KR20070052377A - 발광 셀 불량 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 발광 셀 - Google Patents

발광 셀 불량 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 발광 셀 Download PDF

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Abstract

본 발명은 픽셀들의 불량을 정확하게 검출할 수 있는 발광 셀 불량 검사 방법에 관한 것이다. 데이터 라인들과 스캔 라인들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 픽셀들을 포함하는 발광 셀의 불량을 검사하는 방법은 상기 스캔 라인들 중 일부에 소정의 제 1 전압을 인가하는 단계; 및 상기 데이터 라인들 중 일부에 소정의 제 2 전압을 인가하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 인가된 전압들에 의해 상기 픽셀들 중 일부의 불량이 검사된다.
발광 셀, 픽셀, 불량, 누설 전류

Description

발광 셀 불량 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 발광 셀{METHOD OF DETECTING DEFECT OF A LIGHT-EMITTING CELL AND THE LIGHT-EMITTING CELL FOR PERFORMING THE SAME}
도 1a는 종래의 제 1 발광 셀을 도시한 평면도이다.
도 1b는 도 1a의 제 1 발광 셀을 도시한 회로도이다.
도 2는 종래의 제 2 발광 셀을 도시한 회로도이다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 발광 셀을 도시한 평면도이다.
도 4는 도 3의 발광 셀을 도시한 회로도이다.
도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 발광 셀을 도시한 평면도이다.
본 발명은 발광 셀 불량 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 발광 셀에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 픽셀들의 불량을 정확하게 검출할 수 있는 발광 셀 불량 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 발광 셀에 관한 것이다.
발광 셀은 그의 내부에 픽셀들이 형성된 소자이다.
도 1a는 종래의 제 1 발광 셀을 도시한 평면도이고, 도 1b는 도 1a의 제 1 발광 셀을 도시한 회로도이다.
도 1a를 참조하면, 종래의 제 1 발광 셀은 애노드전극층들(100), 캐소드전극층들(102), 데이터 패드들(106), 제 1 스캔 패드들(108a), 제 2 스캔 패드들(108b), 데이터 연결부(110), 제 1 스캔 연결부(112a) 및 제 2 스캔 연결부(112b)를 포함한다.
애노드전극층들(100)과 캐소드전극층들(102)이 교차하는 발광 영역들에는 복수의 픽셀들(104)이 형성된다.
데이터 패드들(106)은 애노드전극층들(100)에 각기 연결된다.
스캔 패드들(108a 및 108b)은 캐소드전극층들(102)에 각기 연결된다.
데이터 연결부(110)는 도전체로서, 애노드전극층들(100)을 연결한다.
제 1 스캔 연결부(112a)는 도전체로서, 제 1 스캔 패드들(108a)을 연결한다.
제 2 스캔 연결부(112b)는 도전체로서, 제 2 스캔 패드들(108b)을 연결한다.
이하, 종래의 제 1 발광 셀의 불량 검사 과정, 예를 들어 누설 전류 검사 과정을 도 1b를 참조하여 상술하겠다.
불량 검사 장치의 핀이 제 1 스캔 패드들(108a) 중 하나에 접촉되며, 그래서 도 1b에 도시된 바와 같이 소정의 양의 전압이 제 1 스캔 라인들(S1 및 S3)에 인가된다. 또한, 상기 불량 검사 장치의 핀이 제 2 스캔 패드들(108b) 중 하나에 접촉 되며, 그래서 상기 양의 전압이 제 2 스캔 라인들(S2 및 S4)에 인가된다.
이어서, 상기 불량 검사 장치의 핀이 데이터 패드들(106) 중 하나에 접촉되며, 그래서 소정의 음의 전압이 데이터 라인들(D1 내지 D4)에 인가된다.
여기서, 각 픽셀들(E11 내지 E44)은 그의 애노드전극단에 양의 전압이 인가되고 그의 캐소드전극단에 음의 전압이 인가된 경우, 해당 픽셀을 통하여 전류가 흐르며, 그래서 소정 파장의 빛이 해당 픽셀로부터 발생된다. 그러나, 상기 불량 검사 과정에서는, 픽셀들(E11 내지 E44)의 애노드전극단에 음의 전압이 인가되고 그의 캐소드전극단에 양의 전압이 인가된다. 따라서, 각 픽셀들(E11 내지 E44)에 불량이 없는 경우, 각 픽셀들(E11 내지 E44)은 발광하지 않는다. 즉, 픽셀들(E11 내지 E44)을 통하여 전류가 흐르지 않으며, 그래서 상기 불량 검사 장치를 이용하여 픽셀들(E11 내지 E44)을 통하여 흐르는 전류를 측정하는 경우 어떠한 전류도 검측되지 않는다. 다만, 실제적으로는 미세한 전류가 검측된다.
반면에, 픽셀들(E11 내지 E44) 중 일부에 불량이 발생한 경우, 예를 들어 단락된 경우, 상기 불량 픽셀을 통하여 전류가 흐른다. 따라서, 상기 불량 검사 장치를 이용하여 픽셀들(E11 내지 E44)을 통하여 흐르는 전류를 측정하는 경우, 기준 전류값(예를 들어, 25㎁)보다 큰 전류가 검측된다. 그 결과, 픽셀들(E11 내지 E44) 중 일부에 불량이 발생되었음이 검출된다.
도 2는 종래의 제 2 발광 셀을 도시한 회로도이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 종래의 제 2 발광 셀은 상기 제 1 발광 셀보다 대형화된 셀이다.
이하, 종래의 제 2 발광 셀의 불량 검사 과정, 예를 들어 누설 전류 검사 과정을 상술하겠다.
도 2에 도시된 바와 같이, 상기 불량 검사 장치로부터 스캔 라인들(S1 내지 S8)에 양의 전압이 인가되고, 데이터 라인들(D1 내지 D8)에 음의 전압이 인가된다. 이 경우, 픽셀들(E11 내지 E88)에 불량이 없는 경우, 픽셀들(E11 내지 E88)을 통하여 흐르는 전류가 검측되지 않는다. 반면에, 픽셀들(E11 내지 E88) 중 일부에 불량이 발생된 경우, 픽셀들(E11 내지 E88)을 통하여 흐르는 전류가 검측된다. 이 경우, 상기 제 2 발광 셀이 상기 제 1 발광 셀에 비하여 대형화됨에 따라 불량 판단의 기준이 되는 기준 전류값(예를 들어, 50㎁)도 상승된다. 따라서, 상기 불량 검사 장치에 의해 검측된 전류값이 50㎁ 이상인 경우, 상기 제 2 발광 셀에 불량이 발생되었음이 판단된다.
그러나, 상기 불량 검사 장치에 의해 검측된 전류값이 30㎁인 경우, 상기 제 1 발광 셀을 이용하는 경우 픽셀들(E11 내지 E44) 중 일부에 불량이 발생되었다고 판단됨에 비하여 상기 제 2 발광 셀을 이용하는 경우에는 픽셀들(E11 내지 E88)에 불량이 발생되지 않았다고 판단된다. 즉, 상기 발광 셀 불량 검사 방법은 대형화된 발광 셀의 불량을 정확하게 검출하지 못하였다.
본 발명의 목적은 픽셀들의 불량을 정확하게 검출할 수 있는 발광 셀 불량 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 발광 셀을 제공하는 것이다.
상기한 바와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 데이터 라인들과 스캔 라인들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 픽셀들을 포함하는 발광 셀의 불량을 검사하는 방법은 상기 스캔 라인들 중 일부에 소정의 제 1 전압을 인가하는 단계; 및 상기 데이터 라인들 중 일부에 소정의 제 2 전압을 인가하는 단계를 포함한다.
본 발명의 바람직한 일 실시예에 다른 애노드전극층들과 캐소드전극층들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 복수의 픽셀들을 포함하는 발광 셀은 제 1 데이터 패드들, 제 1 데이터 연결부, 제 2 데이터 패드들 및 제 2 데이터 연결부를 포함한다. 상기 제 1 데이터 패드들은 상기 애노드전극층들 중 일부에 연결된다. 상기 제 1 데이터 연결부는 상기 제 1 데이터 패드들을 연결한다. 상기 제 2 데이터 패듣르은 나머지 애노드전극층들에 연결된다. 상기 제 2 데이터 연결부는 상기 제 2 데이터 패드들을 연결한다.
본 발명에 따른 발광 셀 및 이의 불량을 검사하는 방법은 상기 발광 셀을 복수의 구역으로 분할한 후 상기 발광 셀의 불량을 검사하므로, 상기 발광 셀의 불량이 정확하게 검사된다.
이하에서는 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 발광 셀 불량 검사 방법 및 이를 수행하기 위한 발광 셀의 바람직한 실시예들을 자세히 설명하도록 한다.
도 3은 본 발명의 바람직한 제 1 실시예에 따른 발광 셀을 도시한 평면도이 고, 도 4는 도 3의 발광 셀을 도시한 회로도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 발광 셀은 애노드전극층들(300), 캐소드전극층들(302), 제 1 데이터 패드들(306a), 제 2 데이터 패드들(306b), 제 1 스캔 패드들(308a), 제 2 스캔 패드들(308b), 제 1 데이터 연결부(310a), 제 2 데이터 연결부(310b), 제 1 스캔 연결부(312a) 및 제 2 스캔 연결부(312b)를 포함한다. 여기서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 셀은 유기 전계 발광 셀(Organic electroluminescent cell)이다.
애노드전극층들(300)은 양의 전극이고, 캐소드전극층들(302)은 음의 전극이다. 애노드전극층들(300)과 캐소드전극층들(302)이 교차하는 발광 영역들에는 복수의 픽셀들이 형성된다. 예를 들어, 상기 발광 셀이 유기 전계 발광 셀인 경우, 상기 각 픽셀들은 기판 위에 형성되는 인듐주석산화물층, 유기물층 및 금속전극층을 포함한다. 여기서, 상기 인듐주석산화물층에 양의 전압이 인가되고 상기 금속전극층에 음의 전압이 인가되는 경우, 상기 유기물층에서 소정 파장을 가지는 빛이 발생된다.
제 1 데이터 패드들(306a)은 애노드전극층들(300) 중 일부에 각기 연결된다.
제 1 데이터 연결부(310a)는 도전체로서, 상기 일부 애노드전극층들을 연결한다.
제 2 데이터 패드들(306b)은 나머지 애노드전극층들에 각기 연결된다.
제 2 데이터 연결부(310b)는 도전체로서, 상기 나머지 애노드전극층들을 연결한다.
즉, 상기 발광 셀이 대형화됨에 따라 데이터 패드들(306a 및 306b)도 복수의 그룹(group)으로 분리된다.
제 1 스캔 패드들(308a)은 캐소드전극층들(302) 중 일부에 각기 연결된다.
제 1 스캔 연결부(312a)는 제 1 스캔 패드들(308a)을 연결시킨다.
제 2 스캔 패드들(308b)은 나머지 캐소드전극층들에 각기 연결된다.
제 2 스캔 연결부(312b)는 제 2 스캔 패드들(308b)을 연결시킨다.
이하, 도 4를 참조하여 상기 발광 셀의 불량 검사 과정, 예를 들어 누설 전류 검사 과정을 상술하겠다.
본 발명의 발광 셀 불량 검사 방법은 상기 발광 셀을 복수의 구역으로 분할하여 상기 픽셀들의 불량을 검사한다. 여기서는, 상기 발광 셀을 4개의 구역들로 분할하여 상기 픽셀들의 불량을 검사하겠다.
우선, 제 1 구역에 위치하는 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)의 불량을 검사하겠다.
불량 검사 장치는 그의 핀을 제 1 스캔 패드들(308a) 중 하나에 접촉시키며, 그런 후 스캔 라인들(S1 내지 S8) 중 일부(S1, S3, S5 및 S7)에 도 4에 도시된 바와 같이 소정의 양의 전압을 인가한다. 또한, 상기 불량 검사 장치는 그의 핀을 제 1 데이터 패드들(306a) 중 하나에 접촉시키며, 그런 후 데이터 라인들(D1 내지 D8) 중 일부(D1 내지 D4)에 소정의 음의 전압을 인가한다. 또한, 나머지 스캔 라인들(S2, S4, S6 및 S8)은 플로팅 상태를 가지며, 나머지 데이터 라인들(D5 내지 D8)은 접지에 연결된다.
여기서, 각 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)은 그의 애노드전극단에 양의 전압이 인가되고 그의 캐소드전극단에 음의 전압이 인가된 경우, 즉 순방향 전압이 인가되는 경우, 소정 파장의 빛을 발생시킨다. 그러나, 상기 불량 검사 과정에서는, 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)의 애노드전극단에 음의 전압이 인가되고 그의 캐소드전극단에 양의 전압이 인가된다. 즉, 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)에 역전압이 걸린다. 따라서, 각 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)에 불량이 없는 경우, 각 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)을 통하여 전류가 흐르지 않으며, 그래서 상기 불량 검사 장치를 이용하여 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)을 통하여 흐르는 전류를 측정하는 경우 어떠한 전류도 검측되지 않는다. 다만, 실제적으로는 미세한 전류가 검측된다.
반면에, 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47) 중 일부에 불량이 발생한 경우, 예를 들어 단락된 경우, 상기 불량 픽셀을 통하여 전류가 흐른다. 따라서, 상기 불량 검사 장치를 이용하여 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)을 통하여 흐르는 전류를 측정하는 경우, 기준 전류값(예를 들어, 25㎁)보다 큰 전류가 검측된다. 여기서, 상기 발광 셀이 4개의 구역으로 분할되어 측정되므로, 상기 기준 전류값은 소형 발광 셀 불량 검사 방법에서의 기준 전류값과 동일하다. 그러므로, 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47) 중 일부에 불량이 발생되었음이 검출된다.
이 경우, 제 2 픽셀들(E51 내지 E81, E53 내지 E83, E55 내지 E85, E57 내지 E87)의 일부에 불량이 발생된 경우, 제 2 픽셀들(E51 내지 E81, E53 내지 E83, E55 내지 E85, E57 내지 E87)을 통하여 전류가 흐를 수 있다. 그러나, 제 2 픽셀들(E51 내지 E81, E53 내지 E83, E55 내지 E85, E57 내지 E87)을 통하여 흐르는 전류는 상기 접지로 빠져나가므로, 상기 불량 검사 장치에 의해 측정되는 전류값에는 영향을 미치지 아니한다. 따라서, 위에 언급된 검사 과정을 통하여는 제 1 픽셀들(E11 내지 E41, E13 내지 E43, E15 내지 E45, E17 내지 E47)에 불량이 발생되었는 지의 여부만이 검출된다.
다음으로, 제 2 구역에 위치하는 제 2 픽셀들(E51 내지 E81, E53 내지 E83, E55 내지 E85, E57 내지 E87)의 불량 검사 과정을 상술하겠다.
상기 불량 검사 장치는 그의 핀을 제 1 스캔 패드들(308a) 중 하나에 접촉시키며, 그런 후 스캔 라인들(S1 내지 S8) 중 일부(S1, S3, S5 및 S7)에 도 4에 도시된 바와 같이 소정의 양의 전압을 인가한다. 또한, 상기 불량 검사 장치는 그의 핀을 제 3 데이터 패드들(306b) 중 하나에 접촉시키며, 그런 후 데이터 라인들(D1 내지 D8) 중 일부(D5 내지 D8)에 소정의 음의 전압을 인가한다. 또한, 나머지 스캔 라인들(S2, S4, S6 및 S8)은 플로팅 상태를 가지며, 나머지 데이터 라인들(D1 내지 D4)은 접지에 연결된다.
이 경우, 상기 불량 검사 장치는 제 2 픽셀들(E51 내지 E81, E53 내지 E83, E55 내지 E85, E57 내지 E87)을 통하여 흐르는 전류의 양을 검측하고, 그래서 제 2 픽셀들(E51 내지 E81, E53 내지 E83, E55 내지 E85, E57 내지 E87)에 불량이 발생되었는 지의 여부를 검출한다.
나머지 픽셀들에 대하여도 위에서 언급한 검사 방법을 적용하며, 그래서 전체 픽셀들(E11 내지 E88)의 불량이 검사된다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 발광 셀 불량 검사 방법에서는 픽셀들(E11 내지 E88)을 복수의 구역으로 분할하되, 픽셀들(E11 내지 E88)을 도 4에 도시된 방법과 다른 방법으로 구역을 분할하여 상기 발광 셀의 불량을 검출할 수 있다.
이하, 본 발명의 발광 셀 불량 검사 방법과 종래의 발광 셀 불량 검사 방법을 비교하겠다.
종래의 발광 셀 불량 검사 방법은 한번의 검사 과정을 통하여 발광 셀에 포함된 전체 픽셀들의 불량을 검출하였고, 그래서 상기 발광 셀이 대형화됨에 따라 불량 여부를 판단하는 기준 전류값이 상승, 예를 들어 25㎁에서 50㎁로 상승되었다. 따라서, 상기 픽셀들을 통하여 검측된 전류값이 30㎁인 경우, 소형 발광 셀에서는 그의 픽셀들에 불량이 발생되었다고 판단되나, 대형 발광 셀에서는 그에 포함된 픽셀들이 정상이라고 판단된다. 즉, 종래의 발광 셀 불량 검사 방법은 상기 대형 발광 셀의 불량을 정확하게 검출할 수 없었다.
반면에, 본 발명의 발광 셀 불량 검사 방법은 픽셀들(E11 내지 E88)을 복수의 구역으로 분할한 후 각 구역에 포함된 픽셀들을 각기 검사하며, 그래서 기준 전류값이 발광 셀이 대형화되었음에도 불구하고 상승되지 않는다. 따라서, 상기 불량 검사 장치를 통하여 검출된 전류값이 30㎁인 경우, 종래의 발광 셀 불량 검사 방법과 달리 상기 발광 셀에 불량이 발생되었음을 검출할 수 있다.
요컨대, 본 발명의 발광 셀 검사 방법을 이용하여 발광 셀을 검출하는 경우, 상기 발광 셀의 크기에 상관없이 상기 발광 셀의 불량이 정확히 검출될 수 있다.
도 5는 본 발명의 바람직한 다른 실시예에 따른 발광 셀을 도시한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 발명의 발광 셀은 애노드전극층들(500), 캐소드전극층들(502), 제 1 데이터 패드들(506a), 제 2 데이터 패드들(506b), 제 1 스캔 패드들(508a), 제 2 스캔 패드들(508b), 제 1 데이터 연결부(510a), 제 2 데이터 연결부(510b), 제 1 스캔 연결부(512a), 제 2 스캔 연결부(512b), 제 1 데이터 전극부(514a), 제 2 데이터 전극부(514b), 제 1 스캔 전극부(516a) 및 제 2 스캔 전극부(516b)를 포함한다.
전극부들(514a, 514b, 516a 및 516b)을 제외한 나머지 구성 요소들은 제 1 실시예의 구성 요소들과 동일하므로, 이하 설명을 생략한다.
제 2 실시예에서와 달리, 상기 불량 검사 장치의 핀이 패드들(306a, 306b, 308a 및 308b) 중 일부에 접촉되지 않고 전극부들(514a, 514b, 516a 및 516b)에 접촉된다. 따라서, 패드들(506a, 506b, 508a 및 508b)이 상기 핀에 의해 손상되지 않는다.
상기한 본 발명의 바람직한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것이고, 본 발명에 대한 통상의 지식을 가지는 당업자라면 본 발명의 사상과 범위 안에서 다양한 수정, 변경, 부가가 가능할 것이며, 이러한 수정, 변경 및 부가는 하기의 특허청구범위에 속하는 것으로 보아야 할 것이다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 발광 셀 및 이의 불량을 검사하는 방법은 상기 발광 셀을 복수의 구역으로 분할한 후 상기 발광 셀의 불량을 검사하므로, 상기 발광 셀의 불량이 정확하게 검사되는 장점이 있다.

Claims (7)

  1. 데이터 라인들과 스캔 라인들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 픽셀들을 포함하는 발광 셀의 불량을 검사하는 방법에 있어서,
    상기 스캔 라인들 중 일부에 소정의 제 1 전압을 인가하는 단계; 및
    상기 데이터 라인들 중 일부에 소정의 제 2 전압을 인가하는 단계를 포함하되,
    상기 인가된 전압들에 의해 상기 픽셀들 중 일부의 불량이 검사되는 것을 특징으로 하는 발광 셀 불량 검사 방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 발광 셀 불량 검사 방법은,
    나머지 스캔 라인을 플로팅(floating)시키는 단계; 및
    나머지 데이터 라인들을 접지에 연결시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 셀 불량 검사 방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전압은 양의 전압이고, 상기 제 2 전압은 음의 전압인 것을 특징으로 하는 발광 셀 불량 검사 방법.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 일부 스캔 라인들은 스캔 연결부에 의해 연결되며, 상기 일부 데이터 라인들은 데이터 연결부에 의해 연결되는 것을 특징으로 하는 발 광 셀 불량 검사 방법.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 일부 스캔 라인들 중 하나에 불량 검사 장치의 핀을 접촉시킴에 의해 상기 제 1 전압이 상기 일부 스캔 라인들에 인가되며,
    상기 일부 데이터 라인들 중 하나에 상기 불량 검사 장치의 핀을 접촉시킴에 의해 상기 제 2 전압이 상기 일부 데이터 라인들에 인가되는 것을 특징으로 하는 발광 셀 불량 검사 방법.
  6. 애노드전극층들과 캐소드전극층들이 교차하는 발광 영역들에 형성되는 복수의 픽셀들을 포함하는 발광 셀에 있어서,
    상기 애노드전극층들 중 일부에 연결되는 제 1 데이터 패드들;
    상기 제 1 데이터 패드들을 연결하는 제 1 데이터 연결부;
    나머지 애노드전극층들에 연결되는 제 2 데이터 패드들; 및
    상기 제 2 데이터 패드들을 연결하는 제 2 데이터 연결부를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 셀.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 발광 셀은,
    상기 캐소드전극층들 중 일부에 연결되는 제 1 스캔 패드들;
    상기 제 1 스캔 패드들을 연결하는 제 1 스캔 연결부;
    나머지 캐소드전극층들에 연결되는 제 2 스캔 패드들; 및
    상기 제 2 스캔 패드들을 연결하는 제 2 스캔 연결부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 셀.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR101293493B1 (ko) * 2011-07-27 2013-08-07 삼성전자주식회사 발광소자 검사장치 및 이를 이용한 발광소자 검사방법

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