JP2015011917A - 発光装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板10の面上には複数の発光素子45が配列される。各発光素子45には、第1電源導電体41(反射層)と第2電極E2(半透過反射層)との間で発光機能層46からの出射光を共振させる共振構造が形成される。画素定義層65は、第1電源導電体41と第2電極E2との間に絶縁材料で形成され、各発光素子45に対応する開口部65Aが形成される。第1電源導電体41と第2電極E2との間隔(共振構造の共振長)は各発光素子45の表示色毎に相違し、画素定義層65の開口部65Aの内周面は、基板10の表面に対する傾斜角が30°以下に設定された傾斜面である。
【選択図】図15
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る発光装置100の平面図である。第1実施形態の発光装置100は、有機EL材料を利用した発光素子を基板10の面上に形成した有機EL装置である。基板10は、珪素(シリコン)等の半導体材料で形成された板状部材(半導体基板)であり、複数の発光素子が形成される基体(下地)として利用される。図1に例示される通り、基板10の表面は、第1領域12と第2領域14とに区分される。第1領域12は矩形状の領域であり、第2領域14は、第1領域12を包囲する矩形枠状の領域である。
画素定義層65の開口部65Aの内周面67が基板10の表面に対して90°に近い傾斜角θで急峻に切立つ対比例では、内周面67を反映した急峻な段差(凹凸)が、画素定義層65を覆う発光機能層46や第2電極E2の表面に現れる。発光機能層46や第2電極E2や封止体70等の各要素が成膜される表面(下地面)の急峻な段差は欠陥や剥離等の成膜不良の原因となり得る。また、第1実施形態のように封止体70(第1封止層71)が第2電極E2に直接に接触する構成において、第2電極E2の表面に急峻な段差が存在すると、封止体70の表面(第2封止層72や第3封止層73の表面)を充分な平坦面とすることが困難である。
本発明の第2実施形態を説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第1実施形態と同様である要素については、第1実施形態の説明で参照した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
図20は、第3実施形態の発光装置100のうち封止体70に着目した平面図である。図20に例示される通り、第3実施形態の発光装置100では、基板10の第2領域14のうち複数の実装端子36が配列される領域(以下「端子領域」という)15には封止体70が形成されない。具体的には、表示領域16および周辺領域18を含む第1領域12と、第2領域14のうち端子領域15以外の領域とにわたり封止体70の第1封止層71および第3封止層73が形成される。封止体70の第2封止層72が表示領域16内に形成される構成は第1実施形態と同様である。以上の構成によれば、第1実施形態と同様の効果に加えて、各実装端子36を多層配線層内の配線に導通させるための導通孔を封止体70に形成する必要がないという利点がある。なお、複数の実装端子36を基板10の2辺または3辺に沿って配列することも可能である。
以上の形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様は、相互に矛盾しない範囲内で適宜に併合され得る。
前述の各形態に例示した発光装置100は各種の電子機器の表示装置として好適に利用される。図21には、前述の各形態に例示した発光装置100を利用した頭部装着型の表示装置90(HMD:Head Mounted Display)が電子機器として例示されている。
Claims (5)
- 発光機能層を挟む反射層と半透過反射層との間で前記発光機能層からの出射光を共振させる共振構造を有する第1発光素子および第2発光素子と、
前記反射層と前記半透過反射層との間に絶縁材料で形成され、前記第1発光素子および前記第2発光素子の各々に対応する開口部が形成された画素定義層と
が基体上に形成され、
前記反射層と前記半透過反射層との間隔は、前記第1発光素子と前記第2発光素子とで相違し、
前記画素定義層の前記開口部の内周面は、前記基体の表面に対する傾斜角が30°以下に設定された傾斜面である
発光装置。 - 前記画素定義層の膜厚は、前記第1発光素子における前記反射層および前記半透過反射層の第1間隔と、前記第2発光素子における前記反射層および前記半透過反射層の第2間隔との差分を上回る
請求項1の発光装置。 - 前記第1発光素子および前記第2発光素子を覆う封止層を具備し、
前記封止層の膜厚は、前記第1間隔と前記第2間隔との差分を上回る
請求項2の発光装置。 - 前記第1発光素子および前記第2発光素子の各々は、第1電極と、前記第1電極からみて前記基体とは反対側に位置するとともに前記半透過反射層として機能する第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に位置する前記発光機能層とを含み、
前記封止層は、前記第2電極の表面に直接に接触する
請求項3の発光装置。 - 請求項1から請求項4の何れかの発光装置を具備する電子機器。
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