JP2007042419A - 透明導電性微粒子及びその製造方法、電気光学装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明に係る透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器1を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器1内の微粒子3を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子3の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたことを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
前記粉末に接続された接地電位電極と、
を具備し、
前記透明導電性微粒子は、微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたものであり、
前記微粒子が発光体又は蛍光体であることを特徴とする。
前記粉末に接続された接地電位電極と、
を具備し、
前記透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたものであり、
前記微粒子が発光体又は蛍光体であることを特徴とする。
前記粉末に接続された第1電極と、
前記粉末に接続された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加する電源と、
を具備し、
前記透明導電性微粒子は、微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたものであり、
前記微粒子が発光体又は蛍光体であることを特徴とする。
前記粉末に接続された第1電極と、
前記粉末に接続された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加する電源と、
を具備し、
前記透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたものであり、
前記微粒子が発光体又は蛍光体であることを特徴とする。
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である真空容器内に前記微粒子を収容する工程と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記真空容器を回転させることにより、該真空容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜を被覆する工程と、
を具備することを特徴とする。
(実施の形態1)
図1は、本発明の実施の形態1による透明導電性微粒子を製造する際に用いる多角バレルスパッタ装置の概略を示す構成図である。この多角バレルスパッタ装置は、微粒子(粉体)の表面に、該微粒子より粒径の小さい超微粒子(ここでの超微粒子とは微粒子より粒径の小さい微粒子をいう)又は薄膜を被覆させるための装置である。
まず、六角型バレル1b内に約5グラムの粉体試料3を導入する。この粉体試料3としては粒子径が80μmのAl2O3粉体を用いた。また、ターゲット2にはITOを用いた。なお、本実施の形態では、Al2O3粉体を用いているが、これに限定されるものではなく、他の材料、例えばAl2O3、SiO2、TiO2、ZnO、ZrO2、ポリマーなどの絶縁体、発光体、蛍光体からなる粉体を用いることも可能である。本多角バレルスパッタ方法を用いれば、幅広い材料粉体に透明導電性薄膜を被覆することが可能である。
図2は、本発明の実施の形態2による電気光学装置を模式的に示す断面図である。
この電気光学装置は、透明導電性微粒子43の集合体からなる粉末44を備えている。この透明導電性微粒子43は、微粒子41と、その微粒子41を被覆する透明導電性薄膜42とを有するものであり、実施の形態1と同様の方法により作製される。
図3は、本発明の実施の形態3による電気光学装置を模式的に示す断面図である。
この電気光学装置は、透明導電性微粒子53の集合体からなる粉末54を備えている。この透明導電性微粒子53は、微粒子51と、その微粒子51を被覆する透明導電性薄膜52とを有するものであり、実施の形態1と同様の方法により作製される。
まず、ITO薄膜の成膜条件を検討するため、酸素分量を全圧に対し0%、10%、20%と変化させた際のITO薄膜の構造、物性変化を調べた。その他は、使用ターゲットはITO(10wt%SnO2)、出力50W、スパッタリング時間60分、室温の条件で固定した。尚、酸素分量が0%の場合はアルゴン流量を20sccmとし、酸素分量が10%の場合はアルゴン流量を18sccm、酸素流量を2sccmとし、酸素分量が20%の場合はアルゴン流量を16sccm、酸素流量を4sccmとした。
焼鈍後のXRDパターンは焼鈍前と比較して、回折ピークの角度、強度共に目立った変化は見られなかった(例として酸素分量0%のXRDパターンを図4に示す)。しかし紫外可視吸光スペクトルは、図5(b)に示すように、酸素分量0%の試料24でも可視光領域の吸収がなくなり、全ての試料(酸素分量10%のITO薄膜25、酸素分量20%のITO薄膜26)において可視光に対し高透過率を示す事がわかった。
酸素分量0%の条件で、バレルスパッタリング法にて粉体表面へのITO薄膜の成膜を行った。粒子径が80μmのAl2O3粉体を一回に約5g六角バレル内に導入し、回転数3.5rpmにて180分間スパッタリングを行った。その他の条件は上記のものと同様である。成膜後の試料はAr雰囲気中で450℃、120分間の焼鈍を行った。
1a…円筒部
1b…六角型バレル
2…ターゲット
3…微粒子(粉体試料)
4〜9…配管
10…ターボ分子ポンプ(TMP)
11…ポンプ(RP)
12〜14…第1〜第3バルブ
15…酸素ガス導入機構
16…アルゴンガス導入機構
17…ヒータ
18…バイブレータ
19…圧力計
21…酸素分量0%のITO薄膜
22…酸素分量10%のITO薄膜
23…酸素分量20%のITO薄膜
24…酸素分量0%の試料
25…酸素分量10%の試料
26…酸素分量20%の試料
27…未修飾試料
28…スパッタリングのみの透明導電性微粒子
29…焼鈍した透明導電性微粒子
30…Al2O3粒子
31…焼鈍後の透明導電性微粒子
Claims (8)
- 微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたことを特徴とする透明導電性微粒子。
- 内部の断面形状が多角形を有する真空容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたことを特徴とする透明導電性微粒子。
- 請求項1又は2において、前記微粒子が絶縁体、発光体及び蛍光体のいずれかからなることを特徴とする透明導電性微粒子。
- 透明導電性微粒子の集合体からなる粉末と、
前記粉末に接続された接地電位電極と、
を具備し、
前記透明導電性微粒子は、微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたものであり、
前記微粒子が発光体又は蛍光体であることを特徴とする電気光学装置。 - 透明導電性微粒子の集合体からなる粉末と、
前記粉末に接続された接地電位電極と、
を具備し、
前記透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたものであり、
前記微粒子が発光体又は蛍光体であることを特徴とする電気光学装置。 - 透明導電性微粒子の集合体からなる粉末と、
前記粉末に接続された第1電極と、
前記粉末に接続された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加する電源と、
を具備し、
前記透明導電性微粒子は、微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたものであり、
前記微粒子が発光体又は蛍光体であることを特徴とする電気光学装置。 - 透明導電性微粒子の集合体からなる粉末と、
前記粉末に接続された第1電極と、
前記粉末に接続された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に電圧を印加する電源と、
を具備し、
前記透明導電性微粒子は、内部の断面形状が多角形を有する真空容器を、前記断面に対して略垂直方向を回転軸として回転させることにより、該真空容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜が被覆されたものであり、
前記微粒子が発光体又は蛍光体であることを特徴とする電気光学装置。 - 微粒子を準備する工程と、
重力方向に対して略平行な断面の内部形状が多角形である真空容器内に前記微粒子を収容する工程と、
前記断面に対して略垂直方向を回転軸として前記真空容器を回転させることにより、該真空容器内の微粒子を攪拌あるいは回転させながらスパッタリングを行うことで、該微粒子の表面に該微粒子より粒径の小さい透明導電性超微粒子又は透明導電性薄膜を被覆する工程と、
を具備することを特徴とする透明導電性微粒子の製造方法。
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JP5661965B1 (ja) * | 2014-06-17 | 2015-01-28 | 株式会社ジーエル・マテリアルズホールディングス | 有機系太陽電池用材料及びそれを用いた有機系太陽電池、並びに、その材料の製造方法 |
Families Citing this family (1)
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---|---|---|---|---|
JP6411878B2 (ja) * | 2014-12-05 | 2018-10-24 | 国立大学法人豊橋技術科学大学 | 成膜用原料粉体およびセラミックス膜 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11273872A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-10-08 | Kawaguchiko Seimitsu Kk | エレクトロルミネッセンス |
WO2004059031A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Youtec Co.,Ltd. | 多角バレルスパッタ装置、多角バレルスパッタ方法及びそれにより形成された被覆微粒子、マイクロカプセル及びその製造方法 |
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Family Cites Families (2)
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---|---|---|---|---|
JPH10121102A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-05-12 | Nisshin Steel Co Ltd | 白色導電性複合粉末 |
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2006
- 2006-07-18 WO PCT/JP2006/314535 patent/WO2007015380A1/ja active Application Filing
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11273872A (ja) * | 1998-01-22 | 1999-10-08 | Kawaguchiko Seimitsu Kk | エレクトロルミネッセンス |
WO2004059031A1 (ja) * | 2002-12-25 | 2004-07-15 | Youtec Co.,Ltd. | 多角バレルスパッタ装置、多角バレルスパッタ方法及びそれにより形成された被覆微粒子、マイクロカプセル及びその製造方法 |
WO2005004545A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示デバイス |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008308735A (ja) * | 2007-06-15 | 2008-12-25 | Ulvac Japan Ltd | 同軸型真空アーク蒸着源を用いるナノ粒子の担持方法 |
JP5661965B1 (ja) * | 2014-06-17 | 2015-01-28 | 株式会社ジーエル・マテリアルズホールディングス | 有機系太陽電池用材料及びそれを用いた有機系太陽電池、並びに、その材料の製造方法 |
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