CN112670309B - 显示面板 - Google Patents

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CN112670309B CN202011522500.3A CN202011522500A CN112670309B CN 112670309 B CN112670309 B CN 112670309B CN 202011522500 A CN202011522500 A CN 202011522500A CN 112670309 B CN112670309 B CN 112670309B
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Abstract

一种显示面板,包括基板、有机薄膜、元件阵列层、多个导电结构、显示元件层以及多条导线。基板具有彼此相对的第一表面与第二表面,且基板具有第一贯通孔。有机薄膜设置于基板的第一表面上及第一贯通孔中。位于第一贯通孔中的有机薄膜具有至少两个第二贯通孔。元件阵列层设置于有机薄膜上,且元件阵列层具有对应于第二贯通孔的开孔。多个导电结构分别设置于第二贯通孔与开孔中,且分别电性连接元件阵列层。显示元件层设置于元件阵列层上,且电性连接到元件阵列层。多条导线设置于基板的第一表面与第二表面的至少其中之一,且分别电性连接导电结构。

Description

显示面板
技术领域
本发明是有关于一种显示面板,且特别是有关于一种具有极窄边框的显示面板。
背景技术
在显示器产品设计中,窄边框(narrow border)已成趋势,可在相同解析度下,将画面可视范围极大化,且在拼接成大尺寸面板时,可减小边框的视觉干扰。
为了实现窄边框的设计,目前的作法是:在基板正面形成元件阵列之后,使用雷射钻孔机于基板的周边区进行雷射钻孔以形成贯通孔,接着,再借由电镀方式于贯通孔与基板的正反面沉积金属导线,以连接基板正面的元件阵列与基板背面的线路板。
然而,一般的雷射钻孔机所形成的贯通孔的孔径大于15μm,导致显示面板的解析度有限。若采用孔径较小的高精度雷射钻孔机,则成本又过于昂贵。此外,利用雷射钻孔时,易在形成的贯通孔中残留碳化物,导致在贯通孔中不易进行金属沉积,而不易在贯通孔中形成导电结构。
发明内容
本发明提供一种显示面板,具有极窄边框及良好解析度。
本发明的一个实施例提出一种显示面板,包括:基板,具有彼此相对的第一表面与第二表面,其中,基板具有第一贯通孔;有机薄膜,设置于基板的第一表面上及第一贯通孔中,其中,位于第一贯通孔中的有机薄膜具有至少两个第二贯通孔;元件阵列层,设置于有机薄膜上,其中,元件阵列层具有对应于第二贯通孔的开孔;多个导电结构,分别设置于第二贯通孔与开孔中,且分别电性连接元件阵列层;显示元件层,设置于元件阵列层上,且电性连接到元件阵列层;以及多条导线,设置于基板的第一表面与第二表面的至少其中之一,且分别电性连接导电结构。
在本发明的一实施例中,上述的有机薄膜的有机聚合物是选自于聚酰亚胺(polyimide,PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate,PET)、及其衍生物。
在本发明的一实施例中,上述的第一贯通孔的孔径,大于每一第二贯通孔的孔径。
在本发明的一实施例中,每一上述的第二贯通孔的孔径介于3μm至30μm之间。
在本发明的一实施例中,相邻的两个上述的第二贯通孔之间的距离介于3μm至30μm之间。
在本发明的一实施例中,上述的导电结构分别电性连接元件阵列层的主动元件的源极或闸极。
在本发明的一实施例中,上述的导电结构连接到主动元件的连接位置在基板上的正投影,与第一贯通孔在基板上的正投影重叠。
在本发明的一实施例中,上述的导电结构连接到主动元件的连接位置在基板上的正投影,与第二贯通孔在基板上的正投影重叠。
在本发明的一实施例中,两条导线设置于基板的第二表面。两条导线从导电结构的位置,分别朝向彼此相反的方向延伸。
在本发明的一实施例中,两条导线设置于基板的第二表面。两条导线从导电结构的位置,分别朝向彼此垂直的方向延伸。
在本发明的一实施例中,上述的位于第一贯通孔中的有机薄膜,具有三个第二贯通孔。三条导线设置于基板的第二表面。三条导线从导电结构的位置,分别朝向不同的方向延伸。
在本发明的一实施例中,上述的位于该第一贯通孔中的该有机薄膜,具有四个第二贯通孔。四条导线设置于基板的第二表面,其中两条导线从导电结构的位置,分别朝向相同的方向延伸,另外两条导线从导电结构的位置,分别朝向彼此相反的方向延伸。
在本发明的一实施例中,上述的导线各自为电性独立,分别电性连接到:元件阵列层的主动元件的闸极、元件阵列层的主动元件的源极、元件阵列层的扫描线、或元件阵列层的数据线。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板更包括驱动元件。驱动元件包括时序电路及补偿电路,其中,时序电路及补偿电路分别电性连接导线。
在本发明的一实施例中,上述的显示元件层包括:多个微型发光二极管元件、或多个有机发光二极管元件。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板更包括:种晶层,设置于有机薄膜与导电结构之间,且设置于有机薄膜与导线之间。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板具有显示区与周边区。第一贯通孔与第二贯通孔设置于显示区、或设置于周边区。
本发明的另一个实施例提出一种显示面板,包括:基板,具有彼此相对的第一表面与第二表面,其中,基板具有第一贯通孔;有机薄膜,有机薄膜的材料包括:具有酰亚胺环(imide ring)的有机聚合物,有机薄膜设置于基板的第一表面上及第一贯通孔中,其中,位于第一贯通孔中的有机薄膜具有至少一个第二贯通孔;元件阵列层,设置于有机薄膜上,其中,元件阵列层具有对应于该至少一个第二贯通孔的开孔;至少一个导电结构,设置于该至少一个第二贯通孔与该开孔中,且电性连接元件阵列层;显示元件层,设置于元件阵列层上,且电性连接到元件阵列层;以及至少一条导线,设置于基板的第一表面与第二表面的至少其中之一,且电性连接该至少一个导电结构。
本发明实施例的显示面板借由设置于第一贯通孔中的有机薄膜,来形成孔径更小的第二贯通孔,而无需使用价格昂贵的高精度雷射钻孔机,如此一来,能够以较低的成本制作出尺寸更小的通孔导电结构,并提升贯通孔的精度与显示面板的解析度。再者,第二贯通孔中不会有由雷射钻孔导致的残留碳化物的问题,可容易在第二贯通孔中形成导电结构。另外,本发明实施例的显示面板中的导电结构可以直接连接基板背面的导线,而使得导线无需先绕经基板的边缘,因此,可以降低导线的断线风险,并可不需要在周边区设置电路布局(circuit layout)的区域,从而实现窄边框、甚至无边框的显示面板设计。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述,但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1A是依照本发明一实施例的显示面板10的俯视示意图。
图1B是图1A的显示面板10的区域I1的放大示意图。
图1C是沿图1B的线A-A’所作的剖面示意图。
图1D是沿图1A的区域I2的线B-B’所作的剖面示意图。
图1E是沿图1A的区域I3的线C-C’所作的剖面示意图。
图2A是依照本发明一实施例的显示面板20A的俯视示意图。
图2B是图2A的显示面板的区域II的放大示意图。
图2C是沿图2B的线D-D’所作的剖面示意图。
图3A至图3H为图2C所示的显示面板20A的制作方法的步骤流程的剖面示意图。
图4A是依照本发明一实施例的显示面板20B的俯视示意图。
图4B是图4A的显示面板20B的区域III的放大示意图。
图4C是沿图4B的线E-E’所作的剖面示意图。
图5A是依照本发明一实施例的显示面板20C的俯视示意图。
图5B是图5A的显示面板的区域IV的放大示意图。
图5C是沿图5B的线F-F’所作的剖面示意图。
图6A是依照本发明一实施例的显示面板20D的俯视示意图。
图6B是图6A的显示面板的区域V的放大示意图。
图6C是沿图6B的线G-G’所作的剖面示意图。
图7是依照本发明一实施例的显示面板100的俯视示意图。
其中,附图标记
10、20、20A、20B、20C、20D、100:显示面板
20、30:槽
21:化学开环溶液
31:铜电镀液
101:载板
110:基板
111:第一表面
112:第二表面
120:有机薄膜
121:种晶层
130:元件阵列层
131:缓冲层
132:半导体层
133:闸极绝缘层
134:闸极
135:层间绝缘层
136:源极
137:汲极
138:平坦层
140、141、142、143、144、145、146、147、148、149:导电结构
150:显示元件层
151、152、153、154:微型发光二极管元件
160、161、162、163、164、165、166、167、168:导线
170:驱动元件
172:时序电路
174:补偿电路
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’、F-F’、G-G’:线
AA:显示区
AC:主动元件
B1、B2:连接位置
D1、D2:孔径
D3:距离
H1:第一贯通孔
H2:第二贯通孔
I1、I2、I3、II、III、IV、V、:区域
NA:周边区
Pa、Pb、Pc:接垫
PD:接垫
TH:开孔
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例对本发明技术方案进行详细的描述,以更进一步了解本发明的目的、方案及功效,但并非作为本发明所附权利要求保护范围的限制。
图1A是依照本发明一实施例的显示面板10的俯视示意图。图1B是图1A的显示面板10的区域I1的放大示意图。图1C是沿图1B的线A-A’所作的剖面示意图。为了使图式的表达较为简洁,图1A省略了图1B与图1C中的除第二贯通孔H2以外的其他构件。图1B省略了图1C中的元件阵列层130、显示元件层150以及驱动元件170。以下,请同时参照图1A~图1C,以清楚地理解显示面板10的整体结构。
请参照图1A~图1C,显示面板10包括:基板110、有机薄膜120、元件阵列层130、至少一个导电结构140、显示元件层150以及至少一条导线160。基板110具有彼此相对的第一表面111与第二表面112,且基板110具有第一贯通孔H1。有机薄膜120的材料包括:具有酰亚胺环(imide ring)的有机聚合物。有机薄膜120设置于基板110的第一表面111上及第一贯通孔H1中。位于第一贯通孔H1中的有机薄膜120具有至少一个第二贯通孔H2。元件阵列层130设置于有机薄膜120上,且元件阵列层130具有对应于第二贯通孔H2的开孔TH。导电结构140设置于第二贯通孔H2与开孔TH中,且电性连接元件阵列层130。显示元件层150设置于元件阵列层130上,且电性连接到元件阵列层130。导线160设置于基板110的第一表面111与第二表面112的至少其中之一,且电性连接导电结构140。
承上述,在本发明的一实施例的显示面板10中,借由设置于第一贯通孔H1中的有机薄膜120来形成孔径更小的第二贯通孔H2,而无需使用价格昂贵的高精度雷射钻孔机。如此一来,能够以较低的成本制作出尺寸更小的通孔导电结构,同时提升贯通孔的精度。另外,设置于基板110的第一表面111与第二表面112的导线160可以通过导电结构140连接,而无需绕经基板110的周边,因此,可以减小周边区的面积,从而实现窄边框、甚至无边框的显示面板设计。
以下,配合图1A~图1C,继续说明显示面板10的各个元件与膜层的实施方式,但本发明不以此为限。
请参照图1A,显示面板10具有显示区AA与周边区NA,且周边区NA与显示区AA相邻。此处,显示区AA是指:显示面板10的主要进行影像显示的区域。周边区NA是指:显示面板10的靠近边缘的区域,可注意到,在周边区NA中也可设置显示元件层150,以显示影像。在显示面板10的显示区AA与周边区NA中,皆形成有多个第一贯通孔H1与第二贯通孔H2。图1B与图1C分别绘示了位于周边区NA的区域I1(如图1A所示)的放大示意图与剖面示意图。然而,在其他实施例中,区域I1也可位于显示区AA中。
基板110可以是柔性基板,其材质可以是聚酰亚胺、聚碳酸酯(polycarbonate,PC)、聚酯(polyester)、环烯共聚物(cyclic olefin copolymer,COC)、金属铬合物基材-环烯共聚物(metallocene-based cyclic olefin copolymer,mCOC)或其他适当材质,但本发明不以此为限。
基板110具有第一表面111与第二表面112,且第一表面111上可设置用以形成发光元件、开关元件、驱动元件、储存电容、信号线等的各种膜层。基板110还具有贯穿第一表面111与第二表面112的第一贯通孔H1。第一贯通孔H1的孔径D1可以在10μm以上,例如是,孔径D1可以介于15μm-100μm之间。第一贯通孔H1可以使用任何方式形成,例如雷射钻孔、机械钻孔等。
有机薄膜120设置于基板110的第一表面111上与第一贯通孔H1中。有机薄膜120的材质可以是有机聚合物,例如是:具有酰亚胺环的有机聚合物,像是聚酰亚胺或其衍生物,或是聚对苯二甲酸乙二酯或其衍生物。通过有机薄膜120的材质的适当的选择(即,具有酰亚胺环的有机聚合物),而可以在后续制程中,使得种晶层121能够附着到有机薄膜120上,进而促进导电结构140的形成。在基板110上形成有机薄膜120的方式,可以采用旋涂(spincoating)制程,但本发明不限于此。
在第一贯通孔H1中的有机薄膜120可具有至少一个第二贯通孔H2。第一贯通孔H1的孔径D1,大于第二贯通孔H2的孔径D2。在一实施例中,在第一贯通孔H1中的有机薄膜120具有一个第二贯通孔H2。第二贯通孔H2的孔径D2可以小于50μm,例如是,第二贯通孔H2的孔径D2可以介于3μm至30μm之间。可以采用微影蚀刻制程(photolithography process)来形成第二贯通孔H2,而能够制作精度高且孔径小的第二贯通孔H2。如此一来,无需使用价格昂贵的高精度雷射钻孔机,即能够以较低的成本制作出尺寸更小的第二贯通孔H2。
元件阵列层130可以设置于有机薄膜120上。举例而言,元件阵列层130可以包括:主动元件、以及连接主动元件的扫描线或数据线。主动元件例如是薄膜电晶体(Thin FilmTransistor,TFT)。主动元件可以接收来自扫描线的信号而进行开启或关闭,并且,在主动元件的开启时,将在数据线中传递的信号,传递至显示元件层150中。元件阵列层130具有开孔TH,此开孔TH对应于有机薄膜120中的第二贯通孔H2。因此,设置于第二贯通孔H2与开孔TH中的导电结构140,可以贯穿基板110与元件阵列层130。
在元件阵列层130的上表面,还可以设置接垫PD。元件阵列层130可以通过导电结构140与接垫PD而电性连接至其他元件,例如:元件阵列层130的扫描线与数据线,可以通过导电结构140而电性连接到设置于显示面板10的周边区NA的源极引脚与汲极引脚;另外,元件阵列层130的主动元件,可以通过接垫PD而电性连接到显示元件层150。
显示元件层150可设置于元件阵列层130上。显示元件层150可以电性连接到导电结构140与元件阵列层130。显示元件层150可以包括多个微型发光二极管元件(μ-LED)或多个有机发光二极管元件(OLED)等的自发光元件。当利用微型发光二极管元件或有机发光二极管元件等的点光源,来作为显示元件层150的显示元件时,还可使显示面板10具有弯折特性。
只要显示元件层150能够与位于下方的元件阵列层130、导电结构140、导线160等进行电性连接,而受到驱动控制,则并不限定显示元件层150的种类,在其他的实施例中,显示元件层150也可以包括其他显示元件,例如是液晶显示元件。
可以只在基板110的第一表面111上、只在第二表面112上、或在第一表面111与第二表面112上,设置至少一条导线160;并且,导线160电性连接到导电结构140。导线160的材质可为金属或合金,例如:金、银、铜、铝、钛、钼或其组合等,但本发明不限于此。请参照图1C,在一实施例中,导线160可包括:位于第二表面112的导线161、与位于元件阵列层130上的导线163,导线161与导线163电性连接到导电结构140。举例而言,导线163还可电性连接到元件阵列层130的扫描线或数据线。
显示面板10还可以包括种晶层121。种晶层121设置于有机薄膜120与导电结构140之间,且设置于有机薄膜120与导线160之间。在电镀制程中,种晶层121可作为电极,以利于电镀溶液中的金属附着到种晶层121,且使金属进行沉积,进而形成导电结构140与导线160。种晶层121的材质可以是镍钯(Ni-Pd),但本发明不限于此。种晶层121可以具有
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显示面板10还可以包括驱动元件170。驱动元件170设置在基板110的第二表面112,且电性连接至导线161。驱动元件170可以包括时序电路172及补偿电路174,且时序电路172及补偿电路174分别电性连接到导线161。举例而言,时序电路172发送的信号可以经由导线161与导电结构140而传递至显示元件层150,以控制显示元件层150的发光时序。另外,补偿电路174发送的信号也可以经由导线161与导电结构140传递至显示元件层150,以侦测并补偿提供到显示元件层150的发光元件的电流,使得显示元件层150的发光元件的发光时间与光均匀度,都能够得到精确的控制。
驱动元件170可以包括晶片,所述晶片可借由晶粒-软片接合制程(Chip On Film,COF)与基板110上的导线160接合。根据其它实施例,所述晶片也可借由晶粒-玻璃接合制程(Chip On Glass,COG)、软片式晶粒接合(Tape Automated Bonding,TAB)或其它方式与导线160接合。
承上述,元件阵列层130可以通过导线163、导电结构140以及导线161,而电性连接至基板110的背面(即,第二表面112)的驱动元件170,因此,导线163无需先绕经基板110的边缘,而可以降低导线断线的可能性,并可不需要在周边区NA设置电路布局的区域。再者,可在不使用昂贵的高精度雷射钻孔机的前提下,制作出孔径介于3μm至30μm之间的第二贯通孔H2,并且,进而提升第二贯通孔H2的制作精度与显示面板10的解析度。同时,在第二贯通孔H2中并不会有由雷射钻孔导致的残留碳化物的问题,可容易在第二贯通孔H2中形成导电结构140。
在上述的实施例中,说明的是:在显示面板的周边区NA的区域I中的实施态样。在以下的图1D~图6C的实施例中,说明的是:在显示面板的显示区AA中的实施态样,并沿用图1A~图1C的实施例的元件标号与相关内容,其中,采用相同的标号来表示相同或近似的元件,并省略了相同技术内容的说明。关于省略部分的说明,可参考图1A~图1C的实施例,在以下的说明中不再重述。
图1D是沿图1A的区域I2的线B-B’所作的剖面示意图。与图1A~图1C所示的显示面板10的区域I1中的结构相比,如图1D所示的显示面板10的区域I2中的结构的不同之处在于:(1)首先,区域I2位于显示区AA;(2)再者,区域I2可以不设置驱动元件170,而由设置在区域I1的驱动元件170(如图1C所示)来进行显示面板10的驱动。当然,在其他实施例中,区域I2也可以设置驱动元件170,可进一步提升显示面板10的驱动效能;(3)另外,请参照图1D,元件阵列层130可包括:缓冲层131、半导体层132、闸极绝缘层133、闸极134、层间绝缘层135、源极136、汲极137以及平坦层138,其中,半导体层132、闸极134、源极136与汲极137构成主动元件AC。主动元件AC的半导体层132的材料,可以采用非晶硅(α-Si)、多晶硅(poly-Si)、或是氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide,IGZO)。导电结构140的一端连接主动元件AC的源极136,导电结构140的另一端连接导线160。因此,导线160可以通过导电结构140而电性连接到主动元件AC的源极136。此外,导线160还可电性连接至设置于区域I1的驱动元件170(如图1C所示)。
在图1D所示的实施例中,导电结构140连接到主动元件AC的连接位置B1在基板110上的正投影,可与第一贯通孔H1在基板110上的正投影重叠。另外,导电结构140连接到主动元件AC的连接位置B1在基板110上的正投影,也可与第二贯通孔H2在基板110上的正投影重叠。如此一来,由于可以在第一贯通孔H1、第二贯通孔H2的上方直接制作元件阵列层130,所以,可降低断线的风险,并且,可以减小导电结构140、主动元件AC及第一贯通孔H1在基板110上的正投影面积,从而提高显示面板10的解析度。
图1E是沿图1A的区域I3的线C-C’所作的剖面示意图。与图1D所示的显示面板10的区域I2中的结构相比,如图1E所示的显示面板10的区域I3中的结构的不同之处在于:导电结构140的一端连接到主动元件AC的闸极134;因此,请参照图1E,导线160可以通过导电结构140而电性连接到主动元件AC的闸极134。此外,导线160也可电性连接至设置于区域I1的驱动元件170(如图1C所示)。
在图1E所示的实施例中,导电结构140连接到主动元件AC的连接位置B2在基板110上的正投影,可与第一贯通孔H1在基板110上的正投影重叠。另外,导电结构140连接到主动元件AC的连接位置B2在基板110上的正投影,可与第二贯通孔H2在基板110上的正投影重叠。同样地,由于可以在第一贯通孔H1、第二贯通孔H2的上方直接制作元件阵列层130,所以,可降低断线的风险,并且,可以减小导电结构140、主动元件AC及第一贯通孔H1在基板110上的正投影面积,从而提高显示面板10的解析度。
图2A是依照本发明一实施例的显示面板20A的俯视示意图。图2B是图2A的显示面板的区域II的放大示意图。图2C是沿图2B的线D-D’所作的剖面示意图。为了使图式的表达较为简洁,图2A省略了图2B与图2C中的除第二贯通孔H2以外的其他构件。图2B省略了图2C中的元件阵列层130与显示元件层150。
请参照图2A~图2C,显示面板20A包括:基板110、有机薄膜120、元件阵列层130、多个导电结构140、显示元件层150以及多条导线160。基板110具有彼此相对的第一表面111与第二表面112,且基板110具有第一贯通孔H1。有机薄膜120设置于基板110的第一表面111上及第一贯通孔H1中。位于第一贯通孔H1中的有机薄膜120具有至少两个第二贯通孔H2。元件阵列层130设置于有机薄膜120上,且元件阵列层130具有对应于第二贯通孔H2的开孔TH。多个导电结构140分别设置于第二贯通孔H2与开孔TH中,且分别电性连接元件阵列层130。显示元件层150设置于元件阵列层130上,且电性连接到元件阵列层130。多条导线160设置于基板110的第一表面111与第二表面112的至少其中之一,且分别电性连接导电结构140。
与图1A~图1C所示的显示面板10的区域I1中的结构相比,如图2A~图2C所示的显示面板20A的区域II中的结构的不同之处在于:(1)首先,区域II位于显示区AA;(2)再者,在第一贯通孔H1中的有机薄膜120具有两个第二贯通孔H2;(3)另外,元件阵列层130的两个开孔TH,分别对应于有机薄膜120中的两个第二贯通孔H2;(4)并且,设置于第二贯通孔H2与开孔TH中的导电结构140包括两个导电结构141、142;(5)显示元件层150采用了微型发光二极管元件151,且微型发光二极管元件151的接垫Pa、Pb,分别电性连接到导电结构141、142;(6)导线160可包括:位于第二表面112的导线161、162、以及位于元件阵列层130上的导线163、164。可注意到,两条导线161、162设置于基板110的第二表面112,并且,两条导线161、162从导电结构141、142的位置,分别朝向彼此相反的方向延伸(如图2B所示);(7)而且,显示面板20A于显示区AA中设置驱动元件170(如图1C所示)。
在图2C的实施例中,微型发光二极管元件151可以通过接垫Pa、Pb而分别连接导线163、164。这些导线163、164再分别通过导电结构141、142而连接导线161、162。接着,这些导线161、162再分别连接至设置于第二表面112的驱动元件(未绘示于图2C中),例如,可采用图1C所示的驱动元件170。
在一实施例中,第二贯通孔H2的孔径D2可以小于40μm,例如是,第二贯通孔H2的孔径D2可以介于3μm至30μm之间。另外,相邻的两个第二贯通孔H2之间的距离D3可以大于2μm,例如是,相邻的两个第二贯通孔H2之间的距离D3可以介于3μm至30μm之间。可以采用微影蚀刻制程来形成第二贯通孔H2,而能够制作精度高且孔径小的第二贯通孔H2。如此一来,无需使用价格昂贵的高精度雷射钻孔机,能够以较低的成本制作出尺寸更小的第二贯通孔H2。
上述的显示面板20A借由设置于第一贯通孔H1中的有机薄膜120,来形成孔径更小的两个第二贯通孔H2,进而提升第二贯通孔H2的制作精度与显示面板20A的解析度。再者,第二贯通孔H2可采用微影蚀刻制程来制作,所以,不会有由雷射钻孔所导致的残留碳化物的问题,可有助于在第二贯通孔H2中形成导电结构141、142。另外,元件阵列层130与显示元件层150可以通过导电结构141、142直接电性连接位于第二表面112的导线161、162,如此一来,可降低导线断线的可能性,并减小周边区NA的面积,从而实现窄边框、甚至无边框的显示面板设计。
图3A至图3H为图2C所示的显示面板20A的制作方法的步骤流程的剖面示意图。以下,配合图3A~图3H,以说明显示面板20A的制作方法。
请参照图3A,首先,提供载板101,并将基板110固定于载板101。举例而言,载板101的材料可以是玻璃、不锈钢、或是其它可适用的材料。在一实施例中,基板110的材料可以是聚酰亚胺。
将基板110固定于载板101的方式并无特别限制。举例而言,可以先提供一片具有第一表面111与第二表面112的基板110,接着,将基板110的第二表面112借由压合的方式固定于载板101上;或者,可以借由旋涂的方式将聚酰亚胺的溶液涂布于载板101上,以形成聚酰亚胺薄膜,之后,再对聚酰亚胺薄膜进行热处理,即可得到如图3A所示的固定于载板101的基板110。
接着,请参照图3B,使用一般的雷射钻孔机102对基板110进行雷射钻孔,以在基板110中形成第一贯通孔H1。第一贯通孔H1具有孔径D1,孔径D1可以在10μm以上,例如是,孔径D1可以介于15μm-50μm之间。举例而言,孔径D1可以约为20μm。
接着,请参照图3C,在基板110的第一表面111上与第一贯通孔H1中,形成经图案化的有机薄膜120。如前所述,有机薄膜120的材质可以是聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、或其衍生物。有机薄膜120的形成方式可以采用旋涂制程。有机薄膜120的图案化方式可以采用微影蚀刻制程,但本发明不以此为限。经图案化的有机薄膜120在第一贯通孔H1中具有两个第二贯通孔H2。第二贯通孔H2的孔径D2可以小于40μm,例如是,第二贯通孔H2的孔径D2可以介于3μm至30μm之间,并且,相邻的两个第二贯通孔H2之间的距离D3可以大于2μm,例如是,相邻的两个第二贯通孔H2之间的距离D3可以介于3μm至30μm之间。
接着,请参照图3D,在有机薄膜120上形成元件阵列层130,且元件阵列层130具有开孔TH。这些开孔TH对应于有机薄膜120中的第二贯通孔H2。此外,元件阵列层130的上表面还可以形成多个接垫PD,使得元件阵列层130中的主动元件或信号线可以通过接垫PD而连接其他元件。元件阵列层130的结构类似于图1D、图1E所示,在此不予以重述。元件阵列层130的形成方法,可采用化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)、物理气相沉积(physical vapor deposition,PVD)、旋涂等的薄膜沉积制程、以及对所沉积的薄膜进行图案化的微影制程和蚀刻制程,可视需要使用上述制程,来形成具有开孔TH的元件阵列层130。
接着,请参照图3E,将载板101与基板110分离。分离载板101与基板110的方式,可以使用雷射剥离、机械剥离等。
接着,请参照图3F,将基板110及其上的有机薄膜120与元件阵列层130,浸入到装有化学开环溶液21的槽20中,进行开环导电化处理,以在基板110与有机薄膜120的曝露表面上形成种晶层121。种晶层121的材质可以是镍钯(Ni-Pd)。种晶层121的厚度例如是
Figure BDA0002848218160000131
接着,请参照图3G,将基板110及其上的有机薄膜120与元件阵列层130,浸入到装有电镀液31的槽30中,以进行电镀制程。电镀液31可以是铜电镀液,但本发明不以此为限。在此步骤中,种晶层121可作为电镀制程的电极,因此,可以先在种晶层121的表面形成金属层,而后,金属层可成长并从第二贯通孔H2延伸至开孔TH及接垫PD的表面,从而形成位在开孔TH与第二贯通孔H2中的导电结构140、位在接垫PD的表面上的导线163、164、以及位在第二表面112上的导线160。导线160的厚度例如是1μm。
接着,请参照图3H,借由微影制程与蚀刻制程,将位于第二表面112上的导线160与种晶层121进行图案化,以形成彼此电性独立的导线161、162。
之后,可再借由例如巨量转移制程,将微型发光二极管元件151的接垫Pa、Pb分别与导线163、164接合,即可完成如图2C所示的显示面板20A。
在本发明的显示面板的制作方法中,由于有机薄膜120的材料包括:具有酰亚胺环的有机聚合物,因此,可借由有机薄膜120与基板110(含有聚酰亚胺)在化学上的同质性,使化学开环溶液21容易附着到基板110与有机薄膜120的曝露表面上,而形成种晶层121。种晶层121可于后续电镀制程中作为电极,以便形成导电结构140与导线160。
图4A是依照本发明一实施例的显示面板20B的俯视示意图。图4B是图4A的显示面板20B的区域III的放大示意图。图4C是沿图4B的线E-E’所作的剖面示意图。为了使图式的表达较为简洁,图4A省略了图4B与图4C中的除第二贯通孔H2以外的其他构件。图4B省略了图4C中的元件阵列层130与显示元件层150。
与图2A~图2C所示的显示面板20A的区域II中的结构相比,如图4A~图4C所示的显示面板20B的区域III中的结构的不同之处在于:位于第二表面112的两条导线161、162从导电结构141、142的位置,分别朝向彼此垂直的方向延伸。如图4B所示,两条导线161、162的延伸方向大致相互垂直。
在图4C的实施例中,显示元件层150采用了微型发光二极管元件152。微型发光二极管元件152可以通过接垫Pa、Pb而分别连接导线163、164。这些导线163、164再分别通过导电结构141、142而连接导线161、162。接着,这些导线161、162再分别连接至设置于第二表面112的驱动元件(未绘示于图4C中),例如,可采用图1C所示的驱动元件170。
上述的显示面板20B借由设置于第一贯通孔H1中的有机薄膜120,来形成孔径更小的两个第二贯通孔H2,进而提升第二贯通孔H2的制作精度与显示面板20B的解析度。再者,第二贯通孔H2可采用微影蚀刻制程来制作,所以,不会有由雷射钻孔所导致的残留碳化物的问题,可有助于在第二贯通孔H2中形成导电结构141、142。另外,元件阵列层130与显示元件层150可以通过导电结构141、142直接电性连接位于第二表面112的导线161、162,如此一来,可降低导线断线的可能性,并减小周边区NA的面积,从而实现窄边框、甚至无边框的显示面板设计。
图5A是依照本发明一实施例的显示面板20C的俯视示意图。图5B是图5A的显示面板的区域IV的放大示意图。图5C是沿图5B的线F-F’所作的剖面示意图。为了使图式的表达较为简洁,图5A省略了图5B与图5C中的除第二贯通孔H2以外的其他构件。图5B省略了图5C中的元件阵列层130与显示元件层150。
与图2A~图2C所示的显示面板20A的区域II中的结构相比,如图5A~图5C所示的显示面板20C的区域IV中的结构的不同之处在于:(1)首先,位于第一贯通孔H1中的有机薄膜120具有三个第二贯通孔H2;(2)再者,元件阵列层130的三个开孔TH,分别对应于有机薄膜120中的三个第二贯通孔H2;(3)接着,设置于第二贯通孔H2与开孔TH中的导电结构140包括三个导电结构143、144、145;(4)并且,显示元件层150包括微型发光二极管元件153。微型发光二极管元件153包括接垫Pa、Pb、Pc;(5)再者,导线160包括:设置于第二表面112的三条导线161、162、165,以及设置于元件阵列层130上的三条导线163、164、166。导线161、165、162可以从导电结构143、144、145的位置,分别朝向不同的方向延伸。
在图5C的实施例中,显示元件层150采用了微型发光二极管元件153。微型发光二极管元件153可以通过接垫Pa、Pb、Pc而分别连接导线163、166、164。这些导线163、166、164再分别通过导电结构143、144、145而连接导线161、165、162。接着,这些导线161、165、162再分别连接至设置于第二表面112的电路,例如驱动元件或电源线。此外,微型发光二极管元件153的接垫Pa、Pb、Pc可以包括一个P型接垫与两个N型接垫,如此一来,可有助于电流均匀分布,从而提高微型发光二极管元件153的发光效率。
图6A是依照本发明一实施例的显示面板20D的俯视示意图。图6B是图6A的显示面板的区域V的放大示意图。图6C是沿图6B的线G-G’所作的剖面示意图。为了使图式的表达较为简洁,图6A省略了图6B与图6C中的除第二贯通孔H2以外的其他构件。图6B省略了图6C中的元件阵列层130与显示元件层150。
与图2A~图2C所示的显示面板20A的区域II中的结构相比,如图6A~图6C所示的显示面板20D的区域V中的结构的不同之处在于:(1)在第一贯通孔H1中的有机薄膜120具有四个第二贯通孔H2;(2)元件阵列层130的四个开孔TH分别对应于有机薄膜120中的四个第二贯通孔H2;(3)设置于第二贯通孔H2与开孔TH中的导电结构140包括四个导电结构146、147、148、149;(4)显示元件层150可包括两个微型发光二极管元件154。每一个微型发光二极管元件154各有两个接垫Pa、Pb(图6C中只绘示了一个微型发光二极管元件154);(5)导线160包括:位于第二表面112的四条导线161、162、167、168,以及位于元件阵列层130上的两条导线163与两条导线164。两条导线161、162可以分别从导电结构146、147的位置,朝向相同的方向延伸,并且,另外两条导线167、168可以分别从导电结构148、149的位置,朝向彼此相反的方向延伸。
在图6A~图6C的实施例中,显示元件层150采用了微型发光二极管元件154。两个微型发光二极管元件154可以分别通过接垫Pa、Pb连接两组导线163、164。两组导线163、164再分别通过导电结构146、147、148、149连接导线161、162、167、168。导线161、162、167、168再分别连接至设置于第二表面112的电路,例如驱动元件或电源线。借由在每一个第一贯通孔H1中的有机薄膜120,设置四个第二贯通孔H2,而能够在单位区域中设置更多的微型发光二极管元件154,由此使得显示面板20D的解析度更加提升。
图7是依照本发明一实施例的显示面板100的俯视示意图。显示面板100是由多个显示面板20拼接而成的大尺寸面板,例如电视墙。在一实施例中,多个显示面板20可以是如上所述的显示面板20A、20B、20C、20D、或其组合。虽然图7绘示的显示面板100是由8个显示面板20拼接而成的,然而,显示面板20的数量可以视需求而调整,本发明不以此为限。
由于显示面板20A、20B、20C、20D可以实现极窄边框或无边框的显示面板设计,因此,显示面板30可极小化、甚至排除边框的视觉干扰,从而呈现接近无缝拼接的理想画面。
综上所述,本发明的显示面板至少具有以下的技术效果:借由设置于第一贯通孔中的有机薄膜来形成孔径更小的第二贯通孔,而无需使用价格昂贵的高精度雷射钻孔机,如此一来,能够以较低的成本制作出尺寸更小的通孔导电结构,并提升贯通孔的精度与显示面板的解析度。由于主动元件或显示元件可以经由第二贯通孔中的导电结构,而电性连接到驱动元件,因此,可以免除周边走线的设置,同时降低导线断线的风险,从而实现无边框的显示面板设计。
当然,本发明还可有其它多种实施例,在不背离本发明精神及其实质的情况下,熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形,但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。

Claims (17)

1.一种显示面板,其特征在于,包括:
一基板,具有彼此相对的一第一表面与一第二表面,其中,该基板具有一第一贯通孔;
一有机薄膜,设置于该基板的该第一表面上及该第一贯通孔中,其中,位于该第一贯通孔中的该有机薄膜具有至少两个第二贯通孔;
一元件阵列层,设置于该有机薄膜上,其中,该元件阵列层具有对应于该些第二贯通孔的开孔;
多个导电结构,分别设置于该些第二贯通孔与该些开孔中,且分别电性连接该元件阵列层;
一显示元件层,设置于该元件阵列层上,且电性连接到该元件阵列层;以及
多条导线,设置于该基板的该第一表面与该第二表面的至少其中之一,且分别电性连接该些导电结构;
其中,该些导电结构分别电性连接该元件阵列层的一主动元件的源极或闸极。
2.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
该有机薄膜的有机聚合物是选自于聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二酯、及其衍生物。
3.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
该第一贯通孔的孔径,大于每一该些第二贯通孔的孔径。
4.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
每一该些第二贯通孔的孔径介于3μm至30μm之间。
5.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
相邻的两个该些第二贯通孔之间的距离介于3μm至30μm之间。
6.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
该导电结构连接到该主动元件的连接位置在该基板上的正投影,与该第一贯通孔在该基板上的正投影重叠。
7.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
该导电结构连接到该主动元件的连接位置在该基板上的正投影,与该第二贯通孔在该基板上的正投影重叠。
8.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
两条该些导线设置于该基板的该第二表面,
两条该些导线从该些导电结构的位置,分别朝向彼此相反的方向延伸。
9.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
两条该些导线设置于该基板的该第二表面,
两条该些导线从该些导电结构的位置,分别朝向彼此垂直的方向延伸。
10.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
位于该第一贯通孔中的该有机薄膜,具有三个第二贯通孔,
三条该些导线设置于该基板的该第二表面,
三条该些导线从该些导电结构的位置,分别朝向不同的方向延伸。
11.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
位于该第一贯通孔中的该有机薄膜,具有四个第二贯通孔,
四条该些导线设置于该基板的该第二表面,
其中两条该些导线从该些导电结构的位置,分别朝向相同的方向延伸,
另外两条该些导线从该些导电结构的位置,分别朝向彼此相反的方向延伸。
12.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
该些导线各自为电性独立,分别电性连接到:该元件阵列层的一主动元件的一闸极、该元件阵列层的一主动元件的一源极、该元件阵列层的一扫描线、或该元件阵列层的一数据线。
13.权利要求1所述的显示面板,其特征在于,更包括:
一驱动元件,
该驱动元件包括一时序电路及一补偿电路,
其中,该时序电路及该补偿电路分别电性连接该些导线。
14.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,该显示元件层包括:多个微型发光二极管元件、或多个有机发光二极管元件。
15.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,更包括:
一种晶层,设置于该有机薄膜与该些导电结构之间,且设置于该有机薄膜与该些导线之间。
16.如权利要求1所述的显示面板,其特征在于,
该显示面板具有一显示区与一周边区,该第一贯通孔与该些第二贯通孔设置于该显示区、或设置于该周边区。
17.一种显示面板,其特征在于,包括:
一基板,具有彼此相对的一第一表面与一第二表面,其中,该基板具有一第一贯通孔;
一有机薄膜,该有机薄膜的材料包括:具有酰亚胺环的有机聚合物,该有机薄膜设置于该基板的该第一表面上及该第一贯通孔中,其中,位于该第一贯通孔中的该有机薄膜具有至少一个第二贯通孔;
一元件阵列层,设置于该有机薄膜上,其中,该元件阵列层具有对应于该至少一个第二贯通孔的开孔;
至少一个导电结构,设置于该至少一个第二贯通孔与该开孔中,且电性连接该元件阵列层;
一显示元件层,设置于该元件阵列层上,且电性连接到该元件阵列层;以及
至少一条导线,设置于该基板的该第一表面与该第二表面的至少其中之一,且电性连接该至少一个导电结构;
其中,该至少一个导电结构电性连接该元件阵列层的一主动元件的源极或闸极。
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