JPH04141982A - 薄膜elパネルの製造方法 - Google Patents
薄膜elパネルの製造方法Info
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- JPH04141982A JPH04141982A JP2264278A JP26427890A JPH04141982A JP H04141982 A JPH04141982 A JP H04141982A JP 2264278 A JP2264278 A JP 2264278A JP 26427890 A JP26427890 A JP 26427890A JP H04141982 A JPH04141982 A JP H04141982A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/70—Testing, e.g. accelerated lifetime tests
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はFA、OA等の情報表示に用いられる薄膜EL
ハネルの製造方法に関する。
ハネルの製造方法に関する。
〈従来の技術〉
薄膜ELパ翠ルは表示品位に優れ、FA、OA機器等の
デイスプレィとして実用化されている。
デイスプレィとして実用化されている。
従来の薄膜ELパネルは表示容量が小さく、第3図に示
すように、データ側D、走査側Sとも電極が交互に取り
出された構造となっている。
すように、データ側D、走査側Sとも電極が交互に取り
出された構造となっている。
一方、最近開発されている大表示容量のパネルにおいて
は、第4図に示すように、データ側りの電極が上下に2
分割された電極構造が採用されている。このような電極
構造の薄膜ELパネルの電極端子の取り出しピッチは必
然的に従来の2倍となる。
は、第4図に示すように、データ側りの電極が上下に2
分割された電極構造が採用されている。このような電極
構造の薄膜ELパネルの電極端子の取り出しピッチは必
然的に従来の2倍となる。
従って、このような場合には、例えば走査側Sの電極ピ
ッチが0.4mmのときには、データ側りの電極ピッチ
は0.2++o+にする必要がある。
ッチが0.4mmのときには、データ側りの電極ピッチ
は0.2++o+にする必要がある。
〈発明が解決しようとする課題〉
上記のようなELパネルにおいては、電極間にリークが
あると、発光した際に発光が不均一になるおそれがある
ので、パネルに仕上げる前に予めデータ側電極の隣接す
る端子間のリークがないことを検査する必要がある。
あると、発光した際に発光が不均一になるおそれがある
ので、パネルに仕上げる前に予めデータ側電極の隣接す
る端子間のリークがないことを検査する必要がある。
電極間のリークの検査方法としては、電極間ピッチの2
針の検査針を移動させる方法や、各々の電極端子に対応
するビンをコンタクトさせて検査する方法、または異方
性導電ゴムを利用する方法がある。また目視による検査
方法もある。
針の検査針を移動させる方法や、各々の電極端子に対応
するビンをコンタクトさせて検査する方法、または異方
性導電ゴムを利用する方法がある。また目視による検査
方法もある。
ELパネルの端子膜としては、ハンダ付けの必要性から
アルミニウムとニッケルの積層膜が用いられるが、この
Al−Ni膜はその性質上キズが付きやすい傾向がある
。このため、ITO等で問題のない検査針を移動させる
方法は利用することができない。またピンや異方性導電
ゴムを利用する方法は、その位置合わせが不可欠で、高
精細ピッチでは作業性に問題があり、またその検査装置
も高価なものである。さらに、目視による方法では、0
.41までは可能であるが、それ以上になると例えば0
゜2mmでは検査は実際上不可能である。
アルミニウムとニッケルの積層膜が用いられるが、この
Al−Ni膜はその性質上キズが付きやすい傾向がある
。このため、ITO等で問題のない検査針を移動させる
方法は利用することができない。またピンや異方性導電
ゴムを利用する方法は、その位置合わせが不可欠で、高
精細ピッチでは作業性に問題があり、またその検査装置
も高価なものである。さらに、目視による方法では、0
.41までは可能であるが、それ以上になると例えば0
゜2mmでは検査は実際上不可能である。
本発明は上記事情に鑑みて創案されたもので、上記した
ような作業性の低下させることなく、確実なリークチエ
ツクが行える新規な薄膜ELパネルの製造方法を提供す
ることを目的としている。
ような作業性の低下させることなく、確実なリークチエ
ツクが行える新規な薄膜ELパネルの製造方法を提供す
ることを目的としている。
く課題を解決するための手段〉
本発明に係る薄膜ELパネルの製造方法は、データ側電
極を上下に2分割することにより形成された薄膜ELパ
ネルにおいて、フォトエツチングにより前記データ側電
極端子の隣接する端子の一方を短絡し、他方をその短絡
パターンとギャップを設けて形成し、隣接するデータ側
電極端子間のリークを発光により検査し、その後ハンダ
ディップ等の手段で前記端子間を短絡してエージング処
理し、さらにそのあと短絡パターンの近傍で短絡パター
ンに平行に電極端子を分断するようにしたことを特徴と
している。
極を上下に2分割することにより形成された薄膜ELパ
ネルにおいて、フォトエツチングにより前記データ側電
極端子の隣接する端子の一方を短絡し、他方をその短絡
パターンとギャップを設けて形成し、隣接するデータ側
電極端子間のリークを発光により検査し、その後ハンダ
ディップ等の手段で前記端子間を短絡してエージング処
理し、さらにそのあと短絡パターンの近傍で短絡パター
ンに平行に電極端子を分断するようにしたことを特徴と
している。
く作用〉
データ側電極をフォトエッチで形成する際に、隣接する
電極端子の一方を予め短絡し、他方を短絡せずに形成す
る。この場合のギャップを50μm以下とする。このよ
うにして形成した電極端子を短絡パターンと走査側電極
間に交流パルスを印加し、ELを発光させる。隣接する
端子間のリークの有無はこの発光パターンの観察により
容易に判断できる。
電極端子の一方を予め短絡し、他方を短絡せずに形成す
る。この場合のギャップを50μm以下とする。このよ
うにして形成した電極端子を短絡パターンと走査側電極
間に交流パルスを印加し、ELを発光させる。隣接する
端子間のリークの有無はこの発光パターンの観察により
容易に判断できる。
〈実施例〉
以下、図面を参照して本考案に係る一実施例を説明する
。第1図から第5図にかけては本発明に係る図面であっ
て、第1図は電極端子構造を示す平面図、第2図は薄膜
ELパネルの断面図、第3図及び第4図は薄膜ELパネ
ルの電極構造を示す説明図、第5図は本発明の薄膜EL
パネルの一部切欠外観斜視図である。
。第1図から第5図にかけては本発明に係る図面であっ
て、第1図は電極端子構造を示す平面図、第2図は薄膜
ELパネルの断面図、第3図及び第4図は薄膜ELパネ
ルの電極構造を示す説明図、第5図は本発明の薄膜EL
パネルの一部切欠外観斜視図である。
図において、1は短絡電極端子(コモン端子)、2は短
絡しない電極端子(個別端子)、3は短絡パターン、4
はコモン端子1と個別端子2間のギャップ、5は透明電
極、6はガラス基板、7は透明電極、8は第1絶縁膜、
9は発光層、lOは第2絶縁膜、11は背面電極、12
はデータ側電極をそれぞれ示している。
絡しない電極端子(個別端子)、3は短絡パターン、4
はコモン端子1と個別端子2間のギャップ、5は透明電
極、6はガラス基板、7は透明電極、8は第1絶縁膜、
9は発光層、lOは第2絶縁膜、11は背面電極、12
はデータ側電極をそれぞれ示している。
まずガラス基板6の上に例えばITOからなる透明導電
膜をスパッタ等で形成したあと、フォトエッチで、前記
透明導電膜をストライブ状に加工することにより、透明
電極7とする。この透明電極7はパネル中央部で10〜
50μmのギャップで上下に分割される。
膜をスパッタ等で形成したあと、フォトエッチで、前記
透明導電膜をストライブ状に加工することにより、透明
電極7とする。この透明電極7はパネル中央部で10〜
50μmのギャップで上下に分割される。
つぎに前記ストライプ状の透明電極7の上に、SiO2
とSi3N、からなる第1絶縁膜8 、ZnS −M
nからなる発光層9 、Si、N、とAl20ffから
なる第2絶縁膜IOが順次積層される。
とSi3N、からなる第1絶縁膜8 、ZnS −M
nからなる発光層9 、Si、N、とAl20ffから
なる第2絶縁膜IOが順次積層される。
つぎに背面電極膜及び電極端子膜として、AIとNiの
積層膜が蒸着形成され、これをフォトエッチによりパタ
ーン加工して背面電極11及び電極端子12(データ側
電極)となる。この電極端子12を第1図に示す形状で
形成する。電極端子1.2は前記透明電極と接続するよ
うに形成するとともに、一方の電極端子1は短絡パター
ン3で互いに接続され、他方の電極端子2は前記短絡パ
ターン3と50μ糟以下のギャップ4を隔てるように形
成する。
積層膜が蒸着形成され、これをフォトエッチによりパタ
ーン加工して背面電極11及び電極端子12(データ側
電極)となる。この電極端子12を第1図に示す形状で
形成する。電極端子1.2は前記透明電極と接続するよ
うに形成するとともに、一方の電極端子1は短絡パター
ン3で互いに接続され、他方の電極端子2は前記短絡パ
ターン3と50μ糟以下のギャップ4を隔てるように形
成する。
この短絡パターン3と走査側の電極間に交流パルスを印
加してELパネルを発光させるのである。
加してELパネルを発光させるのである。
前記短絡パターン3と走査側の電極間に交流パルスを印
加してELパネルを発光させると、このとき、絵素内も
含め、隣接する端子間にリークがなげれば、発光はデー
タ側は1本おきのパターンとなる。
加してELパネルを発光させると、このとき、絵素内も
含め、隣接する端子間にリークがなげれば、発光はデー
タ側は1本おきのパターンとなる。
もしここにリークがあると、1本おきとならず、そのラ
インが発光するので、リークの有り無しは容易に判別で
きる。
インが発光するので、リークの有り無しは容易に判別で
きる。
つぎに防湿性を与えるために、シールを行い、特性安定
化のためにエージング処理を行う。このエージング処理
は導電材料を圧着させて全部のデータ側電極に電圧を印
加することも可能であるが、高精細の電極では、均一な
圧着が困難でどうしても接触不良をおこしやすい。
化のためにエージング処理を行う。このエージング処理
は導電材料を圧着させて全部のデータ側電極に電圧を印
加することも可能であるが、高精細の電極では、均一な
圧着が困難でどうしても接触不良をおこしやすい。
本発明では、隣接する電極端子のギャップを50μm以
下で形成しているため、ハンダディップを行えば、容易
にハンダによりブリッジさせることが可能である。
下で形成しているため、ハンダディップを行えば、容易
にハンダによりブリッジさせることが可能である。
このようにして、データ側電極を短絡したあと、エージ
ング処理を行い、最終工程において、第1図に示す分断
ラインで分割する。
ング処理を行い、最終工程において、第1図に示す分断
ラインで分割する。
上記実施例では、第1図に示す形状でパターンを形成し
ているが、本発明はこの実施例に限定されることはなく
、隣接する電極端子間のギャップを30μm以下で形成
する他のパターンでも基本的には本発明に含まれるもの
である。
ているが、本発明はこの実施例に限定されることはなく
、隣接する電極端子間のギャップを30μm以下で形成
する他のパターンでも基本的には本発明に含まれるもの
である。
また本発明の実施例では、ハンダにより隣接する電極端
子を短絡させたが、例えば銀ペースト等の導電性ペース
トを用いることも可能である。
子を短絡させたが、例えば銀ペースト等の導電性ペース
トを用いることも可能である。
〈発明の効果〉
以上説明したように、本発明の薄膜ELパネルの製造方
法は、短絡パターンを形成したあと、発光状態を観察す
ることでリークの有無を検査する方法を提案するもので
ある。従って、本発明は従来作業性の良くなかったリー
ク検査を特別の設備や治具を用いることなく、簡便な方
法で実施できるようにしたので極めて有効且つ合理的で
あり、高精細の薄膜ELパネルを経済性よ(製造するこ
とがでる。
法は、短絡パターンを形成したあと、発光状態を観察す
ることでリークの有無を検査する方法を提案するもので
ある。従って、本発明は従来作業性の良くなかったリー
ク検査を特別の設備や治具を用いることなく、簡便な方
法で実施できるようにしたので極めて有効且つ合理的で
あり、高精細の薄膜ELパネルを経済性よ(製造するこ
とがでる。
第1図から第5図にかけては本発明に係る図面であって
、第1図は電極端子構造を示す平面図、第2図は薄膜E
Lパネルの断面図、第3図及び第4図は薄膜ELパネル
の電極構造を示す説明図、第5図は本発明の薄膜ELパ
ネルの一部切欠外観斜視図である。 ■ ・・・・短絡する電極端子 2 ・・・・短絡しない電極端子 3 ・・・・短絡パターン 4 ・・・・ギャップ 5 ・・・・透明電極 6 ・・・・ガラス基板 7 ・・・・透明電極 8 ・・・・第1絶縁膜 9 ・・・・発光層 10・・・・第2絶縁膜 11・・・・背面電極 12・・・・電極端子(データ側電極)特許出願人
シャープ株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第1図 第2図
、第1図は電極端子構造を示す平面図、第2図は薄膜E
Lパネルの断面図、第3図及び第4図は薄膜ELパネル
の電極構造を示す説明図、第5図は本発明の薄膜ELパ
ネルの一部切欠外観斜視図である。 ■ ・・・・短絡する電極端子 2 ・・・・短絡しない電極端子 3 ・・・・短絡パターン 4 ・・・・ギャップ 5 ・・・・透明電極 6 ・・・・ガラス基板 7 ・・・・透明電極 8 ・・・・第1絶縁膜 9 ・・・・発光層 10・・・・第2絶縁膜 11・・・・背面電極 12・・・・電極端子(データ側電極)特許出願人
シャープ株式会社 代理人 弁理士 大 西 孝 治 第1図 第2図
Claims (1)
- (1)データ側電極を上下に2分割することにより形成
された薄膜ELパネルにおいて、フォトエッチングによ
り前記データ側電極端子の隣接する端子の一方を短絡し
、他方をその短絡パターンとギャップを設けて形成し、
隣接するデータ側電極端子間のリークを発光により検査
し、その後ハンダディップ等の手段で前記端子間を短絡
してエージング処理し、さらにそのあと短絡パターンの
近傍で短絡パターンに平行に電極端子を分断するように
したことを特徴とする薄膜ELパネルの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2264278A JPH04141982A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2264278A JPH04141982A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04141982A true JPH04141982A (ja) | 1992-05-15 |
Family
ID=17400950
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2264278A Pending JPH04141982A (ja) | 1990-10-01 | 1990-10-01 | 薄膜elパネルの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04141982A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999065010A1 (fr) * | 1998-06-10 | 1999-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'affichage |
KR100617187B1 (ko) * | 2003-12-11 | 2006-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 패널의 에이징 패턴 처리 방법 |
KR100870615B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-11-25 | 오리온오엘이디 주식회사 | 유기 el 패널 및 그의 결함 검사방법 |
EP1677358A3 (en) * | 2004-12-28 | 2011-01-05 | LG Electronics, Inc. | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
-
1990
- 1990-10-01 JP JP2264278A patent/JPH04141982A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1999065010A1 (fr) * | 1998-06-10 | 1999-12-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dispositif d'affichage |
KR100870615B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-11-25 | 오리온오엘이디 주식회사 | 유기 el 패널 및 그의 결함 검사방법 |
KR100617187B1 (ko) * | 2003-12-11 | 2006-08-31 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 패널의 에이징 패턴 처리 방법 |
EP1677358A3 (en) * | 2004-12-28 | 2011-01-05 | LG Electronics, Inc. | Organic electroluminescence device and method of manufacturing the same |
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