JP5050074B2 - 電子放出素子及びその製造方法 - Google Patents
電子放出素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5050074B2 JP5050074B2 JP2010086069A JP2010086069A JP5050074B2 JP 5050074 B2 JP5050074 B2 JP 5050074B2 JP 2010086069 A JP2010086069 A JP 2010086069A JP 2010086069 A JP2010086069 A JP 2010086069A JP 5050074 B2 JP5050074 B2 JP 5050074B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron
- emitting device
- fine particles
- electrode
- insulating fine
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 26
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 348
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 78
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 49
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 48
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 44
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 24
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 22
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 16
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 15
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 12
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- 238000001227 electron beam curing Methods 0.000 claims description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 9
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 claims description 3
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 claims description 3
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 82
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 72
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 64
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 24
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 12
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 12
- FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N Silver ion Chemical compound [Ag+] FOIXSVOLVBLSDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 8
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 6
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 4
- NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N kaolin Chemical compound O.O.O=[Al]O[Si](=O)O[Si](=O)O[Al]=O NLYAJNPCOHFWQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 4
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052582 BN Inorganic materials 0.000 description 2
- PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N Boron nitride Chemical compound N#B PZNSFCLAULLKQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 2
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000012798 spherical particle Substances 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910015999 BaAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- -1 alcoholate Substances 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/312—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode having an electric field perpendicular to the surface, e.g. tunnel-effect cathodes of metal-insulator-metal [MIM] type
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G15/00—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern
- G03G15/02—Apparatus for electrographic processes using a charge pattern for laying down a uniform charge, e.g. for sensitising; Corona discharge devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/04—Cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
- H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
- H01J31/123—Flat display tubes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J63/00—Cathode-ray or electron-stream lamps
- H01J63/06—Lamps with luminescent screen excited by the ray or stream
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2201/00—Electrodes common to discharge tubes
- H01J2201/30—Cold cathodes
- H01J2201/312—Cold cathodes having an electric field perpendicular to the surface thereof
- H01J2201/3125—Metal-insulator-Metal [MIM] emission type cathodes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Electrostatic Charge, Transfer And Separation In Electrography (AREA)
- Electrodes For Cathode-Ray Tubes (AREA)
Description
また、この発明は、前記絶縁性微粒子が単分散微粒子であることにより、前記絶縁性微粒子層は、前記絶縁性微粒子が密に充填されて形成されてもよい。
なお、本発明においては、単分散微粒子とは、粒径が揃い、形状が均一な球形粒子のことを意味し、下記に粒径および形状の具体的基準を示す。
すなわち、粒径に関しては、体積基準で算出した粒径の平均値(以下、この明細書において単に平均粒径という。)に対する標準偏差の比(標準偏差/平均粒径)として定義される変動係数(coefficient of variation, CV。以下、この明細書において単にCVという。)の値が10%以下の粒子とした。
単分散微粒子の平均粒径および標準偏差の測定は、任意に抽出した500個の微粒子を走査型電子顕微鏡で撮影し、その画像(SEM画像)を画像処理によって輪郭の周囲長を円周率(π)で除することにより換算粒径を求め、その値をもとに体積基準の平均粒径および標準偏差を算出した。
形状に関しては、具体的には、任意に抽出した500個の微粒子を走査型電子顕微鏡で撮影し、その画像(SEM画像)を画像処理によって、輪郭の2点を結ぶ直線のうち、最長となる直線の長さ(最長直径)を求め、95%以上の粒子において、最長直径に対する換算粒径の比が0.9以下となる粒子をいう。
ここで、抗酸化作用が強いとは、酸化物が生成される反応が生じにくく、その反応性が低いことを指す。一般的に熱力学計算より求めた、酸化物生成自由エネルギーの変化量ΔG[kJ/mol]値が負で大きいほど、酸化物の生成反応が起こり易いことを表す。この発明ではΔG>−450[kJ/mol]以上に該当する金属元素が、抗酸化力の高い導電性物質に該当する。また、このような導電性物質を導電性微粒子に付着させて、抗酸化作用が強い導電性物質で形成された微粒子として用いてもよい。また、このような導電性物質で導電性微粒子を被覆した粒子を抗酸化作用が強い導電性物質で形成された微粒子として用いてもよい。
このような構成によれば、絶縁体物質に被覆された導電性微粒子を分散させた分散液を塗布することにより、分散液の分散性を向上させることができる。このため、分散液における導電性微粒子が凝集しにくい。また、導電性微粒子が酸化しにくいので、電子放出素子の特性が変化しにくい。従って、大気中の酸素による酸化などによる電子放出素子の劣化を防ぐことができる。
なお、この電子加速層は、炭素膜と絶縁性微粒子層と構成される電子加速層又は導電性微粒子を含む絶縁性微粒子層である電子加速層である。
図1は、この発明の電子放出素子の一実施形態煮に係る構成を示す模式図である。図1に示すように、この実施形態に係る電子放出素子1は、電極基板2と、電極基板2上に形成され、電極基板2から供給される電子を加速するための電子加速層4と、電子加速層4上に電極基板2と対向して形成された薄膜電極3とを備えている。この電子放出素子1は、電極基板2と薄膜電極3との間に電圧が印加されると、電極基板2から供給される電子を電子加速層4で加速させて薄膜電極3から放出させる。つまり、電極基板2と薄膜電極3との間の電子加速層4に電流が流れ、その一部が、印加電圧の形成する強電界により弾道電子として電子加速層4から放出され、薄膜電極3側より素子外部へと放出される。電子加速層4から放出された電子は、薄膜電極3を通過(透過)して、或いは、薄膜電極3の下層に位置する電子加速層4の表面に凹凸等の影響から生じる薄膜電極3の孔(隙間)からすり抜けて外部へと放出される。
なお、本発明においては、単分散微粒子とは、粒径が揃い、形状が均一な球形粒子のことを意味し、下記に粒径および形状の具体的基準を示す。
すなわち、粒径に関しては、体積基準で算出した粒径の平均値(以下、この明細書において単に平均粒径という。)に対する標準偏差の比(標準偏差/平均粒径)として定義される変動係数(coefficient of variation, CV。以下、この明細書において単にCVという。)の値が10%以下の粒子とした。
単分散微粒子の平均粒径および標準偏差の測定は、任意に抽出した500個の微粒子を走査型電子顕微鏡で撮影し、その画像(SEM画像)を画像処理によって輪郭の周囲長を円周率(π)で除することにより換算粒径を求め、その値をもとに体積基準の平均粒径および標準偏差を算出した。
形状に関しては、具体的には、任意に抽出した500個の微粒子を走査型電子顕微鏡で撮影し、その画像(SEM画像)を画像処理によって、輪郭の2点を結ぶ直線のうち、最長となる直線の長さ(最長直径)を求め、95%以上の粒子において、最長直径に対する換算粒径の比が0.9から1.0となる粒子をいう。
このような単分散微粒子である絶縁体微粒子5には、例えば、日産化学工業株式会社製コロイダルシリカMP−1040、平均粒径100nm、40wt%)がある。ほか、コロイダルシリカMP−4540(平均粒径450nm、40wt%)、MP−3040(平均粒径300nm、40wt%)、スノーテックス20(平均粒径15nm、20wt%)、スノーテックスSX(平均粒径5nm、20wt%)等(以上、日産化学工業株式会社製)を用いてもよい。
なお、絶縁体微粒子5は、単分散微粒子は形状の均一性が高い粒子であれば、例えば、ロッド形状の粒子であってもよい。ロッド状の粒子であれば、その粒径と長さが上記CVの値を満たせばよい。
一方、絶縁体微粒子層4Bは、単分散微粒子である絶縁体微粒子で構成され、この粒子が均一に充填されているので、絶縁体微粒子間の接点が絶縁体微粒子層4B内に均一に分布し、また、電子が伝導する導通路も均一に分布することになる。このため、電子を効率的にトラップしながら伝導させることができ、その結果、弾道電子をより多く生じさせて薄膜電極3から多量の電子を放出させる。
次に、実施形態1に係る電子放出素子1の製造方法について説明する。
まず、水に単分散の絶縁体微粒子5が分散された絶縁体微粒子分散液を用意する。分散液における絶縁体微粒子5の濃度は、10wt%以上50wt%以下が好ましい。10wt%より低濃度であれば、電極基板上に絶縁体微粒子5を充填することができず、50wt%より高濃度であれば、粘度が上昇し、凝集が起こり薄膜化できない。単分散の絶縁体微粒子が分散された分散液の例としては、日産化学工業株式会社製の親水性シリカの分散液であるコロイダルシリカMP−4540(平均粒径450nm、40wt%)、MP−3040(平均粒径300nm、40wt%)、MP−1040(平均粒径100nm、40wt%)、スノーテックス20(平均粒径15nm、20wt%)、スノーテックスSX(平均粒径5nm、20wt%)が挙げられる。
ここで、分散性を向上させるため、導電微粒子6に表面処理を施してもよい。導電微粒子6に表面処理を施している場合、その表面処理方法によって、分散に適した分散溶媒を用いる。例えば、表面をアルコラート処理された導電微粒子6には、トルエンもしくヘキサンが好ましい。
分散液のスピンコート条件は、特に限定されないが、電極基板2に調整された分散液を塗布した後、例えば、スピン回転数500rpmで5秒間、電極基板2を回転させた後、スピン回転数3000から4500rpmで10秒間、電極基板を回転させる。電極基板に対する塗布量は特に限定されないが、例えば、24mm角の電極基板に塗布する場合、0.2mL/cm2以上であればよい。
そして、スピンコート法による塗布を行った後、分散液が塗布された電極基板2を乾燥させる。このようにして形成された絶縁体微粒子層4Bは、絶縁体微粒子が均一に充填された層となる。
以上により、実施形態1に係る電子放出素子が完成する。
以下、本発明に係る電子放出素子の実施例について説明する。
電極基板2として25mm×25mm角のITO基板を用い、真空度20Pa下でUV照射を10分間行った。
次に、絶縁体微粒子として日産化学工業株式会社製のコロイダルシリカMP−1040(体積分布80%を占める単分散成分の粒子の平均粒径117nm、標準偏差0.26nm、CV値0.22%)を2mL、電極基板上に滴下し、スピンコート法を用いて、回転数を5sで0rpmから3000rpmに上昇させ、さらに10s間3000rpmで回転した。このようにして絶縁体微粒子層を形成した。
次に、この導電微粒子分散液を上記で得られた絶縁体微粒子層状に2mL滴下後、スピンコート法を用いて、回転数を5sで0rpmから3000rpmに上昇させ、さらに10s間3000rpmで回転した。このようにして整列して充填した単分散の絶縁体微粒子と導電微粒子から成る電子加速層4を得た。電子加速層4の膜厚は770nmであった。
電子加速層4の表面には、マグネトロンスパッタ装置を用いて薄膜電極3を成膜することにより、実施例1の電子放出素子1を得た。薄膜電極3の成膜材料として金を使用し、薄膜電極3の層厚は40nm、同面積は0.01cm2とした。
図4の測定系では、電子放出素子1の薄膜電極3側に、絶縁体スペーサ9(径:1mm)を挟んで対向電極8を配置させる。そして、電子放出素子1の電極基板2と薄膜電極3との間には、電源7AによりV1の電圧が印加され、対向電極8には電源7BによりV2の電圧がかかるようになっている。薄膜電極3と電源7Aとの間を流れる単位面積当たりの素子内電流(素子内電流密度)I1と、対向電極8と電源7Bとの間に流れる単位面積当たりの電子放出電流I2(電子放出電流密度)を測定した。
比較例として、この出願の出願人が先にした特許出願(特願2008−295722)に係る電子放出素子を作製した。電子放出特性の測定は、実施例1と同様に図4に示す測定系を用いた。つまり、1×10-8ATMの真空中において、電子放出実験を行い、電子放出特性を調べた。
次に、この分散液(C)に、金属微粒子として銀ナノ粒子(平均径10nm、絶縁被覆アルコラート1nm膜、株式会社応用ナノ粒子研究所製)0.026gを投入し、試薬瓶を超音波分散器にかけ、絶縁体微粒子5と銀ナノ粒子との混合液(D)を調製した。こうして得られた分散液は、銀ナノ粒子の配合割合が5%である。
電極基板2として30mm角のSUS基板上に、上記で得られた混合液(D)を滴下後、スピンコート法を用いて、回転数を5sで0rpmから3000rpmに上昇させ、さらに10s間3000rpmで回転した。このようにして絶縁体微粒子5および銀ナノ粒子を堆積させ、電子加速層4を得た。電子加速層4の膜厚は1.5μmであった。
電子加速層4の表面には、マグネトロンスパッタ装置を用いて薄膜電極3を成膜することにより、比較例1の電子放出素子を得た。薄膜電極3の成膜材料として金を使用し、薄膜電極3の層厚は12nm、同面積は0.28cm2とした。
図7は、この発明の実施形態2に係る構成を示す模式図である。この実施形態2に係る電子放出素子1は、実施形態1と同様に、電子加速層4として絶縁体微粒子層を備えるが、この絶縁体微粒子層は、導電微粒子6を含まない点で相違している。この実施形態2に係る電子放出素子1は、電子加速層4として炭素膜4Cと絶縁体微粒子層4Aとを備えている。以下、実施形態1と相違する電子加速層4について説明する。
一方、絶縁体微粒子層4Aは、単分散微粒子である絶縁体微粒子で構成され、この粒子が均一に充填されているので、絶縁体微粒子間の接点が絶縁体微粒子層4A内に均一に分布し、また、電子が伝導する導通路も均一に分布することになる。このため、電子を効率的にトラップしながら伝導させることができ、その結果、弾道電子をより多く生じさせて薄膜電極3から多量の電子を放出させる。
次に、実施形態1に係る電子放出素子1の製造方法について説明する。
まず、水に単分散の絶縁体微粒子5が分散された絶縁体微粒子分散液を用意する。この絶縁体微粒子分散液は、実施形態1で説明したように材料を選択して分散液を作製する。
次いで、電極基板2上に蒸着によって炭素膜を形成する。炭素膜の材料は、シャープペンシルの芯が実用的である。真空下において、シャープペンシルの芯を10〜20Aの電流によって加熱し、10〜200s蒸着させる。
次いで、炭素膜4C上に、調整された絶縁体微粒子分散液をスピンコート法にて塗布し、絶縁体微粒子層4Aを作製する。絶縁体微粒子層4Aの形成は実施形態1と同様に行う。
次いで、形成された絶縁体微粒子層4A上に薄膜電極3を成膜する。この薄膜電極3の成膜も、実施形態1と同様に行えばよい。以上により、実施形態2に係る電子放出素子が完成する。
以下、実施形態2に係る電子放出素子の実施例について説明する。
電極基板2としてφ24mmのアルミ基板を用いた。電極基板2は界面活性剤を含む超純水で超音波洗浄、超純水の流水中で洗浄、真空度20Pa下でUV照射を10分間行うことによって洗浄した。
このように洗浄した電極基板2上に炭素膜6を形成した。シャープペンシルの芯HI−UNI B 0.5×60mm(三菱鉛筆製)を18Aの電流によって加熱し、164s蒸着させた。さらに、真空度20Pa下でUV照射を10分間行うことによって炭素膜6を親水性に表面改質した。
得られた炭素膜上に絶縁体微粒子層を形成した。絶縁体微粒子として日産化学工業株式会社製のコロイダルシリカMP−1040(体積分布80%を占める単分散成分の粒子の平均粒径117nm、標準偏差0.26nm、CV値0.22%)を1mL、電極基板上に滴下し、スピンコート法を用いて、回転数を5sで0rpmから3000rpmに上昇させ、さらに10s間3000rpmで回転した。このようにして絶縁体微粒子層を形成した。このようにして炭素膜と整列して充填した単分散の絶縁体微粒子から成る電子加速層4を得た。電子加速層4の膜厚は980nmであった。
電子加速層4の表面には、マグネトロンスパッタ装置を用いて薄膜電極3を成膜することにより、実施例1の電子放出素子1を得た。薄膜電極3の成膜材料として金を使用し、薄膜電極3の層厚は40nm、同面積は0.01cm2とした。
図4の測定系では、電子放出素子1の薄膜電極3側に、絶縁体スペーサ9(径:1mm)を挟んで対向電極8を配置させる。そして、電子放出素子1の電極基板2と薄膜電極3との間には、電源7AによりV1の電圧が印加され、対向電極8には電源7BによりV2の電圧がかかるようになっている。薄膜電極3と電源7Aとの間を流れる単位面積当たりの素子内電流(素子内電流密度)I1と、対向電極8と電源7Bとの間に流れる単位面積当たりの電子放出電流I2(電子放出電流密度)を測定した。
比較例として、この出願の出願人が先にした特許出願(特願2008−295722)に係る電子放出素子を作製した。電子放出特性の測定は、実施例2と同様に図4に示す測定系を用いた。つまり、1×10-8ATMの真空中において、電子放出実験を行い、電子放出特性を調べた。
次に、この分散液(C)に、金属微粒子として銀ナノ粒子(平均径10nm、絶縁被覆アルコラート1nm膜、株式会社応用ナノ粒子研究所製)0.026gを投入し、試薬瓶を超音波分散器にかけ、絶縁体微粒子5と銀ナノ粒子との混合液(D)を調製した。こうして得られた分散液は、銀ナノ粒子の配合割合が5%である。
電極基板2として30mm角のSUS基板上に、上記で得られた混合液(D)を滴下後、スピンコート法を用いて、回転数を5sで0rpmから3000rpmに上昇させ、さらに10s間3000rpmで回転した。このようにして絶縁体微粒子5および銀ナノ粒子を堆積させ、電子加速層4を得た。電子加速層4の膜厚は1.5μmであった。
電子加速層4の表面には、マグネトロンスパッタ装置を用いて薄膜電極3を成膜することにより、比較例1の電子放出素子を得た。薄膜電極3の成膜材料として金を使用し、薄膜電極3の層厚は12nm、同面積は0.28cm2とした。
図9に、測定結果を示す。
図10に、この発明の実施形態に係る帯電装置90及び画像形成装置の一例を示す。
帯電装置90は、実施形態1の電子放出素子1とこれに電圧を印加する電源7とで構成され、感光体ドラム11の表面を帯電させる装置として用いられる。(この構成は、上記で説明した電子放出装置10と同じである。)ものである。
また、画像形成装置は、帯電装置90を備え、帯電装置90における電子放出素子1は、被帯電体である感光体ドラム11に対向して配置されている。電子放出素子1に電圧を印加することにより、電子を放出させ、感光体ドラム11の表面を帯電させる。
なお、本発明に係る画像形成装置では、帯電装置90以外の構成部材は、従来公知のものを用いればよい。ここで、帯電装置90として用いる電子放出素子1は、感光体ドラム11の表面から、例えば3〜5mm隔てて配置するのが好ましい。また、電子放出素子1への印加電圧は25V程度が好ましく、電子放出素子1の電子加速層の構成は、例えば、25Vの電圧印加で、単位時間当たり1μA/cm2の電子が放出されるようになっていればよい。
図11に、この発明の実施形態に係る電子線硬化装置100の一例を示す。電子線硬化装置100は、実施形態1に係る電子放出素子1とこれに電圧を印加する電源7とを有する電子放出装置10と、電子を加速させる加速電極21とを備えている。電子線硬化装置100では、電子放出素子1を電子源とし、放出された電子を加速電極21で加速してレジスト22へと衝突させる。一般的なレジスト22を硬化させるために必要なエネルギーは10eV以下であるため、エネルギーだけに注目すれば加速電極は必要ない。しかし、電子線の浸透深さは電子のエネルギーの関数となるため、例えば厚さ1μmのレジスト22を全て硬化させるには約5kVの加速電圧が必要となる。
これに対し、電子放出装置10を用いた本発明に係る電子線硬化装置は、大気中動作可能であるため、真空封止の必要がない。また、電子放出素子1は電子放出効率が高いため、電子線硬化装置は、効率よく電子線を照射できる。また、電子透過窓を通さないのでエネルギーのロスも無く、印加電圧を下げることができる。さらに面電子源であるためスループットが格段に高くなる。また、パターンに従って電子を放出させれば、マスクレス露光も可能となる。
図12〜図14に、この発明の実施形態に係る自発光デバイスの例をそれぞれ示す。
図12に示す自発光デバイス31は、実施形態1に係る電子放出素子1とこれに電圧を印加する電源7とを有する電子放出装置と、さらに、電子放出素子1と離れ、対向した位置に、基材となるガラス基板34、ITO膜33、および蛍光体32が積層構造を有する発光部36と、から成る。
蛍光体32としては赤、緑、青色発光に対応した電子励起タイプの材料が適しており、例えば、赤色ではY2O3:Eu、(Y,Gd)BO3:Eu、緑色ではZn2SiO4:Mn、BaAl12O19:Mn、青色ではBaMgAl10O17:Eu2+等が使用可能である。ITO膜33が成膜されたガラス基板34表面に、蛍光体32を成膜する。蛍光体32の厚さ1μm程度が好ましい。また、ITO膜33の膜厚は、導電性を確保できる膜厚であれば問題なく、本実施形態では150nmとした。
ここで、蛍光体32の発光輝度を上げるには、電子放出素子1から放出された電子を蛍光体へ向けて加速する必要があり、その場合は電子放出素子1の電極基板2と発光部36のITO膜33の間に、電子を加速する電界を形成するための電圧印加するために、電源35を設けるとよい。このとき、蛍光体32と電子放出素子1との距離は、0.3〜1mmで、電源7からの印加電圧は18V、電源35からの印加電圧は500〜2000Vにするのが好ましい。
〔実施の形態6〕
図16に示す送風装置150は、電子放出素子1とこれに電圧を印加する電源7とを有する電子放出装置10からなる。送風装置150において、電子放出素子1は、電気的に接地された被冷却体41に向かって電子を放出することにより、イオン風を発生させて被冷却体41を冷却する。冷却させる場合、電子放出素子1に印加する電圧は、18V程度が好ましく、この電圧で、雰囲気下に、例えば、単位時間当たり1μA/cm2の電子を放出することが好ましい。
ここで、送風によって被冷却体41を冷却させようとするとき、従来の送風装置あるいは冷却装置のようにファン等による送風だけでは、被冷却体41の表面の流速が0となり、最も熱を逃がしたい部分の空気は置換されず、冷却効率が悪い。しかし、送風される空気の中に電子やイオンといった荷電粒子を含まれていると、被冷却体41近傍に近づいたときに電気的な力によって被冷却体41表面に引き寄せられるため、表面近傍の雰囲気を入れ替えることができる。ここで、本発明に係る送風装置150,160では、送風する空気の中に電子やイオンといった荷電粒子を含んでいるので、冷却効率が格段に上がる。さらに、電子放出素子1は電子放出効率が高いため、送風装置150,160は、より効率よく冷却することができる。送風装置150および送風装置160は、大気中動作も可能である。
2 電極基板(第1電極)
3 薄膜電極(第2電極)
4 電子加速層
4A 絶縁体微粒子層
4C 炭素膜
5 絶縁体微粒子(絶縁性微粒子)
6 導電微粒子(導電性微粒子)
7 電源(電源部)
7A 電源(電源部)
7B 電源(電源部)
8 対向電極
9 絶縁体スペーサ
10 電子放出装置
11 感光体ドラム
21 加速電極
22 レジスト
31,31’,31” 自発光デバイス
32,32’ 蛍光体(発光体)
33 ITO膜
34 ガラス基板
35 電源
36 発光部
41 被冷却体
42 送風ファン
90 帯電装置
100 電子線硬化装置
140 画像表示装置
150 送風装置
160 送風装置
330 液晶パネル
Claims (27)
- 第1電極と、
第1電極上に形成され、単分散微粒子からなる絶縁性微粒子が均一に充填されて構成された絶縁性微粒子層と、
前記絶縁性微粒子層上に形成された第2電極と、
を備え、
前記絶縁性微粒子は、平均粒径に対する標準偏差の比として定義される変動係数の値が10%以下であり、
第1電極と第2電極との間に電圧を印加し、第1電極から放出される電子を前記絶縁性微粒子層で加速させて第2電極から放出させるように構成したことを特徴とする電子放出素子。 - 前記絶縁性微粒子層がさらに導電性微粒子を含むことを特徴とする請求項1に記載の電子放出素子。
- 前記導電性微粒子が、抗酸化作用が強い導電性物質で形成された微粒子である請求項2に記載の電子放出素子。
- 前記導電性微粒子が、金、銀、白金、パラジウム、及びニッケルの少なくとも1つを含む微粒子である請求項2又は3に記載の電子放出素子。
- 前記導電性微粒子の周囲に、当該導電性微粒子の大きさより小さい小絶縁体物質が存在することを特徴とする、請求項2から4のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記小絶縁体物質が、アルコラート、脂肪酸、及びアルカンチオールの少なくとも1つを含む物質である請求項5に記載の電子放出素子。
- 前記導電性微粒子は、その平均粒径が3〜20nmである請求項2から6のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記絶縁性微粒子層は、その膜厚が8〜3000nmである請求項2から7のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- さらに、第1電極上に形成された炭素膜を備え、
前記炭素膜は、その膜上に前記絶縁性微粒子層が形成されている請求項1に記載の電子放出素子。 - 前記炭素膜は、その膜厚が5〜300nmである請求項9に記載の電子放出素子。
- 前記絶縁性微粒子層は、その膜厚が20〜3000nmである請求項9又は10に記載の電子放出素子。
- 前記絶縁性微粒子は、SiO2、Al2O3、及びTiO2の少なくとも1つを含む微粒子である請求項1から11のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 第2電極は、金、銀、炭素、タングステン、チタン、アルミ、及びパラジウムの少なくとも1つを含む材料で形成された電極である請求項1から12のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記絶縁性微粒子は、その平均粒径が5〜1000nmである請求項1から13のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 発光体を備える自発光デバイスに用いられ、電子を放出して前記発光体を発光させる請求項1から14のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 前記自発光デバイスを備える画像表示装置に用いられる請求項15に記載の電子放出素子。
- 送風装置に用いられ、電子を放出して送風する請求項1から14のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 冷却装置に用いられ、電子を放出して被冷却体を冷却する請求項1から14のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 感光体を備える帯電装置に用いられ、電子を放出して感光体を帯電させる請求項1から14のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 帯電装置を備える画像形成装置に用いられる請求項19に記載の電子放出素子。
- 電子線硬化装置に用いられる請求項1から14のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 第1電極と第2電極との間に電圧を印加する電源部を備える請求項1から14のいずれか1項に記載の電子放出素子。
- 第1電極と、第1電極上に形成され、単分散微粒子からなる絶縁性微粒子が均一に充填されて構成された絶縁性微粒子層と、前記絶縁性微粒子層上に形成された第2電極と、を備え、前記絶縁性微粒子は、平均粒径に対する標準偏差の比として定義される変動係数の値が10%以下であり、第1電極と第2電極との間に電圧を印加し、第1電極から放出される電子を前記絶縁性微粒子層で加速させて第2電極から放出させるように構成した電子放出素子の製造方法であって、
第1電極上に単分散の絶縁性微粒子が分散された分散液を塗布することより絶縁性微粒子層を形成する工程と、
前記絶縁性微粒子層上に電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 前記絶縁性微粒子層上に導電性微粒子が分散された分散液を塗布することより導電性微粒子を含む絶縁性微粒子層を形成する工程をさらに備え、
前記電極を形成する工程が前記導電性微粒子を含む絶縁性微粒子層上に電極を形成する工程である請求項23に記載の電子放出素子の製造方法。 - 前記絶縁性微粒子層を形成する工程は、前記絶縁性微粒子が水に分散された分散液を塗布する工程であり、
前記導電性微粒子を含む絶縁性微粒子層を形成する工程は、前記導電性微粒子が溶媒に分散された分散液を塗布する工程である請求項24に記載の電子放出素子の製造方法。 - 第1電極上に炭素膜を形成する工程をさらに備え、
前記絶縁性微粒子層を形成する工程は、前記炭素膜上に単分散の絶縁性微粒子が分散された分散液を塗布することより絶縁性微粒子層を形成する工程である請求項23に記載の電子放出素子の製造方法。 - 前記絶縁性微粒子層を形成する工程がスピンコート法により前記分散液を塗布する工程である請求項23から26のいずれか1項に記載の電子放出素子の製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010086069A JP5050074B2 (ja) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | 電子放出素子及びその製造方法 |
US13/074,533 US8421331B2 (en) | 2010-04-02 | 2011-03-29 | Electron emitting element and method for producing the same |
CN201110085994.8A CN102243962B (zh) | 2010-04-02 | 2011-04-02 | 电子发射元件及其生成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010086069A JP5050074B2 (ja) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | 電子放出素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011216440A JP2011216440A (ja) | 2011-10-27 |
JP5050074B2 true JP5050074B2 (ja) | 2012-10-17 |
Family
ID=44708807
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010086069A Active JP5050074B2 (ja) | 2010-04-02 | 2010-04-02 | 電子放出素子及びその製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8421331B2 (ja) |
JP (1) | JP5050074B2 (ja) |
CN (1) | CN102243962B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5238795B2 (ja) * | 2010-11-19 | 2013-07-17 | シャープ株式会社 | 電子放出素子及びその駆動方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2715304B2 (ja) | 1988-05-26 | 1998-02-18 | キヤノン株式会社 | Mim形電子放出素子 |
JPH11297190A (ja) | 1998-04-10 | 1999-10-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層型電子放出素子および画像表示装置 |
JP3487229B2 (ja) * | 1999-07-27 | 2004-01-13 | 松下電工株式会社 | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
JP2002289086A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-10-04 | Canon Inc | 電子放出素子、電子源、画像形成装置、及び電子放出素子の製造方法 |
JP4177567B2 (ja) * | 2001-06-26 | 2008-11-05 | 松下電工株式会社 | 陽極酸化方法および陽極酸化装置および電界放射型電子源およびメモリ素子 |
US6753196B2 (en) * | 2001-06-26 | 2004-06-22 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Method of and apparatus for manufacturing field emission-type electron source |
CN1216394C (zh) * | 2001-09-25 | 2005-08-24 | 松下电工株式会社 | 场致发射型电子源 |
JP2003100201A (ja) * | 2001-09-25 | 2003-04-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 電界放射型電子源およびその製造方法 |
JP4168795B2 (ja) * | 2002-04-19 | 2008-10-22 | セイコーエプソン株式会社 | 製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器 |
WO2004079766A1 (ja) * | 2003-03-06 | 2004-09-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電子放射素子、蛍光体発光素子及び画像描画装置 |
KR20050086237A (ko) * | 2004-02-25 | 2005-08-30 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전자방출표시장치용 전자방출원의 형성방법과 이를 이용한전지방출표시장치 |
JP4303308B2 (ja) * | 2007-11-20 | 2009-07-29 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 |
-
2010
- 2010-04-02 JP JP2010086069A patent/JP5050074B2/ja active Active
-
2011
- 2011-03-29 US US13/074,533 patent/US8421331B2/en active Active
- 2011-04-02 CN CN201110085994.8A patent/CN102243962B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102243962A (zh) | 2011-11-16 |
US8421331B2 (en) | 2013-04-16 |
US20110241532A1 (en) | 2011-10-06 |
CN102243962B (zh) | 2014-07-30 |
JP2011216440A (ja) | 2011-10-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4812853B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の製造方法 | |
US8547007B2 (en) | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element | |
JP4990380B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
JP4777448B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、及び電子線硬化装置 | |
US8760056B2 (en) | Electron emitting element, devices utilizing said element, and method for producing said element | |
JP4732534B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
US8299700B2 (en) | Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device | |
JP2010267492A (ja) | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP4880740B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP5133295B2 (ja) | 電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の駆動方法 | |
JP5050074B2 (ja) | 電子放出素子及びその製造方法 | |
JP4932864B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法 | |
JP4917121B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、冷却装置、および帯電装置 | |
JP4768051B2 (ja) | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP4680305B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、冷却装置、および帯電装置 | |
JP2010267491A (ja) | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 | |
JP4768050B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、電子放出素子の製造方法 | |
JP2010272259A (ja) | 電子放出素子の製造方法、電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、および冷却装置 | |
JP5795330B2 (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、および電子放出素子の製造方法 | |
JP2010272260A (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法 | |
JP2011040250A (ja) | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、電子放出素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120207 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120330 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120508 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120608 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120626 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120723 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150727 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5050074 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |