JP2006065019A - アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 画素部の光透過面積の低下を抑えることができるアクティブマトリックス基板とその製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板Ｐ上に、格子パターンの配線４０，４２と、配線４０，４２に囲まれた領域に配置された画素電極４５と、基板Ｐと画素電極４５との間に配置される容量線４６と、を有するアクティブマトリックス基板２０であって、容量線４６を略透明にした。
【選択図】 図１

Description

本発明は、アクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器に関するものである。

ノートパソコン、携帯電話などの携帯機器の普及に伴い、薄くて軽量な液晶表示装置が幅広く用いられている。この種の液晶表示装置は、上基板及び下基板間に液晶層を挟持したものとなっている。
前記下基板（アクティブマトリックス基板）の一例を、図９に示す。同図に示すように、下基板１は、ガラス基板２と、このガラス基板２上に互いに交差するように配線されたゲート走査電極３及びソース電極４と、同じくガラス基板２上に配線されたドレイン電極５と、このドレイン電極５に接続された画素電極（ＩＴＯ）６と、ゲート走査電極３とソース電極４との間に介在された絶縁層７と、薄膜半導体からなるＴＦＴ（Thin Film Transistor）８とを備えて構成されている。

上記下基板１における各金属配線の形成においては、例えば、特許第３２６１６９９号公報に示されるように、ドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた処理を複数回繰り返す手法が用いられている。
特許第３２６１６９９号公報

上述したアクティブマトリックス基板では、その製造工程におけるドライプロセスとフォトリソエッチングを組み合わせた処理の回数を徒に増やさないように、基板と画素電極の間に配置される容量線を、ゲート配線とともに同時に形成するようにしている場合が少なくない。
しかしながら、ゲート配線を形成する導電性材料は、非透明であるため、容量線も非透明となってしまうという問題がある。すなわち、非透明の容量線は、液晶表示装置の画素の光透過面積を低下させる原因となり、効率の良い光の通過が得られづらいという問題がある。

本発明は、以上のような点を考慮してなされたもので、画素部の光透過面積の低下を抑えることができるアクティブマトリックス基板とその製造方法、電気光学装置及び電子機器を提供することを目的とする。

本発明に係るアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器では、上記課題を解決するために以下の手段を採用した。
第１の発明は、基板上に、格子パターンの配線と、前記配線に囲まれた領域に配置された画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に配置される容量線と、を有するアクティブマトリックス基板にであって、前記容量線が略透明であるようにした。
この発明によれば、画素電極の光透過面積を低下させることがなくなるので、効率の良い光の通過を得ることができる。

第２の発明は、基板上に、格子パターンの配線と、前記配線に囲まれた領域に配置された画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に配置される容量線と、を有するアクティブマトリックス基板にであって、前記容量線は、透明導電性材料を前記基板上に配置して形成されるようにした。
この発明によれば、画素電極の光透過面積を低下させることがなくなるので、効率の良い光の通過を得ることができる。

また、前記透明導電性材料が、液滴吐出法により前記基板に配置されるものでは、透明導電性材料を無駄なく所定位置に配置することができる。
また、前記格子パターンの配線の少なくとも一部が、導電性材料を液滴吐出法により前記基板上に配置して形成されるものでは、導電性材料を無駄なく所定位置に配置することができる。
また、前記容量線と前記格子パターンの配線の少なくとも一部は、同じ層に液滴吐出法により前記基板上に配置される。液滴吐出法によれば、（不透明の）導電性材料と透明導電性材料とを同時に同じ層に吐出することが可能であることから、前記容量線の形成と前記格子パターンの配線の形成を同時に行うことにより、製造時間が短縮され、製造効率の向上が図られる。

第３の発明は、電気光学装置が、第１の発明のアクティブマトリックス基板、又は第２の発明の製造方法により得られるアクティブマトリックス基板を備えるようにした。この発明によれば、電気光学装置の性能向上が図られる。

第４の発明は、電子機器が第３の発明の電気光学装置を備えるようにした。この発明によれば、電子機器の性能向上が図られる。

以下、本発明のアクティブマトリクス基板の製造方法、アクティブマトリクス基板、電気光学装置及び電子機器の実施形態について、図を参照して説明する。

＜アクティブマトリクス基板＞
図１は、本発明に係るアクティブマトリックス基板の部分拡大図である。
アクティブマトリックス基板２０上は、格子状に配線されたゲート配線４０とソース配線４２とを備える。すなわち、複数のゲート配線４０がＸ方向に延びるように形成され、ソース配線４２がＹ方向に延びるように形成されている。
また、ゲート配線４０には、ゲート電極４１が接続され、ゲート電極４１上に絶縁層を介してＴＦＴ３０が配置される。一方、ソース配線４２には、ソース電極４３が接続され、ソース電極４３の一端は、ＴＦＴ（スイッチング素子）３０に電気的に接続する。
そして、ゲート配線４０とソース配線４２に囲まれた領域には、画素電極４５が配置され、ドレイン電極４４を介してＴＦＴ３０に電気的に接続する。
また、アクティブマトリックス基板２０上には、ゲート配線４０と略平行するように、容量線４６が配線される。容量線４６は、画素電極４５及びソース配線４２の下層に絶縁層を介して配置される。

図２は、アクティブマトリックス基板２０の等価回路図であって、液晶表示装置に用いた場合である。
アクティブマトリックス基板２０を液晶表示装置１００に用いた場合には、画像表示領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に構成される。これらの画素１００ａの各々には、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が形成されており、画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを供給するソース配線４２がソース電極４３を介してＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。ソース配線４２に供給する画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のソース配線４２同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。
また、ＴＦＴ３０のゲートには、ゲート配線４０がゲート電極４１を介して電気的に接続されている。そして、所定のタイミングで、ゲート配線４０にパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍをこの順に線順次で印加するように構成されている。

画素電極４５は、ＴＦＴ３０のドレインにドレイン電極４４を介して電気的に接続されている。そして、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけオン状態とすることにより、ソース配線４２から供給される画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを各画素に所定のタイミングで書き込む。このようにして画素電極４５を介して液晶に書き込まれた所定レベルの画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、図７に示す対向基板１２０の対向電極１２１との間で一定期間保持される。
なお、保持された画素信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防ぐために、容量線４６によって、画素電極４５と対向電極１２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量４８が付加されている。例えば、画素電極４５の電圧は、ソース電圧が印加された時間よりも３桁も長い時間だけ蓄積容量４８により保持される。これにより、電荷の保持特性は改善され、コントラスト比の高い液晶表示装置１００を実現することができる。

＜アクティブマトリックス基板の製造方法＞
次に、アクティブマトリックス基板２０の製造方法について図を参照して説明する。
ゲート配線４０やソース配線４２等の格子パターンの配線が形成される基板Ｐとしては、ガラス、石英ガラス、Ｓｉウエハ、プラスチックフィルム、金属板など各種のものを用いることができる。また、これら各種の素材基板の表面に半導体膜、金属膜、誘電体膜、有機膜などが下地層として形成されたものも含む。

まず、図３（ａ）に示すように、洗浄したガラス基板Ｐの上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０の開口部５２を設けるための第１層目のバンク５１が、フォトリソグラフィ法に基づいて形成される。このバンク５１としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が好適に用いられる。

この形成後のバンク５１に撥液性を持たせるために、ＣＦ_４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク５１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておいても良い。この場合には、ＣＦ_４プラズマ処理等を省略することができる。

以上のようにして撥液化されたバンク５１の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上、またガラス面の接触角としては、１０°以下を確保することが好ましい。すなわち、本発明者らが試験により確認した結果、例えば導電性微粒子（テトラデカン溶媒）に対する処理後の接触角は、バンク５１の素材としてアクリル樹脂系を採用した場合には約５４．０°（未処理の場合には１０°以下）を確保することができる。なお、これら接触角は、プラズマパワー５５０Ｗのもと、４フッ化メタンガスを０．１Ｌ／ｍｉｎで供給する処理条件下で得たものである。

次いで、バンク５１で区画された描画領域である開口部５２内を満たすように、導電性材料を含む配線パターン用インクをインクジェットで吐出することでゲート配線４０、ゲート電極４１を形成する。また、ゲート配線４０、ゲート電極４１と同時に容量線４６も形成する。

配線パターン用インクは、導電性微粒子を分散媒に分散させた分散液や有機銀化合物や酸化銀ナノ粒子を溶媒（分散媒）に分散した溶液からなるものである。
ゲート配線４０には、導電性微粒子として、例えば、金、銀、銅、錫、鉛等を含有する金属微粒子の他、これらの酸化物、並びに導電性ポリマーや超電導体の微粒子などが用いられる。これらの導電性微粒子は、分散性を向上させるために表面に有機物などをコーティングして使うこともできる。
容量線４６には、導電性微粒子として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ：インジウムスズ酸化物）、ＳｎＯｘ、ＺｎＯｘ等が用いられる。これらの導電性材料を用いると、透明電極を形成することができる。

導電性微粒子の粒径は１ｎｍ以上０．１μｍ以下であることが好ましい。０．１μｍより大きいと、後述する液滴吐出ヘッドのノズルに目詰まりが生じるおそれがある。また、１ｎｍより小さいと、導電性微粒子に対するコーティング剤の体積比が大きくなり、得られる膜中の有機物の割合が過多となる。

分散媒としては、上記の導電性微粒子を分散できるもので、凝集を起こさないものであれば特に限定されない。例えば、水の他に、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノールなどのアルコール類、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、デカン、ドデカン、テトラデカン、トルエン、キシレン、シメン、デュレン、インデン、ジペンテン、テトラヒドロナフタレン、デカヒドロナフタレン、シクロヘキシルベンゼンなどの炭化水素系化合物、またエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールメチルエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、１，２−ジメトキシエタン、ビス（２−メトキシエチル）エーテル、ｐ−ジオキサンなどのエーテル系化合物、さらにプロピレンカーボネート、γ−ブチロラクトン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド、シクロヘキサノンなどの極性化合物を例示できる。これらのうち、微粒子の分散性と分散液の安定性、また液滴吐出法（インクジェット法）への適用の容易さの点で、水、アルコール類、炭化水素系化合物、エーテル系化合物が好ましく、より好ましい分散媒としては、水、炭化水素系化合物を挙げることができる。

上記導電性微粒子の分散液の表面張力は、例えば０．０２Ｎ／ｍ以上０．０７Ｎ／ｍ以下の範囲内であることが好ましい。インクジェット法にて液体を吐出する際、表面張力が０．０２Ｎ／ｍ未満であると、インク組成物のノズル面に対する濡れ性が増大するため飛行曲りが生じやすくなり、０．０７Ｎ／ｍを超えるとノズル先端でのメニスカスの形状が安定しないため吐出量や、吐出タイミングの制御が困難になる。表面張力を調整するため、上記分散液には、基板との接触角を大きく低下させない範囲で、フッ素系、シリコーン系、ノニオン系などの表面張力調節剤を微量添加するとよい。ノニオン系表面張力調節剤は、液体の基板への濡れ性を向上させ、膜のレベリング性を改良し、膜の微細な凹凸の発生などの防止に役立つものである。上記表面張力調節剤は、必要に応じて、アルコール、エーテル、エステル、ケトン等の有機化合物を含んでもよい。

上記分散液の粘度は、例えば１ｍＰａ・ｓ以上５０ｍＰａ・ｓ以下であることが好ましい。インクジェット法を用いて液体材料を液滴として吐出する際、粘度が１ｍＰａ・ｓより小さい場合にはノズル周辺部がインクの流出により汚染されやすく、また粘度が５０ｍＰａ・ｓより大きい場合は、ノズル孔での目詰まり頻度が高くなり円滑な液滴の吐出が困難となる。

ここで、液滴吐出法の吐出技術としては、帯電制御方式、加圧振動方式、電気機械変換式、電気熱変換方式、静電吸引方式などが挙げられる。帯電制御方式は、材料に帯電電極で電荷を付与し、偏向電極で材料の飛翔方向を制御してノズルから吐出させるものである。また、加圧振動方式は、材料に例えば３０ｋｇ／ｃｍ^２程度の超高圧を印加してノズル先端側に材料を吐出させるものであり、制御電圧をかけない場合には材料が直進してノズルから吐出され、制御電圧をかけると材料間に静電的な反発が起こり、材料が飛散してノズルから吐出されない。また、電気機械変換方式は、ピエゾ素子（圧電素子）がパルス的な電気信号を受けて変形する性質を利用したもので、ピエゾ素子が変形することによって材料を貯留した空間に可撓物質を介して圧力を与え、この空間から材料を押し出してノズルから吐出させるものである。

また、電気熱変換方式は、材料を貯留した空間内に設けたヒータにより、材料を急激に気化させてバブル（泡）を発生させ、バブルの圧力によって空間内の材料を吐出させるものである。静電吸引方式は、材料を貯留した空間内に微小圧力を加え、ノズルに材料のメニスカスを形成し、この状態で静電引力を加えてから材料を引き出すものである。また、この他に、電場による流体の粘性変化を利用する方式や、放電火花で飛ばす方式などの技術も適用可能である。液滴吐出法は、材料の使用に無駄が少なく、しかも所望の位置に所望の量の材料を的確に配置できるという利点を有する。なお、液滴吐出法により吐出される液状材料（流動体）の一滴の量は、例えば１〜３００ナノグラムである。

配線を形成する際に用いられる液滴吐出装置ＩＪとしては、例えば、図４に示す液滴吐出装置ＩＪが用いられる。
液滴吐出装置（インクジェット装置）ＩＪは、液滴吐出ヘッドから基板Ｐに対して液滴を吐出（滴下）するものであって、液滴吐出ヘッド３０１と、Ｘ方向駆動軸３０４と、Ｙ方向ガイド軸３０５と、制御装置ＣＯＮＴと、ステージ３０７と、クリーニング機構３０８と、基台３０９と、ヒータ３１５とを備えている。ステージ３０７は、この液滴吐出装置ＩＪによりインク（液体材料）を設けられる基板Ｐを支持するものであって、基板Ｐを基準位置に固定する不図示の固定機構を備えている。

液滴吐出ヘッド３０１は、複数の吐出ノズルを備えたマルチノズルタイプの液滴吐出ヘッドであり、長手方向とＹ軸方向とを一致させている。複数の吐出ノズルは、液滴吐出ヘッド３０１の下面にＹ軸方向に並んで一定間隔で設けられている。液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルからは、ステージ３０７に支持されている基板Ｐに対して、上述した導電性微粒子を含むインクが吐出される。

Ｘ方向駆動軸３０４には、Ｘ方向駆動モータ３０２が接続されている。Ｘ方向駆動モータ３０２はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＸ方向の駆動信号が供給されると、Ｘ方向駆動軸３０４を回転させる。Ｘ方向駆動軸３０４が回転すると、液滴吐出ヘッド３０１はＸ軸方向に移動する。
Ｙ方向ガイド軸３０５は、基台３０９に対して動かないように固定されている。ステージ３０７は、Ｙ方向駆動モータ３０３を備えている。Ｙ方向駆動モータ３０３はステッピングモータ等であり、制御装置ＣＯＮＴからＹ方向の駆動信号が供給されると、ステージ３０７をＹ方向に移動する。

制御装置ＣＯＮＴは、液滴吐出ヘッド３０１に液滴の吐出制御用の電圧を供給する。また、Ｘ方向駆動モータ３０２に液滴吐出ヘッド３０１のＸ方向の移動を制御する駆動パルス信号を、Ｙ方向駆動モータ３０３にステージ３０７のＹ方向の移動を制御する駆動パルス信号を供給する。
クリーニング機構３０８は、液滴吐出ヘッド３０１をクリーニングするものである。クリーニング機構３０８には、図示しないＹ方向の駆動モータが備えられている。このＹ方向の駆動モータの駆動により、クリーニング機構は、Ｙ方向ガイド軸３０５に沿って移動する。クリーニング機構３０８の移動も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。
ヒータ３１５は、ここではランプアニールにより基板Ｐを熱処理する手段であり、基板Ｐ上に塗布された液体材料に含まれる溶媒の蒸発及び乾燥を行う。このヒータ３１５の電源の投入及び遮断も制御装置ＣＯＮＴにより制御される。

液滴吐出装置ＩＪは、液滴吐出ヘッド３０１と基板Ｐを支持するステージ３０７とを相対的に走査しつつ基板Ｐに対して液滴を吐出する。ここで、以下の説明において、Ｘ方向を走査方向、Ｘ方向と直交するＹ方向を非走査方向とする。
したがって、液滴吐出ヘッド３０１の吐出ノズルは、非走査方向であるＹ方向に一定間隔で並んで設けられている。なお、図４では、液滴吐出ヘッド３０１は、基板Ｐの進行方向に対し直角に配置されているが、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整し、基板Ｐの進行方向に対して交差させるようにしてもよい。このようにすれば、液滴吐出ヘッド３０１の角度を調整することで、ノズル間のピッチを調節することが出来る。また、基板Ｐとノズル面との距離を任意に調節することが出来るようにしてもよい。

図５は、液滴吐出ヘッド３０１の断面図である。
液滴吐出ヘッド３０１には、液体材料（配線用インク等）を収容する液体室３２１に隣接してピエゾ素子３２２が設置されている。液体室３２１には、液体材料を収容する材料タンクを含む液体材料供給系３２３を介して液体材料が供給される。
ピエゾ素子３２２は駆動回路３２４に接続されており、この駆動回路３２４を介してピエゾ素子３２２に電圧を印加し、ピエゾ素子３２２を変形させることにより、液体室３２１が変形し、ノズル３２５から液体材料が吐出される。
この場合、印加電圧の値を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み量が制御される。また、印加電圧の周波数を変化させることにより、ピエゾ素子３２２の歪み速度が制御される。ピエゾ方式による液滴吐出は材料に熱を加えないため、材料の組成に影響を与えにくいという利点を有する。

このように、上述した液滴吐出装置ＩＪを用いて、導電性材料を含む配線パターン用インクをバンク５１で区画された描画領域である開口部５２内を満たすように吐出すると、バンク５１には十分な撥液性が予め与えられているので、開口部５２からはみ出ることなく微細なゲート配線４０のパターンを形成することが可能となっている。
そして、この後に、予備乾燥、焼成工程を経ることにより、基板Ｐ上にゲート配線４０及び容量線４６が形成される。

なお、基板上に形成されたゲート配線４０の上層には、金属保護膜を成膜させてもよい。金属保護膜は、銀や銅等からなる導電性膜の（エレクトロ）マイグレーション現象等を抑制するための薄膜である。（エレクトロ）マイグレーション（electro-migration）とは、電界の影響で、金属成分が非金属媒体の上や中を横切って移動する現象である。この現象では、移動の前後で金属成分は金属状態であり導電性を示す。マイグレーションは種々の金属で発生するが、電気的によく用いられる金属としては、金、銀、銅、錫、鉛、ハンダなどがよく知られている。このうち銀はマイグレーションが最も発生しやすい。また、配線基板によく用いられる銅についてもマイグレーションが発生する。
金属保護膜を形成する材料としては、ニッケルが好ましい。ニッケルからなる金属保護膜も液滴吐出法によって基板上に配置されて形成される。すなわち、銀や銅等からなる導電性膜と同様に、ニッケル微粒子を分散媒に分散させた分散液を液滴吐出ヘッドのノズルから基板上に吐出配置することにより形成される。

以上の工程により、基板Ｐ上には、バンク５１、ゲート配線４０及び容量線４６からなる平坦な上面を備えた層が形成される。
なお、開口部５２内における良好な吐出結果を得るためには、図３（ａ）に示すように、この開口部５２の形状として準テーパ（吐出元に向かって開く向きのテーパ形状）を採用するのが好ましい。これにより、吐出された液滴を十分に奥深くまで入り込ませることが可能となる。

次に、図３（ｂ）に戻り、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶縁膜３１、活性層３２、コンタクト層３３の連続成膜を行う。
具体的には、ゲート絶縁膜３１として窒化シリコン膜、活性層３２としてアモルファスシリコン膜、コンタクト層３３としてｎ^＋型シリコン膜を原料ガスやプラズマ条件を変化させることにより形成する。ＣＶＤ法で形成する場合、３００℃〜３５０℃の熱履歴が必要になるが、無機系の材料をバンクに使用することで、透明性、耐熱性に関する問題を回避することが可能である。

上記半導体層形成工程に続く第２層目のバンク形成工程では、図３（ｃ）に示すように、ゲート絶縁膜３１の上面に、１画素ピッチの１／２０〜１／１０でかつ前記開口部５２と交差する開口部６２を設けるための２層目のバンク６１を、フォトリソグラフィ法に基づいて形成する。このバンク６１としては、形成後に光透過性と撥液性を備える必要があり、その素材としては、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、オレフィン樹脂、メラミン樹脂などの高分子材料が好適に用いられる。

この形成後のバンク６１に撥液性を持たせるためにＣＦ_４プラズマ処理等（フッ素成分を有するガスを用いたプラズマ処理）を施す必要があるが、代わりに、バンク６１の素材自体に予め撥液成分（フッ素基等）を充填しておくものとしても良い。この場合には、ＣＦ_４プラズマ処理等を省略することができる。

以上のようにして撥液化されたバンク６１の、吐出インクに対する接触角としては、４０°以上を確保することが好ましい。

上記第２層目のバンク形成工程に続くソース・ドレイン電極形成工程では、バンク６１で区画された描画領域である前記開口部６２内を満たすように、導電性材料を含む液滴をインクジェットで吐出することで、図３（ｄ）に示すように、前記ゲート配線４０に対して交差するソース配線４２及びソース電極４３が形成される。

この時の導電性材料としては、Ａｇ、Ａｌ、Ａｕ、Ｃｕ等の導電性ポリマーなどが好適に採用可能である。このようにして形成されたソース配線４２及びドレイン電極４４は、バンク６１に十分な撥液性が予め与えられているので、開口部６２からはみ出ることなく微細な配線パターンを形成することが可能となっている。

また、ソース配線４２及びドレイン電極４４を配置した開口部６２を埋めるように絶縁材料６５が配置される。
以上の工程により、基板Ｐ上には、バンク６１と絶縁材料６５からなる平坦な上面６７が形成される。

そして、絶縁材料６５にコンタクトホール６６を形成するとともに、上面６７上にパターニングされた画素電極（ＩＴＯ）６１８を形成し、コンタクトホール６６を介してドレイン電極４４と画素電極４５とを接続することで、ＴＦＴが形成される。

以上の工程を経ることにより、アクティブマトリックス基板２０の製造が完了する。
このように、基板Ｐと画素電極４５との間に形成される容量線４６を透明導電性材料であるＩＴＯ等で形成することにより、画素電極４５（画素１００ａ）の光透過面積を低下させることがなくなるので、効率の良い光の通過を得ることができる。
また、透明導電性材料を液滴吐出装置ＩＪから吐出して容量線４６を形成する場合には、同時に、不透明である導電性材料を液滴吐出装置ＩＪから吐出して、ゲート配線４０、ゲート電極４１を形成することが可能となる。これにより、製造時間の短縮、製造効率の向上を図ることができる。

＜電気光学装置＞
次に、本発明の電気光学装置の一例である液晶表示装置について説明する。
図６は、本発明に係る液晶表示装置について、各構成要素とともに示す対向基板側から見た平面図であり、図７は図６のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。なお、以下の説明に用いた各図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

図６及び図７において、本実施の形態の液晶表示装置（電気光学装置）１００は、アクティブマトリックス基板２０を含むＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とが光硬化性の封止材であるシール材１５２によって貼り合わされ、このシール材１５２によって区画された領域内に液晶１５０が封入、保持されている。
シール材１５２は、基板面内の領域において閉ざされた枠状に形成されてなり、液晶注入口を備えず、封止材にて封止された痕跡がない構成となっている。

シール材１５２の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる周辺見切り１５３が形成されている。シール材１５２の外側の領域には、データ線駆動回路２０１及び実装端子２０２がＴＦＴアレイ基板１１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路２０４が形成されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の残る一辺には、画像表示領域の両側に設けられた走査線駆動回路２０４の間を接続するための複数の配線２０５が設けられている。
また、対向基板１２０のコーナー部の少なくとも１箇所においては、ＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材２０６が配設されている。
なお、データ線駆動回路２０１及び走査線駆動回路２０４をＴＦＴアレイ基板１１０の上に形成する代わりに、例えば、駆動用ＬＳＩが実装されたＴＡＢ（Tape Automated Bonding）基板とＴＦＴアレイ基板１１０の周辺部に形成された端子群とを異方性導電膜を介して電気的及び機械的に電気的に接続するようにしてもよい。
なお、液晶表示装置１００においては、使用する液晶１５０の種類、すなわち、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、Ｃ−ＴＮ法、ＶＡ方式、ＩＰＳ方式モード等の動作モードや、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、位相差板、偏光板等が所定の向きに配置されるが、ここでは図示を省略する。
また、液晶表示装置１００をカラー表示用として構成する場合には、対向基板１２０において、ＴＦＴアレイ基板１１０の各画素電極に対向する領域に、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のカラーフィルタをその保護膜とともに形成する。

なお、上記実施形態では、アクティブマトリックス基板２０を液晶表示装置１００に用いる構成としたが、液晶表示装置以外にも例えば有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置に応用が可能である。
有機ＥＬ表示装置は、蛍光性の無機および有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、前記薄膜に電子および正孔（ホール）を注入して励起させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが再結合する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光させる素子である。そして、上記のＴＦＴ３０を有する基板上に、有機ＥＬ表示素子に用いられる蛍光性材料のうち、赤、緑および青色の各発光色を呈する材料すなわち発光層形成材料及び正孔注入／電子輸送層を形成する材料をインクとし、各々をパターニングすることで、自発光フルカラーＥＬ表示装置を製造することができる。
本発明における電気光学装置の範囲にはこのような有機ＥＬ表示装置をも含むものである。

なお、本発明に係る電気光学装置としては、液晶表示装置１００、有機ＥＬ表示装置の他に、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）や、基板上に形成された小面積の薄膜に膜面に平行に電流を流すことにより、電子放出が生ずる現象を利用する表面伝導型電子放出素子等にも適用可能である。

＜電子機器＞
次に、本発明の電子機器の具体例について説明する。
図８（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図８（ａ）において、６００は携帯電話本体を示し、６０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図８（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図８（ｂ）において、７００は情報処理装置、７０１はキーボードなどの入力部、７０３は情報処理本体、７０２は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図８（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図８（ｃ）において、８００は時計本体を示し、８０１は上記実施形態の液晶表示装置を備えた液晶表示部を示している。
図８（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置１００を備えたものであるので、高い品質や性能が得られる。
なお、本実施形態の電子機器は液晶装置を備えるものとしたが、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマ型表示装置等、他の電気光学装置を備えた電子機器とすることもできる。
また、テレビやモニター等の大型液晶パネルにおいても本実施形態を用いることができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。

アクティブマトリックス基板の部分拡大図である。 アクティブマトリックス基板の等価回路図である。 アクティブマトリックス基板の製造する工程を説明する図である。 液滴吐出装置の概略斜視図である。 液滴吐出ヘッドを示す図である。 液晶表示装置を対向基板の側から見た平面図である。 図７のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。 電子機器の具体例を示す図である。 従来のアクティブマトリックス基板の部分拡大斜視図である。

符号の説明

ＩＪ…液滴吐出装置、 Ｐ…ガラス基板（基板）、２０…アクティブマトリックス基板、３０…ＴＦＴ（スイッチング素子）、 ４０…ゲート配線、 ４２…ソース配線、 ４５…画素電極、 ４６…容量線、 １００…液晶表示装置（電気光学装置）、 ６００…携帯電話本体（電子機器）、 ７００…情報処理装置（電子機器）、 ８００…時計本体（電子機器）

Claims (7)

1. 基板上に、格子パターンの配線と、前記配線に囲まれた領域に配置された画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に配置される容量線と、を有するアクティブマトリックス基板にであって、
   前記容量線が略透明であることを特徴とするアクティブマトリックス基板。
2. 基板上に、格子パターンの配線と、前記配線に囲まれた領域に配置された画素電極と、前記基板と前記画素電極との間に配置される容量線と、を有するアクティブマトリックスの製造方法であって、
   前記容量線は、透明導電性材料を前記基板上に配置して形成されることを特徴とするアクティブマトリクス基板の製造方法。
3. 前記透明導電性材料は、液滴吐出法により前記基板に配置されることを特徴とする請求項２に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
4. 前記格子パターンの配線の少なくとも一部は、導電性材料を液滴吐出法により前記基板上に配置して形成されることを特徴とする請求項２又は請求項３に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
5. 前記容量線と前記格子パターンの配線の少なくとも一部は、同じ層に液滴吐出法により前記基板上に配置されることを特徴とする請求項２から請求項４のうちいずれか一項に記載のアクティブマトリクス基板の製造方法。
6. 請求項１に記載のアクティブマトリックス基板、又は請求項２から請求項５のうちいずれか一項に記載の製造方法により得られるアクティブマトリックス基板を備えることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項６に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
   
   
   

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