JP3776911B2 - 電界放射型電子源 - Google Patents
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- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 24
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 claims description 16
- BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N borazine Chemical group B1NBNBN1 BGECDVWSWDRFSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 13
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 13
- -1 phosphino group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 12
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 9
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003282 alkyl amino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 8
- 125000002915 carbonyl group Chemical group [*:2]C([*:1])=O 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 8
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 8
- 125000003808 silyl group Chemical group [H][Si]([H])([H])[*] 0.000 claims description 8
- 125000005309 thioalkoxy group Chemical group 0.000 claims description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229920006037 cross link polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims description 3
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical group [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 27
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 22
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 15
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 9
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000005543 nano-size silicon particle Substances 0.000 description 8
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 8
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 7
- 229910003902 SiCl 4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 4
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 4
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 4
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000004128 high performance liquid chromatography Methods 0.000 description 3
- 239000002784 hot electron Substances 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003747 Grignard reaction Methods 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 2
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001514 alkali metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001617 alkaline earth metal chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 150000001638 boron Chemical class 0.000 description 1
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 1
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 1
- 239000011852 carbon nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 1
- 238000001803 electron scattering Methods 0.000 description 1
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000002189 fluorescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010849 ion bombardment Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000006722 reduction reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
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Description
或いは、多重トンネル伝導層の粒子間絶縁体は、下記式(2−1)又は(2−2)により表わされるボラジン骨格構造を有する架橋ポリマーを含み、R1〜R6の少なくとも1つを結合手として前記導電性微粒子に結合するとともに、前記ボラジン骨格構造と下記モノマーXとは架橋反応により結合してなるものとすることが出来る。
また、導電性微粒子としては、金属、半導体、炭素のいずれでもよく、具体的には、Au、Ag、Cu、Pd、Pt、Ru、Rh、Ni、Fe、Co、Si、Ge、AlS、GaSb、InAs、GaAs、InP、CdSe、CdS、C、及びBからなる群から選ばれた少なくとも1種を含むものを挙げることが出来る。これらの中では、Au、Si、及びBが特に好ましい。
図1に本実施形態に係る電界放射型電子源1の概略構成図を、図2に本発明に係る電界放射型電子源の電子放出機構の原理説明図、図3(a)〜(c)に図1に示す電界放射型電子源1の製造工程の断面図を示す。
以下、本実施例に係る電界放射型電子源の製造方法について、図3を参照して説明する。
(2)精製工程
(3)シェル化工程
(4)精製工程
(5)サイズ分級工程
まず、工程(1)において、半導体ナノ粒子のコアを液相合成する。Siコアを形成する場合を例に挙げると、まず、フラスコなどにオクタンなどの無極性溶媒を満たし、これにSi半導体コアの元となる極性溶媒であるSiCl4と界面活性剤を加え、界面活性剤で覆われた微細なSiCl4からなる逆ミセルを形成する。安定な逆ミセルは、室温で攪拌することで容易に形成することが出来る。なお、コアサイズの中心値は、このとき作られる逆ミセルの大きさでほぼ決定される。逆ミセルの大きさは、界面活性剤とSiCl4の濃度比で調整することが出来る。
(2)シェル化工程(グリニャール反応)
(3)精製工程
(4)サイズ分級工程
まず、工程(1)において、半導体ナノ粒子のコアを液相合成する。Siコアを例に挙げると、まずフラスコなどに溶媒としてエチレングリコールジメチルエーテルを満たし、これにシリサイド(M2Si、若しくはXSi)とSiCl4を投入する。なお、Mはアルカリ土類金属、Xはアルカリ金属である。溶媒を還流させながら、シリサイドとSiCl4とをゆっくりと反応させ、Siコアを原子レベルから徐々に成長させる。本方法では、コアサイズは原理的に反応時間が長いほど大きく成長する。従って、フォトルミネッセンスや動的光散乱などでコアのサイズをモニタしながら、サイズが揃ったSiコアを合成することが可能になる。
ナノ粒子として,逆ミセル法で液相合成したAuナノ粒子を用い、Auナノ粒子のシェルとして、下記式(5)により表わされるものを用いたことを除き、実施例1と同様にしてナノ粒子層を作製し、電界放射型電子源1を作製した。
このようにして得た電界放射型電子源1の特性は、次の通りである。
ナノ粒子として還流法で液相合成したボロンナノ粒子を用いたことを除いて、実施例1と同様にして電界放射電子源1を作製した。
図6に、本実施形態に係る平面発光装置の概略構成図を示す。なお、この平面発光装置では、上述した実施形態1に係る電界放射型電子源1を用いており、実施形態1と同様の構成要素については同一の符号を付して説明を省略する。
図7に、実施形態1に係る電界放射型電子源1を備えたディスプレイ装置の電子源部の概略構成図を示す。本実施形態に係るディスプレイ装置では、図8に示すように、実施形態1に係る電界放射型電子源1がマトリクス状(アレイ状)に配置されている。各電界放射型電子源1は各ピクセルに対応されていて、Xマトリクスコントロール回路81とYマトリクスコントロール回路82とで各電界放射型電子源1に印加する上述した直流電圧Vgをそれぞれオンオフするようになっている。
Claims (6)
- 下部電極、前記下部電極上に形成され、導電性微粒子とこれら導電性微粒子間に介在する粒子間絶縁体とを含む多重トンネル伝導層、及び前記多重トンネル伝導層上に形成された表面電極を備え、前記表面電極を正極として前記表面電極及び前記下部電極間に電圧を印加することにより前記表面電極から電子を放射する電界放射型電子源であって、前記粒子間絶縁体は、前記導電性微粒子に結合したボラジン骨格構造を有する架橋ポリマーを含むことを特徴とする電界放射型電子源。
- 前記粒子間絶縁体は、下記式(1)により表わされるボラジン骨格構造を有する架橋ポリマーを含み、R1〜R6の少なくとも1つを結合手として前記導電性微粒子に結合してなることを特徴とする請求項1に記載の電界放射型電子源。
- 前記粒子間絶縁体は、下記式(2−1)又は(2−2)により表わされるボラジン骨格構造を有する架橋ポリマーを含み、R1〜R6の少なくとも1つを結合手として前記導電性微粒子に結合するとともに、前記ボラジン骨格構造と下記モノマーXとは架橋反応により結合していることを特徴とする請求項1に記載の電界放射型電子源。
- 前記導電性微粒子が、Au、Si、及びBからなる群から選ばれた1種からなることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の電界放射型電子源。
- 請求項1〜4のいずれかに記載の電界放射型電子源、前記表面電極に対向して配置された陽極電極、及び前記陽極電極に設けられ、前記電子線の照射により可視光を発光する発光層を具備することを特徴とする平面発光装置。
- マトリクス状に複数個配置された、請求項1〜4のいずれかに記載の電界放射型電子源、各電界放射型電子源に印加する電圧をそれぞれ制御する手段、前記表面電極に対向して配置された陽極電極、及び前記陽極電極に設けられ、前記電子線の照射により可視光を発光する発光層を具備することを特徴とするディスプレイ装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004012043A JP3776911B2 (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 電界放射型電子源 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004012043A JP3776911B2 (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 電界放射型電子源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005209396A JP2005209396A (ja) | 2005-08-04 |
JP3776911B2 true JP3776911B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=34898550
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004012043A Expired - Lifetime JP3776911B2 (ja) | 2004-01-20 | 2004-01-20 | 電界放射型電子源 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3776911B2 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP5133295B2 (ja) * | 2009-04-23 | 2013-01-30 | シャープ株式会社 | 電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、および電子放出素子の駆動方法 |
JP4732533B2 (ja) * | 2009-05-19 | 2011-07-27 | シャープ株式会社 | 電子放出素子及びその製造方法、並びに、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 |
JP4732534B2 (ja) | 2009-05-19 | 2011-07-27 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、帯電装置、画像形成装置、電子線硬化装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置 |
JP4777448B2 (ja) | 2009-05-19 | 2011-09-21 | シャープ株式会社 | 電子放出素子、電子放出装置、自発光デバイス、画像表示装置、送風装置、冷却装置、帯電装置、画像形成装置、及び電子線硬化装置 |
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- 2004-01-20 JP JP2004012043A patent/JP3776911B2/ja not_active Expired - Lifetime
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A977 | Report on retrieval |
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|
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