KR100471460B1 - 발광 디바이스 - Google Patents

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KR100471460B1
KR100471460B1 KR10-2001-7015814A KR20017015814A KR100471460B1 KR 100471460 B1 KR100471460 B1 KR 100471460B1 KR 20017015814 A KR20017015814 A KR 20017015814A KR 100471460 B1 KR100471460 B1 KR 100471460B1
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카터쥴리안
힉스스테판칼
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캠브리지 디스플레이 테크놀로지 리미티드
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    • H—ELECTRICITY
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    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H10K71/841—Applying alternating current [AC] during manufacturing or treatment

Abstract

EL 디바이스에 있어서, 이는, 제 1 전극, 제 2 전극 그리고 상기 전극들 간의 유기 EL재료의 발광 영역을 포함하며, 여기서, 상기 제 1 전극은 상기 발광 영역으로 포지티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 1 재료와 상기 발광 영역으로 네거티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 2 재료를 포함하고, 상기 제 2 전극은 상기 발광 영역으로 포지티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 3 재료와 상기 발광 영역으로 네거티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 4 재료를 포함한다.

Description

발광 디바이스{LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 발광 디바이스, 예를 들어 디스플레이 디바이스들로서 적합한 발광 디바이스들에 관한 것이다.
디스플레이 디바이스들 중 하나의 특정 클래스(class)는 발광을 위해 유기 재료를 사용한 디바이스이다. 발광 유기 재료들은 PCT/WO90/13148 및 US 4,539,507에 기술되어 있으며, 이들의 내용은 여기서 참조로서 반영된다. 이러한 디바이스들의 기본 구조는 예를 들어, 폴리(p-페닐린비닐린)("PPV")의 막이 두개의 전극 사이에 끼워져 있는 발광 유기층 구조이다. 상기 전극들 중 하나(캐소드)에는 네거티브 전하 캐리어들(전자들)이 주입되고, 다른 전극(애노드)에는 포지티브 전하 캐리어들(정공들)이 주입된다. 상기 전자들과 정공들은 상기 유기층에서 결합하면서 광자들을 생성한다. PCT/WO90/13148에서, 상기 유기 발광 재료는 폴리머이다. 미국 4,539,507에서, 상기 유기 발광 재료는 (8-하이드록시퀴놀린)알루미늄("Alq3")와 같은 저분자 재료들로 공지된 클래스에 속한다. 상기 전극들 중 실질적인 한 디바이스는 전형적으로 투명하여 광자들이 상기 디바이스를 투과할 수 있도록 한다.
도 1은 전형적인 유기 발광 디바이스("OLED")의 단면 구조를 도시한다. 상기 OLED는 전형적으로 포지티브 전하 캐리어들을 주입하기에 적합한 인듐-주석-산화물(indium - tin - oxide : "ITO")과 같은 재료의 애노드 전극(2)으로 코팅된 유리나 플라스틱 기판(1) 상에 형성된다. 이러한 코팅된 기판들은 상용화 되어 있다. 이러한 ITO-코팅 기판은 적어도 하나의 유기 EL 재료(3) 박막과 네거티브전하 캐리어들을 주입하기에 적당한 캐소드 전극(4)을 형성하는 최종 층으로 덮혀진다. 상기 캐소드 전극은 전형적으로 금속 또는 합금이다. 예를 들어 상기 전극들과 상기 EL 재료 간의 전하 전달을 개선하기 위해 다른 층들이 상기 디바이스에 포함될 수 있다.
도 2는 도 1의 디바이스에서 상기 층들의 에너지 레벨들을 도시한다. 순방향 바이어스에서, 정공들은 상기 애노드 전극(2)에서 상기 발광층으로 전달되기 용이하고, 전자들은 상기 캐소드 전극(4)에서 상기 발광층으로 전달되기 용이하며, 여기서 정공과 전자들은 결합될 수 있다. 역방향 바이어스에서, 정공들은 상기 애노드 전극(2)에서 상기 발광층으로 전달되기 용이하지 않으며, 전자들은 상기 캐소드 전극(4)에서 상기 발광층(2)으로 전달되기 용이하지 않다. 그로 인해 상기 디바이스는 다이오드로서 동작한다.
OLED의 성능의 중요한 척도들은 수명, 전력 효율, 및 턴-온(turn-on) 전압이다. 전형적인 OLED의 수명은 간헐적인 구동에 의해, 또는 심지어는 상기 애노드 및 캐소드 전극들 간에 일시적인 역전압을 가하는 것(AC 구동)으로 종종 연장될 수 있다. 그러나, AC 구동 방식에서는 네거티브전압이 가해졌을 때 발광하지 않기 때문에, 만일 상기 디바이스에 순방향 바이어스가 가해진 경우의 시간 동안 디바이스가 강하게 구동되지 않는 다면, 상기 OLED로부터의 광 출력은 감소한다. 이러한 강한 구동은 상기 디바이스의 성능저하를 가속화할 수 있다. 어떤 환경들에서, 이것은 간헐적인 구동 또는 AC 구동으로 인한 수명의 여타의 이득들을 현저하게 상쇄시킬 수 있다.
본 발명은 이제 첨부되는 도면들을 참고하여 예시적인 방법으로 설명될 것이다.도 1은 전형적인 유기 발광 디바이스(OLED)의 단면구조를 도시하는 도면.도 2는 도 1의 디바이스에서 층들의 에너지 레벨들을 도시하는 도면.
도 3은 발광 디바이스의 단면도.
도 4와 도 5는 구동 방식을 예시한 도면.
본 발명에 따르면, 제 1 전극, 제 2전극 그리고 상기 전극들 간의 유기 EL재료의 발광 영역을 포함하는 EL 디바이스가 제공되며, 여기서 상기 제 1전극은 상기 발광 영역으로 포지티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 1재료와 상기 발광 영역으로 네거티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 2재료를 포함하고, 상기 제 2전극은 상기 발광 영역으로 포지티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 3재료와 상기 발광 영역으로 네거티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 4재료를 포함한다.
상기 디바이스는 바람직하게 상기 네거티브 전하 캐리어들이 상기 제 1전극을 통해 주입되고 포지티브 전하 캐리어가 상기 제 2전극으로부터 주입되는 경우 상기 발광 영역으로부터 발광할 수 있으며, 상기 제 1전극으로부터 포지티브전하 캐리어들이 주입되고 제 2전극을 통해 네거티브전하 캐리어들이 주입되는 경우 상기 발광 영역으로부터 발광할 수 있다.
바람직하게, 상기 전극들 간에 가해지는 전압의 크기가 20, 10 또는 5V이하인 경우, 상기 제 1, 제 2, 제 3 및 제 4재료들은 전술한 바와 같이 전하 캐리어들을 주입할 수 있다. 상기 제 1 및 제 3재료들 모두 또는 이중 하나는 4.0eV 또는 4.5eV 이상의 일함수를 가질 수 있다. 상기 제 2 및 제 4재료들 모두 또는 이중 하나는 3.5eV 또는 3.0eV 이하의 일함수를 가질 수 있다.
상기 제 1전극은 바람직하게 상기 제 1재료 및 제 2재료가 존재하는 EL 재료의 영역과 대면하는 임의의 표면을 가진다. 상기 제 1 및 제 2 재료들의 영역은 상기 EL 재료의 영역에 인접하도록 위치되는 것이 바람직하다. 상기 제 2전극은 제 3재료 및 제 4재료가 존재하는 EL 재료의 영역과 대면하는 것이 적절하다. 상기 제 3및 제 4재료들의 영역은 상기 EL 재료의 영역에 인접하도록 위치되는 것이 바람직하다.
상기 제 1 및/또는 제 3재료는 예를 들어 금 또는 백금 혹은 ITO일 수 있다. 상기 제 1 및 제 3재료들은 동일하거나 상이할 수 있다. 상기 제 2 및/또는 제 4재료는 예를 들어, 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속 재료, 또는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 산화물 또는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 불화물일 수 있으며, 예컨대 3.5eV 이하의 낮은 일함수를 가지는 것이 적합하다. 상기 제 2 및/또는 제 4 재료은 Li, Ca, Mg, Cs, Ba, Yb, Sm 등과 같은 낮은 일함수의 불화물 또는 산화물일 수 있다. 상기 제 2 및/또는 제 4재료들은 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 전극들 모두 또는 이들 중 하나는 광-투과성인 것이 바람직하며, 투명한 것이 가장 바람직하다.
본 발명의 제 2양상에서, 전술한 바와 같이 EL 디바이스를 구동하는 방법이 제공되며, 이 방법은 상기 전극들에 교류 구동방식을 적용하는 것을 포함한다. 상기 교류 구동 방식은 상기 제 2전극에 대해 상대적으로 포지티브인 상기 제 1 전극에 바이어스를 가하고, 후속적으로 상기 제 2전극에 대해 상대적으로 네거티브인 상기 제 1전극에 바이어스를 반복적으로 가하는 것을 포함할 수 있다. 상기 방식은 주기적일 수도 있고, 그렇지 않을 수도 있다. 상기 방식은 두 전극 중 어느 하나도 다른쪽 전극에 대해 상대적으로 바이어스되지 않는 경우의 주기를 포함할 수도 있거나 또는 포함하지 않을 수도 있다.
여기서 상반된 바이어스 주기들을 포함하는 임의의 방식에 의해 상기 디바이스가 구동되는 경우, 상기 제 1전극이 제 2전극에 대해 네거티브로 바이어스될 때, 상기 전극들에 가해지는 전압이 상기 발광 영역의 상이한 구역에서 정공/전자 재결합을 초래하도록 하는 것보다는, 상기 제 1전극이 제 2전극에 대해 포지티브로 바이어스될 때 상기 전극들에 가해지는 전압이 상기 발광 영역의 상이한 구역에서 정공/전자 재결합을 초래하도록 하는 것이 바람직하다.
상기 발광 재료는 유기 재료인 것이 적합하며, 폴리머 재료인 것이 바람직하다. 상기 발광 재료는 반도체성 및/또는 공액 폴리머(conjugated polymer) 재료인것이 바람직하다. 대안적으로, 상기 발광 재료는 예를 들어, 승화된 저분자 막들 또는 무기 발광 재료와 같은 다른 타입들일 수 있다. 상기 또는 각 유기 발광 재료는 하나 이상의 개별적인 유기 재료를 포함할 수 있다. 이 재료는 폴리머인 것이 적합하며, 전체 또는 부분적으로 공액 폴리머들인 것이 바람직하다. 예시적인 재료들은 이하에 나열되는 것들의 하나 이상의 조합들을 포함하는데, 이는, 폴리(p-페닐린비닐린)("PPV"), 폴리(2-메톡시-5(2'-에틸)헥시록시페닐린비닐린)("MEH-PPV"), 하나 이상의 PPV-파생물(예를 들어, 디-알콕시 또는 디-알킬 파생물), 폴리플루오렌 그리고/또는 폴리플루오렌 세그먼트들과 결합되는 코-폴리머들, PPV들 및 관련된 코-폴리머들, 폴리(2,7-(9,9-디-n-옥틸플루오렌)-(1,4-페닐린-((4-섹뷰틸페닐)이미노)-1,4-페닐린))("TFB"), 폴리(2,7-(9,9-디-n-옥틸플루오렌)-(1,4-페닐린-((4-메틸페닐)이미노)-1,4-페닐린-((4-메틸페닐)이미노)-1,4-페닐린))("PFM"), 폴리(2,7-(9,9-디-n-옥틸플루오렌)-(1,4-페닐린-(4-메톡시페닐)이미노)-1,4-페닐린-((4-메톡시페닐)이미노)-1,4-페닐린))("PFMO"),폴리(2,7-(9,9-디-n-옥틸플루오렌)("F8") 또는 (2,7-(9,9-디-n-옥틸플루오렌)-3,6-벤조티아디아졸)("F8BT") 이다. 대안적인 재료들은 Alq3와 같은 저분자 재료들을 포함한다. 상기 발광 영역은 두개 이상의 이러한 재료들을 포함할 수 있다.
하나 이상의 전하-전달 층들은 상기 발광 영역과 상기 두개의 전극들 모두 또는 하나 간에 제공될 수 있으며, 또는 상기 발광 영역에 집적될 수 있다. 상기 또는 각 전하 전달층은 폴리스틸렌 설포닉 에시드 도프된 폴리에틸렌 디옥시티포넨("PEDOT-PSS"), 폴리(2,7-(9,9-디-n-옥틸플루오렌)-(1,4-페닐린-(4-이미노(벤조익 에시드))-1,4-페닐린-(4-이미노(벤조익 에시드))-1,4-페닐린))("BFA"), 폴리아닐린 그리고 PPV와 같은 하나 이상의 폴리머들을 포함하는 것이 적합할 수 있다.
도 3의 디바이스는 두 전극구조들(11과 12) 간에 위치된 발광 재료의 영역(10)을 포함한다. 상기 전극 구조들은 상기 전극 구조들 간에 전압을 공급할 수 있는 구동유닛(13)에 연결된다. 상기 전극 구조들은 상기 전극 구조(11)가 애노드(전극 구조(12)에 대해서 전기적으로 포지티브) 또는 캐소드(전극 구조(12)에 대해서 전기적으로 네거티브) 중 어떠한 것이더라도 상기 발광 재료로부터 비교적 효율적인 발광을 허용할 수 있도록 형성된다.
도 3의 디바이스는 인듐-주석 산화물(ITO)의 접촉층(15)으로 코팅된 유리 기판(14) 상에 형성된다. 이러한 ITO-코팅 유리 기판들은 상용화 되어 있다. 상기 유리 기판은 소다 희석 또는 보로실리케이트 유리의 판으로 그 두께는 예를 들어 1mm일 수 있다. 유리 대신에 방풍유리(Perspex)와 같은 다른 재료도 사용될 수 있다. 상기 ITO 코팅 두께는 약 150nm 정도인 것이 적절하며 상기 ITO는 약 10에서 30Ω/□의 판저항을 가지는 것이 적합하고 150Ω/□ 정도인 것이 바람직하다.
상기 ITO층(15) 상부에 Au 및 LiF의 전하 주입층(16)이 증착된다. 상기 층은 Au 및 LiF의 동시-증착(co-evaporation)에 의해 형성될 수 있다. 상기 층(15)의 두께는 2에서 20nm 사이인 것이 적합하며, 약 5nm 정도인 것이 바람직하다. 적절한 Au:LiF의 비율-예를 들어 1:1이 선택된다. 상기 Au:LiF의 미세구조층은 상기 디바이스의 요망되는 가시 거리에서 충분히 고른 발광을 가짐과 동시에, 요망되는 양방향 디바이스 성능(높고 그리고 낮은 일함수 컴포넌트들이 상기 발광 재료와의 인터페이스에서 이들의 벌크(bulk) 특성들을 바람직하게 나타낸다)을 달성하기 위해 선택된다. 근거리에서 관찰되는 디바이스는 먼 거리에서 관찰되는 디바이스에서 용인될 수 있는 것보다 더 미세한 미세구조를 가지는 전극들이 필요할 수 있다.
그 다음, 발광 재료는 영역(10)을 형성하기 위해 증착된다. 상기 발광 재료는 여타의 적절한 발광 폴리머, 저분자, 또는 올리고머(oligomer) 재료 등, 또는 선택적으로 다른 재료들과 이러한 재료들의 두개 이상을 혼합한 혼합물일 수 있다. 상기 층은 치환된 폴리(p-페닐린비릴린)폴리머들로 형성될 수 있다. 이는 유기 용제를 스핀 코팅법에 의해 층(2) 상부에 증착된다. 상기 발광 재료는 상기 발광 영역 내에서 전하 전달을 도와주는 컴포넌트들(components)과 혼합될 수 있다. 상기 발광 재료층의 두께는 약 90nm 정도가 적합하다.
상기 전극(12)은 Au 및 LiF의 제 2 전하 주입층(17)을 포함하며, 이는 다시 이러한 컴포넌트들의 동시-증착법(co-evaporation)으로 증착될 수 있다. 상기 층(17)의 두께는 약 20nm 정도인 것이 적절하다.
상기 전하 주입층(17) 상부에는 증착에 의해 증착될 수 있는 Al의 제 2접촉 층(18)이 존재한다. 상기 층(18)의 두께는 약 500nm 정도인 것이 적절하다.
상기 층(18)이 증착된 후, 층(15)과 층(18)에 대한 접합부가 형성되며 상기 디바이스를 주위환경으로부터 보호하기 위해 에폭시-유리로 밀봉된다.
전극 구조(11)는 층들(15와 16)을 포함한다. 전극 구조(12)는 층들(17과 18)을 포함한다.
상기 전하 주입층들(16과 17) 각각은 비교적 높은 일함수의 재료(Au)와 비교적 낮은 일함수의 재료(LiF)를 포함한다. 상기 층들의 미세구조는 상기 재료들이 층들 전체에 걸쳐서, 특히 상기 발광 영역에 인접한 상기 층들 각각의 표면에 존재하도록 하는 구조이다. 이러한 결과로서, 전하 주입 층들이 동작 동안 디바이스의 에노드 또는 캐소드가 되든지 간에 상기 주입층들은 비교적 효율적으로 전하를 주입하도록 동작할 수 있다. 상기 전기적으로 전도성인 접촉 층들(15와 18)은 상기 구동 유닛(13)의 연결자들에 대한 인터페이스처럼 동작하고, 상기 전하 주입 층들을 통해 전하가 고르게 분포하는데 도움을 준다. 상기 전하 주입층들(16과 17)은 부가적인 높거나 낮은 일함수 컴포넌트들을 포함하고 그리고/또는 상기 층들을 통한 전기적 전도성을 높이기 위한 컴포넌트들을 포함할 수 있다.
도 3의 실시예에서, 상기 기판(14), 접합층(15) 그리고 주입층(16)은 광-투과성이고 투명한 것이 바람직하며, 그로 인해 광이 상기 기판을 통해 상기 디바이스로부터 발광될 수 있다.(화살표 (19) 참조). 다른 디바이스들에서, 다른 전극 구조(12)는 광 투과성일 수 있고, 또는 광이 상기 디바이스의 측면들을 통해서 발광할 수 있다.
도 4는 도 3의 디바이스를 구동시키는데 사용될 수 있는 방식의 예시를 도시한다. 도 4는 상기 층들(15와 17) 간에 가해지는 전압의 시간에 따른 개략적인 연속도면들을 도시한다.
방식(A)은 상기 층(15)이 층(17)에 비해 높은 전위(포지티브)로 유지되는 일정 전압의 응용을 도시한다. 이러한 경우, 상기 전극 구조(11)는 애노드로서 동작하고, 전극 구조(12)는 캐소드로서 동작한다. 상기 전극(11)은 층(16)의 높은 일함수 컴포넌트(Au)에 의해 전공들을 상기 발광 재료로 주입한다. 상기 전극(12)은 층(17)의 낮은 일함수 컴포넌트(LiF)에 의해 전자들을 상기 발광 재료로 주입한다.
방식(B)은 상기 층(15)이 층(17)에 비해 낮은 전위(네거티브)로 유지되는 일정 전압의 응용을 도시한다. 이러한 경우, 상기 전극 구조(11)는 캐소드로서 동작하고, 전극 구조(12)는 애노드로서 동작한다. 상기 전극(11)은 층(16)의 낮은 일함수 컴포넌트(LiF)에 의해 전자들을 상기 발광 재료로 주입한다. 상기 전극(12)은 층(17)의 높은 일함수 컴포넌트(Au)에 의해 정공들을 상기 발광 재료로 주입한다.
그로 인해 상기 디바이스는 순방향 또는 역방향 바이어스(방식(A와 B)) 하에서 비교적 효율적으로 동작할 수 있다. 또한, 이는 교류(AC) 구동 방식에서도 동작할 수 있는데, 이들의 예시들은 방식(C) 내지 방식(G)에서 보인다. AC 구동 방식들은 직류(DC) 구동 방식보다 많은 장점들을 제공할 수 있다. OLED의 결함에 대한 한 원인은 상기 디바이스의 컴포넌트들이 일정 방향의 전기장 하에서 상기 전극들 중 하나로 이주(migration)하는 것이다. AC 방식은 역방향 전기장이 가해지면 반대 방향으로 이주를 유도할 수 있기 때문에 이러한 문제를 해결할 수 있다. 부가적으로, 어떤 상황들에서, OLED를 AC로 구동하는 것이 하드웨어적인 이유들로 인해 더욱 편리할 수 있다.
방식(C)은 상기 구동 방식의 포지티브와 네거티브의 부분들이 동일한 전압과 주기를 가지는 간단한 사각파 교류 구동방식이다.
방식(D)은 상기 구동 방식의 포지티브와 네거티브의 부분들이 동일한 전압과 주기를 가지는 간단한 사인파 교류 구동이다.
상기 방식은 대칭적일 필요는 없다. 방식(E)은 상기 구동 방식의 포지티브와 네거티브의 부분들이 상이한 레벨을 가지는 사각파 교류 구동 방식이다. 만일 디바이스가 한쪽 바이어스에서보다 다른 쪽 바이어스에서 더 효과적으로 발광하는 경우, 이런 방식에 의해 디바이스의 밝기가 일정하게 유지될 수 있기 때문에 이런 방식은 유효할 수 있다. 방식(F)은 상기 구동 방식의 포지티브과 네거티브의 부분들이 상이한 지속시간(duration)을 가지는 사각파 교류 구동 방식이다. 이런 방식은 다른 쪽 바이어스 하에서 보다 한쪽 바이어스 하에서 이주가 큰 경우 유효할 수 있다.
도 4의 방식(G)은 0전압의 주기들을 포함한다.
상기 구동 방식은 주기적일 필요는 없으며 임의적일 수 있다.
전술된 디바이스가 AC 구동 방식으로 구동되는 경우, 부가적인 메카니즘에 의해 수명이 더 개선될 수 있다. 일반적인 디바이스에서 발광 재료의 성능저하는 전자/정공 재결합이 발생하는 상기 재료의 영역에서 가장 크다는 것은 공지되어 있다. 이것은 주어진 휘도에 대한 상기 재료의 고정 구역에서 발생한다. 도 3의 디바이스가 역방향 바이어스에서 동작하는 경우, 상이한 구역에서 재결합이 발생할 수 있다. 따라서, 도 3의 디바이스에서의 성능저하는 발광 영역 전체에 걸쳐서 더욱 균등하게 분포할 수 있다. 도 5는 일반화된 주기적 사각파 구동 방식을 보여준다. VP, VN, tP 그리고 tN을 변화시키는 것으로, 상기 방식은 재결합/성능저하 구역들과 함께 상이한 장소들에서 원하는 휘도를 획득할 수 있다. 각 전하 주입층의 재료들 중 하나는 상기 발광 재료의 LUMO 레벨에 근접한 일함수를 가지는 것이 적합하다. 각 전하 주입층의 재료들 중 하나는 상기 발광 재료의 HOMO 레벨에 근접한 일함수를 가지는 것이 적합하다. 전형적인 유기 발광 재료들에서, 각 전하 주입층의 재료들 중 하나는 4.0, 4.1, 4.2, 4.3, 4.4 또는 4.5eV 보다 큰 일함수를 가지는 것이 바람직하며, 그리고/또는 각 전하 주입층 재료들 중 다른 것은 3.5, 3.4, 3.3, 3.2, 3.1 또는 3.0eV 보다 작은 일함수를 가지는 것이 바람직하다. 상기 전하 주입층들은 동일하거나 상이한 조성들을 가질 수 있다.
삭제
상기 전극들과 상기 발광층 모두 또는 하나 간에는 하나 이상의 전하 전달층들이 있을 수 있다. 상기 전하 전달층들은 "PEDOT-PSS"(polystyrene sulphonic acid doped polyethylene dioxythiophene)과 같은 전기적으로 전도성인 유기재료일 수 있다.
상기 디바이스는 다수의 독립적으로 제어가능한 디스플레이 소자들 또는 픽셀들(pixels)을 가지는 거대한 디스플레이 유닛의 일부로 형성될 수 있다. 상기 픽셀들은 동일하거나 상이한 형상들로 존재할 수 있다. 상기 픽셀들은 능동 및 수동 매트릭스 어드레싱(matrix addressing)을 포함하는 여타의 적합한 어드레싱 방식으로 구동될 수 있다.
본 발명은 본 발명의 모든 청구항들의 범위를 제한 하지 않으면서 모든 특징 또는 여기서 명백하거나 암시적으로 개시된 특징들의 조합 또는 이들의 일반화를 포함할 수 있다. 전술된 설명의 관점에서, 당업자라면 본 발명의 범주 내에서 다양한 수정들이 이루어질 수 있다는 것은 명백하게 이해될 것이다.

Claims (17)

  1. 제 1 전극,
    제 2 전극, 그리고
    상기 전극들 간의 유기 EL(electroluminescent)재료의 발광 영역을 포함하며,
    상기 제 1 전극은 상기 발광 영역으로 포지티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 1 재료와 상기 발광 영역으로 네거티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 2 재료를 포함하고, 그리고
    상기 제 2 전극은 상기 발광 영역으로 포지티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 3 재료와 상기 발광 영역으로 네거티브 전하 캐리어를 주입할 수 있는 제 4 재료를 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 EL 재료의 영역과 대면하는 표면을 가지며, 상기 제 1 재료와 제 2 재료가 상기 표면에 존재하는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 EL 재료의 영역과 대면하는 표면을 가지며, 상기 제 3 재료와 제 4 재료가 상기 표면에 존재하는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 및 제 2 재료들의 동시-증착으로 형성되는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 제 3 및 제 4 재료들의 동시-증착으로 형성되는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  6. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전극들 중 적어도 하나는 광-투과성인 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 또는 제 3 재료는 금 또는 백금인 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  8. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 및 제 4 재료들 중 하나 또는 모두는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속이거나, 또는 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 산화물이거나, 또는 상기 알칼리 금속 또는 알칼리 토금속의 불화물인 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  9. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 3 재료들 중 하나 또는 모두가 4.0eV 이상의 일함수를 가지는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  10. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 및 제 4 재료들 중 하나 또는 모두가 3.5eV 이하의 일함수를 가지는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  11. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 3 재료들이 동일한 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  12. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 및 제 4 재료들은 동일한 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  13. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전극들에 교류 구동 방식을 적용하기 위해 상기 제 1 및 제 2 전극과 전기적으로 연결된 구동 유닛을 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  14. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 전극들 중 적어도 하나와 상기 발광 영역 간에 전기적으로 전도성인 재료의 전하 전달 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스.
  15. 삭제
  16. 제 1 항에 따른, EL 디바이스를 구동하는 방법으로서, 상기 전극들에 교류 구동 방식을 적용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 EL 디바이스 구동 방법.
  17. 삭제
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100721656B1 (ko) 2005-11-01 2007-05-23 주식회사 엘지화학 유기 전기 소자
US6665479B2 (en) 2000-03-06 2003-12-16 Shayda Technologies, Inc. Polymeric devices including optical waveguide laser and optical amplifier
GB0118791D0 (en) * 2001-08-01 2001-09-26 Cambridge Display Tech Ltd Multi-step organic light-emissive devices
JP2006179748A (ja) * 2004-12-24 2006-07-06 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置および電子機器
JP2007122981A (ja) * 2005-10-26 2007-05-17 Matsushita Electric Works Ltd 点灯装置及び照明装置
GB0526185D0 (en) * 2005-12-22 2006-02-01 Cambridge Display Tech Ltd Electronic device
JP2009524189A (ja) * 2006-01-18 2009-06-25 エルジー・ケム・リミテッド 積層型有機発光素子
WO2013027530A1 (ja) * 2011-08-25 2013-02-28 コニカミノルタホールディングス株式会社 表示照明装置
JP2012099501A (ja) * 2012-01-25 2012-05-24 Panasonic Corp 点灯装置並びに照明装置
CN103957620A (zh) * 2014-04-28 2014-07-30 四川虹视显示技术有限公司 一种两极性oled照明驱动方法及电源

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4885211A (en) 1987-02-11 1989-12-05 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
US5059862A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with improved cathode
DE69318463T2 (de) 1992-03-23 1998-09-03 Ciba Geigy Ag Organisches Elektrolumineszentelement
US5552678A (en) 1994-09-23 1996-09-03 Eastman Kodak Company AC drive scheme for organic led
US5858561A (en) 1995-03-02 1999-01-12 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
US5663573A (en) 1995-03-17 1997-09-02 The Ohio State University Bipolar electroluminescent device
GB9624706D0 (en) * 1996-11-28 1997-01-15 Cambridge Display Tech Ltd Light emitting polymer device
JPH11111461A (ja) 1997-09-30 1999-04-23 Minolta Co Ltd 有機エレクトロルミネセンス素子
US6392250B1 (en) * 2000-06-30 2002-05-21 Xerox Corporation Organic light emitting devices having improved performance

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