KR100632662B1 - 유기 전계 발광 패널 - Google Patents

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KR100632662B1
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Abstract

본 발명은 라인들 중 일부 라인들의 외곽부에 절연층이 형성된 유기 전계 발광 패널에 관한 것이다. 상기 유기 전계 발광 패널은 셀부, 데이터 라인들 및 스캔 라인들을 포함한다. 상기 셀부는 제 1 인듐주석산화물층들과 금속전극층들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 복수의 픽셀들을 포함한다. 상기 데이터 라인들은 상기 제 1 인듐주석산화물층들에 각기 연결된다. 상기 스캔 라인들은 상기 금속전극층들에 각기 연결된다. 여기서, 상기 데이터 라인들 중 일부 데이터 라인의 외곽부 및 상기 스캔 라인들 중 일부 스캔 라인의 외곽부에 절연층이 형성된다. 상기 유기 전계 발광 패널에서, 라인들 중 일부 라인들의 외곽부에 절연층이 형성되어 있으므로, 상기 일부 라인들의 손상이 방지될 수 있다.
모기판, 유기 전계 발광 패널, 절연층

Description

유기 전계 발광 패널{ORGANIC ELECTROLUMINESCENT PANEL}
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 패널 기판을 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 A부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 1c는 도 1b의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 라인들을 도시한 단면도이다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 패널 기판을 도시한 평면도이다.
도 2b는 도 2a의 B부분을 확대하여 도시한 평면도이다.
도 2c는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2b의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 라인들을 도시한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 도 2b의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 라인들을 도시한 단면도이다.
본 발명은 유기 전계 발광 패널에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 라인들 중 일부 라인들의 외곽부에 절연층이 형성된 유기 전계 발광 패널에 관한 것이다.
유기 전계 발광 패널 기판은 소정 전압이 인가되는 경우 소정 이미지를 디스플레이하는 유기 전계 발광 패널들을 포함하는 기판을 의미한다.
도 1a는 종래의 유기 전계 발광 패널 기판을 도시한 평면도이다.
도 1a에 도시된 바와 같이, 유기 전계 발광 패널 기판(100)은 복수의 유기 전계 발광 패널들을 포함한다.
도 1b는 도 1a의 A부분을 확대하여 도시한 평면도이고, 도 1c는 도 1b의 Ⅰ-Ⅰ' 라인을 따라 절단한 라인들을 도시한 단면도이다.
도 1b를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 패널(102)은 셀부(104), 데이터 라인들(106), 제 1 스캔 라인들(108), 제 2 스캔 라인들(110), 데이터 라인 연결부(112), 제 1 스캔 라인 연결부(114) 및 제 2 스캔 라인 연결부(116)를 포함한다.
셀부(104)는 제 1 인듐주석산화물층들(first Indium Tin Oxide Films, 이하 "제 1 ITO층들"이라 함)과 금속전극층들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 복수의 픽셀들을 포함한다.
데이터 라인들(106)은 상기 제 1 ITO층들에 연결되며, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송되는 데이터 신호들을 상기 제 1 ITO층들에 제공한다.
제 1 스캔 라인들(108)은 상기 금속전극층들 중 일부에 연결되며, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 제 1 스캔 신호들을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다.
제 2 스캔 라인들(110)은 상기 금속전극층들 중 나머지에 연결되며, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 제 2 스캔 신호들을 상기 나머지 금속전극층들에 제공 한다.
데이터 라인 연결부(112)는 데이터 라인들(106)을 상호 연결한다.
제 1 스캔 라인 연결부(114)는 제 1 스캔 라인들(108)을 상호 연결한다.
제 2 스캔 라인 연결부(116)는 제 2 스캔 라인들(110)을 상호 연결한다.
도 1c를 참조하면, 라인들(106, 108 및 110)은 기판(100) 위에 순차적으로 형성된 제 2 ITO층(120) 및 몰리브덴(Mo)으로 이루어진 금속층(122)을 포함한다.
요컨대, 종래의 유기 전계 발광 패널에서는, 라인들(106, 108 및 110), 구체적으로는 금속층들(122)이 외부에 직접적으로 노출된다.
그러므로, 상기 유기 전계 발광 패널을 제조하는 공정에서 외부 물체에 의해 라인들(106, 108 및 110)에 스크래치(scratch)가 발생되며, 그래서 파티클이 발생될 수 있었다.
그 결과, 라인들(106, 108 및 110) 사이가 단락될 수 있었다.
본 발명의 목적은 라인들을 스크래치로부터 보호할 수 있는 유기 전계 발광 패널을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 패널은 셀부, 데이터 라인들 및 스캔 라인들을 포함한다. 상기 셀부는 제 1 인듐주석산화물층들과 금속전극층들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 복수의 픽셀들을 포함한다. 상기 데이터 라인들은 상기 제 1 인듐주석산화 물층들에 각기 연결된다. 상기 스캔 라인들은 상기 금속전극층들에 각기 연결된다. 여기서, 상기 데이터 라인들 중 일부 데이터 라인의 외곽부 및 상기 스캔 라인들 중 일부 스캔 라인의 외곽부에 절연층이 형성된다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널에서, 라인들 중 일부 라인들의 외곽부에 절연층이 형성되어 있으므로, 상기 일부 라인들의 손상이 방지될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널에서, 라인들 중 일부 라인들의 외곽부에 절연층이 형성되어 있지 않으므로, 불량 검사시 불량 검사 장치의 핀들이 접촉될 수 있는 충분한 공간을 확보할 수 있다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 2a는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 유기 전계 발광 패널 기판을 도시한 평면도이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 유기 전계 발광 패널 기판(200)은 복수의 유기 전계 발광 패널들을 포함한다.
도 2b는 도 2a의 B부분을 확대하여 도시한 평면도이고, 도 2c는 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 도 2b의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 라인들을 도시한 단면도이다.
도 2b를 참조하면, 본 발명의 유기 전계 발광 패널(202)은 셀부(204), 데이터 라인들(206), 제 1 스캔 라인들(208), 제 2 스캔 라인들(210), 데이터 라인 연 결부(212), 제 1 스캔 라인 연결부(214) 및 제 2 스캔 라인 연결부(216)를 포함한다.
셀부(204)는 제 1 인듐주석산화물층들(first Indium Tin Oxide Films, 이하 "제 1 ITO층들"이라 함)과 금속전극층들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 복수의 픽셀들을 포함한다.
상기 각 픽셀들은 기판(200) 위에 순차적으로 형성되는 상기 제 1 ITO층, 유기물층 및 상기 금속전극층을 포함한다.
상기 유기물층은 정공수송층(Hole Transporting Layer, HTL), 발광층(Emitting Layer, ETL) 및 전자수송층(Electron Transporting Layer, ETL)을 포함한다.
데이터 라인들(206)은 상기 제 1 ITO층들에 각기 연결되며, 집적회로칩(미도시)으로부터 전송되는 데이터 신호들을 상기 제 1 ITO층들에 제공한다.
제 1 스캔 라인들(208)은 상기 금속전극층들 중 일부에 연결되며, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 제 1 스캔 신호들을 상기 일부 금속전극층들에 제공한다.
제 2 스캔 라인들(210)은 상기 금속전극층들 중 나머지에 연결되며, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 제 2 스캔 신호들을 상기 나머지 금속전극층들에 제공한다.
데이터 라인 연결부(212)는 데이터 라인들(206)을 상호 연결한다.
제 1 스캔 라인 연결부(214)는 제 1 스캔 라인들(208)을 상호 연결한다.
제 2 스캔 라인 연결부(216)는 제 2 스캔 라인들(210)을 상호 연결한다.
각 연결부들(212, 214 및 216)은 도전체이다.
도 2c를 참조하면, 제 1 스캔 라인들(208) 중 일부 제 1 스캔 라인들의 외곽부에 절연층(218)이 형성된다.
그 결과, 기판(200)의 이동 중에 상기 일부 제 1 스캔 라인들에 스크래치(scratch)가 발생될 수 있는 경우, 절연층(218)이 스크래치로부터 상기 일부 제 1 스캔 라인들을 보호하기 때문에 상기 일부 제 1 스캔 라인들에는 스크래치가 발생되지 않는다.
즉, 절연층(218)이 외곽부에 형성된 제 1 스캔 라인들은 스크래치로 인하여 손상되지 않는다.
그러므로, 제 1 스캔 라인들(208) 사이에 단락이 발생되지 않는다.
각 제 1 스캔 라인들(208)은 기판(200) 위에 순차적으로 형성된 제 2 ITO층(220) 및 금속층(222)을 포함한다. 예를 들어, 금속층(222)은 몰리브덴(Mo)으로 이루어진다.
위에서는 제 1 스캔 라인들(208)에 대하여 상술하였지만, 데이터 라인들(206) 및 제 2 스캔 라인들(210)도 도 2c에 도시된 바와 같은 구조를 가진다.
이하, 라인들(206, 208 및 210)의 구조를 좀 더 자세히 살펴보자.
도 2b 및 도 2c를 참조하면, 절연층(218)은 라인들(206, 208 및 210) 중 일부 라인들의 외곽부에만 형성되고 상기 일부 라인들의 전면에 형성되지는 않는다.
이는 본 발명의 유기 전계 발광 패널(202)과 상기 집적회로칩을 포함하는 씨오에프(Chip On Film, COF)를 본딩(bonding)시키기 위한 공간을 확보하고, 상기 집 적회로칩으로부터 전송되는 데이터 신호들 및 스캔 신호들을 상기 제 1 ITO층들 및 상기 금속전극층들에 전송하기 위한 것이다.
상세하게는, 유기 전계 발광 패널(202)의 라인들(206, 208 및 210)과 상기 COF의 전극부들이 ACF 테이프를 통하여 본딩된다.
그 결과, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 데이터 신호들 및 스캔 신호들이 상기 전극부들과 라인들(206, 208 및 210)을 통하여 상기 제 ITO층들 및 상기 금속전극층들에 전송된다.
그러나, 절연층(218)이 상기 일부 라인들의 전면에 증착되는 경우, 상기 집적회로칩으로부터 전송되는 데이터 신호들 및 스캔 신호들이 절연층(218)에 의해 차단된다.
그 결과, 상기 데이터 신호들 및 상기 스캔 신호들이 상기 제 1 ITO층들 및 상기 금속전극층들에 전송되지 않는다.
또한, 절연층(218)이 상기 ACF 테이프에 잘 접착되지 않기 때문에, 절연층(218)과 상기 전극부들 사이의 결합력이 약하다.
그러므로, 절연층(218)은 상기 일부 라인들의 외곽부에만 형성된다.
도 2b 및 도 2c를 다시 참조하면, 라인들(206, 208 및 210) 중 나머지 라인들의 외곽부에는 절연층(218)이 형성되지 않는다.
이 것은 점등 검사, 에이징(aging) 검사 등과 같은 유기 전계 발광 패널(202)의 불량 검사시 불량 검출 장치의 핀이 접촉되는 영역을 확보하기 위한 것이다.
이하, 점등 검사를 예로 하여 상술하겠다.
상기 불량 검출 장치는 제 1 핀을 데이터 라인들(206) 중 하나에 접촉시키고, 그런 후 상기 제 1 핀을 통하여 양의 전압인 제 1 전압을 상기 접촉된 데이터 라인에 인가한다.
상기 제 1 핀을 통하여 인가된 제 1 전압은 데이터 라인 연결부(212)를 통하여 상기 제 1 핀이 접촉되지 않은 나머지 데이터 라인들에 제공된다.
그 결과, 상기 제 1 전압이 데이터 라인들(206)을 통하여 상기 제 1 ITO층들에 제공된다.
또한, 상기 불량 검출 장치는 제 2 핀을 제 1 스캔 라인들(208) 중 하나에 접촉시키고, 그런 후 상기 제 2 핀을 통하여 음의 전압인 제 2 전압을 상기 접촉된 제 1 스캔 라인에 인가한다.
상기 제 2 핀을 통하여 인가된 제 2 전압은 제 1 스캔 라인 연결부(214)를 통하여 상기 제 2 핀이 접촉되지 않은 나머지 제 1 스캔 라인들에 제공된다.
그 결과, 상기 제 2 전압이 제 1 스캔 라인들(208)을 통하여 상기 금속전극층들 중 일부에 제공된다.
게다가, 상기 불량 검출 장치는 제 3 핀을 제 2 스캔 라인들(210) 중 하나에 접촉시키고, 그런 후 상기 제 3 핀을 통하여 음의 전압인 제 3 전압을 상기 접촉된 제 2 스캔 라인에 인가한다. 여기서, 상기 제 3 전압은 상기 제 2 전압과 동일하다.
상기 제 3 핀을 통하여 인가된 제 3 전압은 제 2 스캔 라인 연결부(216)를 통하여 상기 제 3 핀이 접촉되지 않은 나머지 제 2 스캔 라인들에 제공된다.
그 결과, 상기 제 3 전압이 제 2 스캔 라인들(210)을 통하여 상기 금속전극층들 중 나머지에 제공된다.
요컨대, 상기 불량 검출 장치는 상기 전압들을 상기 제 1 ITO층들 및 금속전극층들에 인가하여 상기 픽셀들의 점등 불량 여부를 검사한다.
다만, 라인들(206, 208 및 210)의 폭이 작기 때문에 절연층(218)이 모든 라인들(206, 208 및 210)의 외곽부에 형성되는 경우, 상기 핀들이 라인들(206, 208 및 210)에 접촉되지 못할 수 있다.
그러므로, 본 발명의 유기 전계 발광 패널(202)에서는, 상기 핀들이 접촉되는 라인들의 외곽부에는 절연층(218)을 형성하지 않는다.
위에서 살펴본 바와 같이, 본 발명의 유기 전계 발광 패널(202)은 라인들(206, 208 및 210) 중 일부 라인들의 외곽부에 절연층(218)을 형성하고, 그래서 상기 일부 라인들의 손상을 방지한다.
또한, 라인들(206, 208 및 210) 중 상기 나머지 라인들의 외곽부에 절연층(218)을 형성하지 않고, 그래서 상기 불량 검사시 상기 불량 검사 장치의 핀들이 접촉될 수 있는 충분한 공간을 확보한다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 스캔 라인들은 일방향으로만 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 도 2b의 Ⅱ-Ⅱ' 라인을 따라 절단한 라인들을 도시한 단면도이다.
도 3을 참조하면, 각 라인들(206, 208 및 210)은 기판(200) 위에 순차적으로 형성된 제 2 ITO층(302) 및 다층 구조의 금속층들을 포함한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 금속층들은 제 2 ITO층(302) 위에 순차적으로 형성된 제 1 금속층(304), 제 2 금속층(306) 및 제 3 금속층(308)을 포함한다.
이 경우, 제 1 및 3 금속층들(304 및 308)은 몰리브덴(Mo)으로 이루어질 수 있다.
또한, 제 2 금속층(306)은 상기 금속전극층들을 이루는 금속과 동일한 금속일 수 있다. 예를 들어, 제 2 금속층(306)은 알루미늄(Al)으로 이루어진다.
제 1 금속층(304)은 제 2 ITO층(302)과 제 2 금속층(306)의 접촉에 의한 산화를 방지할 수 있다.
게다가, 제 3 금속층(308)은 제 2 금속층(306)의 산화를 방지할 수 있다.
상세하게는, 유기 전계 발광 패널(202)을 제조하는 공정에서 제 2 금속층(306)에 수분 등이 침투할 가능성이 있다.
이 경우, 제 3 금속층(308)은 제 2 금속층(306)의 상부에 위치하여 제 2 금속층(306)에 침투할 수 있는 수분 등을 차단한다.
그 결과, 제 2 금속층(306)은 산화되지 않는다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널에서, 라인들 중 일부 라인들의 외곽부에 절연층이 형성되어 있으므로, 상기 일부 라인들의 손상이 방지되어 상기 라인들 사이의 단락을 방지할 수 있는 장점이 있다.
또한, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 패널에서, 라인들 중 일부 라인들의 외곽부에 절연층이 형성되어 있지 않으므로, 불량 검사시 불량 검사 장치의 핀들이 접촉될 수 있는 충분한 공간을 확보할 수 있는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 제 1 인듐주석산화물층들과 금속전극층들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 복수의 픽셀들을 포함하는 셀부;
    상기 제 1 인듐주석산화물층들에 각기 연결되는 데이터 라인들; 및
    상기 금속전극층들에 각기 연결되는 스캔 라인들을 포함하되,
    상기 데이터 라인들 중 일부 데이터 라인의 외곽부 및 상기 스캔 라인들 중 일부 스캔 라인의 외곽부에 절연층이 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 패널.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 각 라인들은 기판 위에 순차적으로 형성된 제 2 인듐주석산화물층 및 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 패널.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 금속층은 몰리브덴으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 패널.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 각 라인들은 다층 구조의 금속층들을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 패널.
  5. 제 1 항에서, 상기 각 라인들은 기판 위에 순차적으로 형성된 제 2 인듐주석 산화물층, 제 1 금속층, 제 2 금속층 및 제 3 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 패널.
  6. 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 및 3 금속층들은 몰리브덴(Mo)으로 이루어지고, 상기 제 2 금속층은 상기 금속전극층들을 이루는 금속과 동일한 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 패널.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 알루미늄(Al)으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 패널.
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