WO2005004545A1 - 発光素子及び表示デバイス - Google Patents

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WO2005004545A1
WO2005004545A1 PCT/JP2004/009668 JP2004009668W WO2005004545A1 WO 2005004545 A1 WO2005004545 A1 WO 2005004545A1 JP 2004009668 W JP2004009668 W JP 2004009668W WO 2005004545 A1 WO2005004545 A1 WO 2005004545A1
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light
light emitting
emitting element
electrode
fine particles
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PCT/JP2004/009668
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Kenya Hori
Masayuki Ono
Kumio Nago
Toshiyuki Aoyama
Kenji Hasegawa
Masaru Odagiri
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C09K11/025Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor non-luminescent particle coatings or suspension media
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/59Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing silicon

Definitions

  • the present invention relates to a light-emitting element using a light-emitting inorganic material and a display device using the light-emitting element.
  • the EL device includes an inorganic EL device using an inorganic compound for a light emitter and an organic EL device using an organic compound for a light emitter.
  • EL elements have characteristics such as high-speed response, high contrast, and vibration resistance. This EL element can be used under high or low pressure because there is no gas inside.
  • Organic EL devices have a low driving voltage, and can exhibit a certain gradation by active matrix driving using thin film transistors (TFTs). Easy and short life. Further, the inorganic EL element has features such as a longer life, a wider operating temperature range, and superior durability compared to the organic EL element. On the other hand, the voltage required for light emission of the inorganic EL device is usually as high as 200 to 300 V, and it has been difficult to drive the device by an active matrix method using thin film transistors (TFT). For this reason, inorganic EL devices have been driven by passive matrix methods.
  • TFTs thin film transistors
  • a plurality of scan electrodes extending in parallel to the first direction and a plurality of data electrodes extending in parallel in a second direction orthogonal to the first direction are provided.
  • a light emitting element is interposed between the intersecting scan electrode and data electrode, and one light emitting element is driven by applying an AC voltage between the original scan electrode and the data electrode.
  • inorganic luminous bodies are generally doped with luminescent materials in insulator crystals.
  • the light emitting layer is mainly composed of ZnS and is doped with Mn, Cr, Tb, Eu, Tm, Yb, etc.
  • the inorganic EL element was driven (emitted) to improve the light emission luminance, but the TFT could not be used because it was driven only at a high voltage of 200 to 300 V.
  • a light emitting device using silicon fine particles is known (Japanese Patent Application Laid-Open No. H08-37011).
  • the size of the silicon fine particles is as small as about 50 nm, a quantum effect is generated and the band gap width is in a visible light region. As a result, light is emitted in the visible light region. Disclosure of the invention
  • a light-emitting element When a light-emitting element is used as a high-quality display device such as a television, it is necessary to drive the light-emitting element at a low voltage that can use TFT.
  • An object of the present invention is to provide a light emitting element which can be driven at a low voltage and can use a thin film transistor.
  • a light-emitting element includes a pair of electrodes facing each other,
  • the silicon fine particles are characterized in that at least a part of the surface is coated with a conductive substance.
  • This light emitting element may be fixed on a support substrate.
  • As the support substrate a material having high electric insulation is used.
  • a support substrate made of a material having high light transmittance in a visible region is used.
  • the temperature of the support substrate reaches several hundred degrees Celsius in the manufacturing process of the light-emitting element, use a material having a high softening point, excellent heat resistance, and a thermal expansion coefficient similar to that of the film to be stacked.
  • non-alkali glass may be used so as to prevent glass, ceramics, silicon wafers, and the like from being used.
  • the glass surface may be coated with alumina or the like as an ion barrier layer for alkali ions to the light emitting element.
  • the electrode is made of a material with high electrical conductivity and no migration of ions due to an electric field.
  • aluminum, molybdenum, tungsten, or the like can be used.
  • a material having high transparency in the visible region may be used.
  • ITO indium tin oxide
  • a main electrode can be used. Note that a double-sided light-emitting element can be obtained by using a pair of electrodes as transparent electrodes. Further, the light emitting element and the display device of the present invention may be driven by direct current, may be driven by alternating current, or may be driven by pulses.
  • a conductive inorganic substance that is transparent in a visible light region can be used.
  • a substance preferably contains an oxide material or a composite oxide material containing at least one element selected from the group consisting of indium, tin, and gallium.
  • oxide-based material for example, Ga 2 0 3, Ga I n0 3, I n 2 ⁇ 3, Sn_ ⁇ 2, I n 4 Sn 3 O 12, ZnO, Cd I n 2 O 4, C d 2 Sn_ ⁇ 2, Zn 2 Sn0 4, Mg I n 2 0 4, ZnGa 2 0 4, CdGa 2 0 4, C a G a 2 ⁇ 4, Ag I n0 2, I nGaMgO 4 I n G a Z n 0 There are 4 magnitudes.
  • a nitride for example, titanium nitride
  • a composite nitride containing at least one element selected from the group consisting of titanium, dinoconium, hafnium, gallium, and anorenium.
  • a thin film of a metal such as gold, silver, white gold, copper, rhodium, palladium, aluminum, chromium, or an alloy containing these as a main body (eg, a magnesium-silver alloy) may be used.
  • the table Silicon fine particles having at least a portion of the surface coated with a conductive substance may be dispersed in the material of the transparent conductor Matritas.
  • the transparent conductor matrix material include polyacetylene, polyparaphenylene, polyphenylene bilen, polyphenylene sazoleide, polyphenylene-based polyphenylene-based polyphenylene oxide, polypyrroline, polythiophene, Heterocyclic polymer such as polyfuran, polyselenophene, polytenolophene, ionic polymer such as polyaniline, polyacene, polyester, metal phthalocyanine and derivatives, copolymers and mixtures thereof And the like.
  • More preferred examples include poly (N-vinylcarpazone) (PVK), polyethylenedioxythiophene (PEDOT), polystyrenenolefonic acid (PSS), and polymethylphenylsilane (PMPS). Further, a polymer having an electron transporting property, which will be described in detail later, may be used. In addition, a low molecular weight electron transporting organic material described later in detail or a conductive or semiconductive inorganic material is dispersed in a conductive polymer or semiconductive polymer to adjust the conductivity. There may be.
  • An electron transport layer made of an electron transport material may be formed between the electrode and the light emitting layer.
  • An electron transporting material is a material having a high electron mobility, which rapidly transports electrons in the electron transporting layer.
  • a material mainly composed of an aluminum quinolinate oxadiazole derivative or the like can be used for an organic material, and an n-type material for an inorganic material.
  • a single crystal of a semiconductor material, a polycrystal, and a resin dispersion layer of a particle powder thereof can be used.
  • a hole transport layer made of a hole transport material may be formed between the electrode and the light emitting layer.
  • the hole transporting layer may be provided between the electrode serving as the anode and the light emitting layer.
  • the hole-transporting material is a material having a high hole mobility for quickly transporting holes in the hole-transporting layer, and may be a material mainly composed of a polybutyral rubazole type or a polyphenylenevinylene type.
  • this light-emitting element includes a light-emitting layer containing, as a light-emitting body, silicon fine particles having at least a part of a surface coated with a conductive substance, between a pair of electrodes facing each other. That is, this light-emitting element has a basic structure in which a light-emitting layer is sandwiched between a pair of electrodes and each electrode is connected to a power supply. Note that the electrode may be formed on a support. Also, Silicon fine particles having a surface coated with a conductive substance may be dispersed in a matrix of a transparent conductor. Further, an electron transport layer may be provided between the electrode and the light emitting layer.
  • an electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the electrode.
  • a hole transport layer may be provided between the electrode serving as the positive electrode and the light emitting layer.
  • a hole injection layer may be provided between the hole transport layer and the positive electrode.
  • TFT thin-film transistor
  • This light-emitting element is driven by applying an external electric field to the electrodes of the light-emitting element, and the applied external electric field causes electrons to be sent to the light-emitting body in the light-emitting layer.
  • the center of the luminous body is silicon-coated particles of 100 nm or less, when electrons penetrate into the center of the luminous body, silicon is excited by the quantum effect to emit light.
  • the surface of the silicon fine particles is covered with a conductive material, electrons can easily penetrate into the central silicon fine particles.
  • the silicon fine particles are excited by the energy of the transmitted electrons, and emit light when they enter the ground state.
  • the smaller the particle size of the silicon fine particles the more the quantum effect occurs and the band gap expands. If the particle size is smaller than 100 nm, the fine silicon particles emit light in the visible light region, but the smaller the particle size, the smaller the surface area. Increase and become unstable. In order to keep the small particle size stable, it is necessary to coat the surface of the fine particles. In this case, it is preferable to coat the surface of the silicon fine particles with a conductive substance. This makes it possible to efficiently transfer energy to silicon atoms in the silicon fine particles.
  • the electron transporting layer By providing an electron transport layer on the light emitting layer, electrons can be efficiently transmitted to the silicon fine particles. Furthermore, by sandwiching the light emitting layer between two electron transporting layers made of an electron transporting material, the electron transporting material also functions as a hole stopper, so that the transmitted electrons do not recombine with the holes. Electrons can be efficiently transmitted to silicon fine particles.
  • silicon fine particles having at least a part of the surface coated with a conductive material are used as the light emitting body. This allows the quantum effect Light emission in the visible light region can be obtained, and it can be chemically stabilized. In addition, a light-emitting element which can be driven at a low voltage and emits light with high efficiency by fine particles can be obtained.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Embodiment 1 of the present invention.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating a configuration of a light emitting device according to Embodiment 8 of the present invention.
  • FIG. 3 is a perspective view showing an electrode configuration of a light emitting device according to Embodiment 9 of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing a display device according to Embodiment 10 of the present invention.
  • FIG. 5 is a sectional view showing a configuration of another example of the light emitting device according to Embodiment 4 of the present invention.
  • FIG. 6 is a sectional view showing a configuration of another example of the light emitting device according to Embodiment 8 of the present invention.
  • FIG. 1 is a schematic view showing an element structure of the light emitting element 10.
  • the light emitting element 10 has a light emitting layer 3 interposed between two first and second electrodes 2 and 4.
  • this light emitting element 10 is provided with a transparent substrate 1 as a support, on which a first electrode 2, a light emitting layer 3, and a second electrode 4 are sequentially stacked. I have. Further, light is extracted from the transparent substrate 1 side.
  • the emission color extracted from the light-emitting element is determined by the silicon fine particles 5 constituting the light-emitting layer 3.
  • a color conversion layer may be further provided in front of the light emitting layer 3 in the light extraction direction, or a color conversion material may be mixed in the transparent conductor matrix.
  • Color conversion layer and As the color conversion material any material can be used as long as it emits light using light as an excitation source, and known phosphors, pigments, dyes, and the like can be used regardless of an organic material or an inorganic material.
  • a surface light source that emits white light can be provided by including a color conversion layer that emits light in a complementary color relationship to the light emitted from the light emitting layer 3.
  • the surface of the silicon fine particles having a particle size of 10 to 30 nm was coated with titanium nitride having a film thickness of 10 to 30 im.
  • a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described. This light emitting device was manufactured by the following procedure.
  • a non-alkali glass substrate was used as the support 1.
  • the thickness of the substrate 1 is 1.7 mm.
  • An ITO transparent electrode 2 was formed on the support 1 by RF magnetron sputtering using an ITO oxide target as the first electrode 2.
  • the light emitting device 10 When the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting device 10 were connected to the positive electrode and the negative electrode of the DC power supply 7 and a DC voltage was applied, bright light emission was confirmed at 4.5 V. Since the light emitting element 10 can be driven at a low voltage, it is possible to control pixels using TFT.
  • a light emitting device according to Embodiment 2 of the present invention will be described.
  • This light-emitting element is the same as the light-emitting element 10 according to Embodiment 1, except that the particle size of the silicon fine particles 5 is different.
  • the particle size of the silicon fine particles 5 was 5 to 20 nm.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting device according to the second embodiment When a DC voltage was applied to the device, bright light emission was observed at 3.6 V. Since the light-emitting element according to Embodiment 2 is driven at low voltage, pixels can be controlled using a TFT.
  • a light emitting device according to Embodiment 3 of the present invention will be described.
  • This light-emitting element is the same as the light-emitting element 10 according to Embodiment 1, except that the particle size of the silicon fine particles 5 is different.
  • the particle size of the silicon microparticles 5 was 70 to: L0 0 nm.
  • a light emitting device according to Embodiment 4 of the present invention will be described.
  • This light-emitting element is the same as the light-emitting element 10 according to Embodiment 1, except that the conductive substance 6 is magnesium silver alloy.
  • the molar ratio of magnesium to silver was 10: 1, and the film thickness was 5 to 50 nm.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting device according to Embodiment 4 were connected to the positive electrode and the negative electrode of the DC power supply 7 and a DC voltage was applied, bright light emission was confirmed at 3. IV. Since the light-emitting element according to Embodiment 4 is driven by low voltage, it is possible to control pixels using TFT.
  • silicon fine particles 15 in which a part of the surface is coated with a conductive material 16 made of a metal material are dispersed in a transparent conductor matritas 17 made of a semiconductor material to emit light.
  • Layer 3 may be configured.
  • a light emitting device according to Embodiment 5 of the present invention will be described.
  • This light-emitting element is the same as the light-emitting element according to Embodiment 4, except that the particle size of the silicon fine particles 5 is different.
  • the particle size of the silicon fine particles 5 was 70 to 100 nm.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting device according to the fifth embodiment When a DC voltage was applied to the device, bright light emission was confirmed at 19 V. Since the light-emitting element according to Embodiment 5 is driven with low voltage, it is possible to control pixels using a TFT.
  • a light emitting device according to Embodiment 6 of the present invention will be described.
  • the light emitting device is different from the light-emitting element according to the third implementation, except that the conductive material 6 is different in that a main component G a 2 0 3 are the same.
  • the particle size of the silicon fine particles 5 was 70 to 100 nm.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting device according to Embodiment 6 were connected to the positive electrode and the negative electrode of the DC power source 7 and a DC voltage was applied, bright and light emission could be confirmed at 21 V. Since the light-emitting element according to Embodiment 6 is driven by low voltage, it is possible to control pixels using a TFT.
  • a light emitting device according to Embodiment 7 of the present invention will be described.
  • the light emitting device is different from the light-emitting device according to the sixth implementation, except that the conductive material 6 is different in that a main component I n 4 S n 3 0 1 2 are the same.
  • the particle size of the silicon microparticles 5 was 70 to: L00 nm.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting device according to Embodiment 7 were connected to the positive and negative electrodes of the DC power supply 7 and a DC voltage was applied, bright light emission was confirmed at 16 V. . Since the light-emitting element according to Embodiment 7 is driven by low voltage, it is possible to control pixels using a TFT.
  • the emission color extracted from the light-emitting element is determined by the silicon microparticles 5 constituting the light-emitting layer 3,
  • a color conversion layer may be further provided in front of the light emitting layer 3 in the light extraction direction, or a color conversion material may be mixed in the transparent conductor matrix.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting element 20.
  • the light-emitting element 20 is different from the light-emitting element according to Embodiment 1 in that the first electron-transport layer 8 and the light-emitting layer 3 and the second electrode 4 are provided between the light-emitting layer 3 and the first electrode 2.
  • the second electron transport layer 9 is provided between Wrong. The electron transport layers 8 and 9 make it easier for electrons to flow to the light emitting layer 3.
  • the first electron transport provided on the first electrode 2 side Layer 8 also functions as a hole stopper layer.
  • the electron-transporting materials constituting the electron-transporting layers 8 and 9 are roughly divided into low-molecular materials and high-molecular materials as organic materials.
  • low-molecular materials having electron transporting properties include oxaziazole derivatives, triazole derivatives, styrylbenzene derivatives, sialic derivatives, 1,10-phenanthroline derivatives, quinolinol-based metal complexes, thiophene derivatives, and fluorene derivatives. And quinone derivatives, and dimers and trimers thereof. Particularly preferred are 2- (4-biphene-nore) -5_ (4_tert-ptinorefu-nore) -1,3,4-oxadiazole (PBD) and 2,5-bis (1-naphthinole) one.
  • (4-biphenyl-2-nor) 1-41 (4-ethylfuren-norre) 1-5— (4-tert-butyl-norphen) 1 1,2,4-triazole (p—Et TAZ), 4, 7— Diphenyl 1,10—Phenan (Phen), 2,9-dimethyl-4,7-Diphenyl 1,10—Phenol (BCP), 3,5-Dimethyl 3,5, 1,4-tert-butynole-1,4, diphenoquinone (MBDQ), 2,5-bis [2- (5_tert-butynolebenzoxazolinole)]-thiophene (BBOT), tri-trofluorenone (TNF), Examples include, but are not limited to, tris (8-quinolinolato) aluminum (A1q3), 5,5, -bis (dimesitylporyl) -1,2,2, bithiophene (BMB-2T).
  • polymer materials having an electron transporting property include poly [2-methoxy-15- (2-ethylhexyloxy) -11,41- (1-cyanovinylene) phenylene] (CN-PPV) Or electron transport in polyquinoxaline or small molecule Polymers in which the molecular structure is incorporated in the molecular chain are exemplified.
  • the low molecular weight electron transporting material may be molecularly dispersed in a conductive or nonconductive polymer.
  • oxidation dumbbell Z n O
  • indium oxide I n 2 0 3
  • titanium oxide T I_ ⁇ 2
  • electron injection property is good
  • Do no absorption in the visible light region It is also possible to use a single crystal, a polycrystal of an n-type semiconductor material, and a resin dispersion layer of a particle powder thereof.
  • silicon fine particles 15 having a part of the surface covered with a conductive material 16 made of a metal material are dispersed in a transparent conductor matrix 17 made of a semiconductor material to emit light.
  • Layer 3 may be configured.
  • FIG. 3 is a perspective view showing an electrode configuration of the light emitting element 30.
  • This light-emitting element 30 further includes a thin-film transistor 11 connected to the electrode 2 of the light-emitting element according to Embodiments 1 to 8.
  • the X electrode 12 and the Y electrode 13 are connected to the thin film transistor 11.
  • the light emitting element 30 since at least a part of the surface of the silicon fine particles 5 is covered with the conductive substance 6, the light emitting element 30 can be driven at a low voltage and the thin film transistor 11 can be used. Further, by using the thin film transistor 11, the light emitting element 30 can have a memory function.
  • the thin film transistor 11 a low-temperature polysilicon amorphous silicon thin film transistor or the like is used. Further, an organic thin film transistor formed of a thin film containing an organic material may be used, or a transparent thin film transistor of a zinc oxide type or the like may be used.
  • FIG. 4 is a schematic plan view showing an active matrix formed by the X electrode 12 and the y electrode 13 of the display device 40 which are orthogonal to each other.
  • This display device 40 is an active matrix display device having a thin film transistor 11. It is.
  • the active matrix type display device 40 includes a light emitting element array in which a plurality of light emitting elements 30 each having the thin film transistor 11 shown in FIG. 3 are two-dimensionally arranged, and a light emitting element array parallel to a surface of the light emitting element array.
  • the thin film transistor 11 of the light emitting element array is connected to the X electrode 12 and the y electrode 13 respectively.
  • the light emitting element specified by the pair of X electrode 12 and y electrode 13 is one pixel.
  • the light emitting layer 3 constituting the light emitting element of each pixel includes the silicon fine particles 5 having at least a part of the surface covered with the conductive material 6.
  • a display device having a long life can be obtained.
  • a three-primary-color full-color display device can be obtained by arranging the silicon microparticles 5 constituting the light-emitting layer 3 for each pixel in accordance with the light emission color (RGB).
  • a color filter may be provided in front of the light extraction direction to adjust the color purity of each RGB color.
  • a light-emitting layer 3 that emits a single color may be used for all pixels, and a color conversion layer and a color filter may be further provided in front of the light extraction direction.
  • the color conversion layer absorbs the blue light generated from the light emitting layer 3 to emit green or red light, and by extracting these individually, another three-primary-color full-power display device is obtained. You can also get it.
  • a light emitting element of a comparative example will be described.
  • This light-emitting element is different from the light-emitting element 10 according to Embodiment 1 in that the particle diameter of the silicon fine particles is different and that the surface does not have a conductive material. is there.
  • the particle diameter of the silicon fine particles of Comparative Example 1 was 180 to 220 nm.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting element of Comparative Example 1 were connected to the positive and negative electrodes, respectively, and a DC voltage was applied, bright light emission at 103 V was confirmed. Since the light-emitting element of Comparative Example 1 is driven by a high voltage, it is difficult or impossible to control pixels using TFT.
  • Comparative Example 2 The light emitting element of Comparative Example 2 will be described.
  • This light-emitting element is the same as the light-emitting element 10 according to Embodiment 1, except that the particle size of the silicon fine particles is different.
  • the particle size of the silicon fine particles of Comparative Example 2 was 200 to 240 nm.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light-emitting element of Comparative Example 2 were connected to the positive electrode and the negative electrode, respectively, and a DC voltage was applied. However, no light emission was observed even at 200 V.
  • the light emitting device of Comparative Example 3 will be described.
  • This light emitting device is the same as the light emitting device according to Embodiment 4 except that there is no conductive substance. No light emission was observed even at a power of 200 V when a DC voltage was applied by connecting the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting element of Comparative Example 3 to the positive and negative electrodes, respectively.
  • the light emitting device of Comparative Example 4 will be described.
  • This light-emitting element is different from the light-emitting element according to Embodiment 4 in that the thickness of the magnesium silver alloy which is a conductive substance is different, and the thickness is 60 to 100 nm. Is the same.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light emitting element of Comparative Example 4 were connected to the positive electrode and the negative electrode, respectively, and a DC voltage was applied, but the conductive substance was opaque, and light emission could be confirmed even at 200 V. Did not. (Comparative Example 5)
  • the light emitting element of Comparative Example 5 will be described.
  • This light-emitting element is different from the light-emitting element 10 according to Embodiment 1 in that the thickness of titanium nitride as a conductive substance is different and the thickness is 40 to 80 nm. Is the same.
  • the first electrode 2 and the second electrode 4 of the light-emitting element of Comparative Example 5 were connected to the positive electrode and the negative electrode, respectively, and a DC voltage was applied.
  • the conductive material was opaque, and no light emission was observed even at 200 V. .

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Abstract

発光素子は、互いに対向する一対の電極と、前記一対の電極の間に挟まれており、平均粒径100nm以下の珪素微粒子を有する発光層とを備え、前記珪素微粒子は、表面の少なくとも一部を導電性物質によって被覆されている。また、前記導電性物質は、インジウム、錫、亜鉛、ガリウムの群から選ばれる少なくとも1つを含む酸化物又は複合酸化物であってもよい。

Description

明 細 書
発光素子及び表示デバィス 技術分野
本発明は、 発光性無機材料を用いた発光素子及び該発光素子を用いた表示デバ イスに関する。
背景技術
フラットパネルディスプレイの中で、 液晶パネル、 プラズマディスプレイ等と ともに注目を集めている表示デバイスとして、 エレクト口ルミネッセンス (以下 E Lと称する) 素子を用いた表示デバイスがある。 この E L素子には、 発光体に 無機化合物を使用する無機 E L素子と、 発光体に有機化合物を使用する有機 E L 素子がある。 E L素子は、 高速応答性、 高コントラスト、 耐振性等の特徴を有す る。 この E L素子は、 その内部に気体部が無いため高圧下や低圧下でも使用でき る。
有機 E L素子では、 駆動電圧が低いため薄膜トランジスタ (T F T) を用いた アクティブマトリクス方式での駆動によつて一定の階調性を発現することができ るが、 その一方、 素子が湿度等の影響を受けやすく寿命が短い。 また、 無機 E L 素子は、 有機 E L素子と比較して、 長寿命で、 使用温度範囲が広く、 耐久性に優 れる等の特徴がある。 その一方、 無機 E L素子は発光に要する電圧が通常 2 0 0 〜3 0 0 Vと高いため、 薄膜トランジスタ (T F T) を使用したアクティブマト リクス方式での駆動が困難であった。 そのため、 無機 E L素子は、 パッシブマト リクス方式で駆動されてきた。
パッシブマトリクス駆動では、 第 1の方向に平行に延在する複数の走査電極と、 第 1の方向と直交する第 2の方向に平行に延在する複数のデータ電極とが設けら れ、 この互いに交差している走査電極とデータ電極との間に発光素子が挟まれて おり、 一,祖の走査電極とデータ電極との間に交流電圧を印加して一つの発光素子 が駆動される。 このパッシブマトリクス駆動では、 走査線の数が増加すると、 表 示デバイス全体として平均輝度が低くなるため、 発光素子としての輝度向上が必 要である。 また、 無機発光体は一般的には絶縁物結晶中に発光材料をドープした ものであり、 そのために U V光を照射した場合には光るが、 電界を印加しても絶 縁物結晶中に電子は浸透しにくく、 帯電による反発も強いために発光させるため には高エネルギー電子が必要となる。 そのため、 低エネルギー電子で発光させる ためには対策が必要である。
特公昭 5 4— 8 0 8 0号公報に記載の技術によれば、 発光層に Z n Sを主体と し、 Mn, C r , T b, E u , Tm, Y b等をドープすることによって、 無機 E L素子を駆動 (発光)させ、 発光輝度の向上が図られたが、 2 0 0〜3 0 0 Vの高 電圧でしか駆動しないため、 T F Tを使用することができない。
なお、 珪素微粒子を用いた発光素子が知られている (特開平 8— 3 0 7 0 1 1 号公報) 。 この発光素子では、 珪素微粒子の大きさが 5 0 n m程度と非常に小さ いために量子効果を生じてバンドギヤップ幅が可視光領域となる。 これによつて 可視光領域で発光させている。 発明の開示
発光素子をテレビ等の高品位な表示デバィスとして使用する場合は、 T F Tを 使用可能な低電圧で発光素子を駆動することが必要とされている。
本発明の目的は、 低電圧で駆動でき、 薄膜トランジスタを使用できる発光素子 を提供することである。
本発明に係る発光素子は、 互レヽに対向する一対の電極と、
前記一対の電極の間に挟まれており、 平均粒径 1 0 0 n m以下の珪素微粒子を 有する発光層と
を備え、
前記珪素微粒子は、 表面の少なくとも一部を導電性物質によって被覆されてい ることを特徴とする。
発光層に外部電界を与え、 珪素微粒子に電子を浸透させることによって珪素は 量子効果によって発光する。 この場合に、 本発明者は、 粒径 1 0 0 n m以下の珪 素粒子の表面に導電性物質が被覆されている構成において、 珪素微粒子に電子が 浸透し易くなるため、 低電圧にて発光せしめることができることを知見した。 本発明に係る発光素子の各構成部材について説明する。 この発光素子は、 支持体基板上に固定してもよい。 この支持体基板としては、 電気絶縁性が高い材料を用いる。 支持体基板側から発光素子の光を取り出す場合 には、 可視領域での光の透過性が高い材料からなる支持体基板を用いる。 発光素 子の作製工程において支持体基板の温度が数百 °Cに達する場合は、 軟化点が高く 耐熱性に優れ、 熱膨張係数が積層する膜と同程度である材料を用いる。 このよう な支持体基板としてはガラス、 セラミックス、 シリコンウェハなどが使用できる 力 通常のガラスに含まれるアル力リイオン等が発光素子へ影響しないように、 無アルカリガラスを用いてもよい。 また、 ガラス表面に発光素子へのアルカリィ オンのイオンバリア層としてアルミナ等をコートしてもよい。
電極には、 電気伝導性が高く、 電界によるイオンのマイグレーションがない材 料を用いる。 この電極としては、 アルミニウム、 モリブテン、 タングステン等を 用いることができる。 発光素子の光を取り出す側の電極には、 上述の電極の性能 に加えて、 可視領域で透明性の高い材料を用いればよく、 この電極として、 錫ド ープ酸化インジウム (I TO) 等を主体とした電極を用いることができる。 なお、 一対の電極双方を透明電極とすることにより、 両面発光素子を得ることもできる。 また、 本発明の発光素子及び表示デバイスは、 直流で駆動しても、 交流で駆動し ても、 あるいはパルスで駆動してもよい。
導電性物質としては、 可視光領域で透過性のある導電性の無機物質を用レヽるこ とができる。 そのような物質としては、 インジウム、 錫、 亜 ガリウムの群か ら選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物材料又は複合酸化物材料を含んで いることが好ましい。 これらの酸化物系材料としては、 例えば、 Ga 203、 Ga I n03、 I n23、 Sn〇2、 I n4Sn3O12、 ZnO、 Cd I n2O4、 C d 2 Sn〇2、 Zn2Sn04、 Mg I n204、 ZnGa204、 CdGa204、 C a G a24、 Ag I n02、 I nGaMgO4 I n G a Z n 04等がある。 また、 他 の例としてはチタン、 ジノレコニゥム、 ハフニウム、 ガリウム、 ァノレミニゥムの群 から選ばれる少なくとも 1つの元素を含む窒化物 (例えば、 窒化チタン) 又は複 合窒化物を含んでいることが好ましい。 またさらに他の例としては、 金、 銀、 白 金、 銅、 ロジウム、 パラジウム、 アルミニウム、 クロム等の金属又はこれらを主 体とする合金 (例えば、 マグネシウム銀合金) の薄膜を用いてもよい。 なお、 表 面の少なくとも一部に導電性物質を被覆した珪素微粒子を透明導電体マトリタス の材料中へ分散させてもよい。 透明導電体マトリクス材料として好適な例には、 ポリアセチレン系、 ポリパラフエ二レン、 ポリフエ二レンビ-レン、 ポリフエ二 レンサゾレフアイド、 ポリフエ-レンォキサイドに代表されるポリフエ二レン系、 ポリピロ一ノレ、 ポリチォフェン、 ポリフラン、 ポリセレノフェン、 ポリテノレロフ ェンに代表される複素環ポリマ系、 ポリア二リンに代表されるイオン性ポリマ系、 ポリアセン系、 ポリエステル系、 金属フタロシアニン系やこれらの誘導体、 共重 合体、 混合体などが挙げられる。 さらに好適な例として、 ポリ一 N—ビニルカル パゾーノレ ( P V K) 、 ポリエチレンジォキシチォフェン (P E D O T) 、 ポリス チレンスノレホン酸 ( P S S ) 、 ポリメチルフエエルシラン (PM P S ) 等が挙げ られる。 またさらに、 詳細を後述する電子輸送性を有するポリマ等を用いてもよ い。 またさらに、 導電†生又は半導電性ポリマ中に、 詳細を後述する低分子系の電 子輸送性有機材料、 若しくは導電性又は半導電性無機材料を分散して、 導電性を 調整した形態であってもよい。
前記電極と発光層の間には、 電子輸送性材料からなる電子輸送層を形成しても よい。 電子輸送性材料は、 電子輸送層内で電子を素早く輸送する電子移動度が高 V、材料であり、 有機物ではアルミキノリネートゃォキサジァゾール誘導体などを 主体とする材料を使用でき、 無機物では n型半導体材料の単結晶体、 多結晶体、 及びその粒子粉末の樹脂分散層等を使用できる。
前記電極と発光層の間には、 正孔輸送性材料からなる正孔輸送層を形成しても よい。 正孔輸送性層は、 陽極となる電極と発光層の間に設けてもよい。 正孔輸送 性材料は正孔輸送層内で正孔を素早く輸送する正孔移動度が高い材料であり、 ポ リビュル力ルバゾール系ゃポリフエ-レンビニレン系などを主体とする材料を使 用できる。
本発明に係る発光素子の構成について説明する。
この発光素子は、 図 1に示す通り、 互いに対向する一対の電極の間に、 表面の 少なくとも一部に導電性物質を被覆した珪素微粒子を発光体として含む発光層を 備える。 即ち、 この発光素子は、 発光層を一対の電極で挟み込み、 各電極を電源 に接続する基本構成を有する。 なお、 電極は支持体上に形成してもよい。 また、 表面に導電性物質を被覆等した珪素微粒子を透明導電体のマトリクス中に分散し てもよい。 また、 電極と発光層の間に電子輸送層を設けてもよい。 さらに、 電子 輸送層と電極の間に電子注入層を設けてもよい。 また、 陽電極となる電極と発光 層の間に正孔輸送層を設けてもよい。 さらに、 正孔輸送層と陽電極の間に正孔注 入層を設けてもよい。 また、 この発光素子は低電圧にて駆動するので、 薄膜トラ ンジスタ (T F T) を構造中に備えることによって低電圧でアクティブマトリク ス駆動するディスプレイを得ることが可能である。
次に、 この発光素子において、 十分な発光効率を得るための条件について検討 する。 この発光素子は、 発光素子の電極へ外部電界を印加することによって駆動 され、 印加した外部電界によって電子が発光層中の発光体へ送られる。 発光体の 中心は 1 0 0 n m以下の珪素 ί敷粒子なので、 該発光体の中心に電子が浸透すると 量子効果によって珪素が励起して発光する。 この珪素微粒子は、 導電性物質によ り表面を被覆しているため、 中心の珪素微粒子へ電子が浸透し易くなつている。 ここで、 珪素微粒子は、 伝達された電子のエネルギーによって励起し、 基底状 態になるときに発光する。 つまり、 珪素微粒子の粒径は小さくなればなるほど量 子効果が生じてパンドギヤップが拡大し、 粒径 1 0 0 n m以下では珪素微粒子が 可視光領域で発光するが、 粒径が小さくなればなるほど表面積が増えて不安定に なる。 小さな粒径を安定に保っためにも微粒子表面を被覆することが必要である。 この場合、 珪素微粒子の表面を導電性物質によって被覆することが好ましい。 こ れによって、 珪素微粒子内の珪素原子へ効率よくエネルギーを伝達することが可 能となる。
また、 発光層上に電子輸送層を設けることにより、 電子を効率よく珪素微粒子 へ伝達することが可能となる。 さらに、 発光層を電子輸送性材料からなる 2枚の 電子輸送層で挟み込むことにより、 電子輸送性材料は正孔ストツバとしても働く ため、 伝達されてきた電子が正孔と再結合することなく、 電子を効率よく珪素微 粒子へ伝達することができる。
発明の効果
本発明に係る発光素子によれば、 表面の少なくとも一部を導電性物質で被覆し ている珪素微粒子を発光体として用いている。 これによつて、 量子効果により可 視光領域での発光を得ることができ、 しかも化学的に安定させることができる。 また、 低電圧駆動させることができ、 微粒子による高効率発光の発光素子を得る ことができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の実施の形態 1に係る発光素子の構成を示す断面図である。
図 2は、 本発明の実施の形態 8に係る発光素子の構成を示す断面図である。
図 3は、 本発明の実施の形態 9に係る発光素子の電極構成を示す斜視図である。 図 4は、 本発明の実施の形態 1 0に係る表示デバィスを示す平面概略図である。 図 5は、 本発明の実施の形態 4に係る発光素子の別例の構成を示す断面図であ る。
図 6は、 本発明の実施の形態 8に係る発光素子の別例の構成を示す断面図であ る。 発明を実施するための最良の形態
本発明の実施の形態に係る発光素子について添付図面を用いて以下に詳しく説 明するが、 本発明はこれらの実施の形態により限定されるものではない。 なお、 図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
(実施の形態 1 )
本発明の実施の形態 1に係る発光素子について、 図 1を用いて説明する。 図 1 は、 この発光素子 1 0の素子構造を示す概略図である。 この発光素子 1 0は、 2 つの第 1及ぴ第 2電極 2、 4の間に発光層 3を挟んでいる。 各層の積層関係の観 点から説明すると、 この発光素子 1 0は、 支持体として透明基板 1が設けられ、 その上に、 第 1電極 2、 発光層 3、 第 2電極 4が順に積層されている。 また、 該 透明基板 1の側から光が取り出される。
なお、 この発光素子 1 0において、 発光素子より取り出される発光色は、 発光 層 3を構成する珪素微粒子 5によって決定されるが、 多色表示や白色表示、 各色 の色純度調整等のために、 発光層 3の光取り出し方向前方に色変換層をさらに備 えたり、 透明導電体マトリクス内に色変換材料を混在させてもよい。 色変換層及 び色変換材料には、 光を励起源として発光するものであればよく、 有機材料、 無 機材料を問わず、 公知の蛍光体、 顔料、 染料等を用いることができる。 例えば発 光層 3からの発光と補色関係にある発光を示す色変換層を備えることにより、 白 色発光する面光源とすることができる。
次に、 この発光素子 1 0の発光特性について説明する。 この発光素子 1 0の I
T O透明電極 (第 1電極) 2と、 A g電極 (第 2電極) 4とから電極を引き出し、 I T O透明電極 2と A g電極 4との間に外部電圧を印加することにより、 発光素 子 1 0において発光する。 なお、 この実施の形態 1に係る発光素子では、 粒径 1 0〜 3 0 n mの珪素微粒子表面を膜厚 1 0〜 3 0 ii mの窒化チタンにて被覆した。 次に、 この発光素子 1 0の製造方法について説明する。 この発光素子は、 以下 の手順によって作製した。
( a ) 支持体 1として無アルカリガラス基板を用いた。 基板 1の厚みは 1 . 7 m mであつに。
( b ) 支持体 1の上に、 第 1電極 2として I T O酸化物ターゲットを用いて R F マグネトロンスパッタリング法により、 I T O透明電極 2を形成した。
( c ) 形成された I T O透明電極 2の上に、 珪素微粒子 5に導電性物質 6を被覆 した発光層 3を蒸着法により形成した。
( d ) 上記発光層 3の上に、 第 2電極 4として A g電極ペーストをスクリーン印 刷し、 乾燥させ、 第 2電極 4を形成した。
以上の工程によつて発光素子 1 0を完成した。
この発光素子 1 0の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ直流電源 7の正極と負 極に接続して直流電圧を与えると、 4 . 5 Vで明るい発光が確認できた。 この発 光素子 1 0は低電圧で駆動できるので、 T F Tを用いて画素を制御することが可 能である。
(実施の形態 2 )
本発明の実施の形態 2に係る発光素子について説明する。 この発光素子は、 実 施の形態 1に係る発光素子 1 0と比較すると、 珪素微粒子 5の粒径が相違する以 外は同じである。 この珪素微粒子 5の粒径は 5〜 2 0 n mであった。 実施の形態 2に係る発光素子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ直流電源 7の正極と負極 に接続して直流電圧を与えると、 3 . 6 Vで明るい発光が確認できた。 実施の形 態 2に係る発光素子は低電圧駆動であるため、 T F Tを用いて画素を制御するこ とが可能である。
(実施の形態 3 )
本発明の実施の形態 3に係る発光素子について説明する。 この発光素子は、 実 施の形態 1に係る発光素子 1 0と比較すると、 珪素微粒子 5の粒径が相違する以 外は同じである。 この珪素微粒子 5の粒径は 7 0〜: L 0 0 n mであった。 実施の 形態 3の発光素子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ直流電源 7の正極と負極 に接続して直流電圧を与えると、 2 2 Vで明るい発光が確認できた。 実施の形態 3に係る発光素子は低電圧駆動であるため、 T F Tを用いて画素を制御すること が可能である。
(実施の形態 4 )
本発明の実施の形態 4に係る発光素子について説明する。 この発光素子は、 実 施の形態 1に係る発光素子 1 0と比較すると、 導電性物質 6がマグネシウム銀合 金である点で相違する以外は同じである。 マグネシウムと銀のモル比率は 1 0 : 1であり、 膜厚は 5〜5 0 n mとした。 実施の形態 4に係る発光素子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ直流電源 7の正極と負極に接続して直流電圧を与える と、 3 . I Vで明るい発光が確認できた。 実施の形態 4に係る発光素子は低電圧 駆動であるため、 T F Tを用いて画素を制御することが可能である。
なお、 珪素微粒子を被覆する導電性物質として半導体材料ではなく金属材料を 用いる場合には、 珪素微粒子の表面の全体ではなく一部分のみを導電性物質で被 覆することが好ましい。 この場合、 図 5に示すように、 上記表面の一部を金属材 料からなる導電性物質 1 6で被覆した珪素微粒子 1 5を半導体材料からなる透明 導電体マトリタス 1 7中に分散させて発光層 3を構成してもよい。
(実施の形態 5 )
本発明の実施の形態 5に係る発光素子について説明する。 この発光素子は、 実 施の形態 4に係る発光素子と比較すると、 珪素微粒子 5の粒径が相違する以外は 同じである。 この珪素微粒子 5の粒径は 7 0 - 1 0 0 n mであった。 実施の形態 5に係る発光素子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ直流電源 7の正極と負極 に接続して直流電圧を与えると、 1 9 Vで明るい発光が確認できた。 実施の形態 5に係る発光素子は低電圧駆動であるため、 T F Tを用いて画素を制御すること が可能である。
(実施の形態 6 )
本発明の実施の形態 6に係る発光素子について説明する。 この発光素子は、 実 施の形態 3に係る発光素子と比較すると、 導電性物質 6が G a 203を主体とする 点で相違する以外は同じである。 この珪素微粒子 5の粒径は 7 0〜 1 0 0 n mで あつた。 実施の形態 6に係る発光素子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ直流 電源 7の正極と負極に接続して直流電圧を与えると、 2 1 Vで明る 、発光が確認 できた。 実施の形態 6に係る発光素子は低電圧駆動であるため、 T F Tを用いて 画素を制御することが可能である。
(実施の形態 7 )
本発明の実施の形態 7に係る発光素子について説明する。 この発光素子は、 実 施の形態 6に係る発光素子と比較すると、 導電性物質 6が I n 4 S n 301 2を主体 とする点で相違する以外は同じである。 この珪素微粒子 5の粒径は 7 0〜: L 0 0 n mであつた。 実施の形態 7に係る発光素子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞ れ直流電源 7の正極と負極に接続して直流電圧を与えると、 1 6 Vで明るい発光 が確認、できた。 実施の形態 7に係る発光素子は低電圧駆動であるため、 T F Tを 用いて画素を制御することが可能である。
なお、 前記実施の形態 2から 7に係る発光素子において、 実施の形態 1に係る 発光素子と同様、 発光素子より取り出される発光色は、 発光層 3を構成する珪素 微粒子 5によって決定されるが、 多色表示や白色表示、 各色の色純度調整等のた めに、 発光層 3の光取り出し方向前方に色変換層をさらに備えたり、 透明導電体 マトリクス内に色変換材料を混在させてもよい。
(実施の形態 8 )
本発明の実施の形態 8に係る発光素子について図 2を用いて説明する。 図 2は、 この発光素子 2 0の構成を示す断面図である。 この発光素子 2 0は、 実施の形態 1力 ら 7に係る発光素子と比較すると、 発光層 3と第 1電極 2との間に第 1電子 輸送層 8、 発光層 3と第 2電極 4との間に第 2電子輸送層 9を設けている点で相 違する。 この電子輸送層 8、 9によって発光層 3に電子を流れやすくすることが できる。 また、 実施の形態 8に係る発光素子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞ れ直流電源 7の正極と負極に接続した場合、 第 1電極 2の側に設けた第 1電子輸 送層 8は正孔ストッパ層としても機能する。 電子輸送層 8、 9を構成する電子輸 送性材料には、 有機材料としては大きく分けて低分子系材料と高分子系材料とが ある。
電子輸送性を備える低分子系材料としては、 ォキサジァゾール誘導体、 トリア ゾール誘導体、 スチリルべンゼン誘導体、 シ口ール誘導体、 1, 1 0—フエナン トロリン誘導体、 キノリノール系金属錯体、 チォフェン誘導体、 フルオレン誘導 体、 キノン誘導体等やこれらの 2量体、 3量体が挙げられる。 特に好ましくは、 2- (4ービフエ-ノレ) 一 5 _ (4_ t e r t—プチノレフエ-ノレ) 一 1, 3, 4 ーォキサジァゾール (PBD) 、 2, 5一ビス ( 1—ナフチノレ) 一 1, 3, 4— ォキサジァゾール (BND) 、 2, 5—ビス [1— (3—メ トキシ) 一フエ二 ル] — 1, 3, 4一ォキサジァゾ一ノレ (BMD) 、 1, 3, 5— トリス [5— (4一 t e r t—ブチルフエェノレ) 一 1, 3, 4一ォキサジァゾ一ノレ一 2ーィ ル] ベンゼン (TPOB) 、 3— (4—ビフエ二ノレ) 一 4 _フエ二ルー 5— (4 — t e r t—ブチルフエニル) 一 1, 2, 4一トリァゾーノレ (TAZ) 、 3一
(4ービフエ二ノレ) 一4一 (4一ェチルフエ-ノレ) 一 5— (4— t e r t—プチ ノレフエ二ノレ) 一 1, 2, 4一ト リァゾール (p— E t TAZ) 、 4, 7—ジフエ ェノレ一 1, 1 0—フエナント口リン (B P h e n) 、 2, 9ージメチル- 4, 7- ジフエ-ルー 1, 1 0—フエナント口リン (B C P) 、 3, 5—ジメチル一 3, 5, 一ジ一 t e r t—プチノレ一 4, 4, ージフエノキノン (MBDQ) 、 2, 5 一ビス [2— (5 _ t e r t—プチノレベンゾキサゾリノレ) ] ーチォフェン (BB OT) 、 トリ-トロフルォレノン (TNF) 、 トリス (8—キノリノラト) アル ミニゥム (A 1 q 3) 、 5, 5 , —ビス (ジメシチルポリル) 一 2, 2, ビチォ フェン (BMB— 2T) 等があるが、 これらに限定されるものではない。
また、 電子輸送性を備える高分子系材料としては、 ポリ一 [2—メトキシ一 5 ― (2—ェチルへキシルォキシ) 一 1, 4一 (1ーシァノビ二レン) フエユレ ン] (CN— P PV) やポリキノキサリン、 または低分子系で電子輸送†生を示す 分子構造を分子鎖中に組み込んだポリマ等が挙げられる。 またさらに、 導電性又 は非導電性ポリマ中に前述の低分子系の電子輸送性材料を分子分散した形態であ つてもよい。 また、 酸化亜鈴 ( Z n O ) 、 酸化インジウム (I n 2 0 3) 、 酸化チ タン (T i〇2) 等に代表される、 電子注入性がよく、 可視光域に吸収をもたな い n型半導体材料の単結晶体、 多結晶体、 及びその粒子粉末の樹脂分散層等を用 いることもできる。
なお、 珪素微粒子を被覆する導電性物質として半導体材料ではなく金属材料を 用いる場合には、 珪素微粒子の表面の全体ではなく一部分のみを導電性物質で被 覆することが好ましい。 この場合、 図 6に示すように、 上記表面の一部を金属材 料からなる導電性物質 1 6で被覆した珪素微粒子 1 5を半導体材料からなる透明 導電体マトリクス 1 7中に分散させて発光層 3を構成してもよい。
(実施の形態 9 )
本発明の実施の形態 9に係る発光素子 3 0について、 図 3を用いて説明する。 図 3は、 この発光素子 3 0の電極構成を示す斜視図である。 この発光素子 3 0は、 実施の形態 1から 8に係る発光素子の電極 2に接続された薄膜トランジスタ 1 1 をさらに備える。 薄膜トランジスタ 1 1には、 X電極 1 2と y電極 1 3とが接続 されている。 この発光素子 3 0では、 珪素微粒子 5の表面の少なくとも一部を導 電性物質 6で被覆しているので、 低電圧で駆動することができ、 薄膜トランジス タ 1 1を使用することができる。 また、 薄膜トランジスタ 1 1を用いることによ つて発光素子 3 0にメモリ機能を持たせることができる。 この薄膜トランジスタ 1 1としては、 低温ポリシリコンゃァモルファスシリコン薄膜トランジスタ等が 用いられる。 さらに、 有機材料を含む薄膜により構成された有機薄膜トランジス タであってもよく、 あるいは、 酸化亜鉛系等の透明薄膜トランジスタであっても よい。
(実施の形態 1 0 )
本発明の実施の形態 1 0に係る表示デバイスについて、 図 4を用いて説明する。 図 4は、 この表示デバイス 4 0の互いに直交する X電極 1 2と y電極 1 3とによ つて構成されるアクティブマトリタスを示す概略平面図である。 この表示デバイ ス 4 0は、 薄膜トランジスタ 1 1を有するアクティブマトリクス型表示デバイス である。 このアクティブマトリクス型表示デバイス 4 0は、 図 3に示した薄膜ト ランジスタ 1 1を備えた複数の発光素子 3 0が 2次元配列されている発光素子ァ レイと、 該発光素子アレイの面に平行な第 1方向に互いに平行に延在している複 数の X電極 1 2と、 該発光素子アレイの面に平行であって、 第 1方向に直交する 第 2方向に平行に延在している複数の y電極 1 3とを備える。 この発光素子ァレ ィの薄膜トランジスタ 1 1は、 X電極 1 2及び y電極 1 3とそれぞれ接続されて いる。 一対の X電極 1 2と y電極 1 3とによって特定される発光素子が一つの画 素となる。 このアクティブマトリクス表示デバイス 4 0によれば、 上述のように、 各画素の発光素子を構成する発光層 3は、 表面の少なくとも一部を導電性物質 6 によって被覆している珪素微粒子 5を含む。 これにより、 低電圧駆動できるので、 薄膜トランジスタ 1 1を使用でき、 メモリ効果を利用できる。 また、 低電圧駆動 するので長寿命の表示デバィスが得られる。 なお、 発光層 3を構成する珪素微粒 子 5を、 その発光色 (R G B ) に応じて各画素ごとに配置させることにより 3原 色フルカラー表示デバイスを得ることができる。 また、 R G B各色の色純度調整 のために、 光取り出し方向前方にカラーフィルタを備えてもよい。 さらに、 すべ ての画素に単一色を発する発光層 3を用いて、 且つ、 光取り出し方向前方に色変 換層及ぴカラーフィルタをさらに備えてもよい。 これにより、 例えば、 発光層 3 から生じた青色の光を色変換層が吸収して緑色や赤色の発光が生じ、 これらを 個々に取り出すことで、 別例の 3原色フル力ラ一表示デバィスを得ることもでき る。
(比較例 1 )
比較例の発光素子について説明する。 この発光素子は、 実施の形態 1に係る発 光素子 1 0と比較すると、 珪素微粒子の粒径が相違すると共に、 表面に導電性物 質を有しない点で相違するが、 それ以外は同じである。 比較例 1の珪素微粒子の 粒径は 1 8 0〜 2 2 0 n mであった。 比較例 1の発光素子の第 1電極 2と第 2電 極 4をそれぞれ正極と負極に接続して直流電圧を与えると、 1 0 3 Vで明るい発 光が確認できた。 比較例 1の発光素子は高電圧駆動であるため、 T F Tを用いて 画素を制御することが困難または不可能である。
(比較例 2 ) 比較例 2の発光素子について説明する。 この発光素子は、 実施の形態 1に係る 発光素子 1 0と比較すると、 珪素微粒子の粒径が相違する以外は同じである。 比 較例 2の珪素微粒子の粒径は 2 0 0〜 2 4 0 n mであった。 比較例 2の発光素子 の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ正極と負極に接続して直流電圧を与えたが、 2 0 0 Vでも発光が確認できなかった。
(比較例 3 )
比較例 3の発光素子について説明する。 この発光素子は、 実施の形態 4に係る 発光素子と比較すると、 導電性物質が無い以外は同じである。 比較例 3の発光素 子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ正極と負極に接続して直流電圧を与えた 力 2 0 0 Vでも発光が確認できなかった。
(比較例 4 )
比較例 4の発光素子について説明する。 この発光素子は、 実施の形態 4に係る 発光素子と比較すると、 導電性物質であるマグネシゥム銀合金の膜厚が相違し、 該膜厚が 6 0〜1 0 0 n mである点で相違する以外は同じである。 比較例 4の発 光素子の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ正極と負極に接続して直流電圧を与 えたが、 導電性物質が不透明であり、 2 0 0 Vでも発光が確認できなかった。 (比較例 5 )
比較例 5の発光素子について説明する。 この発光素子は、 実施の形態 1に係る 発光素子 1 0と比較すると、 導電性物質である窒化チタンの膜厚が相違し、 該膜 厚が 4 0〜 8 0 n mである点で相違する以外は同じである。 比較例 5の発光素子 の第 1電極 2と第 2電極 4をそれぞれ正極と負極に接続して直流電圧を与えた力 導電性物質が不透明であり、 2 0 0 Vでも発光が確認できなかった。
上述の通り、 本発明は好ましい実施形態により詳細に説明されている力 本発 明はこれらに限定されるものではなく、 以下の特許請求の範囲に記載された本発 明の技術的範囲内において多くの好ましい変形例及び修正例が可能であることは 当業者にとって自明なことであろう。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 互いに対向する一対の電極と、
前記一対の電極の間に挟まれており、 平均粒径 1 0 0 n m以下の珪素微粒子を 有する発光層と
を懨 、
前記珪素微粒子は、 表面の少なくとも一部を導電性物質によって被覆されてい ることを特徴とする発光素子。
2 . 前記導電性物質は、 インジウム、 錫、 亜鉛、 ガリウムの群から選ばれる少な くとも 1つの元素を含む酸化物又は複合酸化物を含んでいることを特徴とする請 求項 1に記載の発光素子。
3 . 前記導電性物質は、 チタン、 ジルコユウム、 ハフニウム、 ガリウム、 アルミ -ゥムの群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む窒化物又は複合窒化物を含 んでいることを特徴とする請求項 1に記載の発光素子。
4 . 前記導電性物質は、 厚さ 3 0 n m以下の窒化チタンであることを特徴とする 請求項 1又は 3に記載の発光素子。
5 . 前記導電性物質は、 厚さ 5 0 n m以下のマグネシウム銀合金であることを特 徴とする請求項 1に記載の発光素子。
6 . 前記発光層と少なくとも一方の電極との間に、 さらに電子輸送層を備えるこ とを特徴とする請求項 1から 5のいずれか一項に記載の発光素子。
7 . 前記電極の少なくとも一方に接続された薄膜トランジスタをさらに備えるこ とを特徴とする請求項 1カゝら 6のいずれ力一項に記載の発光素子。
8 . 請求項 7に記載の発光素子が 2次元配列されている発光素子アレイと、 前記発光素子ァレイの面に平行な第 1方向に互いに平行に延在している複数の X電極と、
前記発光素子ァレイの面に平行であって、 前記第 1方向に直交する第 2方向に 平行に延在している複数の y電極と
を備え、
前記発光素子ァレイの前記薄膜トランジスタは、 前記 X電極及び前記 y電極と それぞれ接続されていることを特徴とする表示デバィス。
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