CN1813498A - 发光元件及显示装置 - Google Patents

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CN1813498A CNA2004800182790A CN200480018279A CN1813498A CN 1813498 A CN1813498 A CN 1813498A CN A2004800182790 A CNA2004800182790 A CN A2004800182790A CN 200480018279 A CN200480018279 A CN 200480018279A CN 1813498 A CN1813498 A CN 1813498A
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名古久美男
青山俊之
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Abstract

一种发光元件，具有相互对置的一对电极和夹在所述一对电极之间且具有平均粒径为100nm以下的硅微粒的发光层，所述硅微粒表面的至少一部分被导电性物质包覆。另外，所述导电性物质包含氧化物或复合氧化物，所述氧化物或复合氧化物包含从铟、锡、锌、镓的群组中选择的至少一个元素。

Description

发光元件及显示装置
技术领域
本发明涉及使用发光性无机材料的发光元件及使用了该发光元件的显示装置。
背景技术
在平板显示器(FPD：flat panel display)中，作为与液晶板、等离子显示器等一同引人注目的显示装置，有使用了场致发光(ElectroLuminesence)(以下，称为EL)元件的显示装置。该EL元件有将无机化合物使用在发光体中的无机EL元件、和将有机化合物使用在发光体中的有机EL元件。EL元件具有高速响应性、高对比度、耐振性等特征。该EL元件，由于在其内部没有气体部，因此，在高压下或低压下都可使用。
在有机EL元件中，由于驱动电压低，因此，通过使用了薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵(Active Matrix)驱动方式能够发现一定的反差性，但另一方面，元件容易湿度等影响而寿命短。另外，无机EL元件，相比有机EL元件，具有寿命长、使用温度范围广、耐久性优越等特征。另一方面，无机EL元件由于发光所需的电压通常为200～300V的高电压，因此，通过使用了薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵(Active Matrix)驱动方式的驱动困难。因而，无机EL元件一直通过无源矩阵(Passive Matrix)方式来驱动。
在无源矩阵驱动中，设置有向第1方向平行延伸的多个扫描电极、和向与第1方向正交的第2方向平行延伸的多个数据电极，并在该互相交叉的扫描电极和数据电极之间夹着发光电极，在一组扫描电极和数据电极之间施加交流电压而驱动1个发光元件。在该无源矩阵驱动中，如果增加扫描线数，则作为整个显示装置平均亮度降低，因此，需要提高发光元件的亮度。另外，无机发光体一般在绝缘体结晶中掺杂了发光材料，因而，在照射了UV光时发光，但为了即使在施加电场的情况下也使得电子难以渗入绝缘体结晶中，且由于带电引起的排斥也强，为了发光，而需要高能量的电子。因而，为了由低能量电子发光，需要一种对策。
根据特公昭54-8080号公报上的记载的技术可知，通过在发光层中以ZnS为主体再掺杂Mn、Cr、Tb、Eu、Tm、Yb等，而驱动(发光)无机EL元件，提高发光亮度，但只在200～300V的高电压下才能驱动，因此，不能使用TFT。
还有乙知有使用了硅微粒的发光元件(特开平8-307011号公报)。在该发光元件中，由于硅微粒的大小为非常小的50nm左右，因此，产生量子效应，并且带隙(band cap)宽度成为可视光区域。由此，在可视光区域发光。在将发光元件使用为电视等高品质显示装置的情况下，需要由能够使用TFT的低电压驱动发光元件。
发明内容
本发明的目的在于提供能够在低电压下驱动且能够使用薄膜晶体管的发光元件。
本发明的发光元件，其特征在于，具有：相互对置的一对电极、和夹在所述一对电极之间且具有平均粒径为100nm以下的硅微粒的发光层，
所述硅微粒表面的至少一部分被导电性物质包覆。
通过对发光层施加外部电场，并使电子渗入硅微粒，使硅通过量子效应发光。在这种情况下，本发明人发现如下事实：在粒径为100nm以下的硅微粒的表面被导电性物质包覆的构成中，由于电子易于渗入硅微粒，使得在低电压下发光。
对本发明的发光元件的各构成部件进行说明。
该发光元件也可以固定在支撑体基板上。作为该支撑体基板，使用电绝缘性高的材料。在从支撑体基板侧取出发光元件的光的情况下，使用由在可视区域光的透过性高的材料构成的支撑体基板。在发光元件的制造工序中支撑体基板的温度高达数百℃的情况下，使用软化点高，耐热性优越，膨胀系数与叠层的膜相同程度的材料。作为这样的支撑体基板，可以使用玻璃、陶瓷、硅晶片等，但也可以使用无碱玻璃，以使含在通常的玻璃中的碱性离子等不影响发光元件。另外，也可以在玻璃表面涂布氧化铝等，以作为阻挡碱性离子进入发光元件的离子阻挡层。
电极使用电导电性高且不会因电场产生离子迁移的材料。作为该电极，可以使用铝、钼、钨等。取出发光元件的光的一侧的电极可以使用除了具有上述电极的性能外还在可视区域透明性高的材料，作为该电极，可以使用将铟锡氧化物(ITO)等作为主体的电极。还有，通过将一对电极双方设为透明电极，能够得到两面发光元件。另外，本发明的发光元件及显示装置可以由直流驱动，也可以由交流驱动，或也可以由脉冲驱动。
作为导电性物质，可以使用在可视区域具有透过性的导电性的无机物质。作为这样的物质，优选：包含氧化物或复合氧化物，所述氧化物或复合氧化物包含从铟、锡、锌、镓的群组中选择的至少一种元素。作为这些氧化物类材料，例如有：Ga2O3、GaInO3、In2O3、SnO2、In4Sn3O120、ZnO、CdIn2O4、Cd2SnO2、Zn2SnO4、MgIn2O4、ZnGa2O4、CdGa2O4、CaGa2O4、AgInO2、InGaMgO4、InGaZnO4等。另外，作为其他的例子，优选：包含氮化物(例如，氮化钛)或复合氮化物，所述氮化物或复合氮化物包含从钛、锆、铪、镓、铝的群组中选择的至少一种元素。另外，进而作为其他的例子，也可以使用金、银、铂、铜、铑、铝、铬等金属或将它们作为主体的合金(例如，镁银合金)的薄膜。还有，可以将表面的至少一部分被导电性物质包覆的硅微粒分散在透明导电体矩阵的材料中。作为透明导电体矩阵材料的适宜的例子，可以列举聚乙炔类、以聚对苯撑、聚苯撑乙烯撑、聚苯硫醚类、聚苯醚为代表的聚苯撑类、以聚吡咯、聚噻吩、聚呋喃、聚硒吩、聚碲吩(polytellurophene)代表的杂环聚合物类、以聚苯胺为代表的离子性聚合物类、多并苯类(polyacene series)、聚酯类、金属酞菁类或它们的衍生物、共聚物、混合体等。进而作为适宜的例子，可以列举：聚乙烯基咔唑(PVK)、聚亚乙基二氧基噻吩(PEDOT)、聚亚乙基磺酸(PSS)、聚甲基苯基硅烷(PMPS)等。另外，进而可以使用在后面详细记述的具有电子输送性的聚合物等。另外，进而将在后面详细记述的低分子类的电子输送性有机材料、或导电性或半导电性无机材料分散在导电性或半导电性聚合物中，调节导电性的方式也可。
在所述电极和发光层之间，也可以形成由电子输送性材料构成的电子输送层。电子输送性材料，是在电子输送层内迅速输送电子的电子移动性高的材料，有机可以使用将喹啉铝(aluminum quinolinate)或噁二唑衍生物等作为主体的材料，无机物可以使用n型半导体材料的单晶体、多晶体、以及其粒子粉末的树脂分散层等。
在所述电极和发光层之间，也可以形成由空穴输送性材料构成的空穴输送层。空穴输送性层可以设置在构成阳极的电极和发光层之间。空穴输送性材料是在空穴输送层内迅速输送空穴的空穴移动性高的材料，可以使用将聚乙烯基咔唑类或聚苯撑乙烯撑类等作为主体的材料。
对本发明的发光元件的构成进行说明。
该发光元件，如图1所示，在相互对置的一对电极之间具有将表面的至少一部分被导电性物质包覆的硅微粒作为发光体而包含的发光层。即，该发光元件具有用一对电极夹住发光层且将各电极连接在电源上的基本构成。还有，电极也可以形成在支撑体上。另外，也可以将表面被导电性物质包覆的硅微粒分散在透明导电体的矩阵中。另外，也可以在电极和发光层之间设置电子输送层。进而，在电子输送层和电极之间设置电子注入层。另外，也可以在构成阳电极的电极和发光层之间设置空穴输送层。进而，可以在空穴输送层和阳电极之间设置空穴注入层。另外，由于该发光元件通过低电压驱动，因此，通过在结构中配备薄膜晶体管(TFT)，能够得到在低电压下有源矩阵驱动的显示器。
其次，在该发光元件中，对为获得充分的发光效率的条件进行探讨。该发光元件通过对发光元件的电极施加外部电场而被驱动，并且电子通过所施加的外部电场被送到发光层中的发光体中。发光体的中心为100nm以下的硅微粒，因此，如果电子渗入该发光体的中心，则硅通过量子效应激励而发光。该硅微粒导电性物质包覆表面，因此，电子易于渗入中心的硅微粒。
在此，硅微粒通过传递来的电子的能量激励，并在基态下发光。总之，硅微粒的粒径越小，越产生量子效应，能量间隙越大，在粒径为100nm以下的情况下，硅微粒在可视区域中发光，但粒径越小，表面积就越大，变得越不稳定。为了稳定保持小粒径，还需要包覆微粒表面。在这种情况下，优选将硅微粒的表面由导电性物质包覆。由此，能够将能量有效地传递到硅微粒内的硅原子。
另外，通过将电子输送层设置在发光层上，能够将电子有效地传递到硅微粒。进而，通过用由电子输送性材料构成的2层电子输送层夹住发光层，电子输送性材料也作为空穴阻挡层发挥作用，因此，所传递的电子不会与空穴再结合，从而，能够将电子有效地传递到硅微粒。
(发明的效果)
根据本发明的发光元件可知，将表面的至少一部分由导电性物质包覆的硅微粒作为发光体使用。由此，能够通过量子效应在可视区域内发光，而且能够使其化学稳定。另外，能够在低电压下驱动，能够得到由微粒高效率发光的发光元件。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的发光元件的构成的剖视图。
图2是表示本发明的实施方式8的发光元件的构成的剖视图。
图3是表示本发明的实施方式9的发光元件的电极构成的立体图。
图4是表示本发明的实施方式10的显示装置的立体图。
图5是表示本发明的实施方式4的发光元件的其他的例子的构成的剖视图。
图6是表示本发明的实施方式8的发光元件的其他的例子的构成的剖视图。
具体实施方式
参照附图对本发明的实施方式中的发光元件进行详细说明，但本发明不限于这些实施方式。还有，在图面中，对基本相同的部件附加了相同的符号。
(实施方式1)
对本发明的实施方式1的发光元件使用图1进行说明。图1是表示该发光元件10的元件结构的概略图。该发光元件10在2个第1及第2电极2、4之间夹着发光层3。如果从各层的叠层关系的方面说明，则该发光元件10作为支撑体设置有透明基板1，并在其上依次叠层有第1电极2、发光层3、第2电极4。另外，从该透明基板1侧取出光。
还有，在该发光元件10中，由发光元件取出的发光色由构成发光层3的硅微粒5确定，但为了多色显示或白色显示、调节各颜色的颜色纯度等，可以进而在发光层3的光取出方向的前方配备颜色转换层，或在透明导电体矩阵内混入颜色转换材料。颜色转换层及颜色转换材料只要是作为激励源发出光的即可，与是否为有机材料、无机材料无关，可以使用公知的荧光体、颜料、染料等。例如能够设为通过具有颜色转换层而进行白色显示的面光源，所述颜色转换层显示发出与从发光层3发出的光存在互补色关系的光。
其次，对该发光元件10的发光特性进行说明。通过从该发光元件10的ITO发光电极(第1电极)2、和Ag电极(第2电极)4引出电极，并在ITO透明电极2和Ag电极4之间施加外部电极，使发光元件10发光。还有，在该实施方式1中的发光元件中，由膜厚10～30nm的氮化钛包覆粒径为10～30nm的硅微粒表面。
其次，对该发光元件10的制造方法进行说明。该发光元件，通过以下的步骤制造。
(a)作为支撑体1使用了无碱玻璃基板。基板1的厚度为1.7mm。
(b)在支撑体1上，作为第1电极2使用ITO氧化物标靶并通过RF磁控管溅射(Magnetron Sputter)，形成ITO透明电极2。
(c)在所形成的ITO透明电极2之上通过蒸镀法形成发光层3，该发光层3在硅微粒5外包覆有导电性物质6。
(d)在上述发光层3之上作为第2电极4用丝网印刷法印刷Ag电极糊，并使其干燥，从而，形成第2电极4。
通过以上工序完成了发光电极10。
如果将该发光电极10的第1电极2和第2电极4分别接在直流电源7的正极和负极并施加直流电压，则能够确认在4.5V下发出明亮的光。由于该发光元件10能够在低电压下驱动，因此，能够使用TFT控制像素。
(实施方式2)
对本发明的实施方式2的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式1的发光元件相比，除了硅微粒5的粒径不相同以外，都相同。该硅微粒5的粒径为5～20nm。如果将实施方式2的第1电极2和第2电极4分别接在直流电源7的正极和负极上施加直流电压，则能够确认在3.6V下发出明亮的光。实施方式2的发光元件是低电压驱动，因此，能够使用TFT控制像素。
(实施方式3)
对本发明的实施方式3的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式1的发光元件相比，除了硅微粒5的粒径不相同以外，都相同。该硅微粒5的粒径为70～100nm。如果将实施方式3的第1电极2和第2电极4分别接在直流电源7的正极和负极上施加直流电压，则能够确认在22V下发出明亮的光。实施方式3的发光元件是低电压驱动，因此，能够使用TFT控制像素。
(实施方式4)
对本发明的实施方式4的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式1的发光元件相比，除了导电性物质6为镁银合金以外，都相同。镁银的摩尔比为10∶1，膜厚设为5～50nm。如果将实施方式4的第1电极2和第2电极4分别接在直流电源7的正极和负极上施加直流电压，则能够确认在3.1V下发出明亮的光。实施方式4的发光元件是低电压驱动，因此，能够使用TFT控制像素。
还有，在作为包覆硅微粒的导电性物质使用金属材料而不使用半导体材料的情况下，优选：用导电性物质只包覆硅微粒的表面的一部分、而不是整个表面。在这种情况下，如图5所示，也可以将硅微粒15分散在由半导体材料构成的透明导电体矩阵17中而构成发光层3，且所述硅微粒15的上述表面的一部分由导电性物质16包覆，所述导电性物质16由金属材料构成。
(实施方式5)
对本发明的实施方式5的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式4的发光元件相比，除了硅微粒5的粒径不相同以外，都相同。该硅微粒5的粒径为70～100nm。如果将实施方式5的第1电极2和第2电极4分别接在直流电源7的正极和负极施加直流电压，则能够确认在19V下发出明亮的光。实施方式5的发光元件是低电压驱动，因此，能够使用TFT控制像素。
(实施方式6)
对本发明的实施方式6的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式3的发光元件相比，除了导电性物质6以Ga2O3为主体这一点以外，都相同。该硅微粒5的粒径为70～100nm。如果将实施方式6的第1电极2和第2电极4分别接在直流电源7的正极和负极上施加直流电压，则能够确认在21V下发出明亮的光。实施方式6的发光元件是低电压驱动，因此，能够使用TFT控制像素。
(实施方式7)
对本发明的实施方式7的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式6的发光元件相比，除了导电性物质6以In4Sn3O12为主体这一点以外，都相同。该硅微粒5的粒径为70～100nm。如果将实施方式7的第1电极2和第2电极4分别接在直流电源7的正极和负极上施加直流电压，则能够确认在16V下发出明亮的光。实施方式7的发光元件是低电压驱动，因此，能够使用TFT控制像素。
还有，所述实施方式2～7的发光元件与实施方式1的发光元件的情形相同，由发光元件取出的发光色通过构成发光层3的硅微粒5确定，但为了多色显示或白色显示、调节各色的颜色纯度等，可以：在取出发光层3的光方向的前方还配置颜色转换层，或在透明导电体矩阵内混入颜色转换材料。
(实施方式8)
对本发明的实施方式8使用图2进行说明。图2是表示该发光元件20的构成的剖视图。该发光元件20，与实施方式1至7的发光元件相比，不同点为：在发光层3和第1电极2之间设置有第1电子输送层8、和在发光层3和第2电极4之间设置有第2电子输送层9。通过该电子输送层8、9，使得电子易于向发光层3流动。另外，在将实施方式8中的发光元件的第1电极2和第2电极4分别接在直流电源7的正极和负极上的情况下，设置在第1电极2侧的第1电子输送层8也作为空穴阻挡层发挥功能。构成电子输送层8、9的电子输送性材料作为有机材料大体分为低分子类材料和高分子类材料。
作为具有电子输送性的低分子类材料，可以列举噁二唑衍生物、三唑衍生物、苯乙烯苯衍生物、噻咯衍生物(silole derivative)、1，10-菲绕啉衍生物、喹啉醇类金属络合物、噻吩衍生物、芴衍生物、醌衍生物等或它们的二聚体、三聚体。尤其优选的是，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1，3，4-噁二唑(PBD)、2，5-双(1-萘基)-1，3，4-噁二唑(BND)、2，5-双[1-(3-甲氧基)-苯基]-1，3，4-噁二唑(BMD)、1，3，5-三[5-(4-叔丁苯基)-1，3，4-噁二唑-2-基]苯(TPOB)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)、3-(4-联苯基)-4-(4-乙苯基)-5-(4-叔丁苯基)-1，2，4-三唑(p-EtTAZ)、4，7-二苯基-1，10-菲绕啉(BPhen)、2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲绕啉(BCP)、3，5-二甲基-3’，5’-二叔丁基-4，4’-联对苯醌(MBDQ)、2，5-双[2-(5-叔丁基苯丙噁唑基)]-噻吩(BBOT)、三硝基芴(TNF)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、5，5’-双(二基氧硼基)-2，2’联二噻吩(BMB-2T)等，但不限与此。
另外，作为具有电子输送性的高分子材料，可列举聚-[2-甲氧基-5(2-乙基己氧基)-1，4-(1-氰基亚乙烯基)苯撑](CN-PPV)或聚喹喔啉、或将由低分子类示出电子输送性的分子构造组入分子链中得到的聚合物等。进而，也可以为向导电性或非导电性聚合物中分散所述的低分子类的电子输送性材料分子的方式。另外，也可以使用以氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化钛(TiO2)等为代表的电子注入性好且在可视光区域不具有吸收n型半导体材料的单晶体、多晶体、以及其粒子粉末的树脂分散层等。
还有，在包覆硅微粒的导电性物质使用金属材料而不使用半导体材料的情况下，优选：用导电性物质包覆硅微粒的表面的一部分、而不是整个表面。在这种情况下，如图6所示，也可以将硅微粒15分散在由半导体材料构成的透明导电体矩阵17中而构成发光层3，所述硅微粒15的上述表面的一部分由导电性物质16包覆，所述导电性物质16由金属材料构成。
(实施方式9)
对本发明的实施方式9的发光元件30使用图3进行说明。图3是表示该发光元件30的电极构成的立体图。该发光元件30还具有连接在实施方式1至8的发光元件的电极2上的薄膜晶体管11。薄膜晶体管11上连接着x电极12和y电极13。在该发光元件30中，由于由导电性物质6包覆硅微粒5的表面的至少一部分，因此，能够在低电压下驱动，从而，能够使用薄膜晶体管11。另外，能够通过使用薄膜晶体管11，能使发光元件30具有存储功能。作为该薄膜晶体管11，可以使用低温多晶硅或非晶硅型薄膜晶体管等。进而，可以为由包含有机材料的薄膜构成的有机薄膜晶体管，或也可以为氧化锌类等透明薄膜晶体管。
(实施方式10)
对本发明的实施方式10的显示装置使用图4进行说明。图4是显示该显示装置40的由相互正交的x电极12和y电极13构成的有源矩阵的概略俯视图。该显示装置40是具有薄膜晶体管11的有源矩阵型显示装置。该有源矩阵型显示装置40具有：发光元件阵列，二维排列了具有图3所示的薄膜晶体管11的多个发光元件30；在与该发光元件阵列的面平行的第1方向上互相平行延伸的多个x电极12；与该发光元件阵列的面平行且在与第1方向正交的第2方向上平行延伸的多个y电极13。该发光元件阵列中的薄膜晶体管11，分别与x电极12及y电极13连接。由一对x电极12和y电极13特定的发光元件构成一个像素。根据该有源矩阵型显示装置40可知，如上所述，构成各像素的发光元件的发光层3包含表面的至少一部分被导电性物质6包覆着的硅微粒5。由此，能够低电压下驱动，因此，能够使用薄膜晶体管11，从而，能够利用存储效果。另外，由于低电压驱动，因此，得到寿命长的显示装置。还有，通过将构成发光层3的硅微粒5根据其发光颜色(RGB)按各像素进行配置，能够3原色全色显示装置。另外，为了调节RGB各色的颜色纯度，也可以在取出光的方向上的前方配备彩色滤光片。由此，也可以通过例如使颜色转换层吸收由发光层3产生的蓝色的光产生绿色或红色的光，并将它们分别取出，得到其他的例子的3原色全色显示装置。
(比较例1)
对比较例的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式1的发光元件10相比，硅微粒的粒径不相同，并且，在表面不具有导电性物质这一点上不相同，除此之外都相同。比较例1的硅微粒的粒径为180～220nm。如果将比较例1的发光元件的第1电极2和第2电极4分别接在正极和负极上施加直流电压，则能够确认在103V下发出明亮的光。比较例1的发光元件是高电压驱动，因此，使用TFT控制像素困难或不可能。
(比较例2)
对比较例2的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式1的发光元件10相比，除了硅微粒的粒径不相同以外都相同。比较例2的硅微粒的粒径为200～240nm。将比较例2的发光元件的第1电极2和第2电极4分别接在正极和负极上施加直流电压，但在200V下也不能确认发光。
(比较例3)
对比较例3的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式4的发光元件相比，除了没有导电性物质以外，都相同。将比较例3的发光元件的第1电极2和第2电极4分别接在正极和负极上施加直流电压，但在200V下也不能确认发光。
(比较例4)
对比较例4的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式4的发光元件相比，除了导电性物质即镁银合金的膜厚不相同，该膜厚为60～100nm这一点上不相同以外，都相同。将比较例4的发光元件的第1电极2和第2电极4分别接在正极和负极上施加直流电压，但导电性物质为不透明，且在200v下也不能确认发光。
(实施例5)
对比较例5的发光元件进行说明。该发光元件，与实施方式1的发光元件10相比，导电性物质即氮化钛的膜厚不相同且该膜厚为40～80nm这一点上不相同之外，都相同。将比较例5的发光元件的第1电极2和第2电极4分别接在正极和负极上施加直流电压，但导电性物质为不透明，且在200v下也不能确认发光。
如上所述，通过本发明的优选的实施方式进行了详细的说明，但本发明不限于此，在以下的专利请求的范围内记载的本发明的技术范围内可以有很多优选的变形例及修改例，这一事实对本领域技术人员来说是不言而喻的。

Claims (8)

1.一种发光元件，其特征在于，
具有相互对置的一对电极和夹在所述一对电极之间的发光层，
所述发光层具有平均粒径为100nm以下的硅微粒，
所述硅微粒表面的至少一部分被导电性物质包覆。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述导电性物质包含氧化物或复合氧化物，所述氧化物或复合氧化物包含从铟、锡、锌、镓的群组中选择的至少一种元素。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述导电性物质包含氮化物或复合氮化物，所述氮化物或复合氮化物包含从钛、锆、铪、镓、铝的群组中选择的至少一种元素。
4.根据权利要求1或3所述的发光元件，其特征在于，
所述导电性物质是厚度为30nm以下的氮化钛。
5.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述导电性物质是厚度为50nm以下的镁银合金。
6.根据权利要求1至5中的任何一项所述的发光元件，其特征在于，
在所述发光层和至少一方的电极之间还具有电子输送层。
7.根据权利要求1至6中的任何一项所述的发光元件，其特征在于，
还具有与所述电极中的至少一方电极相连接的薄膜晶体管。
8.一种显示装置，其特征在于，
具有：
二维排列有权利要求7所述的发光元件的发光元件阵列，
在与所述发光元件阵列的面相平行的第1方向上互相平行延伸的多个x电极，和
在与所述发光元件阵列的面相平行且与所述第1方向正交的第2方向上平行延伸的多个y电极，
所述发光元件阵列的所述薄膜晶体管分别与所述x电极及所述y电极相连接。
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