CN1279794C - 有机电致发光显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光显示器及其制造方法。该显示器包括一个形成在衬底上的底层；一个形成在衬底上以暴露底层的绝缘层；和形成在底层的暴露部分上的有机EL层，其中，绝缘层的厚度得以形成至预定厚度，以避免有机EL层中可能会出现在暴露部分的边缘部分中的缺陷。

Description

有机电致发光显示器及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种全色有机EL(电致发光)显示器及其制造方法。
背景技术
全色有机EL显示器包括一个阳极，一个空穴注入层，一个空穴迁移层，一个具有R、G和B彩色图案的有机EL层，一个电子迁移层，一个电子注入层和一个阴极，它们依次叠置在绝缘衬底上。
这些层中，有机EL层利用真空沉积技术或使用掩膜的光蚀刻技术形成。
但是，真空沉积技术有一个缺点，即对物理缝隙的最小值和大尺寸有机EL显示器有一个限制，并且由于例如掩膜变形等而不能应用到具有几十微米的细小图案的有机EL显示器中。
光蚀刻技术也有一个缺点，即有机EL层会由于显影液和蚀刻剂而甚至在能形成细小图案时劣化。
为了克服上述缺陷，提出了一种利用热转印技术形成有机EL层的方法。该热转印技术是一种利用光源发射的光产生的热能把转印膜的彩色图案转印到衬底上的技术。
此热转印技术包括两项技术。一项是控制光源，另一项涉及到转印膜的构造。
主要用激光束作为光源。根据所需的图案用激光束扫描转印膜的颜料色素并转印到衬底，由此在衬底上形成一个彩色图案。
美国专利US5,521,035揭示了一种利用导致颜料转印的激光制备彩色滤光元件的方法，其中Nd:YAG激光器用作光源。Nd:YAG激光器形成一个具有高斯分布的高斯光束。例如具有大于60微米直径的高斯形光束表现出当远离其中心点时能量分布变得较为平缓的特性。当利用具有预定直径的高斯形光束形成彩色图案时，激光束在彩色图案边缘的强度变弱。因此，转印的彩色图案的边缘不清晰并有较差的质量。
在D′Aurelio等人的美国专利5,220,348、Ellis等人的美国专利US5,256,506、Bills等人的美国专利US5,278,023、Bills等人的美国专利US5,308,737、Isberg等人的美国专利US5,998,085、Hoffend等人的美国专利US6,228,555、Wolk等人的美国专利US6,194,119和US6,140,009、Isberg等人的美国专利US6,057,067和Starral等人的美国专利US6,284,425、Jeffrey等人的美国专利US6,270,934、US6,190,826和US5,981,136等中揭示了构造这种转印膜的技术。
构造转印膜技术的重点在于热传递供体元件(donor element)，它包括一个基层、一个辐射吸收体、一个转印层和一个产生气体的聚合物层。因此，构造转印膜的技术没有提出对减少彩色图案边缘部分劣化的改进。
同时，传统的全色有机EL显示器是这样制造的，使得在薄膜晶体管(TFT)阵列衬底上形成例如由氧化铟锡(ITO)制成的透明电极，并且在衬底的整个表面上形成一个绝缘层，以暴露部分透明电极，最终在透明电极的暴露部分上形成有机EL层。
用绝缘层覆盖透明电极的边缘部分。这样防止有机EL层的退化，延长了低分子有机EL显示器的寿命，并且在喷墨打印过程中形成一个防止溶液泄漏的壁，从而在高分子有机EL显示器中形成一个有机EL层。在EP969701、SID 99 Digest第396页、IEEE’99第107页以及其他类似的文献中公开了这项技术。
同时，在韩国专利10-0195175、韩国专利2000-49287、US5,998,085中公开了利用激光转印(即热转印)制造全色有机EL显示器的方法。该转印膜与TFT阵列衬底接触，并且利用激光束扫描。激光束被吸收到转印膜的光吸收体中并且被转换成热能。有机电致发光材料通过热能从转印膜转移到衬底上，由此形成有机EL层的彩色图案。
在传统技术中，考虑到寄生电容，绝缘层的厚度设置为500nm～1000nm，或者大于1000nm。由于绝缘层的厚度较厚，在利用激光转印技术形成有机EL层的情况下出现有机薄层边缘处的缺陷。
这些缺陷可来自有机EL层之下形成的底层的特性。例如，当形成不均匀的底层时、当在绝缘层的边缘部分上未形成有机EL层从而形成空洞时、或者当底层与其它层分离时，缺陷出现。
美国专利US5,684,365公开了一种避免在透明电极和绝缘层之间的边界处出现的有机EL层缺陷的方法。
图1是说明美国专利US5,684,365中所示的有机EL显示器的截面图。参见图1，半导体层120以岛状形式形成在绝缘衬底100上。半导体层120分别包括源极区和漏极区124和125，并且由多晶硅制成。在绝缘衬底100的整个表面上形成一个栅极绝缘层130并且覆盖半导体层120。在栅极绝缘层130上形成一个栅电极135。在栅极绝缘层130上形成一个层间绝缘层140，并覆盖栅电极135。形成接触孔144和145以分别暴露部分源极区124和部分漏极区125。源电极154通过接触孔144电连接到源极区124。象素电极170通过接触孔145电连结到漏极区125。在绝缘衬底100的整个表面上形成一个钝化层180，以暴露部分象素电极170，由此形成开口部分185。在象素电极170的暴露部分上经开口部分185形成一个有机EL层190。形成一个阴极电极195以覆盖有机EL层190。
钝化层180限定开口部分185的边缘有一个10°～30°的锥角。钝化层180的锥形边缘用于提高有机EL层190的粘结度，由此避免有机EL层190的缺陷。
但是，在利用激光转印技术形成有机EL层的情况下，还有一个问题就是，当绝缘层的厚度大于500nm、甚至在形成绝缘层以便在钝化层的边缘中形成锥角时，在有机薄层的边缘出现缺陷。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种有机EL显示器及其制造方法，其可以避免有机EL层的出现在开口部分的边缘部分中的缺陷。
本发明的其它目的和优点将通过下面的说明部分地阐明，部分地变得清晰，或通过本发明的实施而部分地了解。
本发明的前述和其它目的通过提供一种显示器而实现，该显示器包括：形成在衬底上的底层；形成在衬底上以暴露底层的绝缘层；和形成在底层暴露部分上的有机EL层，其中绝缘层的厚度小于500nm。
本发明的前述和其它目的还可通过提供一种有机EL显示器而实现，该显示器包括：具有形成在衬底上的源电极和漏电极的薄膜晶体管；接触薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一的下电极；形成在衬底之上以暴露下电极的绝缘层；和形成在下电极暴露部分上的有机EL层，其中绝缘层的厚度小于500nm。
本发明的前述和其它目的还可通过提供一种制造显示器的方法而实现，该方法包括：在衬底上形成一个底层；在衬底上形成一个绝缘层以暴露底层；和在底层的暴露部分上形成一个有机EL层，其中绝缘层的厚度小于500nm。
该方法还包括在形成底层之前在衬底上形成具有源电极和漏电极的薄膜晶体管。底层是连接薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一的下电极。利用激光转印技术形成有机EL层。
在本发明的实施例中，绝缘层的厚度小于200nm。在另一个实施例中，绝缘层的厚度在10nm～500nm的范围内。在另一个实施例中，绝缘层的厚度处于100nm～200nm的范围内。
形成一个绝缘层以覆盖底层的边缘。绝缘层对应于底层边缘的部分具有小于200nm的厚度。绝缘层对应于底层边缘的部分具有10nm～500nm的厚度。绝缘层对应于底层边缘的部分具有100nm～200nm的厚度。
在本发明的一个方面，从绝缘层到底层的落差小于200nm。在另一个方面，从绝缘层到底层的落差处于10nm～500nm之间。更具体地说，从绝缘层到底层的落差处于100nm～200nm的范围内。
附图说明
本发明的这些和其它目的和优点通过下面结合附图对实施例进行的描述将变得更加清晰和更易于理解，其中：
图1是传统的有机EL显示器的截面图；
图2是根据本发明实施例的无源矩阵型有机EL显示器的截面图；
图3是根据本发明另一实施例的顶栅型薄膜晶体管(TFT)有机EL显示器的截面图；
图4是根据本发明另一实施例的顶栅型TFT有机EL显示器的截面图；
图5是根据本发明另一实施例的底栅型TFT有机EL显示器的截面图；
图6是根据本发明另一实施例的底栅型TFT有机EL显示器的截面图；
图7A～7D是图3所示有机EL显示器制造过程的截面图；
图8A～8D是图5所示有机EL显示器制造过程的截面图；
图9是传统有机EL显示器的有机EL层的照片；以及
图10是根据本发明实施例的有机显示器的有机EL层的照片。
具体实施方式
下面详细参考本发明的实施例，其示例示于附图中，其中相同的元件采用相同的附图标记。下面参考附图说明实施例，以便解释本发明。
虽然本发明把绝缘层的厚度减小到小于500nm，并且本发明的有机EL显示器没有由于寄生电容导致的缺陷，由此可以提高本发明的转印特性。
图2是根据本发明实施例的无源矩阵型有机EL显示器的截面图。
在绝缘衬底200上形成一个阳极电极270。阳极电极270还用作象素电极，并由透明导电材料如氧化铟锡(ITO)和氧化铟锌(IZO)制成。形成一个绝缘层280以覆盖象素电极270的边缘。在象素电极270上形成一个有机EL层290。在绝缘层280上形成一个阴极电极295并覆盖有机EL层290。
有机EL层290包括一个空穴注入层，一个空穴迁移层，一个具有R、G和B彩色图案的发光层、一个电子迁移层和一个电子注入层，它们依次层叠。
绝缘层280厚度小于500nm，优选地为10nm～500nm。绝缘层280对应于象素电极270边缘部分的部分的厚度d2小于500nm，优选地为10nm～500nm，更优选地是100nm～200nm。
当形成有机EL层290以覆盖绝缘层280的具有上述厚度的边缘部分时，在象素电极270和绝缘层280之间的边界处不会出现有机EL层290的边缘缺陷，如图10所示。
图3是根据本发明另一实施例的顶栅型薄膜晶体管(TFT)有机EL显示器的截面图。
在绝缘衬底300上形成一个缓冲层310。在缓冲层310上形成一个半导体层320。半导体层320分别包括源极区和漏极区324和325。在绝缘衬底300的整个表面上形成栅极绝缘层330并覆盖半导体层320。在栅极绝缘层330上形成一个栅电极335。在绝缘衬底300的整个表面上形成一个层间绝缘层340并覆盖栅电极335。形成接触孔344和345以分别暴露部分源极区324和部分漏极区325。源电极和漏电极354和355分别通过接触孔344和345电连结到源极区和漏极区324和325。
在绝缘衬底300的整个表面上形成一个钝化层360。形成一个通孔365以暴露源电极354或漏电极355。在图3中，通孔365暴露部分漏电极355。象素电极370形成在钝化层360上并经通孔365与漏电极355电连结。象素电极370当作阳极电极。
绝缘层380形成在钝化层360上并覆盖象素电极370的边缘部分以暴露部分象素电极370，由此在象素电极370上形成开口部分385。有机EL层390形成在象素电极370的暴露部分上并覆盖绝缘层380的边缘部分。阴极电极395形成在绝缘层380上并覆盖有机EL层390。
有机EL层390包括一个空穴注入层，一个空穴迁移层，一个具有R、G和B彩色图案的发光层，一个电子迁移层和一个电子注入层，它们依次层叠。
绝缘层380具有小于500nm的厚度，优选地为10nm～500nm。绝缘层380对应于象素电极370边缘部分的部分的厚度d3小于500nm，优选地为10nm～500nm，更优选地为100nm～200nm。
在形成有机EL层390以覆盖绝缘层380的具有上述厚度的边缘部分时，有机EL层390的边缘缺陷不会在象素电极370和绝缘层380之间的边界处出现，如图10所示。
图4是根据本发明另一实施例的顶栅型TFT有机EL显示器的截面图。
在绝缘衬底400上形成一个缓冲层410。在缓冲层410上形成一个半导体层420。半导体层420分别包括一个源极区和一个漏极区424和425。栅极绝缘层430形成在绝缘衬底400的整个表面上并覆盖半导体层420。栅电极435形成在栅极绝缘层430上。层间绝缘层440形成在绝缘衬底400的整个表面上并覆盖栅电极435。形成接触孔444和445以分别暴露部分源极区424和部分漏极区425。源电极454和漏电极455分别经接触孔444和445电连结到源极区424和漏极区425。
象素电极470形成在层间绝缘层440上并与源电极454和漏电极455中的任何一个电连结。在图4中，象素电极470电连结到漏电极455。象素电极470充当阳极电极。
绝缘层480形成在层间绝缘层440上并覆盖象素电极470的边缘部分以暴露部分象素电极470，由此在象素电极470上形成一个开口部分485。绝缘层480是一个钝化层或平坦化层。
有机EL层490形成在象素电极470的暴露部分上并覆盖绝缘层480的边缘部分。阴极电极495形成在绝缘层480上并覆盖有机EL层490。
有机EL层490包括一个空穴注入层，一个空穴迁移层，一个具有R、G和B彩色图案的发光层，一个电子迁移层和一个电子注入层，它们依次叠置。
绝缘层480具有小于500nm的厚度，并且优选地为10nm～500nm。绝缘层480对应于象素电极470边缘部分的部分的厚度小于500nm，优选地为10nm～500nm，更优选地在100nm～200nm之间。
当形成有机EL层490以覆盖绝缘层480的具有上述厚度的边缘部分时，在象素电极470和绝缘层480之间的边界处不会出现有机EL层490的边缘缺陷，如图10所示。
图5是根据本发明另一实施例的底栅型TFT有机EL显示器的截面图。
缓冲层510形成在绝缘衬底500上。在缓冲层510上形成一个栅电极535。栅极绝缘层530形成在绝缘衬底500的整个表面上并覆盖栅电极535。在栅极绝缘层530上形成一个半导体层520。半导体层520分别包括源极区524和漏极区525。层间绝缘层540形成在绝缘衬底500的整个表面上并覆盖半导体层520。形成接触孔544和545以分别暴露部分源极区524和部分漏极区525。源电极554和漏电极555分别经接触孔544和545电连结到源极区524和漏极区525。
在绝缘衬底500的整个表面上形成一个钝化层560。形成通孔565以暴露源电极554或漏电极555。在图5中，通孔565暴露部分漏电极555。象素电极570形成在钝化层560上并经通孔565电连结到漏电极555。象素电极570当作阳极电极。
绝缘层580形成在钝化层560上并覆盖象素电极570的边缘部分以暴露部分象素电极570，由此在象素电极570上形成开口部分585。有机EL层590形成在象素电极570的暴露部分上并覆盖绝缘层580的边缘部分。阴极电极595形成在绝缘层580上并覆盖有机EL层590。
有机EL层590包括一个空穴注入层，一个空穴迁移层，一个具有R、G和B彩色图案的发光层，一个电子迁移层和一个电子注入层，它们依次叠置。
绝缘层580具有小于500nm的厚度，优选地为10nm～500nm。绝缘层580对应于象素电极570边缘部分的部分的厚度d5小于500nm，优选地为10nm～500nm，更优选地为100nm～200nm。
当形成有机EL层590以覆盖绝缘层580的具有上述厚度的边缘部分时，在象素电极570和绝缘层380之间的边界处不出现有机EL层590的边缘缺陷，如图10所示。
图6是根据本发明另一实施例的底栅型TFT有机EL显示器的截面图。
在绝缘衬底600上形成一个缓冲层610。在缓冲层610上形成一个栅电极635。栅极绝缘层630形成在绝缘衬底600的整个表面上并覆盖栅电极635。在栅极绝缘层630上形成一个半导体层620。半导体层620分别包括源极区624和漏极区625。层间绝缘层640形成在绝缘衬底600的整个表面上并覆盖半导体层620。形成接触孔644和645以分别暴露部分源极区624和部分漏极区625。源电极654和漏电极655分别经接触孔644和645电连结源极区624和漏极区625。
象素电极670形成在层间绝缘层640上，并与源电极654或漏电极655电连结。在图6中，象素电极670与漏电极655电连结。象素电极670充当阳极电极。
绝缘层680形成在层间绝缘层640上并覆盖象素电极670的边缘部分以暴露部分象素电极670，由此在象素电极670上形成开口部分685。绝缘层680是钝化层或平坦化层。
有机EL层690形成在象素电极670的暴露部分上，并覆盖绝缘层680的边缘部分。阴极电极695形成在绝缘层680上并覆盖有机EL层690。
有机EL层690包括一个空穴注入层，一个空穴迁移层，一个具有R、G和B彩色图案的发光层，一个电子迁移层和一个电子注入层，它们依次叠置。
绝缘层680具有小于500nm的厚度，优选地为10nm～500nm。绝缘层680对应于象素电极670边缘部分的部分的厚度d6小于500nm，优选地为10nm～500nm，更优选地为100nm～200nm。
当形成有机EL层690以覆盖绝缘层680的具有上述厚度的边缘部分时，在象素电极670和绝缘层680之间的边界处不会出现有机EL层690的边缘缺陷，如图10所示。
如上所述，可以通过限定绝缘层的厚度来无缺陷地形成有机EL层。
下面说明制造根据本发明的几个实施例的有机EL显示器的方法。
图7A～7D是图3所示有机EL显示器制造过程的截面图。
参见图7A，在清洁绝缘衬底300之后将缓冲层310形成在绝缘衬底300上。绝缘衬底300优选地由玻璃制成，但不限于此。缓冲层310优选地由SiO2制成，但不限于此。半导体层320形成在缓冲层310上。半导体层320优选地由多晶硅制成，但不限于此。半导体层320可以通过各种方法形成。例如，将非晶硅层沉积在缓冲层310上，并利用准分子激光退火，从而形成一个多晶硅层，并且将多晶硅层构图成岛状形式，由此形成半导体层320。
栅极绝缘层330形成在绝缘衬底300的整个表面上，并覆盖半导体层320。栅极绝缘层330优选地由SiO2制成，但不限于此。栅电极335形成在栅极绝缘层330上。利用栅电极335作为掩膜，将p或n型杂质离子掺入到半导体层320中，从而分别形成源极区324和漏极区325。
层间绝缘层340形成在绝缘衬底300的整个表面上并覆盖栅电极335。层间绝缘层340优选地由SiNx制成，但不限于此。蚀刻栅极绝缘层330和层间绝缘层340以形成接触孔344和345，从而分别暴露部分源极区324和部分漏极区325。
将金属层沉积在层间绝缘层340上并将其分别构图成源电极354和漏电极355。源电极354和漏电极355分别经过接触孔344和345电连结到源极区324和漏极区325。
参见图7B，在绝缘衬底300的整个表面上形成一个钝化层360。钝化层360优选地由SiO2制成，但不限于此。构图钝化层360以形成一个通孔365。通孔365暴露源电极354或漏电极355。在图7B中，通孔365暴露部分漏电极355。
利用溅射技术在钝化层360上沉积一个厚度为200nm的透明导电层，并干蚀刻该导电层以形成象素电极370作为阳极电极。象素电极370优选地由一种透明导电材料制成，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。象素电极370经通孔365电连结到漏电极355。
随后，将绝缘层380形成在钝化层360上并覆盖象素电极370的边缘部分以暴露部分象素电极370，由此在象素电极370上形成一个开口部分385。换言之，利用旋涂技术以3000rpm的速度在钝化层360上沉积350nm厚度的丙烯制成的绝缘层，并对其构图以限定出开口部分385。之后，以220℃的温度烘烤绝缘层，由此形成绝缘层380，其中绝缘层边缘部分的锥角为15°，绝缘层形成在象素电极370边缘上的部分的厚度d3为250nm。
参见图7C和7D，利用激光转印技术将有机EL层390形成在象素电极370的暴露部分上，从而覆盖绝缘层380的边缘部分。
具体地说，以3000rpm的速度旋涂50nm厚的PEDOT，并在200℃的温度下热处理五分钟，由此形成空穴迁移层390a。随后，制备了三片转印膜。为了叙述方便，描述制备R彩色图案转印膜30的方法。
R彩色图案转印膜30如下制造：利用浓度为1.0wt/V％的二甲苯溶液以2000rpm的速度在其上形成有一个转印层32的基膜31上旋涂厚度为80nm的R彩色有机电致发光材料。
在对齐转印膜30与阵列衬底之后，由红外线激光35扫描转印膜30，使得把所需的图案转印到空穴迁移层390a上，由此形成有机EL层的R彩色图案390b。
以同样的方法形成G和B彩色图案，完成有机EL层390。有机EL层390还包括一个空穴注入层、一个电子迁移层和一个电子注入层。
阴极电极395(见图3)形成在绝缘层380上并覆盖有机EL层390。优选地，阴极电极395具有Ca/Ag双层结构。优选地，Ca层和Ag层分别具有30nm和270nm的厚度。
最后，进行封装过程，以完成根据本发明实施例的有机EL显示器。
图8A～8D是图5所示有机EL显示器制造过程的截面图。
参见图8A，在清洁绝缘衬底500之后将缓冲层510形成在绝缘衬底500上。绝缘衬底500优选地由玻璃制成，但不限于此。缓冲层510优选地由SiO2制成，但不限于此。栅电极535形成在缓冲层510上。栅极绝缘层530形成在绝缘衬底500的整个表面上并覆盖栅电极535。
半导体层520形成在栅极绝缘层530上。半导体层520优选地由多晶硅制成但不限于此。半导体层520可以通过各种方法形成。例如，将非晶硅层沉积在栅极绝缘层530上并利用准分子激光退火，从而形成一个多晶硅层，并且将多晶硅层构图为岛状形式，由此形成半导体层520。
利用栅电极535作为掩膜，将p或n型杂质离子掺入到半导体层520中，从而形成源极区524和漏极区525。
层间绝缘层540形成在绝缘衬底500的整个表面上，并覆盖栅电极535。层间绝缘层540优选地由SiNx制成，但不限于此。蚀刻栅极绝缘层530和层间绝缘层540以形成接触孔544和545，从而分别暴露部分源极区524和部分漏极区525。
将金属层沉积在层间绝缘层540上，并将其分别构图成源电极554和漏电极555。源电极554和漏电极555分别经过接触孔544和545电连结到源极区524和漏极区525。
参见图8B，在绝缘衬底500的整个表面上形成一个钝化层560。钝化层560优选地由SiO2制成，但不限于此。对钝化层560构图以形成一个通孔565。通孔565暴露源电极554或漏电极555。在图8B中，通孔565暴露部分漏电极555。
利用溅射技术在钝化层560上沉积一个厚度为200nm的透明导电层，并干蚀刻该导电层以形成象素电极570作为阳极电极。象素电极570优选地由一种透明导电材料制成，如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)，但不限于此。象素电极570经通孔565电连结漏电极555。
随后，将绝缘层580形成在钝化层560上，并覆盖象素电极570的边缘部分以暴露部分象素电极570，由此在象素电极570上形成一个开口部分585。换言之，利用旋涂技术以1300rpm的速度在钝化层560上沉积350nm厚的丙烯制成的绝缘层，并对其构图以限定出开口部分585。之后，以220℃的温度烘烤绝缘层，由此形成绝缘层580，其中绝缘层边缘部分的锥角为15°，绝缘层形成在象素电极570边缘上的部分的厚度d5小于250nm。
参见图8C和8D，利用激光转印技术将有机EL层590形成在象素电极570的暴露部分上，从而覆盖绝缘层580的边缘部分。
具体地说，以3000rpm的速度旋涂50nm厚的PEDOT，并在200℃的温度热处理五分钟，由此形成空穴迁移层590a。随后，制备三片转印膜。为了叙述方便，描述R彩色图案转印膜30的制备方法。
R彩色图案转印膜50如下制备：利用浓度为1.0wt/V％的二甲苯溶液以2000rpm的速度在其上形成有一个转印膜52的基膜51上旋涂厚度为80nm的R彩色有机电致发光材料。
在对齐转印膜50与阵列衬底之后，由红外线激光扫描转印膜50，使得把所需的图案转印到空穴迁移层590a上，由此形成有机EL层的R彩色图案590b。以同样的方法形成G和B彩色图案，完成有机EL层590。有机EL层590还包括一个空穴注入层、一个电子迁移层和一个电子注入层。
阴极电极595形成在绝缘层580上并覆盖有机EL层590。优选地，阴极电极595具有Ca/Ag双层结构。优选地，Ca层和Ag层分别具有30nm和270nm的厚度。
最后进行封装过程，从而完成有机EL显示器。
上述制造有机EL显示器的方法可以应用到图4和图6的情形中。
图9是图1的传统有机EL显示器的有机EL层的照片。从图9中可以看出，当绝缘层180对应于象素电极170边缘的部分的厚度超过500nm时，有机EL层有缺陷F。即，有机EL层与象素电极分离，或是有机EL层的边界形成得不清晰。
图10是根据本发明的有机EL显示器的有机EL层的照片。从图10中可以看出，当绝缘层对应于象素电极边缘的部分的厚度小于500nm时，有机EL层没有缺陷。即可以实现一种具有稳定的彩色图案的有机EL层。
对于激光转印过程，厚度为50nm～100nm的转印膜与阵列衬底接触。但是，绝缘层和象素电极之间的落差(step)较大，例如大于500nm，并且转印膜不与阵列衬底接触。因此，彩色图案被不稳定地转印到阵列衬底上，导致有机EL层的缺陷。在本发明中，形成绝缘层以使绝缘层和象素电极之间的落差较小，即小于500nm，从而避免了缺陷。
同时，一般将绝缘层的厚度形成为大于1μm，从而避免可能出现在象素电极和阴极电极之间的寄生电容。但是，即使形成的绝缘层厚度小于500nm，也不会出现寄生电容。
本发明可以应用于在采用有R、G和B彩色图案的有机EL层的子象素中有两个或多个TFT的有源矩阵型有机EL显示器，并且也可以应用于在彩色图案之间有隔离壁并采用激光转印技术的显示器。
如此处前文所述，当绝缘层对应于象素电极边缘的部分的厚度小于500nm时，可以避免在绝缘层和象素电极之间的边界处的有机EL层的缺陷，并且可以形成有机EL层的清晰的彩色图案。
虽然已经展示并说明了本发明的几个优选实施例，但本领域技术人员应该理解，在不脱离本发明宗旨和精髓的情况下可以对这些实施例进行变化，本发明的范围由权利要求及其等价物限定。

Claims (36)

1.一种显示器，包括：
一衬底；
形成在衬底上的底层；
形成在衬底上以暴露底层的绝缘层；以及
形成在底层暴露部分上的有机EL层，
其中，绝缘层的厚度小于500nm。
2.如权利要求1所述的器件，其中，绝缘层的厚度小于200nm。
3.如权利要求1所述的器件，其中，绝缘层的厚度在10nm至500nm的范围内。
4.如权利要求3所述的器件，其中，绝缘层的厚度处于100nm至200nm的范围内。
5.如权利要求1所述的器件，其中，绝缘层形成得覆盖底层的边缘。
6.如权利要求5所述的器件，其中，绝缘层对应于底层边缘的部分具有小于200nm的厚度。
7.如权利要求5所述的器件，其中，绝缘层对应于底层边缘的部分具有10nm到500nm的厚度。
8.如权利要求5所述的器件，其中，绝缘层对应于底层边缘的部分具有100nm到200nm的厚度。
9.如权利要求1所述的器件，其中，绝缘层到底层的落差小于200nm。
10.如权利要求1所述的器件，其中，绝缘层到底层的落差处于10nm至500nm的范围内。
11.如权利要求10所述的器件，其中，绝缘层到底层的落差处于100nm到200nm的范围内。
12.一种有机EL显示器，包括：
一衬底；
具有形成在衬底上的源电极和漏电极的薄膜晶体管；
接触薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一的下电极；
形成在衬底之上以暴露下电极的绝缘层；以及
形成在下电极暴露部分上的有机EL层，
其中，绝缘层的厚度小于500nm。
13.如权利要求12所述的器件，其中，绝缘层的厚度小于200nm。
14.如权利要求12所述的器件，其中，绝缘层的厚度在10nm到500nm的范围内。
15.如权利要求14所述的器件，其中，绝缘层的厚度处于100nm到200nm的范围内。
16.如权利要求12所述的器件，其中，绝缘层形成得覆盖底层的边缘。
17.如权利要求16所述的器件，其中，绝缘层对应于底层边缘的部分具有小于200nm的厚度。
18.如权利要求16所述的器件，其中，绝缘层对应于底层边缘的部分具有10nm至500nm的厚度。
19.如权利要求16所述的器件，其中，绝缘层对应于底层边缘的部分具有100nm到200nm的厚度。
20.如权利要求12所述的器件，其中，绝缘层到底层的落差小于200nm。
21.如权利要求12所述的器件，其中，绝缘层到底层的落差处于10nm到500nm的范围内。
22.如权利要求21所述的器件，其中，绝缘层到底层的落差处于100nm到200nm的范围内。
23.一种制造显示器的方法，包括：
在衬底上形成一个底层；
在衬底上形成一个绝缘层以暴露底层；以及
在底层的暴露部分上形成一个有机EL层，
其中，绝缘层的厚度小于500nm。
24.如权利要求23所述的方法，其中，绝缘层的厚度小于200nm。
25.如权利要求23所述的方法，其中，绝缘层的厚度在10nm到500nm的范围内。
26.如权利要求25所述的方法，其中，绝缘层的厚度处于100nm到200nm的范围内。
27.如权利要求23所述的方法，还包括，在形成底层之前，在衬底上形成一个具有源电极和漏电极的薄膜晶体管。
28.如权利要求24所述的方法，其中，底层是连结薄膜晶体管的源电极和漏电极其中之一的下电极。
29.如权利要求28所述的方法，其中，绝缘层的厚度小于200nm。
30.如权利要求28所述的方法，其中，绝缘层的厚度在10nm到500nm的范围内。
31.如权利要求30所述的方法，其中，绝缘层的厚度在100nm到200nm的范围内。
32.如权利要求23所述的方法，其中，利用激光转印技术形成有机EL层。
33.如权利要求23所述的方法，其中，绝缘层在其边缘部分具有15度的锥角。
34.一种制造显示器的方法，包括：
在衬底上形成一个薄膜晶体管；
在薄膜晶体管上形成一个钝化层；
在部分钝化层上形成作为阳极电极的象素电极并连结至源极区或漏极区；
在钝化层和象素电极的边缘上形成绝缘层以暴露象素电极；
在绝缘层上形成有机EL层；以及
在绝缘层和有机EL层上形成阴极电极层，
其中，绝缘层形成至预定深度，使得有机EL层的形成在其整个长度上均匀一致，绝缘层的厚度小于500nm。
35.如权利要求34所述的方法，其中，绝缘层对应于象素电极层边缘的部分具有10nm至500nm范围内的厚度。
36.如权利要求35所述的方法，其中，绝缘层对应于象素电极层边缘的部分具有100nm到200nm范围内的厚度。
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