JP2003115385A - 固体自発光表示装置及びその製造方法 - Google Patents
固体自発光表示装置及びその製造方法Info
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- H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
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- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 高輝度、高効率、高信頼性、かつ薄型の固体
自発光表示装置を提供するとともに、低コストで製造し
得る方法を提供する。 【解決手段】 ｎｍサイズの絶縁被膜結晶微粒子５とｎ
ｍサイズの蛍光体微粒子７とを積層または混合した発光
薄膜と、発光薄膜を挟持する下部電極と透明な上部電極
とからなる発光部を有し、下部電極から注入された電子
９は絶縁被膜結晶微粒子層６中をフォノンによる散乱を
受けることなく加速されて高エネルギー弾道電子となり
蛍光体微粒子７に衝突励起して励起子１３を生成する。
蛍光体微粒子７がｎｍサイズであるので励起子濃度が高
くなり、励起子の消滅による発光強度が大きくなる。
自発光表示装置を提供するとともに、低コストで製造し
得る方法を提供する。 【解決手段】 ｎｍサイズの絶縁被膜結晶微粒子５とｎ
ｍサイズの蛍光体微粒子７とを積層または混合した発光
薄膜と、発光薄膜を挟持する下部電極と透明な上部電極
とからなる発光部を有し、下部電極から注入された電子
９は絶縁被膜結晶微粒子層６中をフォノンによる散乱を
受けることなく加速されて高エネルギー弾道電子となり
蛍光体微粒子７に衝突励起して励起子１３を生成する。
蛍光体微粒子７がｎｍサイズであるので励起子濃度が高
くなり、励起子の消滅による発光強度が大きくなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、量子サイズ効果を
利用した固体自発光表示装置並びにその製造方法に関す
る。
利用した固体自発光表示装置並びにその製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶を使用した表示装置が広く普
及しているが、液晶表示装置は原理上バックライトを使
用するため、省電力、輝度といった特性で十分であると
は言えない。このため、液晶よりも高輝度、省電力、薄
型、かつ、環境高耐性を実現できる表示装置として、全
て固体部材で構成され、自ら発光する固体自発光表示装
置の研究開発が盛んに行なわれている。従来の固体自発
光表示装置には、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ）表示装置がある。ＥＬ表示装置は、発光
中心原子を有する半導体層とこの半導体層を挟む絶縁層
で構成されている。発光中心原子には可視光の蛍光を発
する元素、例えばＭｎ、あるいは希土類元素が用いら
れ、半導体層には可視光より大きなバンドギャップエネ
ルギーを有する半導体、例えばＺｎＳ等が用いられ、絶
縁層には半導体層の絶縁破壊を防止する薄膜、例えばＳ
ｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4薄膜等が用いられている。ＥＬ表示
装置は、絶縁層を介して印加される高電界により半導体
中の電子を加速して、発光中心原子を衝突励起して蛍光
を発生させるものであり、電気エネルギーを直接光エネ
ルギーに変換できることが特徴である。
及しているが、液晶表示装置は原理上バックライトを使
用するため、省電力、輝度といった特性で十分であると
は言えない。このため、液晶よりも高輝度、省電力、薄
型、かつ、環境高耐性を実現できる表示装置として、全
て固体部材で構成され、自ら発光する固体自発光表示装
置の研究開発が盛んに行なわれている。従来の固体自発
光表示装置には、ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅ
ｓｃｅｎｃｅ）表示装置がある。ＥＬ表示装置は、発光
中心原子を有する半導体層とこの半導体層を挟む絶縁層
で構成されている。発光中心原子には可視光の蛍光を発
する元素、例えばＭｎ、あるいは希土類元素が用いら
れ、半導体層には可視光より大きなバンドギャップエネ
ルギーを有する半導体、例えばＺｎＳ等が用いられ、絶
縁層には半導体層の絶縁破壊を防止する薄膜、例えばＳ
ｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4薄膜等が用いられている。ＥＬ表示
装置は、絶縁層を介して印加される高電界により半導体
中の電子を加速して、発光中心原子を衝突励起して蛍光
を発生させるものであり、電気エネルギーを直接光エネ
ルギーに変換できることが特徴である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＥＬを
発光させるためには、半導体中の電子をフォノン散乱に
抗して高エネルギー状態（ホットエレクトロン状態）ま
で加速しなければならないため発光効率が悪く、かなり
の高電界（〜１０6 Ｖ／ｃｍ以上）を必要とすると共
に、絶縁破壊がおきやすいといった課題がある。また半
導体層に有機材料を用いたＥＬ表示装置も存在するが、
有機材料が不安定なために劣化しやすく発光効率がすぐ
低下してしまうと言った課題がある。また、加速電子
（弾道電子）により発光中心原子を衝突励起して蛍光を
発生させる表示装置としては、他に、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌ
ｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）表示装置があ
る。しかしながら、ＦＥＤ表示装置は、電界放射型の電
子銃を用いて電子を真空中に放出し、真空中で加速する
ため、比較的低電界で発光させることはできるが、真空
の空間を必要とし、薄型にできないと言った課題があ
る。
発光させるためには、半導体中の電子をフォノン散乱に
抗して高エネルギー状態（ホットエレクトロン状態）ま
で加速しなければならないため発光効率が悪く、かなり
の高電界（〜１０6 Ｖ／ｃｍ以上）を必要とすると共
に、絶縁破壊がおきやすいといった課題がある。また半
導体層に有機材料を用いたＥＬ表示装置も存在するが、
有機材料が不安定なために劣化しやすく発光効率がすぐ
低下してしまうと言った課題がある。また、加速電子
（弾道電子）により発光中心原子を衝突励起して蛍光を
発生させる表示装置としては、他に、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌ
ｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｅｖｉｃｅ）表示装置があ
る。しかしながら、ＦＥＤ表示装置は、電界放射型の電
子銃を用いて電子を真空中に放出し、真空中で加速する
ため、比較的低電界で発光させることはできるが、真空
の空間を必要とし、薄型にできないと言った課題があ
る。
【０００４】上記課題に鑑み、本発明は、従来の表示装
置に比べ飛躍的に高輝度、高効率、、高信頼性、かつ薄
型の固体自発光表示装置を提供し、また低コストで製造
できるその製造方法を提供することを目的とする。
置に比べ飛躍的に高輝度、高効率、、高信頼性、かつ薄
型の固体自発光表示装置を提供し、また低コストで製造
できるその製造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の固体自発光表示装置は、ｎｍ（ナノメー
タ）サイズの絶縁被膜結晶微粒子とｎｍサイズの蛍光体
微粒子とを積層または混合した発光薄膜と、この発光薄
膜を挟持する下部電極及び透明な上部電極と、から構成
した発光部を有し、上部電極と下部電極との間に直流ま
たは交流電圧を印加して発光表示することを特徴とす
る。本発明の固体自発光表示装置において、ｎｍサイズ
の絶縁被膜結晶微粒子は、ｎｍサイズの半導体または金
属の単結晶微粒子と、単結晶微粒子の表面を覆うｎｍ厚
さの絶縁膜とからなることを特徴とする。本発明の固体
自発光表示装置において、好ましくは、ｎｍサイズの単
結晶微粒子は、真性または不純物ドープｎｍサイズのＳ
ｉ単結晶微粒子であり、絶縁膜はＳｉ単結晶微粒子の表
面を覆うｎｍ厚さのＳｉＯ2 膜である。また、好ましく
は、ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、紫外光から可視光領
域に対応するバンドギャップエネルギーを有する半導体
微粒子である。前記ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、ドナ
ーまたはアクセプター、或いは、ドナー及びアクセプタ
ーを有していてもよい。また、前記ｎｍサイズの蛍光体
微粒子は、発光原子または発光原子イオンをドープした
半導体微粒子であってもよい。
に、本発明の固体自発光表示装置は、ｎｍ（ナノメー
タ）サイズの絶縁被膜結晶微粒子とｎｍサイズの蛍光体
微粒子とを積層または混合した発光薄膜と、この発光薄
膜を挟持する下部電極及び透明な上部電極と、から構成
した発光部を有し、上部電極と下部電極との間に直流ま
たは交流電圧を印加して発光表示することを特徴とす
る。本発明の固体自発光表示装置において、ｎｍサイズ
の絶縁被膜結晶微粒子は、ｎｍサイズの半導体または金
属の単結晶微粒子と、単結晶微粒子の表面を覆うｎｍ厚
さの絶縁膜とからなることを特徴とする。本発明の固体
自発光表示装置において、好ましくは、ｎｍサイズの単
結晶微粒子は、真性または不純物ドープｎｍサイズのＳ
ｉ単結晶微粒子であり、絶縁膜はＳｉ単結晶微粒子の表
面を覆うｎｍ厚さのＳｉＯ2 膜である。また、好ましく
は、ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、紫外光から可視光領
域に対応するバンドギャップエネルギーを有する半導体
微粒子である。前記ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、ドナ
ーまたはアクセプター、或いは、ドナー及びアクセプタ
ーを有していてもよい。また、前記ｎｍサイズの蛍光体
微粒子は、発光原子または発光原子イオンをドープした
半導体微粒子であってもよい。
【０００６】上記構成によれば、下部電極と上部電極に
印加された電圧は発光薄膜中のｎｍサイズの絶縁被膜結
晶微粒子のｎｍ厚さの絶縁膜に分配され、下部電極から
注入された電子は絶縁膜の電界によって加速され、絶縁
膜をトンネリングまたは共鳴トンネリングして通過し、
ｎｍサイズの単結晶微粒子をフォノンによる散乱を受け
ることなく通過する（例えば特願２０００−１５１４４
８号明細書参照）。隣接する絶縁被膜結晶微粒子ごとに
上記過程を繰り返し、電子は大きな運動エネルギーを獲
得しｎｍサイズの蛍光体微粒子に衝突する。電子の運動
エネルギーが蛍光体微粒子のバンドギャップエネルギー
以上であれば、蛍光体微粒子中に電子とホールを生成
し、電子とホールが自由励起子を形成する。蛍光体微粒
子はｎｍサイズであるので、電子とホールは互いにｎｍ
サイズの空間に閉じ込められるから自由励起子の濃度が
高まり、自由励起子の消滅による発光強度が大きくな
る。また、蛍光体微粒子がドナーまたはアクセプター、
或いは、ドナー及びアクセプターを有している場合に
は、生成した電子とホールがドナーまたはアクセプタ
ー、或いは、ドナー及びアクセプターを介して束縛励起
子を形成する。蛍光体微粒子はｎｍサイズであるので、
電子とホールは互いにｎｍサイズの空間に閉じ込められ
るから、束縛励起子の濃度が高まり、束縛励起子の消滅
による発光強度が大きくなる。また、絶縁被膜結晶微粒
子によって大きな運動エネルギーを有する電子が多量に
生成されるので、蛍光体微粒子中の発光原子または発光
原子イオンが多量に励起されて発光強度が大きくなる。
このように本発明によれば、無損失で電子を加速でき、
かつ励起子濃度が高いので発光効率が高く、かつ輝度が
高い。また、発光薄膜が薄くかつ発光薄膜自身が発光す
るので極めて薄くできる。また、印加電圧が低いので信
頼性が高い。
印加された電圧は発光薄膜中のｎｍサイズの絶縁被膜結
晶微粒子のｎｍ厚さの絶縁膜に分配され、下部電極から
注入された電子は絶縁膜の電界によって加速され、絶縁
膜をトンネリングまたは共鳴トンネリングして通過し、
ｎｍサイズの単結晶微粒子をフォノンによる散乱を受け
ることなく通過する（例えば特願２０００−１５１４４
８号明細書参照）。隣接する絶縁被膜結晶微粒子ごとに
上記過程を繰り返し、電子は大きな運動エネルギーを獲
得しｎｍサイズの蛍光体微粒子に衝突する。電子の運動
エネルギーが蛍光体微粒子のバンドギャップエネルギー
以上であれば、蛍光体微粒子中に電子とホールを生成
し、電子とホールが自由励起子を形成する。蛍光体微粒
子はｎｍサイズであるので、電子とホールは互いにｎｍ
サイズの空間に閉じ込められるから自由励起子の濃度が
高まり、自由励起子の消滅による発光強度が大きくな
る。また、蛍光体微粒子がドナーまたはアクセプター、
或いは、ドナー及びアクセプターを有している場合に
は、生成した電子とホールがドナーまたはアクセプタ
ー、或いは、ドナー及びアクセプターを介して束縛励起
子を形成する。蛍光体微粒子はｎｍサイズであるので、
電子とホールは互いにｎｍサイズの空間に閉じ込められ
るから、束縛励起子の濃度が高まり、束縛励起子の消滅
による発光強度が大きくなる。また、絶縁被膜結晶微粒
子によって大きな運動エネルギーを有する電子が多量に
生成されるので、蛍光体微粒子中の発光原子または発光
原子イオンが多量に励起されて発光強度が大きくなる。
このように本発明によれば、無損失で電子を加速でき、
かつ励起子濃度が高いので発光効率が高く、かつ輝度が
高い。また、発光薄膜が薄くかつ発光薄膜自身が発光す
るので極めて薄くできる。また、印加電圧が低いので信
頼性が高い。
【０００７】また、本発明の固体自発光表示装置は、上
部電極と下部電極がマトリックス状電極に形成され、上
部電極と下部電極との交差部分を画素として単純マトリ
ックス駆動することを特徴とする。この構成によれば、
高効率、高輝度、薄型、かつ信頼性の高い、画像表示装
置を提供することができる。
部電極と下部電極がマトリックス状電極に形成され、上
部電極と下部電極との交差部分を画素として単純マトリ
ックス駆動することを特徴とする。この構成によれば、
高効率、高輝度、薄型、かつ信頼性の高い、画像表示装
置を提供することができる。
【０００８】さらに、本発明の固体自発光表示装置は、
走査配線と信号配線がマトリックス状電極に形成され、
走査配線と信号配線との交差部分に薄膜トランジスタが
配設され、薄膜トランジスタのゲート電極が走査配線に
接続され、薄膜トランジスタのドレイン電極が信号配線
に接続され、薄膜トランジスタのソース電極が画素電極
に接続され、画素電極と上部電極とで発光薄膜が挟持さ
れ、走査配線と信号配線とを選択して画素毎に薄膜トラ
ンジスタによるアクティブ駆動することを特徴としてい
る。この構成によれば、隣り合う画素との消光比を高く
できるので、高効率、高輝度、薄型、信頼性の高い、か
つ極めて高分解能の画像表示装置を提供することができ
る。
走査配線と信号配線がマトリックス状電極に形成され、
走査配線と信号配線との交差部分に薄膜トランジスタが
配設され、薄膜トランジスタのゲート電極が走査配線に
接続され、薄膜トランジスタのドレイン電極が信号配線
に接続され、薄膜トランジスタのソース電極が画素電極
に接続され、画素電極と上部電極とで発光薄膜が挟持さ
れ、走査配線と信号配線とを選択して画素毎に薄膜トラ
ンジスタによるアクティブ駆動することを特徴としてい
る。この構成によれば、隣り合う画素との消光比を高く
できるので、高効率、高輝度、薄型、信頼性の高い、か
つ極めて高分解能の画像表示装置を提供することができ
る。
【０００９】つぎに、本発明の固体自発光装置の製造方
法は、ＳｉＨ4 ガスを熱分解して空間に浮遊状態のｎｍ
サイズのＳｉ単結晶微粒子を生成し、Ｓｉ単結晶微粒子
を浮遊状態のままＯ2 ガス雰囲気中に搬送してＳｉ単結
晶微粒子の表面をｎｍ厚さのＳｉＯ2 膜で被覆すること
を特徴としている。この構成によれば、Ｓｉ単結晶微粒
子が空間に浮遊状態で生成されるから、また、浮遊状態
でＳｉ単結晶微粒子の表面にＳｉＯ2 膜が形成されるか
ら、Ｓｉ単結晶微粒子同士が接触して結合してしまうこ
とがなく、互いに分離したＳｉＯ2被膜Ｓｉ単結晶微粒
子を得ることができる。
法は、ＳｉＨ4 ガスを熱分解して空間に浮遊状態のｎｍ
サイズのＳｉ単結晶微粒子を生成し、Ｓｉ単結晶微粒子
を浮遊状態のままＯ2 ガス雰囲気中に搬送してＳｉ単結
晶微粒子の表面をｎｍ厚さのＳｉＯ2 膜で被覆すること
を特徴としている。この構成によれば、Ｓｉ単結晶微粒
子が空間に浮遊状態で生成されるから、また、浮遊状態
でＳｉ単結晶微粒子の表面にＳｉＯ2 膜が形成されるか
ら、Ｓｉ単結晶微粒子同士が接触して結合してしまうこ
とがなく、互いに分離したＳｉＯ2被膜Ｓｉ単結晶微粒
子を得ることができる。
【００１０】上記方法に代えて、ｎｍサイズの絶縁被膜
結晶微粒子とｎｍサイズの蛍光体微粒子をそれぞれの溶
媒に溶かし、それぞれの溶媒に基板を浸積して引き上げ
て、基板上に絶縁被膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子層を
積層することで固体自発光装置を製造することができ
る。この構成によれば、ｎｍサイズの絶縁被膜結晶微粒
子を溶かした溶媒に基板を浸漬して引き上げることによ
り、絶縁被膜結晶微粒子が互いに蜜に配列した絶縁被膜
結晶微粒子一層からなる絶縁被膜結晶微粒子層が基板上
に積層される。所定の層厚になるまで上記工程を繰り返
し、次に、蛍光体微粒子を溶かした溶媒に基板を浸漬し
て引き上げることにより、絶縁被膜結晶微粒子層上に蛍
光体微粒子が互いに蜜に配列した蛍光体微粒子一層から
なる蛍光体微粒子層が積層される。所定の層厚になるま
で上記工程を繰り返すことにより、所望の膜厚の絶縁被
膜結晶微粒子層と所望の膜厚の蛍光体微粒子層とが積層
された発光薄膜が得られる。この方法によれば、微粒子
間の隙間が無く、従って高効率で発光させることができ
る。また、特別な装置を必要とせず、極めて低コストで
製造できる。
結晶微粒子とｎｍサイズの蛍光体微粒子をそれぞれの溶
媒に溶かし、それぞれの溶媒に基板を浸積して引き上げ
て、基板上に絶縁被膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子層を
積層することで固体自発光装置を製造することができ
る。この構成によれば、ｎｍサイズの絶縁被膜結晶微粒
子を溶かした溶媒に基板を浸漬して引き上げることによ
り、絶縁被膜結晶微粒子が互いに蜜に配列した絶縁被膜
結晶微粒子一層からなる絶縁被膜結晶微粒子層が基板上
に積層される。所定の層厚になるまで上記工程を繰り返
し、次に、蛍光体微粒子を溶かした溶媒に基板を浸漬し
て引き上げることにより、絶縁被膜結晶微粒子層上に蛍
光体微粒子が互いに蜜に配列した蛍光体微粒子一層から
なる蛍光体微粒子層が積層される。所定の層厚になるま
で上記工程を繰り返すことにより、所望の膜厚の絶縁被
膜結晶微粒子層と所望の膜厚の蛍光体微粒子層とが積層
された発光薄膜が得られる。この方法によれば、微粒子
間の隙間が無く、従って高効率で発光させることができ
る。また、特別な装置を必要とせず、極めて低コストで
製造できる。
【００１１】また、本発明の固体自発光装置の製造方法
は、ｎｍサイズの絶縁被膜結晶微粒子とｎｍサイズの蛍
光体微粒子とを共通の溶媒に溶かし、溶媒に基板を浸積
して引き上げて、基板上にｎｍサイズの絶縁膜被覆結晶
微粒子とｎｍサイズの蛍光体微粒子との混合層を積層す
ることを特徴とする。この構成によれば、絶縁被膜結晶
微粒子と蛍光体微粒子とが溶けた溶媒に基板を浸積し引
き上げることによって、絶縁被膜結晶微粒子と蛍光体微
粒子とが互いに密に配列した絶縁被膜結晶微粒子と蛍光
体微粒子からなる一層が、基板上に堆積される。上記工
程を繰り返して、所望の膜厚の発光薄膜が得られる。こ
の方法によれば、微粒子間の隙間が少なく、従って高効
率で発光させることができる。また、特別な装置を必要
とせず、極めて低コストで製造できる。
は、ｎｍサイズの絶縁被膜結晶微粒子とｎｍサイズの蛍
光体微粒子とを共通の溶媒に溶かし、溶媒に基板を浸積
して引き上げて、基板上にｎｍサイズの絶縁膜被覆結晶
微粒子とｎｍサイズの蛍光体微粒子との混合層を積層す
ることを特徴とする。この構成によれば、絶縁被膜結晶
微粒子と蛍光体微粒子とが溶けた溶媒に基板を浸積し引
き上げることによって、絶縁被膜結晶微粒子と蛍光体微
粒子とが互いに密に配列した絶縁被膜結晶微粒子と蛍光
体微粒子からなる一層が、基板上に堆積される。上記工
程を繰り返して、所望の膜厚の発光薄膜が得られる。こ
の方法によれば、微粒子間の隙間が少なく、従って高効
率で発光させることができる。また、特別な装置を必要
とせず、極めて低コストで製造できる。
【００１２】好ましくは、前記ｎｍサイズの絶縁被膜結
晶微粒子は、ｎｍサイズの半導体または金属の単結晶微
粒子と、単結晶微粒子の表面を覆うｎｍ厚さの絶縁膜と
からなっている。また、好ましくは、ｎｍサイズの単結
晶微粒子は、真性または不純物ドープｎｍサイズのＳｉ
単結晶微粒子であり、絶縁膜はＳｉ単結晶微粒子の表面
を覆うｎｍ厚さのＳｉＯ2 膜とからなる。前記ｎｍサイ
ズの蛍光体微粒子は、紫外光から可視光領域に対応する
バンドギャップエネルギーを有する半導体微粒子であっ
てもよい。またｎｍサイズの蛍光体微粒子は、ドナーま
たはアクセプター、或いは、ドナー及びアクセプターを
有していてもよい。さらに、ｎｍサイズの蛍光体微粒子
は、発光原子または発光原子イオンをドープした半導体
微粒子であってもよい。
晶微粒子は、ｎｍサイズの半導体または金属の単結晶微
粒子と、単結晶微粒子の表面を覆うｎｍ厚さの絶縁膜と
からなっている。また、好ましくは、ｎｍサイズの単結
晶微粒子は、真性または不純物ドープｎｍサイズのＳｉ
単結晶微粒子であり、絶縁膜はＳｉ単結晶微粒子の表面
を覆うｎｍ厚さのＳｉＯ2 膜とからなる。前記ｎｍサイ
ズの蛍光体微粒子は、紫外光から可視光領域に対応する
バンドギャップエネルギーを有する半導体微粒子であっ
てもよい。またｎｍサイズの蛍光体微粒子は、ドナーま
たはアクセプター、或いは、ドナー及びアクセプターを
有していてもよい。さらに、ｎｍサイズの蛍光体微粒子
は、発光原子または発光原子イオンをドープした半導体
微粒子であってもよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して詳細に説明する。なお、以下の図面において
実質的に同一または対応する部材については同一符号を
使用して説明する。図１は本発明の固体自発光表示装置
の発光部の構成を示す模式断面図である。図１（ａ）
は、絶縁被膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子層を二層構造
に積層する構成を示す図であり、図１（ｂ）は、絶縁被
膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子層とを交互に一層ずつ積
層する構成を示す図であり、図１（ｃ）は、絶縁被膜結
晶微粒子と蛍光体微粒子とからなる混合層を積層する構
成を示す図である。図１において、発光部１は、下部電
極２と下部電極２に積層した発光薄膜３と発光薄膜３上
に形成した透明な上部電極４で構成されている。
を参照して詳細に説明する。なお、以下の図面において
実質的に同一または対応する部材については同一符号を
使用して説明する。図１は本発明の固体自発光表示装置
の発光部の構成を示す模式断面図である。図１（ａ）
は、絶縁被膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子層を二層構造
に積層する構成を示す図であり、図１（ｂ）は、絶縁被
膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子層とを交互に一層ずつ積
層する構成を示す図であり、図１（ｃ）は、絶縁被膜結
晶微粒子と蛍光体微粒子とからなる混合層を積層する構
成を示す図である。図１において、発光部１は、下部電
極２と下部電極２に積層した発光薄膜３と発光薄膜３上
に形成した透明な上部電極４で構成されている。
【００１４】発光薄膜３は、図１（ａ）の場合、絶縁被
膜結晶微粒子５から成る絶縁被膜結晶微粒子層６と、蛍
光体微粒子７からなる蛍光体微粒子層８とを積層して構
成されている。また、図１（ｂ）の場合、発光薄膜３
は、絶縁被膜結晶微粒子層の一層から成る絶縁被膜結晶
微粒子層６と蛍光体微粒子層の一層から成る蛍光体微粒
子層８とを交互に一層づつ積層して構成されている。さ
らに、図１（ｃ）の場合、発光薄膜３は、絶縁被膜結晶
微粒子５と蛍光体微粒子７とが混合した層を積層して構
成されている。下部電極２は、例えばｎ型高導電率Ｓｉ
基板２であり、上部電極４は、導電性を有しかつ可視光
に透明なＩＴＯ膜である。
膜結晶微粒子５から成る絶縁被膜結晶微粒子層６と、蛍
光体微粒子７からなる蛍光体微粒子層８とを積層して構
成されている。また、図１（ｂ）の場合、発光薄膜３
は、絶縁被膜結晶微粒子層の一層から成る絶縁被膜結晶
微粒子層６と蛍光体微粒子層の一層から成る蛍光体微粒
子層８とを交互に一層づつ積層して構成されている。さ
らに、図１（ｃ）の場合、発光薄膜３は、絶縁被膜結晶
微粒子５と蛍光体微粒子７とが混合した層を積層して構
成されている。下部電極２は、例えばｎ型高導電率Ｓｉ
基板２であり、上部電極４は、導電性を有しかつ可視光
に透明なＩＴＯ膜である。
【００１５】図２は、本発明の固体自発光表示装置の動
作原理を説明するための模式図であり、図２（ａ）は絶
縁被膜結晶微粒子層を拡大して示し、図２（ｂ）は蛍光
体微粒子層を拡大して示している。図２（ａ）におい
て、絶縁被膜結晶微粒子層６は絶縁被膜結晶微粒子５が
互いに密に配列して構成されており、この図は、絶縁被
膜結晶微粒子５を、ｎｍサイズのＳｉ単結晶微粒子５ａ
とＳｉ単結晶微粒子５ａの表面を覆うｎｍ厚さのＳｉＯ
2 膜５ｂとで構成した例を示している。典型的な例で
は、Ｓｉ単結晶微粒子５ａの径は７ｎｍであり、ＳｉＯ
2 膜５ｂの厚さは３ｎｍである。図２（ｂ）において、
蛍光体微粒子層８は蛍光体微粒子７が互いに密に配列し
て構成されており、この蛍光体微粒子７は、紫外光から
可視光に対応するバンドギャップエネルギーを有する半
導体であり、例えばＺｎＳである。
作原理を説明するための模式図であり、図２（ａ）は絶
縁被膜結晶微粒子層を拡大して示し、図２（ｂ）は蛍光
体微粒子層を拡大して示している。図２（ａ）におい
て、絶縁被膜結晶微粒子層６は絶縁被膜結晶微粒子５が
互いに密に配列して構成されており、この図は、絶縁被
膜結晶微粒子５を、ｎｍサイズのＳｉ単結晶微粒子５ａ
とＳｉ単結晶微粒子５ａの表面を覆うｎｍ厚さのＳｉＯ
2 膜５ｂとで構成した例を示している。典型的な例で
は、Ｓｉ単結晶微粒子５ａの径は７ｎｍであり、ＳｉＯ
2 膜５ｂの厚さは３ｎｍである。図２（ｂ）において、
蛍光体微粒子層８は蛍光体微粒子７が互いに密に配列し
て構成されており、この蛍光体微粒子７は、紫外光から
可視光に対応するバンドギャップエネルギーを有する半
導体であり、例えばＺｎＳである。
【００１６】次に、発光部の発光メカニズムについて説
明する。下部電極２と上部電極４との間に、上部電極４
側の電位が高くなるように電圧を印加する。電圧は絶縁
被膜結晶微粒子層６を構成するそれぞれの絶縁被膜結晶
微粒子５、すなわちＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子５の
ＳｉＯ2 膜５ｂに分配される。下部電極２から引き出さ
れた電子９は、ＳｉＯ2 膜５ｂに印加されている電界に
よって加速され、ＳｉＯ2 膜５ｂの厚さが薄いので、ト
ンネリングまたは共鳴トンネリングによってＳｉＯ2 膜
５ｂを通過する。Ｓｉ単結晶微粒子５ａ中の電子は、Ｓ
ｉ単結晶微粒子５ａの径が小さいので、量子サイズ効果
によりフォノンによる散乱を受けることなく、すなわち
運動エネルギーを失うことなく通過する。図２（ａ）に
示すように、電子９はＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子５
を通過する毎にＳｉＯ2 膜５ｂで加速、及びＳｉ単結晶
微粒子５ａ中の無損失通過をくり返し、蛍光体微粒子７
を励起し蛍光を発生させるのに十分な運動エネルギーを
獲得してＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子層６を出射す
る。
明する。下部電極２と上部電極４との間に、上部電極４
側の電位が高くなるように電圧を印加する。電圧は絶縁
被膜結晶微粒子層６を構成するそれぞれの絶縁被膜結晶
微粒子５、すなわちＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子５の
ＳｉＯ2 膜５ｂに分配される。下部電極２から引き出さ
れた電子９は、ＳｉＯ2 膜５ｂに印加されている電界に
よって加速され、ＳｉＯ2 膜５ｂの厚さが薄いので、ト
ンネリングまたは共鳴トンネリングによってＳｉＯ2 膜
５ｂを通過する。Ｓｉ単結晶微粒子５ａ中の電子は、Ｓ
ｉ単結晶微粒子５ａの径が小さいので、量子サイズ効果
によりフォノンによる散乱を受けることなく、すなわち
運動エネルギーを失うことなく通過する。図２（ａ）に
示すように、電子９はＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子５
を通過する毎にＳｉＯ2 膜５ｂで加速、及びＳｉ単結晶
微粒子５ａ中の無損失通過をくり返し、蛍光体微粒子７
を励起し蛍光を発生させるのに十分な運動エネルギーを
獲得してＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子層６を出射す
る。
【００１７】図２（ｂ）に示すように、蛍光体微粒子７
を励起し蛍光を発生させるのに十分な運動エネルギーを
獲得した電子９は、ｎｍサイズの蛍光体微粒子７に衝突
し、衝突励起によって蛍光体微粒子７の伝導帯に電子１
１を、及び価電子帯にホール１２を生成する。これらの
電子１１とホール１２は互いの電荷に基づくクーロンポ
テンシャルによって自由励起子１３を形成する。これら
の電子１１とホール１２は蛍光体微粒子７内、すなわち
ｎｍサイズの空間に閉じ込められるのでクーロン相互作
用が強く、自由励起子１３の生成確率が増大し自由励起
子濃度が増大する。自由励起子濃度が大きいので、自由
励起子１３の消滅に伴って発生する発光強度が増大す
る。自由励起子エネルギーは母体の半導体結晶のバンド
ギャップエネルギーに依存するから、半導体の種類を選
択することによって発光波長を選択できる。例えば、Ｚ
ｎＳを用いれば青色が、ＧａＡｓを用いれば赤色が発光
する。
を励起し蛍光を発生させるのに十分な運動エネルギーを
獲得した電子９は、ｎｍサイズの蛍光体微粒子７に衝突
し、衝突励起によって蛍光体微粒子７の伝導帯に電子１
１を、及び価電子帯にホール１２を生成する。これらの
電子１１とホール１２は互いの電荷に基づくクーロンポ
テンシャルによって自由励起子１３を形成する。これら
の電子１１とホール１２は蛍光体微粒子７内、すなわち
ｎｍサイズの空間に閉じ込められるのでクーロン相互作
用が強く、自由励起子１３の生成確率が増大し自由励起
子濃度が増大する。自由励起子濃度が大きいので、自由
励起子１３の消滅に伴って発生する発光強度が増大す
る。自由励起子エネルギーは母体の半導体結晶のバンド
ギャップエネルギーに依存するから、半導体の種類を選
択することによって発光波長を選択できる。例えば、Ｚ
ｎＳを用いれば青色が、ＧａＡｓを用いれば赤色が発光
する。
【００１８】このように、本発明によれば、蛍光体を励
起するための高エネルギー電子の生成効率が極めて高
く、また、励起子濃度が極めて高いので、高効率発光及
び高輝度発光が可能になる。また、電子９を加速する過
程で電子９がフォノンによる散乱を受けないので、絶縁
被膜結晶微粒子５の絶縁破壊が生じにくい。従って、発
光薄膜３の厚さを極めて薄くして電界強度を高めること
ができ、また、極めて薄型にできると共に信頼性が高
い。
起するための高エネルギー電子の生成効率が極めて高
く、また、励起子濃度が極めて高いので、高効率発光及
び高輝度発光が可能になる。また、電子９を加速する過
程で電子９がフォノンによる散乱を受けないので、絶縁
被膜結晶微粒子５の絶縁破壊が生じにくい。従って、発
光薄膜３の厚さを極めて薄くして電界強度を高めること
ができ、また、極めて薄型にできると共に信頼性が高
い。
【００１９】また、蛍光体微粒子７にドナーあるいはア
クセプターがドープされている場合には、ドナーあるい
はアクセプターを介した励起子、すなわち束縛励起子１
３が生成される。また、ドナー及びアクセプターがドー
プされている場合には、ドナー及びアクセプターを介し
て束縛励起子１３が生成される。この場合にも電子１１
とホール１２は蛍光体微粒子７内、すなわちｎｍサイズ
の空間に閉じ込められるのでクーロン相互作用が強く、
束縛励起子１３の生成確率が増大し、束縛励起子濃度が
増大する。このように束縛励起子濃度が大きいので、束
縛励起子１３の消滅に伴って発生する発光強度が増大す
る。また、この場合には、ドナーとアクセプターのエネ
ルギー準位の深さに応じた発光波長が得られる。例え
ば、ＺｎＳにドナーとしてＡｌ、アクセプターとしてＣ
ｕをドープすれば緑色の発光が得られる。
クセプターがドープされている場合には、ドナーあるい
はアクセプターを介した励起子、すなわち束縛励起子１
３が生成される。また、ドナー及びアクセプターがドー
プされている場合には、ドナー及びアクセプターを介し
て束縛励起子１３が生成される。この場合にも電子１１
とホール１２は蛍光体微粒子７内、すなわちｎｍサイズ
の空間に閉じ込められるのでクーロン相互作用が強く、
束縛励起子１３の生成確率が増大し、束縛励起子濃度が
増大する。このように束縛励起子濃度が大きいので、束
縛励起子１３の消滅に伴って発生する発光強度が増大す
る。また、この場合には、ドナーとアクセプターのエネ
ルギー準位の深さに応じた発光波長が得られる。例え
ば、ＺｎＳにドナーとしてＡｌ、アクセプターとしてＣ
ｕをドープすれば緑色の発光が得られる。
【００２０】また、蛍光体微粒子７に発光原子または発
光原子イオンをドープした半導体微粒子を使用すれば、
加速された電子９が発光原子または発光原子イオンを衝
突励起し、発光原子または発光原子イオンの励起状態か
ら基底状態に遷移するときに特定の波長の蛍光を発生す
る。例えば、ＺｎＳにＭｎを発光原子としてドープすれ
ば、黄橙色発光が得られる。本発明によれば、極めて高
効率で電子９を加速できるので、発光中心原子を有する
蛍光体微粒子層８を高輝度に発光させることができる。
光原子イオンをドープした半導体微粒子を使用すれば、
加速された電子９が発光原子または発光原子イオンを衝
突励起し、発光原子または発光原子イオンの励起状態か
ら基底状態に遷移するときに特定の波長の蛍光を発生す
る。例えば、ＺｎＳにＭｎを発光原子としてドープすれ
ば、黄橙色発光が得られる。本発明によれば、極めて高
効率で電子９を加速できるので、発光中心原子を有する
蛍光体微粒子層８を高輝度に発光させることができる。
【００２１】以上のように、本発明によれば極めて効率
よく電子を加速することができる。原理的には、無損失
で電子を加速することができるので、蛍光体微粒子のバ
ンドギャップエネルギーに対応する程度の印加電圧で発
光させることができる。例えば、蛍光体微粒子の母体半
導体にＺｎＳを用いれば、ＺｎＳのバンドギャップエネ
ルギーが３．７ｅＶ程度であるので、約４Ｖ程度の印加
電圧で発光させることが可能である。従って、図１
（ｂ）及び（ｃ）の構成でも高輝度で発光させることが
できる。
よく電子を加速することができる。原理的には、無損失
で電子を加速することができるので、蛍光体微粒子のバ
ンドギャップエネルギーに対応する程度の印加電圧で発
光させることができる。例えば、蛍光体微粒子の母体半
導体にＺｎＳを用いれば、ＺｎＳのバンドギャップエネ
ルギーが３．７ｅＶ程度であるので、約４Ｖ程度の印加
電圧で発光させることが可能である。従って、図１
（ｂ）及び（ｃ）の構成でも高輝度で発光させることが
できる。
【００２２】次に、単純マトリクス駆動による本発明の
固体自発光表示装置を説明する。図３は、単純マトリク
ス駆動による本発明の固体自発光表示装置の構成を示す
もので、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は平面図であ
る。固体自発光表示装置３０は、基板３１と、基板３１
上に形成した複数の互いに平行なストライプ状の下部電
極２と、下部電極２を形成した基板３１上に積層した発
光薄膜３と、発光薄膜３上に下部電極２と直交マトリク
スを成すように形成した複数の互いに平行なストライプ
状の上部電極４とから構成されている。上部電極４は透
明のＩＴＯ膜で形成されている。下部電極２と上部電極
４の交差部分を画素とし、複数の下部電極２と複数の上
部電極４の内から任意の一組を選択し、下部電極２と上
部電極４の間に電圧を印加することによって任意の位置
の画素を発光させる。このようにして、画像、動画像を
表示することができる。図１及び図２に説明した発光薄
膜３を使用しているので、高効率発光、高輝度発光、薄
型、かつ信頼性の高い固体自発光表示装置３０が得られ
る。
固体自発光表示装置を説明する。図３は、単純マトリク
ス駆動による本発明の固体自発光表示装置の構成を示す
もので、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は平面図であ
る。固体自発光表示装置３０は、基板３１と、基板３１
上に形成した複数の互いに平行なストライプ状の下部電
極２と、下部電極２を形成した基板３１上に積層した発
光薄膜３と、発光薄膜３上に下部電極２と直交マトリク
スを成すように形成した複数の互いに平行なストライプ
状の上部電極４とから構成されている。上部電極４は透
明のＩＴＯ膜で形成されている。下部電極２と上部電極
４の交差部分を画素とし、複数の下部電極２と複数の上
部電極４の内から任意の一組を選択し、下部電極２と上
部電極４の間に電圧を印加することによって任意の位置
の画素を発光させる。このようにして、画像、動画像を
表示することができる。図１及び図２に説明した発光薄
膜３を使用しているので、高効率発光、高輝度発光、薄
型、かつ信頼性の高い固体自発光表示装置３０が得られ
る。
【００２３】次に、アクティブ駆動による本発明の固体
自発光表示装置を説明する。図４は、アクティブ駆動に
よる本発明の固体自発光表示装置の構成を示すもので、
図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は平面図である。本発
明の固体自発光表示装置４０は、基板３１上に形成した
複数の互いに平行なストライプ状の走査配線４１と、走
査配線４１を形成した基板３１上に積層した第１の絶縁
層４２と、第１の絶縁層４２上に走査配線４１と直交マ
トリクスを成すように形成した複数の互いに平行なスト
ライプ状の信号配線４３と、信号配線４３を形成した第
１の絶縁層４２上に積層した第２の絶縁層４４と、第２
の絶縁層４４上に形成しかつマトリクス交点近傍に形成
した画素電極４５と、画素電極４５を形成した第２の絶
縁層４４上に積層した発光薄膜３と、発光薄膜３上に形
成した表示面全体を覆う透明な上部電極４と、を有して
いる。
自発光表示装置を説明する。図４は、アクティブ駆動に
よる本発明の固体自発光表示装置の構成を示すもので、
図４（ａ）は断面図、図４（ｂ）は平面図である。本発
明の固体自発光表示装置４０は、基板３１上に形成した
複数の互いに平行なストライプ状の走査配線４１と、走
査配線４１を形成した基板３１上に積層した第１の絶縁
層４２と、第１の絶縁層４２上に走査配線４１と直交マ
トリクスを成すように形成した複数の互いに平行なスト
ライプ状の信号配線４３と、信号配線４３を形成した第
１の絶縁層４２上に積層した第２の絶縁層４４と、第２
の絶縁層４４上に形成しかつマトリクス交点近傍に形成
した画素電極４５と、画素電極４５を形成した第２の絶
縁層４４上に積層した発光薄膜３と、発光薄膜３上に形
成した表示面全体を覆う透明な上部電極４と、を有して
いる。
【００２４】走査配線４１上のマトリクス交点には、薄
膜トランジスタのゲート電極４６が第１の絶縁層４２中
に突出して設けられており、第１の絶縁層４２上のゲー
ト電極４６に対向する位置に薄膜トランジスタのチャネ
ル４７が設けられており、チャネル４７の一端はドレイ
ン電極４８を介して信号配線４３に接続され、チャネル
４７の他端はソース電極４９を介して画素電極４５に接
続されている。複数の走査配線４１と複数の信号配線４
３の内から任意の一組を選択し、電圧を印加することに
よって任意の画素電極４５と上部電極４との間に電圧が
印加され、発光薄膜３の画素電極４５に対応する部分が
発光する。このようにして、画像、動画像を表示するこ
とができる。本発明では、図１及び図２に説明した発光
薄膜を使用しているので、高効率発光、高輝度発光、薄
型で、かつ信頼性の高い固体自発光表示装置が得られ
る。また、この構成によれば、薄膜トランジスタがｏｎ
している画素電極とｏｆｆしている画素電極の電圧比を
大きくできるので画素間の消光比が大きくなり、高分解
能表示が可能になる。また、単純マトリクス方式に比べ
僅かな電力で駆動できるので高速表示が可能になる。
膜トランジスタのゲート電極４６が第１の絶縁層４２中
に突出して設けられており、第１の絶縁層４２上のゲー
ト電極４６に対向する位置に薄膜トランジスタのチャネ
ル４７が設けられており、チャネル４７の一端はドレイ
ン電極４８を介して信号配線４３に接続され、チャネル
４７の他端はソース電極４９を介して画素電極４５に接
続されている。複数の走査配線４１と複数の信号配線４
３の内から任意の一組を選択し、電圧を印加することに
よって任意の画素電極４５と上部電極４との間に電圧が
印加され、発光薄膜３の画素電極４５に対応する部分が
発光する。このようにして、画像、動画像を表示するこ
とができる。本発明では、図１及び図２に説明した発光
薄膜を使用しているので、高効率発光、高輝度発光、薄
型で、かつ信頼性の高い固体自発光表示装置が得られ
る。また、この構成によれば、薄膜トランジスタがｏｎ
している画素電極とｏｆｆしている画素電極の電圧比を
大きくできるので画素間の消光比が大きくなり、高分解
能表示が可能になる。また、単純マトリクス方式に比べ
僅かな電力で駆動できるので高速表示が可能になる。
【００２５】次に、本発明の固体自発光表示装置の製造
方法を説明する。始めに、Ｓｉ単結晶微粒子とＳｉＯ2
膜からなる絶縁被膜単結晶微粒子の製造方法を説明す
る。図５は、本発明のＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子の
製造方法を説明する図である。図において、製造装置５
０は、Ｓｉ単結晶微粒子生成部５１と、ＳｉＯ2 被膜形
成部５２とを有する開管構造を有しており、入り口５３
からＳｉＨ4 （シラン）ガス５４を流入させ、ＳｉＨ4
５４の熱分解温度に保ったＳｉ単結晶微粒子生成部５１
でＳｉＨ4 ガス５４を熱分解し、空間に浮遊した状態の
ｎｍサイズのＳｉ単結晶微粒子５ａを生成する。生成し
たＳｉ単結晶微粒子５ａは気体の流れ、すなわち流気体
によって、または重力によってＳｉＯ2 被膜形成部５２
に搬送され、ＳｉＯ2 被膜形成部５２に導入する酸素ガ
ス５５によって空間に浮遊状態のＳｉ単結晶微粒子５ａ
の表面にｎｍ厚さのＳｉＯ2 被膜５ｂが形成される。こ
のようにして形成したＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子５
を、流気体または重力によって出口５６へ搬送し、収集
する。この方法によってＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子
を生成すると、Ｓｉ単結晶微粒子同士が接触と同時に結
合して、隙間が多いＳｉ単結晶微粒子の固まりとなるこ
とがなく、個々に分離したＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒
子が得られる。
方法を説明する。始めに、Ｓｉ単結晶微粒子とＳｉＯ2
膜からなる絶縁被膜単結晶微粒子の製造方法を説明す
る。図５は、本発明のＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子の
製造方法を説明する図である。図において、製造装置５
０は、Ｓｉ単結晶微粒子生成部５１と、ＳｉＯ2 被膜形
成部５２とを有する開管構造を有しており、入り口５３
からＳｉＨ4 （シラン）ガス５４を流入させ、ＳｉＨ4
５４の熱分解温度に保ったＳｉ単結晶微粒子生成部５１
でＳｉＨ4 ガス５４を熱分解し、空間に浮遊した状態の
ｎｍサイズのＳｉ単結晶微粒子５ａを生成する。生成し
たＳｉ単結晶微粒子５ａは気体の流れ、すなわち流気体
によって、または重力によってＳｉＯ2 被膜形成部５２
に搬送され、ＳｉＯ2 被膜形成部５２に導入する酸素ガ
ス５５によって空間に浮遊状態のＳｉ単結晶微粒子５ａ
の表面にｎｍ厚さのＳｉＯ2 被膜５ｂが形成される。こ
のようにして形成したＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子５
を、流気体または重力によって出口５６へ搬送し、収集
する。この方法によってＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子
を生成すると、Ｓｉ単結晶微粒子同士が接触と同時に結
合して、隙間が多いＳｉ単結晶微粒子の固まりとなるこ
とがなく、個々に分離したＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒
子が得られる。
【００２６】次に、絶縁被膜単結晶微粒子及び蛍光体微
粒子を基板上に積層して発光薄膜を形成する方法を説明
する。図６は、本発明の絶縁被膜単結晶微粒子及び蛍光
体微粒子を基板上に積層する方法を説明する図である。
図は、絶縁被膜単結晶微粒子５または蛍光体微粒子７を
溶かした溶媒６１中に、下部電極２または画素電極４５
を形成した基板６２を浸積し、基板６２を引き上げつつ
ある状態を示している。溶媒６１中の絶縁被膜単結晶微
粒子５または蛍光体微粒子７である微粒子６３は、溶媒
６１の表面張力、微粒子６３の基板６２への吸着エネル
ギー等からなる表面自由エネルギーを最小にするように
基板６２に付着し、その結果、基板６２上には微粒子６
３が互いに密に配列した微粒子６３一層からなる微粒子
層６４が形成される。基板６２の浸積と引き上げを繰り
返すことによって、くり返し回数分の微粒子層６４を互
いに密に積層することができる。
粒子を基板上に積層して発光薄膜を形成する方法を説明
する。図６は、本発明の絶縁被膜単結晶微粒子及び蛍光
体微粒子を基板上に積層する方法を説明する図である。
図は、絶縁被膜単結晶微粒子５または蛍光体微粒子７を
溶かした溶媒６１中に、下部電極２または画素電極４５
を形成した基板６２を浸積し、基板６２を引き上げつつ
ある状態を示している。溶媒６１中の絶縁被膜単結晶微
粒子５または蛍光体微粒子７である微粒子６３は、溶媒
６１の表面張力、微粒子６３の基板６２への吸着エネル
ギー等からなる表面自由エネルギーを最小にするように
基板６２に付着し、その結果、基板６２上には微粒子６
３が互いに密に配列した微粒子６３一層からなる微粒子
層６４が形成される。基板６２の浸積と引き上げを繰り
返すことによって、くり返し回数分の微粒子層６４を互
いに密に積層することができる。
【００２７】図１（ａ）に示した構成の発光薄膜３を形
成する場合は、絶縁被膜単結晶微粒子５と蛍光体微粒子
７とを別々の溶媒にとかし、一方の溶媒で上記工程を繰
り返して所望の膜厚に積層し、次に、他方の溶媒で上記
工程を繰り返して所望の膜厚に積層して形成する。図１
（ｂ）に示した構成の発光薄膜３を形成する場合は、絶
縁被膜単結晶微粒子５と蛍光体微粒子７とを別々の溶媒
にとかし、それぞれの溶媒で交互に上記工程を繰り返
し、絶縁被膜単結晶微粒子層６と蛍光体微粒子層８とを
交互に一層づつ積層して形成する。図１（ｃ）に示した
構成の発光薄膜３を形成する場合は、絶縁被膜単結晶微
粒子５と蛍光体微粒子７を同一の溶媒にとかし、上記工
程を繰り返して所望の膜厚に積層して形成する。このよ
うにして形成した発光薄膜は、微粒子が緻密に配列して
隙間が少ないため、電界分布が均一になり、トンネル確
率も増大し、効率よく電子を加速することができる。ま
た、蛍光体微粒子が緻密に配列しているので輝度が高
い。
成する場合は、絶縁被膜単結晶微粒子５と蛍光体微粒子
７とを別々の溶媒にとかし、一方の溶媒で上記工程を繰
り返して所望の膜厚に積層し、次に、他方の溶媒で上記
工程を繰り返して所望の膜厚に積層して形成する。図１
（ｂ）に示した構成の発光薄膜３を形成する場合は、絶
縁被膜単結晶微粒子５と蛍光体微粒子７とを別々の溶媒
にとかし、それぞれの溶媒で交互に上記工程を繰り返
し、絶縁被膜単結晶微粒子層６と蛍光体微粒子層８とを
交互に一層づつ積層して形成する。図１（ｃ）に示した
構成の発光薄膜３を形成する場合は、絶縁被膜単結晶微
粒子５と蛍光体微粒子７を同一の溶媒にとかし、上記工
程を繰り返して所望の膜厚に積層して形成する。このよ
うにして形成した発光薄膜は、微粒子が緻密に配列して
隙間が少ないため、電界分布が均一になり、トンネル確
率も増大し、効率よく電子を加速することができる。ま
た、蛍光体微粒子が緻密に配列しているので輝度が高
い。
【００２８】
【発明の効果】上記説明から理解されるように本発明に
よれば、従来の表示装置に比べ飛躍的に高輝度、高効
率、高信頼性、かつ薄型の固体自発光表示装置を提供す
ることができる。また、本発明によれば、低コストでこ
の固体自発光表示装置を製造することができる。したが
って、本発明を携帯機器等のディスプレイ装置として用
いれば、従来の液晶ディスプレイに比べて、遙かに低消
費電力、高輝度、薄型、かつ信頼性が高いので、極めて
有用である。
よれば、従来の表示装置に比べ飛躍的に高輝度、高効
率、高信頼性、かつ薄型の固体自発光表示装置を提供す
ることができる。また、本発明によれば、低コストでこ
の固体自発光表示装置を製造することができる。したが
って、本発明を携帯機器等のディスプレイ装置として用
いれば、従来の液晶ディスプレイに比べて、遙かに低消
費電力、高輝度、薄型、かつ信頼性が高いので、極めて
有用である。
【図１】本発明の固体自発光表示装置の発光部の構成を
示す模式断面図であり、（ａ）は、絶縁被膜結晶微粒子
層と蛍光体微粒子層とを２層構造に積層する構成を示す
図、（ｂ）は、絶縁被膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子層
とを交互に一層ずつ積層する構成を示す図、（ｃ）は、
絶縁被膜結晶微粒子と蛍光体微粒子とからなる混合層を
積層する構成を示す図である。
示す模式断面図であり、（ａ）は、絶縁被膜結晶微粒子
層と蛍光体微粒子層とを２層構造に積層する構成を示す
図、（ｂ）は、絶縁被膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子層
とを交互に一層ずつ積層する構成を示す図、（ｃ）は、
絶縁被膜結晶微粒子と蛍光体微粒子とからなる混合層を
積層する構成を示す図である。
【図２】本発明の固体自発光表示装置の動作原理を説明
するための模式図で、（ａ）は絶縁被膜結晶微粒子層を
拡大して示しており、（ｂ）は蛍光体微粒子層を拡大し
て示している。
するための模式図で、（ａ）は絶縁被膜結晶微粒子層を
拡大して示しており、（ｂ）は蛍光体微粒子層を拡大し
て示している。
【図３】単純マトリクス駆動による本発明の固体自発光
表示装置の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面
図である。
表示装置の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面
図である。
【図４】アクティブ駆動による本発明の固体自発光表示
装置の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図で
ある。
装置の構成を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図で
ある。
【図５】本発明のＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶微粒子の製造
方法を説明する図である。
方法を説明する図である。
【図６】本発明の絶縁被膜単結晶微粒子及び蛍光体微粒
子を基板上に積層する方法を説明する図である。
子を基板上に積層する方法を説明する図である。
１ 発光部
２ 下部電極
３ 発光薄膜
４ 上部電極
５ 絶縁被膜結晶微粒子（ＳｉＯ2 被膜Ｓｉ単結晶
微粒子） ５ａ Ｓｉ単結晶微粒子 ５ｂ ＳｉＯ2 被膜 ６ 絶縁被膜結晶微粒子層 ７ 蛍光体微粒子 ８ 蛍光体微粒子層 ９ 電子 １１ 伝導帯に励起された電子 １２ 価電子帯に励起されたホール １３ 励起子 ３０ 単純マトリクス駆動型の固体自発光表示装置 ３１ 基板 ４０ アクティブマトリクス駆動型固体自発光表示装
置 ４１ 走査配線 ４２ 第１の絶縁層 ４３ 信号配線 ４４ 第２の絶縁層 ４５ 画素電極 ４６ ゲート電極 ４７ チャネル ４８ ドレイン、ドレイン電極 ４９ ソース、ソース電極 ５０ 製造装置 ５１ Ｓｉ単結晶微粒子生成部 ５２ ＳｉＯ2 被膜形成部 ５３ 入り口 ５４ ＳｉＨ4 ガス ５５ Ｏ2 ガス ５６ 出口 ６１ 溶媒 ６２ 基板 ６３ 微粒子 ６４ 微粒子層
微粒子） ５ａ Ｓｉ単結晶微粒子 ５ｂ ＳｉＯ2 被膜 ６ 絶縁被膜結晶微粒子層 ７ 蛍光体微粒子 ８ 蛍光体微粒子層 ９ 電子 １１ 伝導帯に励起された電子 １２ 価電子帯に励起されたホール １３ 励起子 ３０ 単純マトリクス駆動型の固体自発光表示装置 ３１ 基板 ４０ アクティブマトリクス駆動型固体自発光表示装
置 ４１ 走査配線 ４２ 第１の絶縁層 ４３ 信号配線 ４４ 第２の絶縁層 ４５ 画素電極 ４６ ゲート電極 ４７ チャネル ４８ ドレイン、ドレイン電極 ４９ ソース、ソース電極 ５０ 製造装置 ５１ Ｓｉ単結晶微粒子生成部 ５２ ＳｉＯ2 被膜形成部 ５３ 入り口 ５４ ＳｉＨ4 ガス ５５ Ｏ2 ガス ５６ 出口 ６１ 溶媒 ６２ 基板 ６３ 微粒子 ６４ 微粒子層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 嶋田 寿一
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 椎木 正敏
東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地
株式会社日立製作所中央研究所内
(72)発明者 小田 俊理
東京都目黒区大岡山２−12−１
(72)発明者 越田 信義
東京都小金井市中町２−24−16
Ｆターム(参考） 3K007 AB02 AB03 AB18 BA06 EA03
FA01 GA00
5C094 AA10 AA15 AA22 AA31 AA43
BA03 BA27 BA28 CA19 CA23
DA13 EA04 EA05 FB02 FB14
FB15 GB10
5G435 AA03 AA14 AA16 AA18 BB05
CC09 CC12 HH01 HH13 HH14
KK05 KK10
Claims (16)
- 【請求項１】 ｎｍ（ナノメータ）サイズの絶縁被膜結
晶微粒子とｎｍサイズの蛍光体微粒子とを積層または混
合した発光薄膜と、この発光薄膜を挟持する下部電極及
び透明な上部電極と、からなる発光部を有し、 上部電極と下部電極との間に直流または交流電圧を印加
して発光表示することを特徴とする、固体自発光表示装
置。 - 【請求項２】 前記ｎｍサイズの絶縁被膜結晶微粒子
は、ｎｍサイズの半導体または金属の単結晶微粒子と、
この単結晶微粒子の表面を覆うｎｍ厚さの絶縁膜とから
なることを特徴とする、請求項１に記載の固体自発光表
示装置。 - 【請求項３】 前記ｎｍサイズの単結晶微粒子は、真性
または不純物をドープしたｎｍサイズのＳｉ単結晶微粒
子であり、前記絶縁膜は上記Ｓｉ単結晶微粒子の表面を
覆うｎｍ厚さのＳｉＯ2 膜であることを特徴とする、請
求項２に記載の固体自発光表示装置。 - 【請求項４】 前記ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、紫外
光から可視光領域に対応するバンドギャップエネルギー
を有する半導体微粒子であることを特徴とする、請求項
１に記載の固体自発光表示装置。 - 【請求項５】 前記ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、ドナ
ーまたはアクセプター、或いは、ドナー及びアクセプタ
ーを有することを特徴とする、請求項４に記載の固体自
発光表示装置。 - 【請求項６】 前記ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、発光
原子または発光原子イオンをドープした半導体微粒子で
あることを特徴とする、請求項４または５に記載の固体
自発光表示装置。 - 【請求項７】 前記上部電極と下部電極がマトリックス
状電極に形成され、この上部電極と下部電極との交差部
分を画素として単純マトリックス駆動することを特徴と
する、請求項１に記載の固体自発光表示装置。 - 【請求項８】 走査配線と信号配線がマトリックス状電
極に形成され、この走査配線と信号配線との交差部分に
薄膜トランジスタが配設され、この薄膜トランジスタの
ゲート電極が上記走査配線に接続され、上記薄膜トラン
ジスタのドレイン電極が上記信号配線に接続され、上記
薄膜トランジスタのソース電極が画素電極に接続され、
この画素電極と前記上部電極とで前記発光薄膜が挟持さ
れ、上記走査配線と信号配線とを選択して画素毎に上記
薄膜トランジスタによるアクティブ駆動することを特徴
とする、請求項１に記載の固体自発光表示装置。 - 【請求項９】 ＳｉＨ4 ガスを熱分解して空間に浮遊状
態のｎｍ（ナノメータ）サイズのＳｉ単結晶微粒子を生
成し、このＳｉ単結晶微粒子を浮遊状態のままＯ2 ガス
雰囲気中に搬送して、上記Ｓｉ単結晶微粒子の表面をｎ
ｍ厚さのＳｉＯ2 膜で被覆することを特徴とする、固体
自発光装置の製造方法。 - 【請求項１０】 ｎｍ（ナノメータ）サイズの絶縁被膜
結晶微粒子とｎｍサイズの蛍光体微粒子をそれぞれの溶
媒に溶かし、それぞれの溶媒に基板を浸積して引き上げ
て、この基板上に絶縁被膜結晶微粒子層と蛍光体微粒子
層を積層することを特徴とする、固体自発光装置の製造
方法。 - 【請求項１１】 ｎｍ（ナノメータ）サイズの絶縁被膜
結晶微粒子とｎｍサイズの蛍光体微粒子を共通の溶媒に
溶かし、この溶媒に基板を浸積して引き上げて、この基
板上に絶縁被膜結晶微粒子と蛍光体微粒子とからなる混
合層を積層することを特徴とする、固体自発光装置の製
造方法。 - 【請求項１２】 前記ｎｍサイズの絶縁被膜結晶微粒子
は、ｎｍサイズの半導体または金属の単結晶微粒子と、
この単結晶微粒子の表面を覆うｎｍ厚さの絶縁膜とから
なることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の
固体自発光表示装置の製造方法。 - 【請求項１３】 前記ｎｍサイズの単結晶微粒子は、真
性または不純物をドープしたｎｍサイズのＳｉ単結晶微
粒子であり、前記絶縁膜は上記Ｓｉ単結晶微粒子の表面
を覆うｎｍ厚さのＳｉＯ2 膜であることを特徴とする、
請求項１２に記載の固体自発光装置の製造方法。 - 【請求項１４】 前記ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、紫
外光から可視光領域に対応するバンドギャップエネルギ
ーを有する半導体微粒子であることを特徴とする、請求
項１０または１１に記載の固体自発光装置の製造方法。 - 【請求項１５】 前記ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、ド
ナーまたはアクセプター、或いは、ドナー及びアクセプ
ターを有することを特徴とする、請求項１０または１１
に記載の固体自発光装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記ｎｍサイズの蛍光体微粒子は、発
光原子または発光原子イオンをドープした半導体微粒子
であることを特徴とする、請求項１４または１５に記載
の固体自発光装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001305857A JP3613792B2 (ja) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | 固体自発光表示装置及びその製造方法 |
| EP02768140A EP1450585A4 (en) | 2001-10-01 | 2002-09-30 | SOLID STATE SPONTANEOUS EMISSION SCREEN AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME |
| PCT/JP2002/010190 WO2003032690A1 (fr) | 2001-10-01 | 2002-09-30 | Ecran a emission spontanee a l'etat solide et son procede de production |
| US10/490,660 US7053422B2 (en) | 2001-10-01 | 2002-09-30 | Solid-state self-emission display and its production method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001305857A JP3613792B2 (ja) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | 固体自発光表示装置及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003115385A true JP2003115385A (ja) | 2003-04-18 |
| JP3613792B2 JP3613792B2 (ja) | 2005-01-26 |
Family
ID=19125582
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001305857A Expired - Fee Related JP3613792B2 (ja) | 2001-10-01 | 2001-10-01 | 固体自発光表示装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7053422B2 (ja) |
| EP (1) | EP1450585A4 (ja) |
| JP (1) | JP3613792B2 (ja) |
| WO (1) | WO2003032690A1 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2004112440A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及びその製造方法、表示装置 |
| WO2005004545A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示デバイス |
| WO2005004548A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示デバイス |
| WO2005004546A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電界発光素子及び表示装置 |
| WO2005004547A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示装置 |
| US7956346B2 (en) | 2005-03-17 | 2011-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device having light emission and microstructure layers between electrode layers |
| US8110971B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element, light emitting device, image display device, method of driving light emitting element, and method of producing light emitting element |
| US8164247B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, and electron-beam curing device |
| US8249487B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device |
| US8299700B2 (en) | 2009-02-05 | 2012-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device |
| US8378565B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer using fine particle layer |
| US8401430B2 (en) | 2007-11-20 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element for accelerating and emitting electrons, and use of electron emitting element |
| US8476818B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element including a fine particle layer containing insulating particles, and devices and methods related thereto |
| US8487521B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, method for producing electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device |
| US8547007B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001063883A2 (en) * | 2000-02-25 | 2001-08-30 | Telecommunication Systems, Inc. | Prepaid short messaging |
| US20060181197A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-08-17 | Kumio Nago | Electroluminescent device and display |
| JP4314307B1 (ja) * | 2008-02-21 | 2009-08-12 | シャープ株式会社 | 熱交換装置 |
| JP5073721B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2012-11-14 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、電子放出素子の製造方法 |
| JP4927152B2 (ja) * | 2009-11-09 | 2012-05-09 | シャープ株式会社 | 熱交換装置 |
Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04135669A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｌｂ膜の形成方法 |
| JPH05206515A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-08-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 超微粒子発光素子及びその製造装置 |
| JPH06349579A (ja) * | 1993-04-20 | 1994-12-22 | Philips Electron Nv | 製造品及びドープされた粒子 |
| JPH08250764A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH09511094A (ja) * | 1995-01-27 | 1997-11-04 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | エレクトロルミネセンス装置 |
| JPH11505367A (ja) * | 1995-05-22 | 1999-05-18 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | エレクトロルミネセンス形層システム |
| JP2000164921A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子 |
| JP2000265166A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-09-26 | Sony Corp | 蛍光体及びその製造方法 |
| JP2001155858A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Sharp Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2001332168A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Japan Science & Technology Corp | 量子サイズ効果型微小電子銃及びこの電子銃を使用した平面型ディスプレイ装置並びにその製造方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5229628A (en) * | 1989-08-02 | 1993-07-20 | Nippon Sheet Glass Co., Ltd. | Electroluminescent device having sub-interlayers for high luminous efficiency with device life |
| JP3540445B2 (ja) | 1995-06-14 | 2004-07-07 | 明 田崎 | Ｍｉｍ／ｍｉｓ電子源およびその製造方法 |
| JPH0992167A (ja) * | 1995-09-19 | 1997-04-04 | Toshiba Corp | 蛍光面 |
| CN1219565A (zh) * | 1997-10-28 | 1999-06-16 | 日本电气株式会社 | 荧光材料制备方法 |
| AUPP004497A0 (en) * | 1997-10-28 | 1997-11-20 | University Of Melbourne, The | Stabilized particles |
-
2001
- 2001-10-01 JP JP2001305857A patent/JP3613792B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-09-30 WO PCT/JP2002/010190 patent/WO2003032690A1/ja active Application Filing
- 2002-09-30 EP EP02768140A patent/EP1450585A4/en not_active Withdrawn
- 2002-09-30 US US10/490,660 patent/US7053422B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04135669A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-11 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｌｂ膜の形成方法 |
| JPH05206515A (ja) * | 1991-12-27 | 1993-08-13 | Victor Co Of Japan Ltd | 超微粒子発光素子及びその製造装置 |
| JPH06349579A (ja) * | 1993-04-20 | 1994-12-22 | Philips Electron Nv | 製造品及びドープされた粒子 |
| JPH09511094A (ja) * | 1995-01-27 | 1997-11-04 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | エレクトロルミネセンス装置 |
| JPH08250764A (ja) * | 1995-03-10 | 1996-09-27 | Toshiba Corp | 半導体発光素子 |
| JPH11505367A (ja) * | 1995-05-22 | 1999-05-18 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | エレクトロルミネセンス形層システム |
| JP2000164921A (ja) * | 1998-11-26 | 2000-06-16 | Mitsubishi Materials Corp | 半導体発光材料及びその製造方法並びにこれを用いた発光素子 |
| JP2000265166A (ja) * | 1999-01-14 | 2000-09-26 | Sony Corp | 蛍光体及びその製造方法 |
| JP2001155858A (ja) * | 1999-11-24 | 2001-06-08 | Sharp Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2001332168A (ja) * | 2000-05-23 | 2001-11-30 | Japan Science & Technology Corp | 量子サイズ効果型微小電子銃及びこの電子銃を使用した平面型ディスプレイ装置並びにその製造方法 |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7868331B2 (en) | 2003-06-13 | 2011-01-11 | Panasonic Corporation | Light-emitting device having a metal oxide semiconductor porous body with an organic light-emitting material |
| WO2004112440A1 (ja) * | 2003-06-13 | 2004-12-23 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及びその製造方法、表示装置 |
| JP4669785B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2011-04-13 | パナソニック株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| WO2005004546A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 電界発光素子及び表示装置 |
| WO2005004547A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示装置 |
| JPWO2005004547A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2006-08-17 | 松下電器産業株式会社 | 発光素子及び表示装置 |
| JPWO2005004548A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2006-08-24 | 松下電器産業株式会社 | 発光素子及び表示デバイス |
| US7737622B2 (en) | 2003-07-02 | 2010-06-15 | Panasonic Corporation | Light emitting element with semiconductive phosphor |
| WO2005004548A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示デバイス |
| JP4669786B2 (ja) * | 2003-07-02 | 2011-04-13 | パナソニック株式会社 | 表示デバイス |
| WO2005004545A1 (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光素子及び表示デバイス |
| US7982390B2 (en) | 2003-07-02 | 2011-07-19 | Panasonic Corporation | Light emitting element and display device having an inorganic phosphor layer |
| US7956346B2 (en) | 2005-03-17 | 2011-06-07 | Canon Kabushiki Kaisha | Light emitting device having light emission and microstructure layers between electrode layers |
| US8401430B2 (en) | 2007-11-20 | 2013-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element for accelerating and emitting electrons, and use of electron emitting element |
| US8299700B2 (en) | 2009-02-05 | 2012-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer, electron emitting device, light emitting device, image display device, cooling device, and charging device |
| US8547007B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element |
| US8616931B2 (en) | 2009-02-24 | 2013-12-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, and method for producing electron emitting element |
| US8164247B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-04-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, light emitting device, image display device, air blowing device, cooling device, charging device, image forming apparatus, and electron-beam curing device |
| US8249487B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-08-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device |
| US8110971B2 (en) | 2009-05-19 | 2012-02-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light emitting element, light emitting device, image display device, method of driving light emitting element, and method of producing light emitting element |
| US8476818B2 (en) | 2009-05-19 | 2013-07-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element including a fine particle layer containing insulating particles, and devices and methods related thereto |
| US8378565B2 (en) | 2009-06-25 | 2013-02-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element having an electron acceleration layer using fine particle layer |
| US8487521B2 (en) | 2009-12-01 | 2013-07-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electron emitting element, method for producing electron emitting element, electron emitting device, charging device, image forming apparatus, electron-beam curing device, light emitting device, image display device, air blowing device, and cooling device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20040246408A1 (en) | 2004-12-09 |
| WO2003032690A1 (fr) | 2003-04-17 |
| JP3613792B2 (ja) | 2005-01-26 |
| EP1450585A4 (en) | 2009-07-08 |
| EP1450585A1 (en) | 2004-08-25 |
| US7053422B2 (en) | 2006-05-30 |
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|
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
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