JP4168795B2 - 製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器 - Google Patents

製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器 Download PDF

Info

Publication number
JP4168795B2
JP4168795B2 JP2003076109A JP2003076109A JP4168795B2 JP 4168795 B2 JP4168795 B2 JP 4168795B2 JP 2003076109 A JP2003076109 A JP 2003076109A JP 2003076109 A JP2003076109 A JP 2003076109A JP 4168795 B2 JP4168795 B2 JP 4168795B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzles
droplets
droplet discharge
nozzle
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP2003076109A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2004000915A (ja
Inventor
実 小山
利充 平井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2003076109A priority Critical patent/JP4168795B2/ja
Priority to US10/400,526 priority patent/US7278725B2/en
Priority to TW092108460A priority patent/TWI224809B/zh
Priority to KR10-2003-0023268A priority patent/KR20030083582A/ko
Priority to CNB031226329A priority patent/CN100452346C/zh
Publication of JP2004000915A publication Critical patent/JP2004000915A/ja
Priority to US11/878,083 priority patent/US20070263031A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP4168795B2 publication Critical patent/JP4168795B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J2/00Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
    • B41J2/005Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by bringing liquid or particles selectively into contact with a printing material
    • B41J2/01Ink jet
    • B41J2/21Ink jet for multi-colour printing
    • B41J2/2132Print quality control characterised by dot disposition, e.g. for reducing white stripes or banding
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J29/00Details of, or accessories for, typewriters or selective printing mechanisms not otherwise provided for
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J25/00Actions or mechanisms not otherwise provided for
    • B41J25/001Mechanisms for bodily moving print heads or carriages parallel to the paper surface
    • B41J25/003Mechanisms for bodily moving print heads or carriages parallel to the paper surface for changing the angle between a print element array axis and the printing line, e.g. for dot density changes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B41PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
    • B41JTYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
    • B41J3/00Typewriters or selective printing or marking mechanisms characterised by the purpose for which they are constructed
    • B41J3/28Typewriters or selective printing or marking mechanisms characterised by the purpose for which they are constructed for printing downwardly on flat surfaces, e.g. of books, drawings, boxes, envelopes, e.g. flat-bed ink-jet printers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
    • H01L21/283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
    • H01L21/288Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/768Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
    • H01L21/76838Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/12Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
    • H05K3/1241Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing
    • H05K3/125Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by ink-jet printing or drawing by dispensing by ink-jet printing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24802Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]

Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、液滴吐出装置を用いた製膜方法と製膜装置、デバイスとその製造方法、及び電子機器に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来、半導体集積回路などの微細な配線パターンの製造方法としては、フォトリソグラフィー法が多用されている。近年では、液滴吐出方式を用いた方法が開示されており、これらの技術はパターン形成用材料を含んだ液状体を液滴吐出ヘッドから基板上に吐出することにより、パターン形成面に材料を配置して配線パターンを形成するものであり、少量多種生産に対応可能であるなど大変有効であるとされている(例えば、特許文献1、2参照)。
【0003】
【特許文献1】
特開平11−274671号公報
【特許文献2】
特開2000−216330号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、デバイスに形成される配線パターンでは、例えば直線パターンとこの直線パターンに傾斜する傾斜線パターンとが混在していたり、あるいは異なる線幅を有する配線パターンが混在していたりする。しかしながら、これら異なる形態からなる配線パターンを液滴吐出装置によって同一の吐出条件で形成しようとすると、所望のパターン精度が得られなくなる場合がある。
例えば、直線パターンと傾斜線パターンとが混在する配線パターンを同じ吐出条件、すなわち同じ大きさの液滴(ドット)を吐出することで形成しようとすると、特に傾斜線パターンでは吐出した液滴間が連続せず、これにより得られた配線パターンが導通不良を起してしまい、結果としてデバイス性能が低下してしまうといった問題が生じるおそれがある。
【0005】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、液滴吐出装置を用いて基板上に異なる形態のパターンそれぞれを混在させて形成する際、安定した吐出動作を維持し、所望の精度でパターンを形成できる製膜方法、製膜装置、デバイス、及び電子機器を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
前記の課題を解決するため、本発明の製膜方法では、基板上に複数の単位領域を設定し、前記単位領域に対して液滴吐出ヘッドより液状体からなる液滴を吐出し、前記基板上に膜を形成する製膜方法において、前記液滴吐出ヘッドに形成されてなるノズルのうちの所定個おきに配置されたノズルを主ノズルとし且つ前記主ノズル間に配置されたノズルを副ノズルとし、前記液滴吐出ヘッドの走査方向と斜めに交差するパターンを形成する工程において、前記主ノズルによって前記単位領域内に液滴を吐出し、前記副ノズルによって前記単位領域間の境界部であって前記主ノズルから吐出された液滴同士を接続する位置に液滴を吐出することを特徴としている。
【0007】
この製膜方法によれば、主ノズルからなる第1のノズル群により第1のパターンを形成し、前記第1のノズル群とは異なる副ノズルからなる第2のノズル群により第2のパターンを形成するので、例えば第1のノズル群によって直線パターン及び傾斜線パターンを形成した際、傾斜線パターンにおいて単位領域内への液滴吐出だけでは液滴間の連続性が不十分であっても、第2のノズル群によって単位領域の境界部への液滴の吐出を、前記の第1のノズル群から吐出した傾斜線パターンにおける液滴間に行うことにより、傾斜線パターンにおいても液滴間が確実に連続したものとなる。
【0008】
また、前記製膜方法においては、前記第1のノズル群によって、前記単位領域への前記液滴の吐出を行い、前記第2のノズル群によって、前記単位領域の境界部への前記液滴の吐出を行うのが好ましい。
このようにすれば、連続した液滴によって膜(パターン)が形成されることにより、得られた膜(パターン)は連続性に優れた良好なものとなる。
【0009】
また、前記製膜方法においては、前記液状体は導電性材料を含むものであるのが好ましい。
このようにすれば、導電性膜、すなわち配線パターンを形成することができ、したがって形成する配線パターンを連続性に優れ、断線のおそれのない良好なものにすることができる。
【0010】
また、前記製膜方法においては、前記液滴吐出ヘッドにおいて、前記主ノズルと前記副ノズルとが交互に配置されてなるのが好ましい。
第1のノズル間の間隔を隣り合う単位領域間の間隔に対応させる際、通常は第1のノズル間の間隔の方が広いことから、第1のノズル間の間隔を見掛け上狭めるため、液滴吐出ヘッドを斜めに傾斜させる。その際、前記のように第1のノズル群と第2のノズル群とを交互に配置すれば、元々の第1のノズル間の間隔が狭いため、液滴吐出ヘッドの傾斜角を比較的小さくすることができる。
【0011】
また、前記製膜方法においては、前記液滴吐出ヘッドにおいて、前記ノズルの間隔は前記単位領域の間隔と等しくなるように設定されてなるのが好ましい。
この製膜方法は、液滴吐出ヘッドの傾き角度θを制御することなく、前記単位領域に対応した前記ノズルから当該単位領域に前記液滴を吐出する。従って、製膜装置においては、専用の液滴吐出ヘッドにより前記液滴を吐出するので、傾き角制御装置が不要になり、製膜装置の低コスト化を達成することができる。
【0012】
本発明の製膜装置では、基板上に複数の単位領域を設定し、前記単位領域に対して液滴吐出ヘッドより液状体からなる液滴を吐出し、前記基板上に膜を形成する製膜装置において、前記液滴吐出ヘッドに形成されてなるノズルのうちの所定個おきに配置されたノズルを主ノズルとし且つ前記主ノズル間に配置されたノズルを副ノズルとし、前記液滴吐出ヘッドの走査方向と斜めに交差するパターンを形成する工程において、前記主ノズルによって前記単位領域内に液滴を吐出し、前記副ノズルによって前記単位領域間の境界部であって前記主ノズルから吐出された液滴同士を接続する位置に液滴を吐出するように前記液滴吐出ヘッドの吐出動作を制御する制御部が備えられたことを特徴としている。
【0013】
この製膜装置によれば、主ノズルからなる第1のノズル群により第1のパターンを形成し、前記第1のノズル群とは異なる副ノズルからなる第2のノズル群により第2のパターンを形成するよう前記液滴吐出ヘッドの吐出動作を制御する制御部を備えているので、例えば第1のノズル群によって直線パターン及び傾斜線パターンを形成した際、傾斜線パターンにおいて単位領域内への液滴吐出だけでは液滴間の連続性が不十分であっても、第2のノズル群によって単位領域の境界部への液滴の吐出を、前記の第1のノズル群から吐出した傾斜線パターンにおける液滴間に行うことにより、傾斜線パターンにおいても液滴間が確実に連続したものにすることができる。
【0014】
また、前記製膜装置においては、前記液滴吐出装置に、液滴吐出ヘッドの傾き角度を制御する傾き角制御装置が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、傾き角制御装置によって液滴吐出ヘッドの傾き角度を制御することにより、ノズル間の間隔を隣り合う単位領域間の間隔に容易に対応させることが可能になる。
【0015】
また、前記製膜装置においては、前記液滴吐出装置に、液滴吐出ヘッドの各ノズルからの液滴吐出量を調整する吐出量調整手段が設けられているのが好ましい。
このようにすれば、吐出量調整手段によって液滴吐出ヘッドの各ノズルからの液滴吐出量を調整することにより、形成する膜の厚さやパターンの幅などを調整することが可能になる。特に、第1のノズル群と第2のノズル群との間で吐出量を調整することにより、形成するパターンの自由度を高めることができるとともに、特にそのパターン精度を高めることができる。
【0016】
本発明のデバイスでは、液滴を吐出することにより形成された膜を有するデバイスであって、前記膜は、所定方向に延びる第1パターンと、前記第1パターンに対して斜めに交差する方向に延びる第2パターンとを有し、前記第1パターンは、一定の大きさを有する第1液滴を前記所定方向に一定の間隔で連続的に吐出することにより形成され、前記第2パターンは、前記第1液滴と同じ大きさの第2液滴を前記1パターンに対して斜めに交差する方向であって且つ前記所定方向において前記第1液滴の吐出間隔と同じ間隔で吐出すると共に前記第2液滴よりも小さな第3液滴を前記第2液滴同士の間に吐出することにより形成されていることを特徴としている。
このデバイスによれば、連続性に優れた良好な膜(パターン)を備えたものとなる。
【0017】
本発明のデバイスの製造方法では、基板上に複数の単位領域を設定し、前記単位領域に対して液滴吐出ヘッドより液状体からなる液滴を吐出して前記基板上に膜を形成して製造するデバイスの製造方法において、前記液滴吐出ヘッドに形成されてなるノズルのうちの所定個おきに配置されたノズルを主ノズルとし且つ前記主ノズル間に配置されたノズルを副ノズルとし、前記液滴吐出ヘッドの走査方向と斜めに交差するパターンを形成する工程において、前記主ノズルによって前記単位領域内に液滴を吐出し、前記副ノズルによって前記単位領域間の境界部であって前記主ノズルから吐出された液滴同士を接続する位置に液滴を吐出することにより前記膜を形成する工程を有することを特徴としている。
このデバイスの製造方法によれば、連続性に優れた良好な膜(パターン)を有するデバイスを製造することができる。
【0018】
本発明の電子機器は、前記のデバイスを備えたことを特徴としている。
この電子機器によれば、優れたデバイス性能を有するものとなる。
【0019】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を詳しく説明する。
図1は本発明の製膜装置の一例を示す図であり、図1中符号30は製膜装置である。この製膜装置30は、ベース31、基板移動手段32、ヘッド移動手段33、液滴吐出ヘッド34、液供給手段35、制御部40等を有して構成されたものである。ベース31は、その上に前記基板移動手段32、ヘッド移動手段33を設置したものである。
【0020】
基板移動手段32は、ベース31上に設けられたもので、Y軸方向に沿って配置されたガイドレール36を有したものである。この基板移動手段32は、例えばリニアモータ(図示せず)により、スライダ37をガイドレール36に沿って移動させるよう構成されたものである。
スライダ37上にはステージ39が固定されている。このステージ39は、基板Sを位置決めし保持するためのものである。すなわち、このステージ39は、公知の吸着保持手段(図示せず)を有し、この吸着保持手段を作動させることにより、基板Sをステージ39の上に吸着保持するようになっている。基板Sは、例えばステージ39の位置決めピン(図示せず)により、ステージ39上の所定位置に正確に位置決めされ、保持されるようになっている。
ステージ39上の基板Sに対し、その両側、すなわち後述する液滴吐出ヘッド34の移動方向(X軸方向)での両側には、液滴吐出ヘッド34にフラッシングを行わせるためのフラッシングエリア41が設けられている。
【0021】
ヘッド移動手段33は、ベース31の後部側に立てられた一対の架台33a、33aと、これら架台33a、33a上に設けられた走行路33bとを備えてなるもので、該走行路33bをX軸方向、すなわち前記の基板移動手段32のY軸方向と直交する方向に沿って配置したものである。走行路33bは、架台33a、33a間に渡された保持板33cと、この保持板33c上に設けられた一対のガイドレール33d、33dとを有して形成されたもので、ガイドレール33d、33dの長さ方向に液滴吐出ヘッド34を搭載するキャリッジ42を移動可能に保持したものである。キャリッジ42は、リニアモータ(図示せず)等の作動によってガイドレール33d、33d上を走行し、これにより液滴吐出ヘッド34をX軸方向に移動させるよう構成されたものである。ここで、このキャリッジ42は、ガイドレール33d、33dの長さ方向、すなわちX軸方向に例えば1μm単位で移動が可能になっており、このような移動は制御部40によって制御されるようになっている。
【0022】
液滴吐出ヘッド34は、前記キャリッジ42に取付部43を介して回動可能に取り付けられたものである。取付部43にはモータ44が設けられており、液滴吐出ヘッド34はその支持軸(図示せず)がモータ44に連結している。これにより、液滴吐出ヘッド34はその周方向に回動可能となっている。また、モータ44も前記制御部40に接続されており、これによって液滴吐出ヘッド34はその周方向への回動、すなわち液滴吐出ヘッド34の傾き角度が、制御部40に制御されるようになっている。このような構成のもとに、モータ44および液滴吐出ヘッド34を支持する支持軸と、制御部40とにより、本発明における傾き角制御装置(図示せず)が形成されている。
【0023】
ここで、液滴吐出ヘッド34は、図2(a)に示すように例えばステンレス製のノズルプレート12と振動板13とを備え、両者を仕切部材(リザーバプレート)14を介して接合したものである。ノズルプレート12と振動板13との間には、仕切部材14によって複数の空間15と液溜まり16とが形成されている。各空間15と液溜まり16の内部は液状体で満たされており、各空間15と液溜まり16とは供給口17を介して連通したものとなっている。また、ノズルプレート12には、空間15から液状体を噴射するためのノズル孔18が縦横に整列させられた状態で複数形成されている。一方、振動板13には、液溜まり16に液状体を供給するための孔19が形成されている。
【0024】
また、振動板13の空間15に対向する面と反対側の面上には、図2(b)に示すように圧電素子(ピエゾ素子)20が接合されている。この圧電素子20は、一対の電極21の間に位置し、通電するとこれが外側に突出するようにして撓曲するよう構成されたものである。そして、このような構成のもとに圧電素子20が接合されている振動板13は、圧電素子20と一体になって同時に外側へ撓曲するようになっており、これによって空間15の容積が増大するようになっている。したがって、空間15内に増大した容積分に相当する液状体が、液溜まり16から供給口17を介して流入する。また、このような状態から圧電素子20への通電を解除すると、圧電素子20と振動板13はともに元の形状に戻る。したがって、空間15も元の容積に戻ることから、空間15内部の液状体の圧力が上昇し、ノズル孔18から基板に向けて液状体の液滴22が吐出される。
【0025】
なお、このような構成からなる液滴吐出ヘッド34は、その底面形状が略矩形状のもので、図3に示したようにノズルN(ノズル孔18)が縦に等間隔で整列した状態で矩形状に配置されたものである。そして、本例では、その縦方向、すなわち長辺方向に配置されたノズルの列における、各ノズルのうちの1個置きに配置されたノズルを主ノズル(第1のノズル)Naとし、これら主ノズルNa間に配置されたノズルを副ノズル(第2のノズル)Nbとしている。
【0026】
これら各ノズルN(ノズルNa、Nb)には、それぞれに独立して圧電素子20が設けられていることにより、その吐出動作がそれぞれ独立してなされるようになっている。すなわち、このような圧電素子20に送る電気信号としての吐出波形を制御することにより、各ノズルNからの液滴の吐出量を調整し、変化させることができるようになっているのである。ここで、このような吐出波形の制御は制御部40によってなされるようになっており、このような構成のもとに、制御部40は各ノズルNからの液滴吐出量を変化させる吐出量調整手段としても機能するようになっている。
なお、液滴吐出ヘッド34の方式としては、前記の圧電素子20を用いたピエゾジェットタイプ以外に限定されることなく、例えばサーマル方式を採用することもでき、その場合には印可時間を変化させることなどにより、液滴吐出量を変化させることができる。
【0027】
液供給手段35は、液滴吐出ヘッド34に液状体を供給する液供給源45と、この液供給源45から液滴吐出ヘッド34に液を送るための液供給チューブ46とからなるものである。液状体としては、特に限定されることなく形成する膜の求められる特性に応じ種々のものが用いられる。例えば、後述するように形成する膜を配線パターンとする場合、以下のような導電性微粒子を含有する液状体が用いられる。なお、膜の求められる特性によっては、絶縁性微粒子を含む液状体を液滴吐出ヘッドより吐出して絶縁性パターンを形成することに応用してもよい。
【0028】
導電性微粒子を含有する液状体としては、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液が用いられる。ここで用いられる導電性微粒子は、金、銀、銅、パラジウム、ニッケルのいずれかを含有する金属微粒子の他、導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。
これら導電性微粒子については、分散性を向上させるためその表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
導電性微粒子の粒径は5nm以上0.1μm以下であることが好ましい。0.1μmより大きいと、後述する液滴吐出装置のヘッドのノズルの目詰まりが起こりやすく、液滴吐出法による吐出が困難になるからである。また、5nmより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となるからである。
【0029】
導電性微粒子を含有する液体の分散媒としては、室温での蒸気圧が0.001mmHg以上200mmHg以下(約0.133Pa以上26600Pa以下)であるものが好ましい。蒸気圧が200mmHgより高いと、吐出後に分散媒が急激に蒸発してしまい、良好な膜を形成することが困難となるからである。
また、分散媒の蒸気圧は0.001mmHg以上50mmHg以下(約0.133Pa以上6650Pa以下)であるのがより好ましい。蒸気圧が50mmHgより高いと、液滴吐出法で液滴を吐出する際に乾燥によるノズル詰まりが起こり易く、安定な吐出が困難になるからである。
一方、室温での蒸気圧が0.001mmHgより低い分散媒の場合には、乾燥が遅くなって膜中に分散媒が残留しやすくなり、後工程の熱及び/又は光処理後に良質の導電膜が得られにくくなる。
【0030】
使用する分散媒としては、前記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。具体的には、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、n−ヘプタン、n−オクタン、デカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、1,2−ジメトキシエタン、ビス(2−メトキシエチル)エーテル、p−ジオキサンなどのエーテル系化合物、更にプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、N−メチル−2−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を挙げることができる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法への適用のし易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、更に好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。これらの分散媒は、単独でも、あるいは2種以上の混合物としても使用することができる。
【0031】
前記導電性微粒子を分散媒に分散する場合の分散質濃度としては、1質量%以上80質量%以下とするのが好ましく、所望の導電膜の膜厚に応じて調整することができる。80質量%を超えると凝集をおこしやすくなり、均一な膜が得にくくなる。
前記導電性微粒子の分散液(液状体)の表面張力としては、0.02N/m以上0.07N/m以下の範囲とするのが好ましい。液滴吐出法にて液状体を吐出する際、表面張力が0.02N/m未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じ易くなり、0.07N/mを超えると、ノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため、吐出量、吐出タイミングの制御が困難になるからである。
【0032】
表面張力を調整するため、前記分散液には、基板Sとの接触角を不当に低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加することができる。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を良好化し、膜のレベリング性を改良し、塗膜のぶつぶつの発生、ゆず肌の発生などの防止に役立つものである。
前記分散液は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでいても差し支えない。
【0033】
前記分散液の粘度は1mPa・s以上50mPa・s以下であるのが好ましい。液滴吐出法にて吐出する際、粘度が1mPa・sより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が50mPa・sより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となるからである。
【0034】
制御部40は、コンピュータ等からなるもので、前述したように液滴吐出ヘッド34の傾き角度を制御するとともに、各ノズルNからの液滴吐出量を制御するものとなっている。また、この制御部40では、予めデータが入力されることにより、基板S上に格子状の複数の単位領域を設定しておき、このような単位領域に対し、前記主ノズルNaからはこの単位領域内に液状体の液滴の吐出を行わせるようにし、一方、前記副ノズルNbからはこの単位領域間の境界部に液状体の液滴の吐出を行わせるよう、前記液滴吐出ヘッド34の吐出動作を制御するものとなっている。
【0035】
(プラズマ表示装置)
次に、本発明の製膜方法の一例として、前記の製膜装置1を用いた配線パターンの形成方法について説明する。なお、ここでは、配線パターンとしてプラズマ表示装置における配線パターンを形成する例について説明する。
図4は、本発明の製膜方法が適用されるプラズマ表示装置のブロック図であり、図4中符号52はプラズマ表示装置である。このプラズマ表示装置52は、マトリクス形式のカラー表示デバイスであるAC型のプラズマディスプレイパネル51と、画面(スクリーン)を構成する多数のセルを選択的に点灯させるための駆動ユニット53とを備えたものである。
【0036】
プラズマディスプレイパネル51は、一対のサステイン電極Xd、Ydが平行配置された面放電形式のプラズマディスプレイパネルであり、各セルにサステイン電極Xd、Ydとアドレス電極Aとが対応する3電極構造の電極マトリクスを有したものである。サステイン電極Xd、Ydは、画面のライン方向(水平方向)に延びたもので、一方のサステイン電極Ydは、アドレッシングに際してライン単位にセルを選択するためのスキャン電極として用いられるものである。アドレス電極Aは、列単位にセルを選択するためのデータ電極であり、列方向(垂直方向)に延びたものである。駆動ユニット53は、コントローラ54、フレームメモリ55、Xドライバ回路56、Yドライバ回路57、アドレスドライバ回路58、及び図示しない電源回路を有して構成されたものである。この駆動ユニット53には、外部装置から各ピクセルのRGBの輝度レベル(階調レベル)を示す多値の映像データDR、DG、DBが、各種の同期信号とともに入力されるようになっている。
【0037】
映像データDR、DG、DBは、フレームメモリ55に一旦格納された後、コントローラ54により各色毎にサブフレームデータDsfに変換され、再びフレームメモリ55に格納されるようになっている。サブフレームデータDsfは、階調表示のために1フレームを分割した各サブフレームにおけるセルの点灯の要否を示す2値データの集合である。Xドライバ回路56は、サステイン電極Xdに対する電圧印加を担い、Yドライバ回路57は、サステイン電極Ydに対する電圧印加を担うものである。アドレスドライバ回路58は、フレームメモリ55から転送されたサブフレームデータDsfに応じて、アドレス電極Aに選択的にアドレス電極を印加するものである。
【0038】
図5は、図4に示したプラズマ表示装置の配線のうちの一部を示した拡大模式図である。図5に示す模式図において、基板S上には、X軸方向に延在する直線パターン61と、この直線パターン61に接続し、直線パターン61の延在方向に対して傾斜する方向に延在する傾斜線パターン62とが形成されている。傾斜線パターン62は、例えば図4におけるドライバ回路とサステイン電極とを接続する引き出し線である。一方、直線パターン61は、例えばサステイン電極である。
【0039】
以下、図5に示した配線パターン60の形成手順を例にして説明する。
まず、製膜装置30の制御部40において、図6(a)に示すように、基板S上に格子状の複数のビット(単位領域)BからなるビットマップMを設定する。また、制御部40によって液滴吐出ヘッド34の傾き角度θを制御し、図6(a)中に示したように、液滴吐出ヘッド34の主ノズルNaを各ビットBの中心に対応させる。このようにすると、ビット(単位領域)Bは正方形状に設定されていることから、主ビットNa間に位置する副ビットNbはビット(単位領域)B間の境界部、すなわちビットBを構成するラインLの交点C上に対応するようになる。
【0040】
次に、ビットマップM上において、形成する配線パターン6の寸法・形状に対応させてそのビットB内に液滴を吐出する位置を設定する。続いて、液滴吐出ヘッド34の主ノズルNaから設定したビットBの中心に向けて液滴22を吐出し、図6(b)に示すようにビットB(単位領域)内に液滴22を着弾させる。ここで、吐出する液滴22の大きさ(体積)としては、着弾後の液滴Tの直径がビットBの一辺の長さより少し大きくなる程度、すなわち、縦または横方向に隣接するビットB間にて着弾した液滴Tどうしが、その周縁部の一部を重ね合わせるようになる程度の大きさとする。
【0041】
このようにして液滴の吐出を行うことにより、直線パターン61を形成するビットBでは、着弾後の各液滴Tが隣り合うものどうし互いに重なることにより、連続したものとなる。ところが、傾斜線パターン62を形成するビットB、すなわち斜めに配置されたビットB、B間では、液滴T間の距離がドットB(単位領域)の対角線の長さとなり、ビットBの一辺の長さの約1.4倍となることから、斜めに隣り合う液滴Tどうしが重なり合わず、不連続になっている。
【0042】
そこで、この傾斜線パターン62を形成するビットBでは、液滴吐出ヘッド34の主ノズルNaから液滴を吐出した後、図6(c)に示すように副ノズルNbから液滴を吐出し、斜めに位置するビットB、B間の境界部、すなわち図6(c)に示すラインLの交点C上に液滴Tsを着弾させる。このとき、副ノズルNbから吐出する液滴22(Ts)の大きさ(体積)としては、主ノズルNaから吐出する液滴(T)と同じにしてもよいが、その場合には、傾斜線パターン62を形成するビットBでの液状体の量が直線パターン61を形成するビットBでの液状体の量よりかなり多くなり、これによって直線パターン61に比べ傾斜線パターン62の方がその線幅が太くなったり、膜厚が厚くなったりしてしまう。
【0043】
したがって、副ノズルNbから吐出する液滴(Ts)については、予め制御部40によってその吐出波形を制御しておくことにより、主ノズルNaから吐出する液滴(T)より十分に小さくしておく。例えば、傾斜線パターン62における主ノズルNaから吐出された液滴Tと副ノズルNbから吐出された液滴Tsとの重なり量が、直線パターン61を形成する液滴T、T間の重なり量とほぼ同じになるように、副ノズルNbから吐出する液滴(Ts)の大きさを制御するのが好ましい。
【0044】
このようにして直線パターン61、傾斜線パターン62を液滴T、Tsによってそれぞれ形成したら、乾燥を行うことにより、液滴(液状体)中の液分を蒸発させ、導電性微粒子のみを基板S上に残す。さらに、焼成を行うことにより、導電性微粒子を焼結し、図5に示した連続した直線パターン61および傾斜線パターン62からなる配線パターン60を得る。
【0045】
このようにして形成した配線パタ−ン60にあっては、傾斜線パターン62においても、ビットマップM上にて斜めに位置するビットBにそれぞれ主ノズルNaから吐出された液滴が着弾されているとともに、これらビットB間の境界部、すなわちラインLの交点C上にも副ノズルNbから吐出された液滴が着弾されているので、液滴T、T間で不連続となる箇所が発生することなく、確実に連続したものとなる。よって、直線パターン61においてはもちろん、傾斜線パターン62においても断線などが生じることのない、信頼性の高い良好な配線パターン60となる。
【0046】
また、このような配線パターン60の製造方法にあっては、前記の良好な配線パターン60を形成することができる。さらに、主ノズルを各ビットBに対応させ、副ノズルNbをビットB、B間の境界部に対応させているので、ビットBへの吐出は従来と同様に液滴吐出ヘッド34を図1に示したX軸方向に移動させることなく行うことができ、またビットB、B間の境界部への吐出も液滴吐出ヘッド34をX軸方向に移動させることなく行うことができる。したがって、走査速度を高速に設定できることなどによって吐出に要する時間を短くすることができるとともに、吐出精度も十分に高くすることができ、これにより高精度で信頼性の高い配線パターン60を短時間で効率よく形成することができる。
【0047】
また、このような配線パターン60を有したデバイス(本例ではプラズマ表示装置)では、信頼性の高い良好な配線パターン60を有することにより、信頼性のたかいものとなる。
【0048】
なお、液滴吐出ヘッド34からの液滴の吐出動作については、前述したように主ノズルNaからの吐出を行った後、副ノズルNbからの吐出を行うのに限定されることなく、副ノズルNbからの吐出を行った後、主ノズルNaからの吐出を行うようにしてもよく、さらに、主ノズルNaからの吐出動作と副ノズルNbからの吐出動作を並行して行うようにしてもよい。
また、これら主ノズルNa、副ノズルNbの吐出動作については、所望する膜厚を得るべく、同じ箇所に複数回吐出を行い、重ね塗りを行うようにしてもよい。その際、必要に応じて吐出動作の間に乾燥工程を挟むようにしてもよい。
【0049】
また、前記例では、各ノズルのうちの1個置きに配置されたノズルを主ノズルNaとし、これら主ノズルNa間に配置されたノズルを副ノズルNbとしたが、本発明はこれに限定されることなく、2個置き、あるいは3個置きなどに配置されたノズルを主ノズルNaとしてもよい。その場合には、主ノズルNaをビットBに対応させるため、液滴吐出ヘッド34の傾き角度θをより大きくする必要があるが、副ノズルNbの個数が増える分、ビットBに対応しない位置への液滴吐出の自由度を高めることができ、これによって形成するパターンの自由度をより高めることができる。
また、形成するパターンに応じて、例えば液滴吐出ヘッド34の走査毎にその傾き角度θを変化させ、主ノズルNa間に設定する副ノズルNbの個数を適宜に変えるようにしてもよい。
【0050】
また、前記例では、本発明における膜として配線パターンを形成するようにしたが、本発明はこれに限定されることなく、デバイス等に形成される全ての膜、例えば各種絶縁膜や保護膜、さらにはカラーフィルタや発光材料などの形成にも適用可能である。
【0051】
次に、本発明の製膜方法の他の例について説明する。
先に記載した実施形態においては、液滴吐出ヘッド34の傾き角度θを制御することにより主ノズルNaを各ビットBの中心に対応させているが、本例は傾き角度θを制御することなく配線パターンを形成するものである。
なお、本例では、異なる部分のみを説明し、先の実施形態と同一部分には同一符号を付して説明を省略する。
【0052】
本例においては、先に記載した液滴吐出ヘッド34と異なる構成の液滴吐出ヘッド34’が用いられ、当該液滴吐出ヘッド34’は、図7(a)に示すようにビットB、B間の中心間距離(単位領域の間隔)BPと主ノズルNaのピッチ幅(ノズルの間隔)NPとが等しく設定されたノズルNを備えている。即ち、液滴吐出ヘッド34’は、特定の中心間距離BPで液体吐出を行うための、所謂専用ヘッドである。なお、副ノズルNbは、ラインLの交点C上、即ちビットB、B間の境界部に対応している。
【0053】
このように構成された液滴吐出ヘッド34’を用いた製膜方法は、傾き角度θを制御する必要がなく、図7(b)に示すように液滴T及び液滴Tsを基板Sに着弾するので、先の実施形態と同様に配線パターン60(図5参照)を形成することができる。
また、傾き角度θを制御する必要がないため、製膜装置30においては、取り付け部43のモータ44を省略することが可能になり、製膜装置30の低コスト化を達成することができる。
【0054】
なお、本例においては、配線パターン60の製膜方法について説明したが、当該配線パターン60に限定することなく、種種のパターンに応じて製膜できる。例えば、中心間距離BPが比較的大きい場合、即ち、ビットマップMが粗い場合には、当該中心間距離BPに応じてピッチ幅NPが大きい主ノズルNaを備えた液滴吐出ヘッドが用いられる。
また、本例においては、ピッチ幅NPが中心間距離BPと等しく設定されているが、ピッチ幅NPは、中心間距離BPと所定に対応していればよく、例えば中心距離BPの半分の長さでもよい。この場合には、製膜装置30のステージ39と液滴吐出ヘッド34とを好適に相対移動させることにより、ビットBに液滴Tが着弾される。
【0055】
(液晶表示装置)
次に、本発明の製造方法が適用されるデバイスとして、液晶表示装置について説明する。なお、当該液晶表示装置の製造方法は、先に記載の配線パターンの形成方法と同様であるため、説明を省略する。
【0056】
図8は、液晶表示装置を説明するための図であって、図8(a)は液晶表示装置の画像表示領域を構成する、スイッチング素子等の各種素子及び配線等の等価回路であり、図8(b)は液晶表示装置の要部を示し、各画素が備えるスイッチング素子と画素電極との構造を説明するための断面拡大図である。
【0057】
図8(a)に示すように液晶表示装置100は、マトリクス状に配置された走査線101及びデータ線102と、画素電極130と、当該画素電極130を制御するための画素スイッチング用TFT(以下、TFTと称す。)110が複数形成されている。走査線101においては、パルス的に走査信号Q1、Q2、…、Qmが供給されるようになっており、データ線102においては、画像信号P1、P2、…、Pnが供給されるようになっている。更に、走査線101及びデータ線102は後述するようにTFT110と接続されており、走査信号Q1、Q2、…、Qm及び画像信号P1、P2、…、Pnによって、TFT110が駆動するようになっている。更に、所定レベルの画像信号P1、P2、…、Pnを一定期間保持する蓄積容量120が形成され、当該蓄積容量120には容量線103が接続されている。
【0058】
次に、図8(b)を参照し、TFT110の構造について説明する。
図8(b)に示すようにTFT110は、所謂ボトムゲート型(逆スタガ型)構造のTFTである。具体的な構造としては、液晶表示装置100の基材となる絶縁基板100aと、絶縁基板100aの表面に形成された下地保護膜100Iと、ゲート電極110Gと、ゲート絶縁膜110Iと、チャネル領域110Cと、チャネル保護用の絶縁膜112Iとがこの順序で積層されている。絶縁膜112Iの両側には高濃度N型のアモルファスシリコン膜のソース領域110S及びドレイン領域110Dが形成され、これらのソース・ドレイン領域110S、110Dの表面にはソース電極111S及びドレイン電極111Dが形成されている。
【0059】
更に、それらの表面側には層間絶縁膜112Iと、ITO等の透明電極からなる画素電極130とが形成され、画素電極130は層間絶縁膜130のコンタクトホールを介してドレイン電極111Dに電気的に接続されている。
ここで、ゲート電極110Gは走査線101の一部分であり、また、ソース電極111Sはデータ線102の一部分である。更に、ゲート電極110G及び走査線101は、先に記載した配線パターンの形成方法によって形成されている。
【0060】
このような液晶表示装置においては、走査信号Q1、Q2、…、Qmに応じて走査線101からゲート電極110Gに電流が供給され、ゲート電極110Gの近傍に電界が生じ、当該電界の作用によりチャネル領域110Cが導通状態となる。更に、当該導通状態において、画像信号P1、P2、…、Pnに応じてデータ線102からソース電極111Sに電流が供給され、画素電極130に導通し、画素電極130と対向電極間に電圧が付与される。即ち、走査信号Q1、Q2、…、Qm及び画像信号P1、P2、…、Pnを制御することにより、液晶表示装置を所望に駆動することができる。
【0061】
このように構成された液晶表示装置においては、先に記載の配線パターンの形成方法によってゲート電極110G及び走査線101が形成されているので、断線等の欠陥のない、良好かつ信頼性が高い配線パターンとなる。従って、信頼性が高い液晶表示装置となる。即ち、先に記載したように同様の効果を奏する。
なお、本実施形態の配線パターンの形成方法は、ゲート電極110G及び走査線101に限定せずに、データ線102等、他の配線の形成方法においても適用可能である。
【0062】
(電界放出ディスプレイ)
次に、本発明の製造方法が適用されるデバイスとして、電界放出素子を備えた電界放出ディスプレイ(Field Emission Display、以下FEDと称す。)について説明する。なお、FEDの製造方法は、先に記載の配線パターンの形成方法と同様であるため、説明を省略する。
【0063】
図9は、FEDを説明するための図であって、図9(a)はFEDを構成するカソード基板とアノード基板の配置を示した概略構成図、図9(b)はFEDのうちカソード基板が具備する駆動回路の模式図、図9(c)はカソード基板の要部を示した斜視図である。
【0064】
図9(a)に示すようにFED200は、カソード基板200aとアノード基板200bとを対向配置された構成となっている。カソード基板200aは、図9(b)に示すようにゲート線201と、エミッタ線202と、当該ゲート線201とエミッタ線202とに接続された電界放出素子203とを具備しており、即ち、所謂単純マトリクス駆動回路となっている。ゲート線201においては、ゲート信号V1、V2、…、Vmが供給されるようになっており、エミッタ線202においては、エミッタ信号W1、W2、…、Wnが供給されるようになっている。また、アノード基板200bは、RGBからなる蛍光体を備えており、当該蛍光体は電子が当ることにより発光する性質を有する。
【0065】
図9(c)に示すように、電界放出素子203はエミッタ線202に接続されたエミッタ電極203aと、ゲート線201に接続されたゲート電極203bとを備えた構成となっている。更に、エミッタ電極203aは、エミッタ電極203a側からゲート電極203bに向かって小径化するエミッタティップ205と呼ばれる突起部を備えており、当該エミッタティップ205と対応した位置にゲート電極203bに孔部204が形成され、当該孔部204内にエミッタティップ205の先端が配置されている。
【0066】
このようなFED200においては、ゲート線201のゲート信号V1、V2、…、Vm、及びエミッタ線202のエミッタ信号W1、W2、…、Wnを制御することにより、エミッタ電極203aとゲート電極203bとの間に電圧が供給され、電解の作用によってエミッタティップ205から孔部204に向かって電子210が移動し、エミッタティップ205の先端から電子210が放出される。ここで、当該電子210とアノード基板200bの蛍光体とが当ることにより発光するので、所望にFED200を駆動することが可能になる。
【0067】
このように構成されたFEDにおいては、先に記載の配線パターンの形成方法によってエミッタ電極203a及びエミッタ線202が形成されているので、断線等の欠陥のない、良好かつ信頼性が高い配線パターンとなる。従って、信頼性が高い液晶表示装置となる。即ち、先に記載したように同様の効果を奏する。
なお、本実施形態の配線パターンの形成方法は、エミッタ電極203a及びエミッタ線202に限定せずに、ゲート電極203b及びゲート線201等、他の配線の形成方法においても適用可能である。
【0068】
なお、本発明の製造方法が適用されるデバイスとしては、配線パターンを備えた他のデバイスにおいても適用が可能である。例えば、有機エレクトロルミネッセンス装置に形成される配線パターンの製造や、電気泳動装置内に形成される配線パターンの製造等に対しても、もちろん適用可能である。
【0069】
次に、前記例の製造方法が適用された表示装置(例えば前記のプラズマ表示装置)を備えた電子機器の例について説明する。
図10(a)は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図10(a)において、符号600は携帯電話本体を示し、符号601は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図10(b)は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図10(b)において、符号700は情報処理装置、符号701はキーボードなどの入力部、符号702は前記の表示装置を用いた表示部、符号703は情報処理装置本体を示している。
図10(c)は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図10(c)において、符号800は時計本体を示し、符号801は前記の表示装置を用いた表示部を示している。
図10(a)〜(c)に示す電子機器は、前記の表示装置を備えているので、優れたデバイス性能を有するものとなる。
【0070】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、第1のノズル群により第1のパターンを形成し、前記第1のノズル群とは異なる第2のノズル群により第2のパターンを形成するので、例えば第1のノズル群によって直線パターン及び傾斜線パターンを形成した際、傾斜線パターンにおいて単位領域内への液滴吐出だけでは液滴間の連続性が不十分であっても、第2のノズル群によって単位領域の境界部への液滴の吐出を、前記の第1のノズル群から吐出した傾斜線パターンにおける液滴間に行うことにより、傾斜線パターンにおいても液滴間を確実に連続させることができる。したがって、このように連続した液滴によって膜(パターン)を形成することにより、得られた膜(パターン)を連続性に優れた良好なものとすることができ、これにより安定した吐出動作を維持しつつスループットを向上させ、高性能なデバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の製膜装置の一例を示す概略斜視図である。
【図2】 液滴吐出ヘッドの概略構成を説明するための図であり、(a)は要部斜視図、(b)は要部側断面図である。
【図3】 液滴吐出ヘッドにおけるノズルの配置を説明するための、液滴吐出ヘッドの要部底面図である。
【図4】 本発明の製膜方法が適用されるプラズマ表示装置のブロック図である。
【図5】 配線パターンの模式図である。
【図6】(a)〜(c)は、図5に示した配線パターンの形成手順を説明するための図である。
【図7】 本発明の他の製膜方法の形成手順を説明するための図である。
【図8】 本発明の製膜方法が適用される液晶表示装置を示す図であり、(a)は画像表示領域の等価回路、(b)は各画素の構造を説明するための断面拡大図である。
【図9】 本発明の製膜方法が適用される電界放出装置を示す図であり、(a)は概略構成図、(b)は駆動回路の模式図、(c)は要部を示した斜視図である。
【図10】 電子機器の具体例を示す図であり、(a)は携帯電話に適用した場合の一例を示す斜視図、(b)は情報処理装置に適用した場合の一例を示す斜視図、(c)は腕時計型電子機器に適用した場合の一例を示す斜視図である。
【符号の説明】
30…製膜装置、34、34’…液滴吐出ヘッド、40…制御部、 60…配線パターン、61…直線パターン、62…傾斜線パターン、 S…基板、N…ノズル、Na…主ノズル(第1のノズル)、 Nb…副ノズル(第2のノズル)、B…ビット(単位領域)、 M…ビットマップ、L…ライン(境界部)、C…交点(境界部)、NP…ピッチ幅(互いに隣り合うノズルの間隔)、BP…中心間距離(互いに隣り合う単位領域の中心間距離)

Claims (11)

  1. 基板上に複数の単位領域を設定し、前記単位領域に対して液滴吐出ヘッドより液状体からなる液滴を吐出し、前記基板上に膜を形成する製膜方法において、
    前記液滴吐出ヘッドに形成されてなるノズルのうちの所定個おきに配置されたノズルを主ノズルとし且つ前記主ノズル間に配置されたノズルを副ノズルとし、
    前記液滴吐出ヘッドの走査方向と斜めに交差するパターンを形成する工程において、前記主ノズルによって前記単位領域内に液滴を吐出し、前記副ノズルによって前記単位領域間の境界部であって前記主ノズルから吐出された液滴同士を接続する位置に液滴を吐出することを特徴とする製膜方法。
  2. 前記副ノズルから吐出する液滴は前記主ノズルから吐出される液滴よりも小さいことを特徴とする請求項1に記載の製膜方法。
  3. 前記液状体は導電性材料を含むことを特徴とする請求項1又は2記載の製膜方法。
  4. 前記液滴吐出ヘッドにおいて、前記主ノズルと前記副ノズルとが交互に配置されてなることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の製膜方法。
  5. 前記液滴吐出ヘッドにおいて、前記ノズルの間隔は前記単位領域の間隔と等しくなるように設定されていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の製膜方法。
  6. 基板上に複数の単位領域を設定し、前記単位領域に対して液滴吐出ヘッドより液状体からなる液滴を吐出し、前記基板上に膜を形成する製膜装置において、
    前記液滴吐出ヘッドに形成されてなるノズルのうちの所定個おきに配置されたノズルを主ノズルとし且つ前記主ノズル間に配置されたノズルを副ノズルとし、
    前記液滴吐出ヘッドの走査方向と斜めに交差するパターンを形成する工程において、前記主ノズルによって前記単位領域内に液滴を吐出し、前記副ノズルによって前記単位領域間の境界部であって前記主ノズルから吐出された液滴同士を接続する位置に液滴を吐出するように前記液滴吐出ヘッドの吐出動作を制御する制御部が備えられたことを特徴とする製膜装置。
  7. 前記液滴吐出装置には、液滴吐出ヘッドの傾き角度を制御する傾き角制御装置が設けられてなることを特徴とする請求項6に記載の製膜装置。
  8. 前記液滴吐出装置には、液滴吐出ヘッドの各ノズルからの液滴吐出量を調整する吐出量調整手段が設けられていることを特徴とする請求項6又は7記載の製膜装置。
  9. 液滴を吐出することにより形成された膜を有するデバイスであって、
    前記膜は、所定方向に延びる第1パターンと、前記第1パターンに対して斜めに交差する方向に延びる第2パターンとを有し、
    前記第1パターンは、一定の大きさを有する第1液滴を前記所定方向に一定の間隔で連続的に吐出することにより形成され、
    前記第2パターンは、前記第1液滴と同じ大きさの第2液滴を前記1パターンに対して斜めに交差する方向であって且つ前記所定方向において前記第1液滴の吐出間隔と同じ間隔で吐出すると共に前記第2液滴よりも小さな第3液滴を前記第2液滴同士の間に吐出することにより形成されていることを特徴とするデバイス。
  10. 基板上に複数の単位領域を設定し、前記単位領域に対して液滴吐出ヘッドより液状体からなる液滴を吐出して前記基板上に膜を形成して製造するデバイスの製造方法において、
    前記液滴吐出ヘッドに形成されてなるノズルのうちの所定個おきに配置されたノズルを主ノズルとし且つ前記主ノズル間に配置されたノズルを副ノズルとし、
    前記液滴吐出ヘッドの走査方向と斜めに交差するパターンを形成する工程において、前記主ノズルによって前記単位領域内に液滴を吐出し、前記副ノズルによって前記単位領域間の境界部であって前記主ノズルから吐出された液滴同士を接続する位置に液滴を吐出することにより前記膜を形成する工程を有することを特徴とするデバイスの製造方法。
  11. 請求項9記載のデバイスを備えたことを特徴とする電子機器。
JP2003076109A 2002-04-19 2003-03-19 製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器 Expired - Fee Related JP4168795B2 (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003076109A JP4168795B2 (ja) 2002-04-19 2003-03-19 製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器
US10/400,526 US7278725B2 (en) 2002-04-19 2003-03-28 Layer forming method, layer forming apparatus, device, manufacturing method for device, and electronic apparatus
TW092108460A TWI224809B (en) 2002-04-19 2003-04-11 Layer forming method, layer forming apparatus, device, manufacturing method for device, and electronic apparatus
KR10-2003-0023268A KR20030083582A (ko) 2002-04-19 2003-04-14 제막 방법, 제막 장치, 디바이스, 디바이스의 제조 방법,및 전자 기기
CNB031226329A CN100452346C (zh) 2002-04-19 2003-04-16 涂层形成方法、涂层形成设备、装置、装置制造方法及电子设备
US11/878,083 US20070263031A1 (en) 2002-04-19 2007-07-20 Layer forming method, layer forming apparatus, device, manufacturing method for device, and electronic apparatus

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002118295 2002-04-19
JP2003076109A JP4168795B2 (ja) 2002-04-19 2003-03-19 製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2004000915A JP2004000915A (ja) 2004-01-08
JP4168795B2 true JP4168795B2 (ja) 2008-10-22

Family

ID=29217989

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003076109A Expired - Fee Related JP4168795B2 (ja) 2002-04-19 2003-03-19 製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7278725B2 (ja)
JP (1) JP4168795B2 (ja)
KR (1) KR20030083582A (ja)
CN (1) CN100452346C (ja)
TW (1) TWI224809B (ja)

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7997717B2 (en) * 2003-06-23 2011-08-16 Canon Kabushiki Kaisha Image forming method, image forming apparatus, intermediate transfer body, and method of modifying surface of intermediate transfer body
GB0403234D0 (en) * 2004-02-13 2004-03-17 Xaar Technology Ltd Method of operating droplet deposition apparatus
JP4148213B2 (ja) * 2004-10-21 2008-09-10 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および機能性膜
JP4155257B2 (ja) * 2004-10-21 2008-09-24 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および機能性膜
EP1827849B1 (en) * 2004-11-29 2012-02-22 Plastic Logic Limited Distortion compensation for printing
GB0426126D0 (en) 2004-11-29 2004-12-29 Plastic Logic Ltd Distortion compensation for multiple head printing
US7867561B2 (en) * 2005-06-22 2011-01-11 Canon Kabushiki Kaisha Circuit pattern forming method and circuit pattern forming device
KR100707279B1 (ko) * 2006-01-11 2007-04-12 주식회사 만도 통합 카메라 센서를 구비한 자동차
JP2007307547A (ja) * 2006-04-17 2007-11-29 Seiko Epson Corp 機能膜の形成方法、電極の製造方法および二次電池の製造方法
US9059223B2 (en) * 2007-12-12 2015-06-16 Intermolecular, Inc. Modular flow cell and adjustment system
JP5267519B2 (ja) * 2009-09-04 2013-08-21 カシオ計算機株式会社 吐出部、塗布装置及び塗布方法
JP5050074B2 (ja) * 2010-04-02 2012-10-17 シャープ株式会社 電子放出素子及びその製造方法
JP6329437B2 (ja) * 2014-06-10 2018-05-23 キヤノン株式会社 インプリント装置、インプリント方法、および物品の製造方法
US9833802B2 (en) * 2014-06-27 2017-12-05 Pulse Finland Oy Methods and apparatus for conductive element deposition and formation
US11227779B2 (en) * 2017-09-12 2022-01-18 Asm Technology Singapore Pte Ltd Apparatus and method for processing a semiconductor device
CN112156906B (zh) * 2020-09-25 2022-01-11 张家港盛港非金属材料科技有限公司 一种防板材侧面污染的喷涂装置及方法
CN113772246A (zh) * 2021-09-10 2021-12-10 贵州聚材科技有限公司 可以同时多点涂布储光与反光涂层的装置及其使用方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS55113573A (en) 1979-02-24 1980-09-02 Ricoh Co Ltd Ink jet plotter
JPS62290771A (ja) * 1986-06-10 1987-12-17 Fuji Xerox Co Ltd 熱静電インクジエツト記録用インク
US5726690A (en) * 1991-05-01 1998-03-10 Hewlett-Packard Company Control of ink drop volume in thermal inkjet printheads by varying the pulse width of the firing pulses
JP3015208B2 (ja) 1992-10-30 2000-03-06 キヤノン株式会社 インクジェット記録方法
JP2963072B2 (ja) 1996-09-30 1999-10-12 キヤノン株式会社 インクジェット記録方法及び装置及びカラーフィルタ及び表示装置及びこの表示装置を備えた装置
US6164746A (en) * 1993-09-24 2000-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Ink-jet printer method and apparatus, color filter, display device, apparatus having display device, ink-jet head unit adjusting device and method, and ink-jet head unit
JPH09320363A (ja) 1996-06-03 1997-12-12 Canon Inc 透明導電回路形成装置
US6582048B1 (en) * 1996-09-30 2003-06-24 Canon Kabushiki Kaisha Ink-jet print method and apparatus, color filter, display device, apparatus having display device, ink-jet head unit adjusting device and method, and ink-jet head unit
JPH10315450A (ja) 1997-05-16 1998-12-02 Canon Inc インクジェット記録装置及びその方法
US6378999B1 (en) * 1997-07-17 2002-04-30 Fuji Xerox Co., Ltd. Aqueous ink jet recording liquid and ink jet recording method
JPH1156279A (ja) * 1997-08-26 1999-03-02 Kiyoushiyoku:Kk 冷凍麺
JP4003273B2 (ja) * 1998-01-19 2007-11-07 セイコーエプソン株式会社 パターン形成方法および基板製造装置
JP4741045B2 (ja) 1998-03-25 2011-08-03 セイコーエプソン株式会社 電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
JP2000089019A (ja) 1998-09-10 2000-03-31 Canon Inc カラーフィルタとその製造方法、該カラーフィルタを用いた液晶素子
JP2000135467A (ja) 1998-10-30 2000-05-16 Fuji Photo Film Co Ltd 塗布装置及びスピンコート用ディスペンサ
US6371588B1 (en) * 1998-12-21 2002-04-16 Canon Kabushiki Kaisha Printhead and printing apparatus using printhead
JP2000198224A (ja) * 1999-01-05 2000-07-18 Citizen Watch Co Ltd 印刷治具、メンテナンス機構及び印刷装置
US6406115B2 (en) 1999-01-19 2002-06-18 Xerox Corporation Method of printing with multiple sized drop ejectors on a single printhead
JP2000216330A (ja) 1999-01-26 2000-08-04 Seiko Epson Corp 積層型半導体装置およびその製造方法
US6886912B2 (en) * 2003-01-15 2005-05-03 Xerox Corporation Method and apparatus for processing images having color combinations

Also Published As

Publication number Publication date
TW200307311A (en) 2003-12-01
CN100452346C (zh) 2009-01-14
CN1452235A (zh) 2003-10-29
US7278725B2 (en) 2007-10-09
US20070263031A1 (en) 2007-11-15
JP2004000915A (ja) 2004-01-08
KR20030083582A (ko) 2003-10-30
US20030198789A1 (en) 2003-10-23
TWI224809B (en) 2004-12-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4168795B2 (ja) 製膜方法、製膜装置、デバイス、デバイスの製造方法、及び電子機器
TWI292282B (en) Device, method of manufacture therefor, manufacturing method for active-matrix substrate, electrooptical apparatus and electronic apparatus
US7784425B2 (en) Droplet ejecting apparatus, electro-optic device, electronic apparatus, and droplet ejecting method
JP3966293B2 (ja) パターンの形成方法及びデバイスの製造方法
US7517735B2 (en) Method of manufacturing active matrix substrate, active matrix substrate, electro-optical device, and electronic apparatus
JP2004290959A (ja) パターンの形成方法及びパターン形成装置、デバイスの製造方法、導電膜配線、電気光学装置、並びに電子機器
JP3835449B2 (ja) 液滴塗布方法と液滴塗布装置及びデバイス並びに電子機器
KR20060089631A (ko) 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법, 액티브 매트릭스 기판,전기 광학 장치및 전자 기기
US7387903B2 (en) Method for manufacturing layer pattern, method for manufacturing wiring, and method for manufacturing electronic equipment
JP2004290962A (ja) 薄膜形成装置、電子光学装置及び電子機器
KR100705097B1 (ko) 배선 형성 방법
KR100841284B1 (ko) 금속 배선 형성 방법 및 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법
US20060110919A1 (en) Method of forming a wiring pattern, method of manufacturing a device, device, electro-optic device, and electronic instrument
JP4182468B2 (ja) デバイスの製造方法及びデバイス製造装置、デバイス及び電子機器
JP4572814B2 (ja) アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置並びに電子機器
JP2007049186A (ja) 配線形成方法
JP4955919B2 (ja) 配線形成方法
JP3932964B2 (ja) デバイスの製造方法及びデバイスの製造装置
JP2006065020A (ja) アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置並びに電子機器
KR100726275B1 (ko) 전자 방출 소자 및 전자 방출 소자의 제조 방법, 및 전기광학 장치, 전자 기기
JP2005052835A (ja) 膜パターンの形成方法、導電膜配線、電気光学装置、電子機器、非接触型カード媒体、及び薄膜トランジスタ
JP2007139953A (ja) アクティブマトリクス基板とその製造方法、及び電気光学装置並びに電子機器
JP2006065019A (ja) アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器
JP2006159110A (ja) 液滴吐出装置、電気光学装置並びに電子機器
JP2007142023A (ja) デバイスとその製造方法、配線形成方法及び電気光学装置並びに電子機器

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050302

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20050303

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20070515

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070702

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080715

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080728

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110815

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120815

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130815

Year of fee payment: 5

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees