CN1732718A - 显示装置的制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 75
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 15
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 31
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 30
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 30
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 20
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 17
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 13
- 229920002521 macromolecule Polymers 0.000 claims description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 abstract description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 abstract description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 abstract description 2
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 10
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 10
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 10
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 9
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 7
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 7
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229920000547 conjugated polymer Polymers 0.000 description 7
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 7
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 7
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 6
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 5
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000008676 import Effects 0.000 description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 3
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 3
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000000047 product Substances 0.000 description 3
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N tetrathiafulvalene Chemical compound S1C=CSC1=C1SC=CS1 FHCPAXDKURNIOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N (S)-camphorsulfonic acid Chemical compound C1C[C@@]2(CS(O)(=O)=O)C(=O)C[C@@H]1C2(C)C MIOPJNTWMNEORI-GMSGAONNSA-N 0.000 description 1
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UAWSFVGZNFBYOC-UHFFFAOYSA-N C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC(=CC=C1)CN)C1=C(C=CC=C1)C1=CC=CC=C1 Chemical group C1(=CC=CC=C1)N(C1=CC(=CC=C1)CN)C1=C(C=CC=C1)C1=CC=CC=C1 UAWSFVGZNFBYOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000790917 Dioxys <bee> Species 0.000 description 1
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 1
- 208000034189 Sclerosis Diseases 0.000 description 1
- 125000005210 alkyl ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 1
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 235000021050 feed intake Nutrition 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000001165 hydrophobic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical group [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N tetrabutylammonium Chemical compound CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC DZLFLBLQUQXARW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M tetraethylammonium bromide Chemical compound [Br-].CC[N+](CC)(CC)CC HWCKGOZZJDHMNC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
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Abstract
本发明的显示装置的制造方法其特征在于:形成包围电极且比该电极的表面向上方突出的绝缘体隔壁,湿式涂敷包含受主的溶液后,使基板整体和水接触。通过本发明,即使是平坦性差、表面的浸润性有分布的基板,也能使有机导电体层均匀湿式成膜。
Description
技术领域
本发明涉及一种用使用了有机电致发光(EL)材料的发光元件形成显示部的显示装置的制作方法。
背景技术
影像显示用显示器是在近代生活中不可缺少的信息显示媒体之一,从所说的电视监视器开始,以至近年高速发展的液晶显示器、期待着今后发展的有机EL显示器等,配合用途而采取了各种各样的形式。特别地液晶显示器和有机EL显示器其特征是能够用低电压驱动,从节能的观点看也是重要的研究开发课题。
尤其有机EL显示器作为第二代的平板显示器最引起人们的关注。
使用于有机EL显示器中的采用了有机EL材料的发光元件的发光机构中,通过在电极间设置包含发光体的薄膜(下面记为“电致发光膜”)使电流流过,从阴极注入的电子以及从阳极注入的空穴在电致发光膜中的发光中心复合形成分子激子,利用该分子激子在返回到基础状态时放出的光子。
通常,电致发光膜用少于1μm左右的薄膜形成。另外,采用有机EL材料的发光元件因为是电致发光膜自身放出光的自发光型的元件,所以也不需要像使用在以往的液晶显示器中的背照光。因此,使用有机EL材料的发光元件能够制作成极其薄型轻量是最大的优点。
如上所述,采用了有机EL材料的发光元件的发光机构中,通过在电极间设置电致发光膜使电流流过,从阴极注入的电子以及从阳极注入的空穴在电致发光膜中的发光中心复合形成分子激子,利用该分子激子在返回到基础状态时放出的光子。因此,在电致发光膜效率较好地注入空穴和电子是效率较好的用于制作发光元件的必要条件之一。
在使用典型的有机EL材料的发光元件的工作条件中,向原先电阻较高的电致发光膜注入100mA/cm2左右的电流。为了实现这种高密度的电流注入,就需要使来自阳极的空穴注入势垒和来自阴极的电子注入势垒尽可能的变小。即,作为阴极,使用功函数小的金属,作为阳极,相反地必须选择功函数较大的金属。关于阴极,通过选择各种各样的金属或合金,就能在实际中任意控制功函数。对此,在采用一般的有机EL材料的发光元件中,因为在阳极谋求透明性,所以现状是限于使用透明的导电性氧化物,当考虑稳定性、透明度、电阻率等时,目前不得不将被铟锡氧化物(下面记为“ITO”)为代表的几种氧化物导电膜选为阳极。
IT0电极是在氧化铟中掺杂(添加)锡,锡进入铟的置换位置,锡和若干的氧杂质成为施主,通过使传导带部分地被充满,表现出导电性。ITO通过喷镀法、离子束喷镀法、气相成长法等方法在玻璃上成膜,通过适当的选择锡的掺杂量,就可制造低阻抗的透明性高的电极。
可是,因为ITO的表面未必平坦,所以就被指出和使用于采用了有机EL材料的发光元件中的电致发光膜的接触恶化、或者在电致发光膜生出小孔。可以说这是使用了有机EL材料的发光元件恶化的理由之一。另外,虽然ITO膜的功函数能够通过成膜时的经历或表面处理使其产生某些程度的变化,可是这种方法也有限度。这正阻碍了使空穴注入势垒降低。
作为使来自ITO阳极的空穴注入势垒降低的方法之一,公知有在IT0膜上插入缓冲层的方案。通过使缓冲层的离子化电势最优化,能够降低空穴注入势垒。将这种缓冲层称为空穴注入层。作为起空穴注入层功能的物质,当大致分类时,分为金属氧化物、低分子有机化合物以及高分子类化合物。作为高分子类化合物材料,公知有聚苯胺(参照非专利文献1)或聚噻吩衍生物(参照非专利文献2)等的共轭高分子。上述的聚苯胺或聚噻吩衍生物等的共轭高分子其自身几乎不显示导电性,通过作为受主和樟脑磺酸或聚苯乙烯磺酸等的强酸混合、即通过进行掺杂,可表现较高的导电性。这样一来,被掺杂后的导电性共轭高分子起空穴注入材料发挥功能。
(非专利文献1)
Y.ヤングら、アプライド·フイヅツクス·レタ—ズ、第64卷、1245页、1994年
(非专利文献2)
S.A.カ—タ—ら、アプライド·フイヅツクス·レタ—ズ、第70卷、2067页、1987年
通过将被掺杂后的导电性共轭高分子作为空穴注入层使用,就使空穴注入势垒降低,可效率较好地注入空穴,其结果是,可提高使用了有机EL材料的发光元件的效率和寿命,也使驱动电压下降。这些导电性共轭高分子能够通过湿式涂敷法或喷墨法等方法在ITO表面成膜是最大的特征。
另外,为了将这些导电性共轭高分子对具有ITO的基板表面均匀地湿式成膜,广泛进行着用UV臭氧洗涤或氧等离子体洗涤来使该基板表面亲水的方法。
可是,存在这样的问题:当制作将多个使用了有机EL材料的发光元件作为各像素的有机EL显示器时,即使在具有与该各像素对应的像素电极(ITO等)的基板上如上所述地形成有机导电体层,也不能获得均匀的层。这些基板、特别在搭载了薄膜晶体管(以下记为“TFT”)的基板中,为了使各像素电极间绝缘,设置电绝缘性的隔壁,因此平坦性变差,使在基板表面的浸润性产生了分布。
基板的浸润性通过测定滴在基板表面的液滴的接触角进行评价。当将液体滴在固体表面时,液体在固体表面形成液滴,将此时的液体表面和固体面形成的角称为接触角θ(Contact Angleθ)。另外,将液体和固体的这样的现象称为浸润(Wetting)。
在基板表面的浸润性有分布的情况下,在刚涂敷导电性共轭高分子之后,涂敷的溶液如果是水溶性,就在浸润性较高的部分凝集涂敷溶液。此时产生的不均匀性,在自旋中不能消除,因此不能获得均匀的薄膜。
发明内容
因此,本发明的课题是:对不能将包含掺杂剂的有机导电体层均匀成膜的基板,提供一种均匀成膜的制造方法。
本发明的显示装置的制造方法,具有:在基板的绝缘表面上形成与配置成矩阵状的多个像素对应的多个第1电极的工序;形成包围上述第1电极且比上述第1电极的表面向上方突出的绝缘体隔壁的工序;在上述绝缘体隔壁和上述第1电极上形成包含受主的有机导电体层的工序;在上述有机导电体层上形成包含能电致发光的有机化合物的电致发光层的工序;以及在上述电致发光层上形成第2电极的工序,其特征在于:形成上述有机导电体层的工序具有:第一工序,湿式涂敷包含和上述受主相同物质的溶液或分散液;第二工序,使上述基板和水接触;以及第三工序,湿式涂敷构成上述有机导电体层的物质的溶液或分散液。
这样,湿式涂敷构成有机导电体层的物质的溶液或分散液的工序(上述的第三工序)前,通过实施上述的第一工序和第二工序,即使平坦性差、表面的浸润性有分布的基板,也能使有机导电体层均匀湿式成膜。
另外,特别从在上述第一工序中的浸润性的观点,作为上述受主,优选具有磺酸基的有机化合物。
另外,在上述的第一工序中,作为上述受主的溶液或分散液的浓度,优选大于等于1wt%小于等于5wt%。
而且,在上述的本发明的显示装置的制造方法中,上述有机导电体层通过湿式涂敷形成。因此,当使用在高分子化合物中掺杂了受主的物质作为上述有机导电体层时,本发明特别有效。
本发明的显示装置的制造方法,具有:在基板的绝缘表面上形成与配置成矩阵状的多个像素对应的多个第1电极的工序;形成包围上述第1电极且比上述第1电极的表面向上方突出的绝缘体隔壁的工序;在上述绝缘体隔壁和上述第1电极上形成包含施主的有机导电体层的工序;在上述有机导电体层上形成包含能电致发光的有机化合物的电致发光层的工序;以及在上述电致发光层上形成第2电极的工序,其特征在于:形成上述有机导电体层的工序具有:第一工序,湿式涂敷包含和上述施主同一物质的溶液或分散液;以及第二工序,湿式涂敷构成上述有机导电体层的物质的溶液或分散液。
这样,湿式涂敷构成有机导电体层的物质的溶液或分散液的工序(上述的第二工序)前,通过实施上述的第一工序,即使是平坦性差、表面的浸润性有分布的基板,也能使有机导电体层均匀湿式成膜。
另外,在上述的第一工序中,作为上述施主的溶液或分散液的浓度,优选大于等于1wt%小于等于5wt%。
而且,在上述的本发明的显示装置的制造方法中,上述有机导电体层通过湿式涂敷形成。因此,当使用在高分子化合物中掺杂了施主的物质作为上述有机导电体层时,本发明特别有效。
进而本发明在有源矩阵型的显示装置的制作方法中是特别有效的方法。
因此,在本发明中,其特征在于:形成第1电极的工序还包含形成数据信号线、扫描信号线以及非线性元件的工序,该非线性元件连接在上述数据信号线、上述扫描信号线以及上述第1电极上。此时,优选上述非线性元件具有:相互连接的薄膜晶体管和电容的组合、或者薄膜晶体管和上述薄膜晶体管的寄生电容的组合。
根据本发明的制造方法,由于能够用简单的方法使有机导电体层均匀成膜,所以可以成品率高、成本低地制造使用了利用有机EL材料的发光元件的显示装置。
附图说明
图1是表示本发明的概念的图。
图2是表示使用于本发明的一实施方式的装置的图。
图3是表示在实施例1中的、实施本发明进行制作的使用了有机EL材料的发光元件的结构的图。
图4是表示在实施例2中的、实施本发明进行制作的显示装置的结构的图。
具体实施方式
(实施方式1)
图1(A)~(F)按工序顺序表示了本法明的显示装置的制造方法的概念图和该剖面图。在图1(A)中,表示了:在基板101上具有第1电极102,以包围上述第1电极102的形状设置了绝缘体隔壁103。
作为第一工序,图1(B)表示在基板101上湿式涂敷包含受主的溶液时的剖面图。包含上述受主的溶液的层104形成在第1电极102、绝缘体隔壁103上。
此外,上述受主优选具有磺酸基的有机化合物。例如选择聚苯乙烯磺酸。另外,包含上述受主的溶液优选水溶液。
下面,作为第二工序,图1(C)表示使基板101上和水接触后的剖面图。
作为第三工序,图1(D)表示在基板101上湿式涂敷构成有机导电体层的物质的溶液或分散液从而形成有机导电体层105时的剖面图。
这样,通过进行第一工序及第二工序,在第三工序中,能够在浸润性不均匀的基板上均匀湿式涂敷有机导电体层105。其理由是:因为例如在使用具有磺酸基的有机化合物作为受主的情况下,具有磺酸基这种亲水基和由有机基构成的疏水基的两者,所以进而使绝缘体隔壁表面的浸润性提高。
进而作为其他的理由,原因是:因为受主的电子受容性较强,所以第1电极102以及绝缘体隔壁103的表面都被氧化,与浸润性相关的表面状态也都被改质为相同的状态。本发明人认为:该现象不只是具有磺酸基的有机化合物,如果是具有电子受容性的物质也会产生。因此,在图1(C)中,第二工序后也以残存包含受主的溶液层104的形式描述,可是如果考虑上述的理由,则未必残存包含受主的溶液的层104。即,即使在第二工序时用水全部冲刷,也只要进行由受主引起的表面的改质即可。
图1(E)表示经过上面的工序后在有机导电体层105上形成电致发光层106时的剖面图。电致发光层106通过蒸镀或者湿式工艺做成。此外,作为上述电致发光层106的结构,可以采用使用了公知的有机EL材料的发光元件的结构。
图1(F)表示在电致发光层106的上面形成第2电极107时的剖面图。第2电极107只要采用真空蒸镀法或EB法成膜成为电极的金属(作为例子,A1Li合金或MgAg合金等)即可。另外,只要第1电极和第2电极任意一方具有可视光透过性即可。
图2表示使用了在图1表示的制造方法、采用有机EL材料的发光元件的制造装置的概念图。下面描述用真空蒸镀形成电致发光层的例子。主要由搬运基板的搬运室、进行过渡的过渡室、制作各种薄膜的成膜室、进行密封的密封室构成。各室装备有用于达到需要的真空度的排气装置、或者用于生成N2等的气体环境的装置,另外,各室间用闸阀等连接。基板搬运通过搬运机器人进行。
最初,从外部向投料室200导入基板201c(像素部、驱动电路部、布线、电极、保护膜等预先在基板上做好)。典型的,在像素部·驱动电路部使用TFT。基板将表面向上设置。
导入了基板201c的投料室200反复进行排气、氮气的放出而制造成在氮环境下。被导入投料室200的基板201c通过搬运机器人201b搬运到处在常压下(氮环境)的搬运室201a内,进而搬运到UV处理室203。在UV处理室203中,对基板201c进行UV臭氧处理。该UV臭氧处理以提高基板的浸润性作为目的。
UV臭氧处理结束的基板经由搬运室201a搬运到涂敷室204。在处在常压下(氮环境)的涂敷室204,湿式涂敷有机导电体层、具体的包含像聚乙二氧撑噻吩/聚苯乙烯磺酸水溶液(下面记为“PEDOT/PSS”)这样的受主的导电性高分子。仅在UV臭氧处理中,有时不能使包含像PEDOT/PSS这样的受主的导电性高分子在基板上均匀成膜。因此,首先湿式涂敷包含和上述受主相同物质的溶液或者分散液。具体的旋涂包含受主即聚苯乙烯磺酸的水溶液。旋涂结束之后将基板用纯水进行处理,最后旋涂PEDOT/PSS。涂敷结束后,经由搬运室201a,送入反转及真空烤干室202。在这里,进行基板的反转及真空烤干。
基板201c真空烤干后运到过渡室206。对过渡室206进行排气成为真空之后,基板201c被搬运到始终保持为真空的搬运室207。在搬运室207也搭载有搬运机器人,发挥着向个室搬运基板的作用。在搬运室207连接以形成电致发光层为目的成膜室。当制作全彩色显示的OLED显示装置时,设置用于形成R·G·B各色的发光层的成膜室208R·208G·208B,还设置用于对各色做成共同的层即载流子输送层或载流子注入层等的成膜室209。在这些成膜室中,一般采用真空蒸镀法。为了获得全彩色发光,只要使用涂分用的孔板进行蒸镀即可,使得表示R·G·B各色的发光的发光层排列成线条状、马赛克状或者三角状。
电致发光层的成膜结束的基板经由过渡室210,运到搬运室211。搬运室211也搭载搬运机器人,发挥向与搬运室211连接的各室搬运基板的作用。在成膜室212或213中,采用真空蒸镀法或EB法使成为电极的金属(例如AlLi合金或MgAg合金等)成膜。在氧等离子体室214中,除去基板的端面、边缘部、端子部、阴极与下部布线的连接区域等上的有机导电体层。在进行氧等离子体处理前,只要采用真空蒸镀法或EB法使成为电极的金属在残留有机导电体层的区域成膜即可。氧等离子体处理后,再次使成为电极的金属成膜,只要获取阴极和触点即可。在成膜室215中,用于保护表面的钝化膜(例如SiN、SiOx膜等)一般采用喷镀法或CVD法成膜。
成膜结束的基板经由过渡室216运到搬运室217。对搬运室217连接了多个进行密封所需的室。在搬运室217也搭载搬运机器人,发挥着向与搬运室217连接的各室搬运基板或密封基板的作用。
首先,需要准备用于进行密封的基板。为此的室是密封玻璃基板准备室218a以及密封塑料基板准备室218b。
密封玻璃基板准备室218a将用于对做成的OLED进行玻璃密封的对置玻璃从外部导入。如果需要,可将使OLED干燥的干燥剂导入到对置玻璃中。例如,可以将片状的干燥剂用双面胶带等粘贴在预先实施了研削加工的对置玻璃的研削部分上。
另一方面,在密封塑料基板准备室218b中,进行用于将做成的OLED进行塑料密封的准备。关于这些作业,可以完全自动化,也可以设置电缆局部手动进行。
准备的密封玻璃基板或者密封塑料基板运到配合室219,之后涂敷用于和基板贴合的粘结剂(未图示)。在本实施方式中,使用紫外线硬化型的作为粘结剂。另外,如果需要,可以将使OLED干燥的干燥剂不在密封玻璃基板准备室218a中的玻璃导入时投料,而是在配合室219内投料。例如,可以将片状的干燥剂用双面胶带等粘贴在预先实施了研削加工的对置玻璃的研削部分。这样一来,不需要将干燥剂在大气中处理。关于这些作业,可以完全自动化,也可以设置电缆局部手动进行。特别的,在密封塑料基板具有曲率和弹性的情况下,可以在弯曲的状态涂敷粘结剂,也可以在笔直延伸的状态下涂敷。
结束成膜的基板以及涂敷粘结剂的密封玻璃基板或密封塑料基板被运到密封及紫外线照射室220,相互粘合。粘结时,需要使用适当的夹具(未图示)进行加压。在具有曲率和弹性的密封塑料基板的情况可以在笔直延伸的状态下进行粘贴。关于这些作业,可以完全自动化,也可以设置电缆局部手动进行。
接着,在密封和紫外线照射室220贴合的基板被用于粘结剂硬化的紫外线照射。
在密封和紫外线照射室220粘结的基板和密封基板可以从过渡室221取出到外部。
接着,在下面,描述用湿式工艺形成电致发光层的例子。有机导电体层的形成以及到烤干过程采用和上述相同的方法进行。在反转和烤干室202被烤干的基板,以将基板表面向上的状态经由搬运室201a运到涂敷室205。在搬运室205中,利用旋涂法或喷墨法使在以聚次苯基乙烯撑、聚二苯并茂为代表的导电性高分子中导入长链烷基等并具有可溶性的衍生物的溶液成膜。在这里使用的材料不限于高分子化合物,只要是成膜性较高的,也可以是低分子有机化合物、有机金属络合物。使电致发光层成膜后,经由搬运室201a,搬入反转及真空烤干室202,在这里进行反转及真空烤干。
在电致发光层上成膜的金属可以用上述表示的同样的方法成膜。另外,以密封为目的采用的基板也可以用和上述相同的方法贴合。
(实施方式2)
在基板上,采用真空蒸镀法或EB法使起电子注入电极作用的金属(例如AlLi合金或MgAg合金等)成膜。接着湿式涂敷包含施主的溶液。作为施主,优选烷基铵离子(例如四乙铵、四丁铵等),或者四硫富瓦烯(以下记为“TTF”)。最后湿式涂敷包含上述施主的导电性高分子。上述导电性高分子优选聚苯胺、聚吡咯等。
电致发光层可以通过蒸镀或者湿式涂敷做成。作为上述电致发光层的结构,可以采用使用周知的有机EL材料的发光元件的结构。在作为空穴注入电极的阳极优选采用ITO膜的。上述ITO膜可以采用喷镀、电子束蒸镀、离子电镀等的方法成膜。
(实施例)
(实施例1)
图3(A)表示在本实施例使用的基板,图3(B)表示图中A-A’的剖面图。ITO的透明电极302在被构图的玻璃基板301上通过光刻形成绝缘性隔壁303。ITO的透明电极302是膜厚100nm、纵向300μm、横向60μm的长方形。绝缘体隔壁303通过丙烯酸树脂形成,高度是1.5μm。
为了使ITO的透明电极302以及绝缘体隔壁303亲水化,进行了UV臭氧洗涤。接着旋涂聚苯乙烯磺酸的1.5wt%水溶液。紧接着在基板上涂敷纯水,使基板自旋切断水。最后用旋涂法进行全面涂敷,使得PEDOT/PSS水溶液为膜厚60nm,80℃时焙烧10钟,200℃时釉烧1小时,进而在蒸镀前进行真空加热(170℃时,加热30分钟,冷却30分钟)。此后不接触大气用真空蒸镀法形成电致发光层305。
在有机导电体层304上分别用真空蒸镀法形成电致发光层305、阴极306。将4,4’-二[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]-联苯(下面记为“TPD”)蒸镀为50nm,接着将三(8-羟基喹啉)铝(下面记为“Alq”)蒸镀为50nm来作为电致发光层。最后,蒸镀AlLi合金100nm来作为阴极并制造采用了有机EL材料的发光元件。
如上所述,因为能根据本发明的制造方法用简单的方法均匀地使有机导电体层成膜,所以能够成品率好、低成本地制造使用了有机EL材料的发光元件。
(实施例2)
在本实施例中,针对在像素部具有使用本发明制造方法的采用了有机EL材料的发光元件的发光装置,使用图4的剖面图进行说明。在基板410上形成驱动电路部和像素部,在这里,表示了作为驱动电路部的源极侧驱动电路401和像素部402。
此外,源极侧驱动电路401形成组合了n沟道型TFT423和p沟道型TFT424的CMOS电路。另外,形成驱动电路的TFT可以用周知的CMOS电路、PMOS电路或者NMOS电路形成。另外,在本实施例中,表示了在基板上形成驱动电路的驱动一体型,可是不是必须那样,也可不在基板上而形成在外部。
另外,像素部402通过包含开关用TFT411、电流控制用TFT412和电连接在其漏极的第1电极413的多个像素形成。此外,覆盖第1电极413的端部形成绝缘物414。在这里,通过采用正型的感光性丙烯酸树脂膜形成绝缘物414。
另外,为了将覆盖区做成较好的,使得在绝缘物414的上端部或者下端部形成具有曲率的曲面。例如,使用正型的感光性丙烯作为绝缘物414的材料时,优选只在绝缘物414的上端部拥有具有曲率半径(0.2μm~3μm)的曲面。另外,作为绝缘物414,可使用通过感光性的光在蚀刻剂中成为不溶解性的负型或者通过光在蚀刻剂中成为溶解性的正型的某一种。
为了使第1电极413和绝缘物414亲水化,进行UV臭氧洗涤。亲水化后,用旋涂法全面涂敷PEDOT/PSS水溶液。可是,有时仅用UV处理不能使包含像PEDOT/PSS这样的受主的导电性高分子在基板上均匀的成膜。因此,首先湿式涂敷包含和上述受主相同的物质的溶液或分散液。具体的旋涂包含受主即聚苯乙烯磺酸的水溶液。旋涂结束后,在基板上加纯水使基板自旋。最后旋涂PEDOT/PSS并形成均匀的有机导电体层。在有机导电体层415上分别形成电致发光层416以及第2电极417,形成电致发光元件418。在这里,作为使用于起阳极作用的第1电极413的材料,优选功函数较大的材料。例如,除了ITO膜、铟锌氧化物(IZO)膜、氮化钛膜、铬膜、钨膜、Zn膜、Pt膜等的单层膜,还能够采用氮化钛膜和以铝为主要成分的膜的层叠、氮化钛膜和以铝为主要成分的膜和氮化钛膜的3层结构等。此外,当为层叠结构时,作为布线的阻抗也低,可获得较好的电阻接触,进而能起到阳极的功能。
此外,电致发光层416通过使用蒸镀掩模的蒸镀法或者喷墨法形成。在电致发光层416无论是低分子类材料还是高分子类材料都可以。另外,作为使用于电致发光层416的材料,通常将有机化合物以单层或层叠使用的情况较多,可是在本发明中,也包含在由有机化合物构成的膜的一部分采用无机化合物的结构。
进而,作为使用于形成在电致发光层416上的第2电极(阴极)417的材料,可以使用功函数较小的材料(Al、Ag、Li、Ca或者这些的合金MgAg、MgIn、AlLi、CaF2或者CaN)。此外,在电致发光层416产生的光透过第2电极417的情况下,作为第2电极(阴极)417,最好使用使膜厚变薄的金属薄膜与透明导电膜(ITO、氧化铟氧化锌合金(In2O3-ZnO)、氧化锌(ZnO)等)的层叠。
如上所述,通过本发明的制造方法,因为能够用简单的方法均匀使有机导电体层成膜,所以能够成品率好、低成本地制造使用了有机EL材料的发光元件。
如上所述,本发明的显示装置的制造方法可适用于制造使用了有机导电体层的显示装置的情况。另外,通过本发明的显示装置的制造方法获得的显示装置的适用范围极广,能够使用于所有领域的电子设备。
Claims (9)
1.一种显示装置的制造方法,具有:在基板的绝缘表面上形成与配置成矩阵状的多个像素对应的多个第1电极的工序;形成包围上述第1电极且比上述第1电极的表面向上方突出的绝缘体隔壁的工序;在上述绝缘体隔壁和上述第1电极上形成包含受主的有机导电体层的工序;在上述有机导电体层上形成包含能电致发光的有机化合物的电致发光层的工序;以及在上述电致发光层上形成第2电极的工序,其特征在于:
形成上述有机导电体层的工序具有:
第一工序,湿式涂敷包含和上述受主相同物质的溶液或分散液;
第二工序,使上述基板和水接触;以及
第三工序,湿式涂敷构成上述有机导电体层的物质的溶液或分散液。
2.如权利要求1所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
上述受主是具有磺酸基的有机化合物。
3.如权利要求1或2所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
包含和上述受主同一物质的溶液或分散液的浓度是大于等于1wt%小于等于5wt%。
4.如权利要求1至3中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
上述有机导电体层由在高分子化合物中掺杂了上述受主的物质构成。
5.一种显示装置的制造方法,具有:在基板的绝缘表面上形成与配置成矩阵状的多个像素对应的多个第1电极的工序;形成包围上述第1电极且比上述第1电极的表面向上方突出的绝缘体隔壁的工序;在上述绝缘体隔壁和上述第1电极上形成包含施主的有机导电体层的工序;在上述有机导电体层上形成包含能电致发光的有机化合物的电致发光层的工序;以及在上述电致发光层上形成第2电极的工序,其特征在于:
形成上述有机导电体层的工序具有:
第一工序,湿式涂敷包含和上述施主同一物质的溶液或分散液;以及
第二工序,湿式涂敷构成上述有机导电体层的物质的溶液或分散液。
6.如权利要求5所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
包含和上述施主同一物质的溶液和分散液的浓度是大于等于1wt%小于等于5wt%。
7.如权利要求5或6所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
上述有机导电体层由在高分子化合物中掺杂了上述施主的物质构成。
8.如权利要求1至7中任一项所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
形成上述第1电极的工序具有形成数据信号线、扫描信号线以及非线性元件的工序,该非线性元件连接在上述数据信号线、上述扫描信号线以及上述第1电极上。
9.如权利要求8所述的显示装置的制造方法,其特征在于:
上述非线性元件具有:相互连接的薄膜晶体管和电容的组合、或者薄膜晶体管和上述薄膜晶体管的寄生电容的组合。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP374155/2002 | 2002-12-25 | ||
JP2002374155 | 2002-12-25 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1732718A true CN1732718A (zh) | 2006-02-08 |
CN100508678C CN100508678C (zh) | 2009-07-01 |
Family
ID=32677282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2003801076351A Expired - Fee Related CN100508678C (zh) | 2002-12-25 | 2003-12-19 | 显示装置的制造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7112113B2 (zh) |
JP (1) | JP4444111B2 (zh) |
CN (1) | CN100508678C (zh) |
AU (1) | AU2003289445A1 (zh) |
WO (1) | WO2004060025A1 (zh) |
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-
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- 2003-12-17 US US10/736,543 patent/US7112113B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-19 AU AU2003289445A patent/AU2003289445A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-19 CN CNB2003801076351A patent/CN100508678C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-19 WO PCT/JP2003/016352 patent/WO2004060025A1/ja active Application Filing
- 2003-12-19 JP JP2004539100A patent/JP4444111B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
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- 2006-09-25 US US11/525,821 patent/US8337940B2/en not_active Expired - Fee Related
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---|---|---|---|---|
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040253368A1 (en) | 2004-12-16 |
CN100508678C (zh) | 2009-07-01 |
JP4444111B2 (ja) | 2010-03-31 |
US20070054582A1 (en) | 2007-03-08 |
US7112113B2 (en) | 2006-09-26 |
WO2004060025A1 (ja) | 2004-07-15 |
US8337940B2 (en) | 2012-12-25 |
JPWO2004060025A1 (ja) | 2006-05-11 |
AU2003289445A1 (en) | 2004-07-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C14 | Grant of patent or utility model | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
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|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |