
は５００ｎｍ以下であることを特徴とする表示素子の製
造方法を提供する。
【００２９】前記表示素子の製造方法は、前記下部膜を
形成する段階前に、前記基板上にソース／ドレイン電極
を有した薄膜トランジスタを形成する段階をさらに含
む。前記下部膜は下部電極であって、前記下部電極は前
記薄膜トランジスタのソース／ドレイン電極中の一つと
電気的に連結される。前記有機薄膜層はレーザー転写法
を利用して形成される。
【００３０】前記絶縁膜の厚さは２００ｎｍ以下であ
る。前記絶縁膜の厚さは１０ないし５００ｎｍである。
前記絶縁膜の厚さは１００ないし２００ｎｍである。
【００３１】前記絶縁膜は、前記下部膜のエッジ部分を
覆うように形成される。前記絶縁膜中前記下部膜のエッ
ジ部分に対応する部分の厚さは２００ｎｍ以下である。
前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に対応する部分の
厚さは１０ないし５００ｎｍである。前記絶縁膜中前記
下部膜のエッジ部分に対応する部分の厚さは１００ない
し２００ｎｍである。
【００３２】前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差は２
００ｎｍ以下である。前記下部膜に対する前記絶縁膜の
段差は１０ないし５００ｎｍである。前記下部膜に対す
る前記絶縁膜の段差は１００ｎｍないし２００ｎｍであ
る。
【００３３】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照しながら本
発明を詳細に説明する。
【００３４】図２は、本発明の第１実施例によるＰＭタ
イプ有機電界発光表示素子の断面構造を示したものであ
る。図２を参照すると、絶縁基板２００上にＩＴＯのよ
うな透明電極の画素電極（下部膜）２７０が陽極として
形成されて、前記画素電極２７０のエッジ部分を覆うよ
うに絶縁膜２８０が形成され、前記画素電極２７０上に
有機薄膜層２９０が形成され、前記有機薄膜層２９０を
含んだ絶縁膜２８０上に上部電極２９５として陰極が形
成される。
【００３５】前記絶縁膜２８０は５００ｎｍ以下の厚さ
で形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下
の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜２８０は画素電
極２７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ２が５
００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１
０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望
ましくは、前記絶縁膜２８０は前記画素電極２７０のエ
ッジ部分に形成された部分の厚さｄ２が１００ないし２
００ｎｍになるように形成される。
【００３６】前記したような厚さを有する絶縁膜２８０
上にレーザー転写法で有機薄膜層２９０を形成すれば図
１０のように画素電極２７０と絶縁膜２８０間の境界に
おける有機薄膜層のエッジ不良は発生しない。このと
き、前記有機薄膜層２９０は正孔注入層(ＨＩＬ、hｏｌ
ｅ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ ｌａｙｅｒ)、正孔輸送層(Ｈ
ＴＬ、hｏｌｅ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ)、
Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光(ＥＬ、ｅｌｅｃｔｒｏ ｌｕｍｉ
ｎｅｓｃｅｎｃｅ)層、電子輸送層(ＥＴＬ、ｅｌｅｃｔ
ｒｏｎ ｔｒａｎｓｐｏｒｔ ｌａｙｅｒ)、電子注入
層(ＥＩＬ、ｅｌｅｃｔｒｏｎ ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ
ｌａｙｅｒ)などを含む。
【００３７】図３は、本発明の第２実施例によるトップ
ゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構
造を示したものである。
【００３８】図３を参照すると、第２実施例による有機
電界発光表示素子は、絶縁基板３００上にバッファ層３
１０が形成されて、前記バッファ層３１０上にトップゲ
ート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜ト
ランジスタはバッファ層３１０上に形成された、ソース
／ドレイン領域３２４、３２５を備えた半導体層３２０
と、ゲート絶縁膜３３０上に形成されたゲート電極３３
５と、コンタクトホール３４４、３４５を通して前記ソ
ース／ドレイン領域３２４、３２５と電気的に連結され
る、層間絶縁膜３４０上に形成されたソース／ドレイン
電極３５４、３５５を備える。
【００３９】そして、前記薄膜トランジスタが形成され
た基板全面上に保護膜３６０が形成されて、前記保護膜
３６０上にはビアホール３６５を通して前記ソース／ド
レイン電極中の一つ、例えばドレイン電極３５５に電気
的に連結される画素電極（下部電極）３７０が陽極とし
て形成される。前記画素電極３７０を露出させる開口部
３８５を備えた平坦化用絶縁膜３８０が前記画素電極３
７０のエッジ部分を含んだ保護膜３６０上に形成され
る。前記開口部３８５の前記画素電極３７０上に有機薄
膜層３９０が形成されて、有機薄膜層３９０を含んだ絶
縁膜３８０上に上部電極３９５として陰極が形成され
る。
【００４０】前記絶縁膜３８０は５００ｎｍ以下の厚さ
で形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下
の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜３８０は画素電
極３７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ３が５
００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１
０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望
ましくは、前記絶縁膜３８０は前記画素電極３７０のエ
ッジ部分に形成された部分の厚さｄ３が１００ないし２
００ｎｍになるように形成される。
【００４１】前記したような厚さを有する絶縁膜３８０
上にレーザー転写法で有機薄膜層３９０を形成すれば図
１０のように開口部３８５のエッジ部分すなわち、画素
電極３７０と絶縁膜３８０間の境界で有機薄膜層のエッ
ジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層３９０
は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電
子輸送層、電子注入層などを含む。
【００４２】図４は、本発明の第３実施例によるトップ
ゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構
造を示したものである。
【００４３】図４を参照すると、第３実施例による有機
電界発光表示素子は絶縁基板４００上にバッファ層４１
０が形成されて、前記バッファ層４１０上にトップゲー
ト構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜トラ
ンジスタはバッファ層４１０上に形成された、ソース／
ドレイン領域４２４、４２５を備えた半導体層４２０
と、ゲート絶縁膜４３０上に形成されたゲート電極４３
５と、コンタクトホール４４４、４４５を通して前記ソ
ース／ドレイン領域４２４、４２５と電気的に連結され
る、層間絶縁膜４４０上に形成されたソース／ドレイン
電極４５４、４５５を備える。
【００４４】そして、前記薄膜トランジスタのソース／
ドレイン電極４５４中の一つ、例えばドレイン電極４５
５と電気的に連結される画素電極４７０が陽極として前
記層間絶縁膜４４０上に形成される。前記画素電極４７
０を露出させる開口部４８５を備えた絶縁膜４８０が、
前記画素電極４７０のエッジ部分を含んだ層間絶縁膜４
４０上に形成されるが、前記絶縁膜４８０は保護膜また
は平坦膜のための絶縁膜である。前記開口部４８５の画
素電極４７０上に有機薄膜層４９０が形成されて、有機
薄膜層４９０を含んだ絶縁膜４８０上に上部電極４９５
として陰極が形成される。
【００４５】前記絶縁膜４８０は５００ｎｍ以下の厚さ
で形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下
の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜４８０は画素電
極４７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ４が５
００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１
０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望
ましくは、前記絶縁膜４８０は前記画素電極４７０のエ
ッジ部分に形成された部分の厚さｄ４が１００ないし２
００ｎｍになるように形成される。
【００４６】前記のような厚さを有する絶縁膜４８０上
にレーザー転写法で有機薄膜層４９０を形成すれば図１
０のように開口部４８５のエッジ部分すなわち、画素電
極４７０と絶縁膜４８０間の境界で有機薄膜層のエッジ
不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層４９０は
正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子
輸送層、電子注入層を含む。
【００４７】図５は、本発明の第４実施例によるボトム
ゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構
造を示したものである。
【００４８】図５を参照すると、第４実施例による有機
電界発光表示素子は、絶縁基板５００上にバッファ層５
１０が形成されて、前記バッファ層５１０上にボトムゲ
ート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜ト
ランジスタはバッファ層５１０上に形成されたゲート電
極５３５と、ゲート絶縁膜５３５上に形成されたソース
／ドレイン領域５２４、５２５を備えた半導体層５２０
と、コンタクトホール５４４、５４５を通して前記ソー
ス／ドレイン領域５２４、５２５と電気的に連結され
る、層間絶縁膜５４０上に形成されたソース／ドレイン
電極５５４、５５５を備える。
【００４９】そして、前記薄膜トランジスタが形成され
た基板全面上に保護膜５６０が形成されて、前記保護膜
５６０上にはビアホール５６５を通して前記ソース／ド
レイン電極中の一つ、例えばドレイン電極５５５に電気
的に連結される画素電極５７０が陽極として形成され
る。前記画素電極５７０を露出させる開口部５８５を備
えた平坦化用絶縁膜５８０が前記保護膜５６０上に形成
される。前記開口部５８５の前記画素電極５７０上に有
機薄膜層５９０が形成されて、有機薄膜層５９０を含ん
だ絶縁膜５８０上に上部電極５９５として陰極が形成さ
れる。
【００５０】前記絶縁膜５８０は５００ｎｍ以下の厚さ
で形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下
の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜５８０は画素電
極５７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が５
００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１
０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望
ましくは、前記絶縁膜５８０は前記画素電極５７０のエ
ッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が１００ないし２
００ｎｍになるように形成される。
【００５１】前記したような厚さを有する絶縁膜５８０
上にレーザー転写法で有機薄膜層５９０を形成すれば図
１０のように開口部５８５のエッジ部分すなわち、画素
電極５７０と絶縁膜５８０間の境界で有機薄膜層のエッ
ジ不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層５９０
は正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電
子輸送層、電子注入層などを含む。
【００５２】図６は、本発明の第５実施例によるボトム
ゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構
造を示したものである。
【００５３】図６を参照すると、第５実施例による有機
電界発光表示素子は、絶縁基板６００上にバッファ層６
１０が形成されて、前記バッファ層６１０上にボトムゲ
ート構造の薄膜トランジスタが形成される。前記薄膜ト
ランジスタはバッファ層６１０上に形成されたゲート電
極６３５と、ゲート絶縁膜６３０上に形成されたソース
／ドレイン領域６２４、６２５を備えた半導体層６２０
と、コンタクトホール６４４、６４５を通して前記ソー
ス／ドレイン領域６２４、６２５と電気的に連結され
る、層間絶縁膜６４０上に形成されたソース／ドレイン
電極６５４、６５５を備える。
【００５４】そして、前記薄膜トランジスタのソース／
ドレイン電極６５４中の一つ、例えばドレイン電極６５
５と電気的に連結される画素電極６７０が陽極として前
記層間絶縁膜６４０上に形成される。前記画素電極６７
０を露出させる開口部６８５を備えた絶縁膜６８０が前
記画素電極６７０のエッジ部分を含んだ層間絶縁膜６４
０上に形成されるが、前記絶縁膜６８は保護膜または平
坦膜のための絶縁膜である。前記開口部６８５の画素電
極６７０上に有機薄膜層６９０が形成されて、有機薄膜
層６９０を含んだ絶縁膜６８０上に上部電極６９５が陰
極として形成される。
【００５５】前記絶縁膜６８０は５００ｎｍ以下の厚さ
で形成されるが、望ましくは１０ないし５００ｎｍ以下
の厚さで形成される。特に、前記絶縁膜６８０は画素電
極６７０のエッジ部分に形成された部分の厚さｄ６が５
００ｎｍ以下になるように形成されるが、望ましくは１
０ないし５００ｎｍになるように形成される。さらに望
ましくは、前記絶縁膜６８０は前記画素電極６７０のエ
ッジ部分に形成された部分の厚さｄ６が１００ないし２
００ｎｍになるように形成される。
【００５６】前記のような厚さを有する絶縁膜６８０上
にレーザー転写法で有機薄膜層６９０を形成すれば図１
０のように開口部６８５のエッジ部分すなわち、画素電
極６７０と絶縁膜６８０間の境界で有機薄膜層のエッジ
不良は発生しない。このとき、前記有機薄膜層６９０は
正孔注入層、正孔輸送層、Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層、電子
輸送層、電子注入層などを含む。
【００５７】本発明の実施例は、レーザー転写法を利用
して有機電界発光表示素子を製作するために、レーザー
転写法に適合な新しい基板構造を提案する。レーザー転
写法を利用して有機電界発光表示素子を製作するために
は、有機ＥＬ用高分子を転写フィルム上にコーティング
または蒸着した後対象基板に転写しなければならない。
それゆえ、転写された有機ＥＬ材料の転写特性及び発光
特性は薄膜トランジスタが形成された基板の構造に多く
の影響を受ける。したがって、本発明では有機薄膜層真
下部の絶縁膜の厚さを限定して形成することによってレ
ーザー転写法によって有機薄膜層を不良なしに容易に形
成するようにした。
【００５８】以下、本発明の実施例による有機電界発光
表示素子の製造方法を説明すると次のとおりである。
【００５９】図７Ａないし図７Ｄは、本発明の一実施例
によるトップゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表示
素子の製造方法を説明するための工程断面図を示したも
のである。本発明の一実施例による製造方法は図３に示
したような断面構造を有する有機電界発光表示素子の製
造方法に関して説明するものである。
【００６０】図７Ａを参照すると、ＡＭ ＯＬＥＤ用絶
縁基板３００としてガラス基板を洗浄して、前記絶縁基
板３００上にバッファ層３１０としてＳｉＯ２を形成し
て、前記バッファ層３１０上にポリシリコン膜からなっ
た半導体層３２０を形成する。前記半導体層３２０の形
成方法は例えば、前記バッファ層３１０上に非晶質シリ
コン膜をＰＥＣＶＤを利用して蒸着して、エキサイマー
レーザーを利用して前記蒸着された非晶質シリコン膜を
ポリシリコン膜に結晶化し、結晶化されたポリシリコン
膜をパターニングしてアイランド状の半導体層３２０を
形成する。
【００６１】続いて、前記半導体層３２０を含んだバッ
ファ層３１０上にＳｉＯ２のようなゲート絶縁膜３３０
を形成して、前記半導体層３２０に対応する前記ゲート
絶縁膜３３０上にゲート電極３３５を形成する。前記ゲ
ート電極３３５をマスクとして前記半導体層３２０に所
定導電型、例えば、ｎ型またはｐ型不純物中の一つをイ
オン注入してソース／ドレイン領域３２４、３２５を形
成する。
【００６２】次に、基板全面にＳｉＮｘのような層間絶
縁膜３４０を形成して、前記層間絶縁膜３４０とゲート
絶縁膜３３０をエッチングして前記ソース／ドレイン領
域３２４、３２５を各々露出させるコンタクトホール３
４４、３４５を形成する。層間絶縁膜３４０上にソース
／ドレイン電極物質を蒸着した次にパターニングして前
記コンタクトホール３４４、３４５を通して前記ソース
／ドレイン領域３２４、３２５と各々コンタクトされる
ソース／ドレイン電極３５４、３５５を形成する。
【００６３】図７Ｂを参照すると、前記ソース／ドレイ
ン電極３５４、３５５を含んだ層間絶縁膜３４０上にＳ
ｉＯ２のような保護膜３６０を形成して、前記保護膜３
６０をエッチングして前記ソース／ドレイン電極３５
４、３５５中の一つ、例えばドレイン電極３５５を露出
させるビアホール３６５を形成する。
【００６４】続いて、前記ビアホール３６５を含んだ保
護膜３６０上に透明導電膜、例えばＩＴＯを２００ｎｍ
の厚さでスパッタリングして蒸着して、乾式エッチング
して陽極として画素電極３７０を形成する。
【００６５】続いて、前記層間絶縁膜３６０上に前記画
素電極３７０のエッジ部分を覆うように平坦化用絶縁膜
３８０を形成するが、アクリルを１３００ｒｐｍの速度
で３５０ｎｍの厚さにスピンコーティングしてパターニ
ングして開口部３８５を限定して続いて２２０℃でベー
キングして、最終的に前記画素電極３７０のエッジ部分
に形成された部分が所定の厚さｄ３、例えば２５０ｎｍ
の厚さを有し、開口部３８５のエッジ部分で１５゜の傾
斜角を有する絶縁膜３８０を形成する。
【００６６】図７Ｃ及び図７Ｄは、レーザー転写法を利
用して開口部３８５内の画素電極３７０上に有機薄膜層
３９０を形成する工程であって、まずＰＥＤＯＴを３０
００ｒｐｍで５０ｎｍの厚さにスピンコーティングして
２００℃で５分間熱処理して正孔輸送層３９０ａを形成
する。続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フ
ィルムを製造するが、本発明の実施例ではＲ、Ｇ、Ｂ発
光層のための３枚の転写フィルム中１枚の転写フィル
ム、例えばＲ発光層のための転写フィルム３０に対して
説明する。
【００６７】光吸収層３２が形成されたベースフィルム
３１上に発光層形成物質であるＲカラーを各々１．０ｗ
ｔ／Ｖ％の濃度のキシレン(ｘｙｌｅｎｅ)溶液を利用し
て２０００ｒｐｍの速度でスピンコーティングして８０
ｎｍの厚さを有するＲカラーのための転写層３３を形成
して転写フィルム３０を製造する。
【００６８】転写フィルム３０を正孔輸送層３９０ａが
コーティングされた基板上に真空で固定した後、赤外線
(ＩＲ、ｉｎｆｒａｒｅｄ ｒａｄｉａｔｉｏｎ)レーザ
ー３５を利用して所望するパターンで転写してＲ発光層
３９０ｂを形成する。これによって、正孔輸送層３９０
ａとＲ発光層３９０ｂを備えた有機薄膜層３９０が形成
される。
【００６９】前記のような方法でＲ、Ｂカラーのための
転写フィルムを製造して転写すればＲ、Ｇ、Ｂフルカラ
ーのための有機薄膜層３９０が形成されて、前記有機薄
膜層３９０は前記Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層と正孔輸送層外
に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含む場
合もある。
【００７０】最終的に、有機薄膜層３９０をレーザー転
写法を利用してパターニングした後Ｃａ／Ａｇを各々３
０ｎｍ、２７０ｎｍの厚さで蒸着して陰極として上部電
極３９５を形成する。以後、封止方法によって封止して
ＡＭ ＯＬＥＤを製作する。前記したように製作された
有機電界発光表示素子は有機薄膜層下部の絶縁膜の厚さ
を５００ｎｍ以下に形成することによって、開口部にレ
ーザー転写法で転写されたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が取れる不
良を防止するようになる。
【００７１】図８Ａないし図８Ｄは、本発明の他の実施
例によるボトムゲート薄膜トランジスタ有機電界発光表
示素子の製造方法を説明するための工程断面図を示した
ものである。本発明の他の実施例による製造方法は図５
に示したような断面構造を有する有機電界発光表示素子
の製造方法に関して説明するものである。
【００７２】図８Ａを参照すると、ＡＭ ＯＬＥＤ用絶
縁基板５００としてガラス基板を洗浄して、前記絶縁基
板５００上にバッファ層５１０としてＳｉＯ２を形成
し、前記バッファ層５１０上にゲート電極５３５を形成
する。前記ゲート電極５３５を含んだバッファ層５１０
上にゲート絶縁膜５３０を形成して、前記ゲート電極５
３５に対応するゲート絶縁膜５３０上にポリシリコン膜
からなった半導体層５２０を形成する。前記半導体層５
２０の形成方法は例えば、前記バッファ層５１０上に非
晶質シリコン膜をＰＥＣＶＤを利用して蒸着して、エキ
サイマーレーザーを利用して前記蒸着された非晶質シリ
コン膜をポリシリコン膜に結晶化し、結晶化されたポリ
シリコン膜をパターニングしてアイランド状の半導体層
５２０を形成する。
【００７３】続いて、前記半導体層５２０に所定導電
型、例えば、ｎ型またはｐ型不純物中の一つをイオン注
入してソース／ドレイン領域５２４、５２５を形成す
る。基板全面にＳｉＮｘのような層間絶縁膜５４０を形
成して、前記層間絶縁膜５４０とゲート絶縁膜５３０を
エッチングして前記ソース／ドレイン領域５２４、５２
５を各々露出させるコンタクトホール５４４、５４５を
形成する。層間絶縁膜５４０上にソース／ドレイン電極
物質を蒸着した次にパターニングして前記コンタクトホ
ール５４４、５４５を通して前記ソース／ドレイン領域
５２４、５２５と各々コンタクトされるソース／ドレイ
ン電極５５４、５５５を各々形成する。
【００７４】図８Ｂに示したように、前記ソース／ドレ
イン電極５５４、５５５を含んだ層間絶縁膜５４０上に
保護膜５６０でＳｉＯ２を形成して、前記保護膜５６０
をパターニングして前記ソース／ドレイン電極５５４、
５５５中の一つ、例えばドレイン電極５５５を露出させ
るビアホール５６５を形成する。前記ビアホール５６５
を含んだ保護膜５６０上に透明導電膜でＩＴＯ膜を２０
０ｎｍの厚さでスパター蒸着してパターニングして陽極
として画素電極５７０を形成する。
【００７５】続いて、前記保護膜５６０上に前記画素電
極５７０のエッジ部分を覆うように開口部５８５を備え
た平坦化用絶縁膜５８０を形成するが、アクリルを１３
００ｒｐｍの速度で３５０ｎｍの厚さにスピンコーティ
ングしてパターニングして開口部５８５を限定して２２
０℃でベーキングして、最終的に前記画素電極３７０の
エッジ部分に形成された部分の厚さｄ５が２５０ｎｍに
なって、開口部５８５のエッジ部分で１５゜の傾斜角を
有する絶縁膜５８０を形成する。
【００７６】図８Ｃ及び図８Ｄは、レーザー転写法でフ
ルカラー有機薄膜層５９０を形成する工程であって、ま
ず基板全面に正孔輸送層５９０ａを形成するが、ＰＥＤ
ＯＴを３０００ｒｐｍで５０ｎｍの厚さにスピンコーテ
ィングして２００℃で５分間熱処理して正孔輸送層５９
０ａを形成する。続いて、Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３
枚の転写フィルムを製造するが、本発明の実施例では
Ｒ、Ｇ、Ｂ発光層のための３枚の転写フィルム中１枚の
転写フィルム、例えばＲ発光層のための転写フィルム５
０に対して説明する。
【００７７】光吸収層５２を備えたベースフィルム５１
上に発光層形成物質であるＲカラーを１．０ｗｔ／Ｖ％
の濃度のキシレン溶液を利用して２０００ｒｐｍの速度
でスピンコーティングして８０ｎｍの厚さを有する転写
層５３を形成して転写フィルム５０を製造する。続い
て、Ｒ転写フィルム５０を正孔輸送層５９０ａがコーテ
ィングされた基板上に真空で固定した後ＩＲレーザー５
５を利用して所望するパターンで転写してＲ発光層５９
０ｂを形成する。これによって、正孔輸送層５９０ａと
Ｒ発光層５９０ｂを備えた有機薄膜層５９０が形成され
る。
【００７８】前記のような方法でＲ、Ｂカラーのための
転写フィルムを製造して転写すればＲ、Ｇ、Ｂフルカラ
ーのための有機薄膜層５９０が形成されて、前記有機薄
膜層５９０は前記Ｒ、Ｇ、Ｂ有機発光層と正孔輸送層外
に正孔注入層、電子注入層、電子輸送層をさらに含む場
合もある。
【００７９】最終的に有機薄膜層５９０をレーザー転写
法を利用してパターニングした後Ｃａ／Ａｇを各々３０
ｎｍ、２７０ｎｍの厚さで蒸着して陰極として上部電極
５９５を形成する。以後封止方法によって封止してＡＭ
ＯＬＥＤを製作する。前記したように製作された有機
電界発光表示素子は有機薄膜層下部の絶縁膜の厚さを５
００ｎｍ以下に形成することによって、開口部にレーザ
ー転写法で転写されたＲ、Ｇ、Ｂ発光層が取れる不良は
防止される。
【００８０】本発明の実施例による有機電界発光表示素
子の製造工程は、図３及び図５に示したような断面構造
を有する素子に関して説明したが、図４及び図６に示し
たような断面構造を有する素子に対しても同一に適用さ
れうる。図４に示した素子の場合には層間絶縁膜４４０
上にソース／ドレイン電極４５４、４５５を形成して、
前記層間絶縁膜４４０上に前記ドレイン電極４５５に連
結される画素電極４７０を形成する。
【００８１】続いて、ドレイン電極４５５と画素電極４
７０を分離させるための保護膜の形成工程なしに直ちに
層間絶縁膜４４０上に保護膜または平坦化膜のための絶
縁膜４８０でアクリルを前記製造工程で説明したような
方法で製造する。
【００８２】図４に適用される工程は、図６に示した断
面構造を有する素子にも同一に適用することができる。
【００８３】図９は、図１に示した従来の有機電界発光
表示素子において、レーザー転写法を利用してＲ、Ｇ、
Ｂの有機薄膜層をパターニングする時、画素電極１７０
のエッジ部分上に形成された絶縁膜１８０がその厚さが
５００〜１０００ｎｍの範囲で形成されたり或いはそれ
以上に形成される時あらわれる不良Ｆの形態を示してい
る。すなわち、絶縁膜の境界部分で取れた不良や複数の
ピクセルの境界面にかけて取れる不良、エッジからピク
セル内部にまで取れた不良、或いは境界面がきたならし
く取れている不良などを示す。
【００８４】図１０は、本発明の実施例による有機電界
発光表示素子において、有機薄膜層のパターンを示す図
面である。本発明の実施例のように画素電極のエッジ部
分上に形成される絶縁膜をその厚さが５００ｎｍ以下望
ましくは２００ｎｍ以下に形成した場合には図１０のよ
うに安定したカラーパターンを得ることができることが
分かる。
【００８５】本発明ではレーザー転写法によって有機Ｅ
Ｌ層をパターニングする時熱と圧力によって転写フィル
ム上に存在する発光層形成物質を基板に転写するように
なるが、５０ないし１００ｎｍの厚さを有する発光層形
成物質を含む転写フィルムは開口部で絶縁膜と下部電極
である透明電極間に段差が大きい場合には、例えば５０
０ｎｍ以上である場合には基板に密着されないで浮かん
でいる状態になる。
【００８６】このような状態でレーザー転写時加えられ
る熱と圧力によって開口部の絶縁膜と透明電極のエッジ
部分で有機薄膜層が裂けるようになり、転写が不完全に
なって図９のような不良が発生することである。
【００８７】したがって、本発明ではこのような不良を
除去するために絶縁膜と下部電極間の段差が５００ｎｍ
以下になるように絶縁膜の厚さを調節して図１０のよう
に不良の発生を防止することである。
【００８８】有機電界発光表示素子で、透明電極の上部
に形成される絶縁膜は表面を平坦化するためのものであ
って、その上部に形成される上部電極である陰極との間
に発生する場合もある寄生キャパシタンスを防止するた
めに従来には１μｍ以上の厚さで形成したが、本発明で
は絶縁膜の厚さを５００ｎｍ以下に形成しても寄生キャ
パシタンス問題は発生しない。
【００８９】
【発明の効果】以上で詳細に説明したような本発明によ
ると、有機薄膜層下部に形成される絶縁膜を５００ｎｍ
以下の厚さで形成することによって、レーザー転写法に
よる有機薄膜層のパターニング時、開口部のエッジ部分
すなわち、絶縁膜と透明電極間の境界で有機薄膜層のエ
ッジ不良を防止でき、これにより画素電極のエッジ部分
におけるカラーパターンのイメージ特性を向上させるこ
とができる利点がある。また、相対的に絶縁膜の厚さが
薄くなるので、有機電界発光表示素子の特性を向上させ
ることができる利点がある。
【００９０】また、本発明はＰＭタイプの有機電界発光
表示素子、各々のＲ、Ｇ、Ｂ発光層を採用するサブピク
セル内に二個以上の薄膜トランジスタを備えるＡＭタイ
プの有機電界発光表示素子に適用可能なだけでなくレー
ザー転写法を利用するカラーパターン間に隔壁を備えた
表示素子にすべて適用可能な利点がある。
【００９１】前記では本発明の望ましい実施例を参照し
て説明したが、該技術分野の熟練した当業者は特許請求
の範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない
範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができ
ることを理解できることである。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来の有機電界発光表示素子の断面構造図で
ある。
【図２】 本発明の第１実施例によるＰＭタイプの有機
電界発光表示素子の断面構造図である。
【図３】 本発明の第２実施例によるトップゲート薄膜
トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図であ
る。
【図４】 本発明の第３実施例によるトップゲート薄膜
トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図であ
る。
【図５】 本発明の第４実施例によるボトムゲート薄膜
トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図であ
る。
【図６】 本発明の第５実施例によるボトムゲート薄膜
トランジスタ有機電界発光表示素子の断面構造図であ
る。
【図７Ａ】 本発明の実施例によるトップゲート薄膜ト
ランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明する
ための工程断面図である。
【図７Ｂ】 図７Ａの次の段階を示す工程断面図であ
る。
【図７Ｃ】 図７Ｂの次の段階を示す工程断面図であ
る。
【図７Ｄ】 図７Ｃの次の段階を示す工程断面図であ
る。
【図８Ａ】 本発明の他の実施例によるボトムゲート薄
膜トランジスタ有機電界発光表示素子の製造方法を説明
するための工程断面図である。
【図８Ｂ】 図８Ａの次の段階を示す工程断面図であ
る。
【図８Ｃ】 図８Ｂの次の段階を示す工程断面図であ
る。
【図８Ｄ】 図８Ｃの次の段階を示す工程断面図であ
る。
【図９】 従来のレーザー転写法を利用して有機電界発
光表示素子を製造する時、透明電極と絶縁層の境界で発
生する有機薄膜層のエッジ不良を示す図面である。
【図１０】 本発明の実施例によるレーザー転写法を利
用して有機電界発光表示素子を製造する時、エッジ不良
なしに安定的に形成された有機薄膜層を示す図面であ
る。
【符号の説明】
２００ 基板 ２７０ 画素電極（下部膜） ２８０ 絶縁膜 ２９０ 有機薄膜層 ２９５ 上部電極 ３００ 基板 ３２４、３２５ ソース／ドレイン領域 ３３０ ゲート絶縁膜 ３３５ ゲート電極 ３４０ 層間絶縁膜 ３５４、３５５ ソース／ドレイン電極 ３６０ 保護膜 ３６５ ビアホール ３７０ 画素電極（下部電極） ３８０ 絶縁膜 ３８５ 開口部 ３９０ 有機薄膜層 ３９５ 上部電極 ４００ 基板 ４２４、４２５ ソース／ドレイン領域 ４３０ ゲート絶縁膜 ４３５ ゲート電極 ４４０ 層間絶縁膜 ４４４、４４５ コンタクトホール ４５４、４５５ ソース／ドレイン電極 ４７０ 画素電極 ４８０ 絶縁膜 ４８５ 開口部 ４９０ 有機薄膜層 ４９５ 上部電極 ５００ 基板 ５２４、５２５ ソース／ドレイン領域 ５３５ ゲート電極 ５４０ 層間絶縁膜 ５４４、５４５ コンタクトホール ５５４、５５５ ソース／ドレイン電極 ５６０ 保護膜 ５６５ ビアホール ５７０ 画素電極 ５８０ 絶縁膜 ５８５ 開口部 ５９０ 有機薄膜層 ５９５ 上部電極 ６００ 基板 ６２４、６２５ ソース／ドレイン領域 ６３５ ゲート電極 ６４０ 層間絶縁膜 ６４４、６４５ コンタクトホール ６５４、６５５ ソース／ドレイン電極 ６７０ 画素電極 ６８０ 絶縁膜 ６８５ 開口部 ６９０ 有機薄膜層 ６９５ 上部電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 姜 泰旻 大韓民国京畿道水原市八達區榮通洞ビュク チョク−ゴル（番地なし） 主公アパート メント836−802 (72)発明者 權 章赫 大韓民国京畿道水原市長安區華西洞650 華西主公アパートメント411−1805 (72)発明者 李 城宅 大韓民国京畿道水原市八達區榮通洞（番地 なし） ホワンゴル・タウン豊林アパート メント233−1002 (72)発明者 鄭 遵孝 大韓民国京畿道水原市勸善區權善洞（番地 なし） 頭山東亞アパートメント109− 1105 (72)発明者 金 應珍 大韓民国ソウル江西區禾谷本洞965−10 Ｆターム(参考） 3K007 AB11 AB18 BA06 CB01 DB03 EA00 FA01

Claims (37)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に形成された下部膜と；前記下部
    膜が露出されるように基板上に形成された絶縁膜と；前
    記露出された下部膜上に形成された有機薄膜層を含み、 前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴と
    する表示素子。
  2. 【請求項２】 前記絶縁膜の厚さは、２００ｎｍ以下で
    あることを特徴とする請求項１に記載の表示素子。
  3. 【請求項３】 前記絶縁膜の厚さは、１０ないし５００
    ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の表示素
    子。
  4. 【請求項４】 前記絶縁膜の厚さは、１００ないし２０
    ０ｎｍであることを特徴とする請求項３に記載の表示素
    子。
  5. 【請求項５】 前記絶縁膜は、前記下部膜のエッジ部分
    を覆うように形成されることを特徴とする請求項１に記
    載の表示素子。
  6. 【請求項６】 前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に
    対応する部分の厚さは、２００ｎｍ以下であることを特
    徴とする請求項５に記載の表示素子。
  7. 【請求項７】 前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に
    対応する部分の厚さは、１０ないし５００ｎｍであるこ
    とを特徴とする請求項５に記載の表示素子。
  8. 【請求項８】 前記絶縁膜中前記下部膜のエッジ部分に
    対応する部分の厚さは、１００ないし２００ｎｍである
    ことを特徴とする請求項５に記載の表示素子。
  9. 【請求項９】 前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差
    は、２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１に
    記載の表示素子。
  10. 【請求項１０】 前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差
    は、１０ないし５００ｎｍであることを特徴とする請求
    項９に記載の表示素子。
  11. 【請求項１１】 前記下部膜に対する前記絶縁膜の段差
    は、１００ｎｍないし２００ｎｍであることを特徴とす
    る請求項９に記載の表示素子。
  12. 【請求項１２】 基板上に形成されて、ソース／ドレイ
    ン電極を備えた薄膜トランジスタと；前記薄膜トランジ
    スタのソースドレイン電極中の一つと連結される下部電
    極と；前記下部電極を露出するように前記基板上に形成
    された絶縁膜と；前記露出された下部電極上に形成され
    た有機薄膜層を含み、 前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴と
    する有機電界発光表示素子。
  13. 【請求項１３】 前記絶縁膜の厚さは、望ましく２００
    ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１２に記載の有
    機電界発光表示素子。
  14. 【請求項１４】 前記絶縁膜の厚さは、１０ないし５０
    ０ｎｍであることを特徴とする請求項１２に記載の有機
    電界発光表示素子。
  15. 【請求項１５】 前記絶縁膜の厚さは、１００ないし２
    ００ｎｍであることを特徴とする請求項１４に記載の有
    機電界発光表示素子。
  16. 【請求項１６】 前記絶縁膜は、前記下部電極のエッジ
    部分を覆うように形成されることを特徴とする請求項１
    ２に記載の有機電界発光表示素子。
  17. 【請求項１７】 前記絶縁膜中前記下部電極のエッジ部
    分に対応する部分の厚さは、２００ｎｍ以下であること
    を特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表示素
    子。
  18. 【請求項１８】 前記絶縁膜中前記下部電極のエッジ部
    分に対応する部分の厚さは、１０ないし５００ｎｍであ
    ることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光表
    示素子。
  19. 【請求項１９】 前記絶縁膜中前記下部電極のエッジ部
    分に対応する部分の厚さは、１００ないし２００ｎｍで
    あることを特徴とする請求項１６に記載の有機電界発光
    表示素子。
  20. 【請求項２０】 前記下部電極に対する前記絶縁膜の段
    差は、２００ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１
    ２に記載の有機電界発光表示素子。
  21. 【請求項２１】 前記下部電極に対する前記絶縁膜の段
    差は、１０ないし５００ｎｍであることを特徴とする請
    求項２０に記載の有機電界発光表示素子。
  22. 【請求項２２】 前記下部電極に対する前記絶縁膜の段
    差は、１００ｎｍないし２００ｎｍであることを特徴と
    する請求項２０に記載の有機電界発光表示素子。
  23. 【請求項２３】 基板上に下部電極を形成する段階と；
    前記下部電極を露出させるように前記基板上に絶縁膜を
    形成する段階と；前記露出された下部電極上に有機薄膜
    層を形成する段階を含んで、 前記絶縁膜の厚さは５００ｎｍ以下であることを特徴と
    する表示素子の製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記絶縁膜の厚さは、２００ｎｍ以下
    であることを特徴とする請求項２３に記載の表示素子の
    製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記絶縁膜の厚さは、１０ないし５０
    ０ｎｍであることを特徴とする請求項２３に記載の表示
    素子の製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記絶縁膜の厚さは、１００ないし２
    ００ｎｍであることを特徴とする請求項２５に記載の表
    示素子の製造方法。
  27. 【請求項２７】 前記下部膜を形成する段階前に、前記
    基板上にソース／ドレイン電極を有した薄膜トランジス
    タを形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項
    ２３に記載の表示素子の製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記下部膜は、下部電極であって、前
    記下部電極は前記薄膜トランジスタのソース／ドレイン
    電極中の一つと電気的に連結されることを特徴とする請
    求項２４に記載の表示素子の製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記絶縁膜の厚さは、２００ｎｍ以下
    であることを特徴とする請求項２８に記載の表示素子の
    製造方法。
  30. 【請求項３０】 前記絶縁膜の厚さは、１０ないし５０
    ０ｎｍであることを特徴とする請求項２８に記載の表示
    素子の製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記絶縁膜の厚さは、１００ないし２
    ００ｎｍであることを特徴とする請求項３０に記載の表
    示素子の製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記有機薄膜層は、レーザー転写法を
    利用して形成することを特徴とする請求項２３に記載の
    表示素子の製造方法。
  33. 【請求項３３】 前記絶縁膜は、エッジ部分が１５゜の
    テーパ角を有することを特徴とする請求項２３に記載の
    表示素子の製造方法。
  34. 【請求項３４】 基板全面にかけて薄膜トランジスタを
    形成する段階と；前記薄膜トランジスタの全面にかけて
    保護膜を形成する段階と；前記保護膜の一部分にかけて
    アノード電極で画素電極を形成してドレイン領域の画素
    と連結する段階と；前記画素電極のエッジ部分と前記保
    護膜上に平坦化膜を形成して前記画素電極を露出させる
    段階と；前記平坦化膜上に有機電界発光層を形成する段
    階；及び前記平坦化膜及び前記有機電界発光層上にカソ
    ード電極層を形成する段階を含み、ここで前記平坦化膜
    は所定厚さで形成されて、有機電界発光層が全体長さに
    かけて均一に形成されることを特徴とする表示素子の製
    造方法。
  35. 【請求項３５】 前記平坦化膜の厚さが５００ｎｍ以下
    であることを特徴とする請求項３４に記載の表示素子の
    製造方法。
  36. 【請求項３６】 画素電極層のエッジ部分に対応する前
    記平坦化膜の一部分の厚さが１０ないし５００ｎｍであ
    ることを特徴とする請求項３５に記載の表示素子の製造
    方法。
  37. 【請求項３７】 前記画素電極層のエッジ部分に対応す
    る前記平坦化膜の一部分の厚さが１００ないし２００ｎ
    ｍであることを特徴とする請求項３６に記載の表示素子
    の製造方法。
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