CN110678997B - 制造显示基板的方法、显示基板和显示设备 - Google Patents

Abstract

提供了一种制造具有显示区域和周边区域的显示基板的方法。所述方法包括：在衬底基板上并且在显示区域中形成多个发光元件；在多个发光元件的远离衬底基板的一侧形成封装层，用于封装多个发光元件；形成绝缘层，其中，绝缘层形成在封装层和衬底基板之间；以及在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一阻挡墙，第一阻挡墙形成实质上围绕第一区域的第一围墙。第一阻挡墙的远离衬底基板的一侧宽于第一阻挡墙的靠近衬底基板的一侧。

Description

制造显示基板的方法、显示基板和显示设备

相关申请的交叉引用

本申请是2019年5月31日提交的国际申请No.PCT/CN2019/089421的部分继续申请。上述申请针对各种目的通过引用其全部而并入本文中。

技术领域

本发明涉及显示技术，更具体地，涉及制造显示基板的方法、显示基板和显示设备。

背景技术

有机发光二极管(OLED)显示设备是自发光装置且无需背光。与传统液晶显示(LCD)设备相比，OLED显示设备还提供更鲜艳的色彩和更大的色域。此外，OLED显示设备可以制作得比典型的LCD设备更易弯曲、更薄且更轻。OLED显示设备通常包括阳极、包括发光层的有机层、以及阴极。OLED可以为底发射型OLED或顶发射型OLED。

发明内容

一方面，本发明提供了一种制造具有显示区域和周边区域的显示基板的方法，包括：在衬底基板上并且在显示区域中形成多个发光元件；在所述多个发光元件的远离衬底基板的一侧形成封装层，用于封装所述多个发光元件；形成绝缘层，其中，绝缘层形成在封装层和衬底基板之间；在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一阻挡墙，第一阻挡墙形成实质上围绕第一区域的第一围墙；其中，第一阻挡墙形成为包括与绝缘层接触的第一下部和位于第一下部的远离绝缘层的一侧的第一上部；第一上部在衬底基板上的正投影覆盖第一下部在衬底基板上的正投影；并且，第一阻挡墙形成为使得沿第一阻挡墙的从周边区域到显示区域的宽度方向，第一阻挡墙的远离衬底基板的一侧宽于第一阻挡墙的靠近衬底基板的一侧。

可选地，形成第一阻挡墙包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成负性光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板曝光负性光刻胶材料层，以生成曝光的负性光刻胶材料层；以及对曝光的负性光刻胶材料层进行显影以形成第一阻挡墙；其中，第一阻挡墙形成为具有底切轮廓。

可选地，第一下部的侧面与第一上部的侧面实质上共面。

可选地，形成第一阻挡墙包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成图像反向(image reversal)光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板曝光图像反向光刻胶材料层，以生成第一曝光光刻胶材料层；反向烘烤第一曝光光刻胶材料层以生成反向光刻胶材料层；曝光反向光刻胶材料层以生成第二曝光光刻胶材料层；以及对第二曝光光刻胶材料层进行显影以形成第一阻挡墙；其中，第一阻挡墙形成为具有底切轮廓。

可选地，第一下部的侧面与第一上部的侧面实质上共面。

可选地，形成第一阻挡墙包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一材料层；在周边区域中并且在第一材料层的远离衬底基板的一侧形成第二材料层；以及对第一材料层和第二材料层进行构图，以形成第一阻挡墙。

可选地，第一材料层是第一正性光刻胶材料层并且第二材料层是第二正性光刻胶材料层；并且第一正性光刻胶材料层与第二正性光刻胶材料层相比对曝光更敏感；其中，形成第一阻挡墙包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一正性光刻胶材料层；在周边区域中并且在第一正性光刻胶材料层的远离衬底基板的一侧形成第二正性光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的遮光区域的掩膜板同时曝光第一正性光刻胶材料层和第二正性光刻胶材料层，以生成曝光的第一正性光刻胶材料层和曝光的第二正性光刻胶材料层；以及，对曝光的第一正性光刻胶材料层和曝光的第二正性光刻胶材料层进行显影以形成第一阻挡墙；其中，通过对曝光的第一正性光刻胶材料层进行显影来生成第一下部；通过对曝光的第二正性光刻胶材料层进行显影来生成第一上部；并且，第一下部的侧面与第一上部的侧面不共面。

可选地，第一材料层是正性光刻胶材料层并且第二材料层是负性光刻胶材料层；其中，形成第一阻挡墙包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成正性光刻胶材料层；在周边区域中并且在正性光刻胶材料层的远离衬底基板的一侧形成负性光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的透光区域的第一掩膜板曝光负性光刻胶材料层，以生成曝光的负性光刻胶材料层；对曝光的负性光刻胶材料层进行显影以生成第一上部；使用具有与第一阻挡墙相对应的遮光区域的第二掩膜板曝光正光刻胶材料层，以生成曝光的正性光刻胶材料层；以及，对曝光的正性光刻胶材料层进行显影以生成第一下部；其中，第一下部的侧面与第一上部的侧面不共面。

可选地，第一材料层是第一负性光刻胶材料层并且第二材料层是第二负性光刻胶材料层；并且第二负性光刻胶材料层与第一负性光刻胶材料层相比对曝光更敏感；其中，形成第一阻挡墙包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一负性光刻胶材料层；在周边区域中并且在第一负性光刻胶材料层的远离衬底基板的一侧形成第二负性光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板同时曝光第一负性光刻胶材料层和第二负性光刻胶材料层，以生成曝光的第一负性光刻胶材料层和曝光的第二负性光刻胶材料层；以及，对曝光的第一负性光刻胶材料层和曝光的第二负性光刻胶材料层进行显影以形成第一阻挡墙；其中，通过对曝光的第一负性光刻胶材料层进行显影来生成第一下部；通过对曝光的第二负性光刻胶材料层进行显影来生成第一上部；并且，第一下部的侧面与第一上部的侧面不共面。

可选地，第一材料层是金属材料层并且第二材料层是光刻胶材料层；并且其中，形成第一阻挡墙包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成金属材料层；在周边区域中并且在金属材料层的远离衬底基板的一侧形成光刻胶材料层；曝光光刻胶材料层以生成曝光的光刻胶材料层；对曝光的光刻胶材料层进行显影以形成第一上部；以及，蚀刻金属材料层以形成第一下部。

可选地，第一下部具有与绝缘层接触的第一侧和与第一侧相对的第二侧，第一侧和第二侧通过第一下部的侧面连接；第一上部具有与第一下部接触的第三侧和与第三侧相对的第四侧，第三侧和第四侧通过第一上部的侧面连接；并且第三侧沿第一阻挡墙的宽度方向宽于第一侧和第二侧。

可选地，所述方法还包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第二阻挡墙，第二阻挡墙形成实质上围绕第二区域的第二围墙；其中，第一阻挡墙实质上围绕第二阻挡墙。

可选地，所述方法还包括：冲压出贯穿显示基板的孔，以形成窗口区域；其中，第一围墙实质上围绕窗口区域。

可选地，所述方法还包括：形成覆盖第一阻挡墙的无机阻挡层；无机阻挡层限于周边区域中；并且无机阻挡层形成为与第一阻挡墙和绝缘层直接接触。

可选地，所述方法还包括：在无机阻挡层的远离衬底基板的一侧形成被第一阻挡墙的侧面分离成不连续的部分的有机材料层和阴极层之一或组合。

可选地，所述方法还包括：在第一阻挡墙的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中形成裂缝防止层。

可选地，形成裂缝防止层包括：在第一阻挡墙的远离衬底基板的一侧形成正性光刻胶材料层；以及对正性光刻胶材料层进行构图以形成裂缝防止层；其中，在对正性光刻胶材料层进行构图期间，移除除位于第一阻挡墙的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中的部分外的正性光刻胶材料层，从而形成裂缝防止层。

另一方面，本发明提供了一种具有显示区域和周边区域的显示基板，包括：衬底基板；多个发光元件，其位于衬底基板上并且位于显示区域中；封装层，其位于所述多个发光元件的远离衬底基板的一侧，用于封装所述多个发光元件；绝缘层，其位于封装层和衬底基板之间；以及第一阻挡墙，其位于周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧，第一阻挡墙形成实质上围绕第一区域的第一围墙；其中，第一阻挡墙包括与绝缘层接触的第一下部和位于第一下部的远离绝缘层的一侧的第一上部；第一上部在衬底基板上的正投影覆盖第一下部在衬底基板上的正投影；并且，沿第一阻挡墙的从周边区域到显示区域的宽度方向，第一阻挡墙的远离衬底基板的一侧宽于第一阻挡墙的靠近衬底基板的一侧。

可选地，第一下部的侧面与第一上部的侧面不共面；第一下部具有与绝缘层接触的第一侧和与第一侧相对的第二侧，第一侧和第二侧通过第一下部的侧面连接；第一上部具有与第一下部接触的第三侧和与第三侧相对的第四侧，第三侧和第四侧通过第一上部的侧面连接；并且第三侧沿第一阻挡墙的宽度方向宽于第一侧和第二侧。

可选地，显示基板还包括第二阻挡墙，其位于周边区域中并且位于绝缘层的远离衬底基板的一侧，第二阻挡墙形成实质上围绕第二区域的第二围墙；其中，第一阻挡墙实质上围绕第二阻挡墙。

可选地，第一围墙实质上围绕显示基板的窗口区域；并且显示基板具有贯穿窗口区域的孔，以在其中安装配件。

可选地，显示基板还包括：覆盖第一阻挡墙的无机阻挡层；无机阻挡层限于周边区域中；并且无机阻挡层与第一阻挡墙、裂缝防止层和绝缘层直接接触。

可选地，显示基板还包括有机材料层和阴极层之一或组合，其位于无机阻挡层的远离衬底基板的一侧、被第一阻挡墙的侧面分离成不连续的部分。

可选地，显示基板还包括：裂缝防止层，其位于第一阻挡墙的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中。

可选地，第一阻挡墙包括与绝缘层接触的第一下部和位于第一下部的远离绝缘层的一侧的第一上部；第一上部在衬底基板上的正投影覆盖第一下部在衬底基板上的正投影；第一下部的第一侧面与绝缘层的表面形成第一成角空间；第一下部的第二侧面与绝缘层的所述表面形成第二成角空间；并且，裂缝防止层包括位于第一成角空间中的第一裂缝防止子层和位于第二成角空间中的第二裂缝防止子层。

可选地，第一阻挡墙包括负性光刻胶材料；并且，裂缝防止层包括正性光刻胶材料。

可选地，第一部分包括正性光刻胶材料；并且，第二部分包括正性光刻胶材料。

可选地，第一部分包括正性光刻胶材料；并且，第二部分包括负性光刻胶材料。

可选地，第一部分包括负性光刻胶材料；并且，第二部分包括负性光刻胶材料。

可选地，第一部分包括金属材料；并且，第二部分包括光刻胶材料。

另一方面，本发明提供了一种显示设备，其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的显示基板以及与显示基板连接的一个或多个集成电路。

附图说明

以下附图仅为根据所公开的各种实施例的用于示意性目的的示例，而不旨在限制本发明的范围。

图1A是根据本公开的一些实施例中的显示基板的一部分的截面图。

图1B是根据本公开的一些实施例中的显示基板的一部分的截面图。

图2A是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。

图2B是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。

图2C是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。

图3A是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙的结构的示意图。

图3B是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙和无机阻挡层的结构的示意图。

图3C是示出根据本公开的一些实施例中的位于第一阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。

图4A是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙的结构的示意图。

图4B是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙和无机阻挡层的结构的示意图。

图4C是示出根据本公开的一些实施例中的位于第二阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。

图5A是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙的结构的示意图。

图5B是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙和无机阻挡层的结构的示意图。

图5C是示出根据本公开的一些实施例中的位于第一阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。

图6A是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙的结构的示意图。

图6B是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙和无机阻挡层的结构的示意图。

图6C是示出根据本公开的一些实施例中的位于第二阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。

图7是根据本公开的一些实施例中的显示基板的一部分的截面图。

图8A是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙的结构的示意图。

图8B是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙和裂缝防止层的结构的示意图。

图8C是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙、裂缝防止层和无机阻挡层的结构的示意图。

图8D是示出根据本公开的一些实施例中的位于第一阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。

图9A是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙的结构的示意图。

图9B是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙和裂缝防止层的结构的示意图。

图9C是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙、裂缝防止层和无机阻挡层的结构的示意图。

图9D是示出根据本公开的一些实施例中的位于第二阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。

图10A至图10C示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。

图11A至图11C示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。

图12A至图12C示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。

图13A至图13D示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。

图14A至图14E示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。

图15A至图15D示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。

图16A至图16F示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。

具体实施方式

现在将参照以下实施例更具体地描述本公开。需注意，以下对一些实施例的描述仅针对示意和描述的目的而呈现于此。其不旨在是穷尽性的或者受限为所公开的确切形式。

在本公开中发现，显示面板或显示基板特别易于水分和氧气渗入窗口区域中，所述窗口区域形成为安装诸如相机之类的配件。窗口区域通常通过冲压贯穿显示基板的孔来形成。因此，一旦形成窗口区域，封装层可无法封装显示基板。特别地，有机发光二极管显示基板的制造过程通常采用开放掩膜工艺来在例如没有任何构图步骤的情况下沉积一个或多个有机材料层和电极层。窗口区域中的封装层无法令人满意地封装这些有机材料层和电极层，导致显示基板暴露于外部氧气和水分。此外，形成窗口区域的过程潜在地可在邻近于窗口区域的边界中产生裂缝。裂缝可传播到显示基板的显示区域中，进一步不利地影响显示区域中的显示组件。

因此，本公开特别提供了制造显示基板的方法、显示基板和显示设备，其实质上消除了由于相关技术的限制和缺陷而导致的问题中的一个或多个。一方面，本公开提供了一种具有显示区域和周边区域的显示基板。在一些实施例中，显示基板包括：衬底基板；多个发光元件，其位于衬底基板上且位于显示区域中；封装层，其位于所述多个发光元件的远离衬底基板的一侧，用于封装所述多个发光元件；绝缘层，其位于封装层和衬底基板之间；以及第一阻挡墙，其位于周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧，第一阻挡墙形成实质上围绕第一区域的第一围墙。可选地，第一阻挡墙包括与绝缘层接触的第一下部和位于第一下部的远离绝缘层的一侧的第一上部。可选地，第一上部在衬底基板上的正投影覆盖第一下部在衬底基板上的正投影。可选地，沿第一阻挡墙的从周边区域到显示区域的宽度方向，第一阻挡墙的远离衬底基板的一侧宽于第一阻挡墙的靠近衬底基板的一侧。

如本文所用，术语“显示区域”指的是显示面板中显示基板(例如，对置基板或阵列基板)的实际显示图像的区域。可选地，显示区域可以包括子像素区域和子像素间区域。子像素区域指的是子像素的发光区域，比如液晶显示器中与像素电极对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与发光层对应的区域。子像素间区域指的是相邻子像素区域之间的区域，比如液晶显示器中与黑矩阵对应的区域或者有机发光二极管显示面板中与像素限定层对应的区域。可选地，子像素间区域是同一像素中相邻子像素区域之间的区域。可选地，子像素间区域是来自两个相邻像素的两个相邻子像素区域之间的区域。

如本文所用，术语“周边区域”指的是显示面板中的显示基板(例如，对置基板或阵列基板)的设置有用于向显示基板发送信号的各种电路和走线的区域。为了增加显示设备的透明度，显示设备的非透明或不透明部件(例如，电池、印刷电路板、金属框)可以布置在周边区域中而非布置在显示区域中。

本文使用的术语“实质上围绕”指的是围绕某个区域的周长的至少50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％、以及至少100％)。

各种适当发光元件可用于当前显示面板中。适当发光元件的示例包括：有机发光二极管、量子点发光二极管和微发光二极管。

图1A是根据本公开的一些实施例中的显示基板的一部分的截面图。图1B是根据本公开的一些实施例中的显示基板的一部分的截面图。参照图1A和图1B，在一些实施例中，显示基板具有显示区域DA和周边区域PA。在一些实施例中，显示基板包括：衬底基板100；多个发光元件140，其位于衬底基板100上且位于显示区域DA中；封装层150，其位于所述多个发光元件140的远离衬底基板100的一侧，用于封装所述多个发光元件140；绝缘层115，其位于衬底基板100上；以及，第一阻挡墙161，其位于周边区域PA中并且位于绝缘层115的远离衬底基板100的一侧，第一阻挡墙161形成实质上围绕第一区域的第一围墙。

图2A是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。参照图2A，由位于周边区域PA中的第一阻挡墙161形成的第一围墙实质上围绕第一区域EA1。第一围墙实质上围绕显示区域DA，并且第一区域EA1的面积等于或大于显示区域DA的面积。

图2B是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。参照图2B，显示基板具有实质矩形形状。在一些实施例中，由位于周边区域PA中的第一阻挡墙161形成的第一围墙实质上围绕第一区域EA1。第一围墙不围绕显示区域DA，而是实质上围绕内周边区域IPA，内周边区域IPA实质上被显示区域DA围绕。内周边区域IPA的面积等于或大于第一区域EA1的面积。可选地，周边区域包括内周边区域IPA。可选地，第一围墙实质上围绕显示基板的窗口区域WR，显示基板具有贯穿窗口区域WR的孔以在其中安装配件(例如，相机、指纹传感器)。可选地，第一区域EA1的面积等于或大于窗口区域WR的面积。

图2C是根据本公开的一些实施例中的显示基板的平面图。参照图2C，显示基板具有实质圆形形状。在一些实施例中，由位于周边区域PA中的第一阻挡墙形成的第一围墙实质上围绕第一区域EA1。第一围墙不围绕显示区域DA，而是实质上围绕内周边区域IPA，内周边区域IPA实质上被显示区域DA围绕。内周边区域IPA的面积等于或大于第一区域EA1的面积。可选地，周边区域包括内周边区域IPA。可选地，第一围墙实质上围绕显示基板的窗口区域WR，显示基板具有贯穿窗口区域WR的孔以在其中安装配件(例如，相机、指纹传感器)。可选地，第一区域EA1的面积等于或大于窗口区域WR的面积。

参照图1A和图1B，在一些实施例中，第一阻挡墙形成为具有底切轮廓。图3A是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙的结构的示意图。图3B是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙和无机阻挡层的结构的示意图。图3C是示出根据本公开的一些实施例中的位于第一阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。参照图3A，在一些实施例中，第一阻挡墙161包括与绝缘层115接触的第一下部161l和位于第一下部161l的远离绝缘层115的一侧的第一上部161u。第一上部161u在衬底基板100上的正投影覆盖第一下部161l在衬底基板100上的正投影。可选地，第一上部161u的沿从第一侧面LS1’至第二侧面LS2’的方向的宽度大于第一下部161l的沿从第一侧面LS1到第二侧面LS2的方向的宽度。可选地，第一上部161u的沿从第一侧面LS1’至第二侧面LS2’的方向的最小宽度等于或大于第一下部161l的沿从第一侧面LS1到第二侧面LS2的方向的最大宽度。可选地，第一上部161u的远离衬底基板100的一侧(例如，顶侧)宽于第一上部161u的靠近衬底基板100的一侧(例如，底侧)。可选地，第一下部161l的远离衬底基板100的一侧(例如，顶侧)宽于第一下部161l的靠近衬底基板100的一侧(例如，底侧)。

如本文所用，术语“侧面”以其原始意义使用并且不限制地指的是连接顶侧和底侧的一侧，例如，连接第一下部161l的远离衬底基板100的顶侧和第一下部161l的靠近衬底基板100的底侧的一侧。在一个示例中，侧面是在来自底表面的侧边上升起的一侧。

在一些实施例中，如图3A所示，第一下部161l的侧面与第一上部161u的侧面不共面。可选地，第一下部161l具有与绝缘层115接触的第一侧S1(底侧)和与第一侧S1相对的第二侧S2(顶侧)，第一侧S1和第二侧S2通过第一下部161l的侧面(LS1或LS2)连接。可选地，第一上部161u具有与第一下部161l接触的第三侧S3(底侧)和与第三侧S3相对的第四侧S4(顶侧)，第三侧S3和第四侧S4通过第一上部161u的侧面(LS1'或LS2')连接。可选地，第三侧S3沿第一阻挡墙161的宽度方向宽于第一侧S1和第二侧S2。如本文所用，术语“不共面”指的是结构上的两个或更多个表面距共享同一公共面偏移大于100nm(例如，大于110nm、大于120nm、大于130nm、大于140nm、大于150nm、大于160nm、大于170nm、大于180nm、大于190nm、大于200nm、或者大于500nm)。

参照图1A和图3B，在一些实施例中，显示基板还包括覆盖第一阻挡墙161的无机阻挡层163。可选地，无机阻挡层163限于周边区域PA中。可选地，无机阻挡层163与第一阻挡墙161直接接触。可选地，无机阻挡层163还延伸至第一阻挡墙161以外的区域中，并且与绝缘层115直接接触。

具体地，参见图3A至图3B，无机阻挡层163覆盖第一上部161u的顶表面(例如，远离衬底基板100的表面)并且可选地与第一上部161u的顶表面(例如，远离衬底基板100的表面)直接接触。无机阻挡层163还覆盖第一上部161u的侧面并且可选地与第一上部161u的侧面直接接触。无机阻挡层163还覆盖第一下部161l的侧面并且可选地与第一下部161l的侧面直接接触。

参照图1A和图3C，在一些实施例中，显示基板还包括有机材料层142(例如，有机发光层)和阴极层143之一或组合，其位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧、被第一阻挡墙161的侧面分离成不连续的部分。例如，图3C示出了被第一阻挡墙161的侧面分离成不连续的部分的第一部分P1、第二部分P2和第三部分P3。第一部分P1位于第一阻挡墙161的远离衬底基板100的一侧，第一部分P1在衬底基板100上的正投影与第一阻挡墙161在衬底基板100上的正投影至少部分地重叠。第二部分P2和第三部分P3位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧，第二部分P2和第三部分P3在衬底基板100上的正投影与第一阻挡墙161在衬底基板100上的正投影实质上不重叠(例如，完全不重叠)。如本文使用的，术语“实质上不重叠”意即两个正投影至少50％(例如，至少60％、至少70％、至少80％、至少90％、至少95％、至少99％、以及100％)不重叠。

有机材料层142和阴极层143可以在用于形成显示区域DA中的所述多个发光元件140的有机材料层142和阴极层143的相同处理中形成。例如，在一些实施例中，用于所述多个发光元件140的有机材料层142和阴极层143可以在开放掩膜沉积工艺中分别形成，在所述开放掩膜工艺中，不使用掩膜板并且将目标材料沉积在基板的整个表面上。通过具有顶部宽底部窄的第一阻挡墙161，有机材料层142和阴极层143可以分离成不连续的部分。

可选地，有机材料层142包括以下各项中的至少一项：有机发光层、空穴传输层、空穴注入层、电子传输层、电子注入层、或所述多个发光元件140中的任意其它有机功能层。可选地，有机材料层142包括电子传输层和电子注入层中的至少一个，但是不包括有机发光层(其不在开放掩膜工艺中形成)。

参照图1A和图1B，在一些实施例中，封装层150包括第一无机封装子层151、有机封装子层152和第二无机封装子层153。在一些实施例中，封装层150的至少一个无机子层从显示区域DA延伸至周边区域PA中。在一个示例中，第一无机封装子层151和第二无机封装子层153从显示区域DA延伸至周边区域PA中。可选地，第一无机封装子层151、有机封装子层152和第二无机封装子层153中的每一个从显示区域DA延伸至周边区域PA中。可选地，封装层150的所述至少一个无机子层位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧。可选地，封装层150的所述至少一个无机子层位于第一阻挡墙161的远离衬底基板100的一侧。

在一个示例中，封装层150的所述至少一个无机子层(例如，第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)完全覆盖无机封装层163的覆盖第一阻挡墙161的侧面的部分。

在一些实施例中，显示基板可以包括任意适当数量的阻挡墙，其各自形成实质上围绕一区域(例如，在图2A和图2B中讨论的窗口区域或显示区域)的围墙。可选地，显示基板可以包括总数量1至20的阻挡墙。在一些实施例中，如图1A、图1B、图2A和图2B所示，显示基板还包括位于周边区域PA中并且位于绝缘层115的远离衬底基板100的一侧的第二阻挡墙161'。第二阻挡墙161'形成实质上围绕第二区域EA2的第一围墙。可选地，第二区域EA2围绕第一区域EA1。

在一些实施例中，第二阻挡墙161'具有与第一阻挡墙161的结构类似的结构。图4A是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙的结构的示意图。图4B是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙和无机阻挡层的结构的示意图。图4C是示出根据本公开的一些实施例中的位于第二阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。参照图1、图4A至图4C，在一些实施例中，第二阻挡墙161'包括与绝缘层115接触的第二下部161'l和位于第二下部161'l的远离绝缘层115的一侧的第二上部161'u。可选地，第二上部161'u在衬底基板100上的正投影覆盖第二下部161'l在衬底基板100上的正投影。

在一些实施例中，如图4A所示，第二下部161'l的侧面与第二上部161'u的侧面不共面。可选地，第二下部161'l具有与绝缘层115接触的第一侧S1'(底侧)和与第一侧S1'相对的第二侧S2'(顶侧)，第一侧S1'和第二侧S2'通过第二下部161'l的侧面(LS3或LS4)连接。可选地，第二上部161'u具有与第二下部161'l接触的第三侧S3'(底侧)和与第三侧S3'相对的第四侧S4'(顶侧)，第三侧S3'和第四侧S4'通过第二上部161'u的侧面(LS3'或LS4')连接。可选地，第三侧S3'沿第二阻挡墙161'的宽度方向宽于第一侧S1'和第二侧S2'。

在一些实施例中，第二上部161'u的远离衬底基板100的一侧宽于第二上部161'u的靠近衬底基板100的一侧；并且，第二下部161'l的远离衬底基板100的一侧宽于第二下部161'l的靠近衬底基板100的一侧。

在一些实施例中，无机阻挡层163实质上覆盖第一阻挡墙161、第二阻挡墙161'和第一阻挡墙161与第二阻挡墙161'之间的任何区域。无机阻挡层163限于周边区域PA中。可选地，无机阻挡层163与第一阻挡墙161、第二阻挡墙161'和绝缘层115直接接触。可选地，无机阻挡层163完全覆盖第二阻挡墙161'的侧面。

在一些实施例中，有机材料层142和阴极层143之一或组合位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧、被第二阻挡墙161'的侧面分离成不连续的部分。例如，图4C示出了被第二阻挡墙161'的侧面分离成不连续的部分的第四部分P1'、第五部分P2'和第六部分P3'。第四部分P1'位于第二阻挡墙161'的远离衬底基板100的一侧，第四部分P1'在衬底基板100上的正投影与第二阻挡墙161'在衬底基板100上的正投影至少部分地重叠。第五部分P2'和第六部分P3'位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧，第五部分P2'和第六部分P3'在衬底基板100上的正投影与第二阻挡墙161'在衬底基板100上的正投影实质上不重叠(例如，完全不重叠)。

在一些实施例中，封装层150的至少一个无机封装子层(例如，第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧。可选地，封装层150的所述至少一个无机子层位于第二阻挡墙161'的远离衬底基板100的一侧。可选地，封装层150的所述至少一个无机子层(例如，第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)完全覆盖无机封装层163的覆盖第二阻挡墙161'的侧面的部分。

可选地，第一围墙和第二围墙中的每一个实质上围绕显示基板的窗口区域，并且显示基板具有贯穿窗口区域的孔以在其中安装配件。可以安装在窗口区域中的配件的示例包括：听筒、相机、光传感器、距离传感器、红外传感器、指纹传感器、声学传感器、指示器、按钮、旋钮、或它们的任意组合。

在一些实施例中，第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'中的每一个具有0.5μm至5μm范围内的厚度。可选地，第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'中的每一个具有2μm至100μm范围内的宽度。

各种适当材料和各种适当制造方法可以用于制作第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺或溅射工艺(例如，磁控溅射工艺)沉积绝缘材料。随后，例如通过光刻工艺对沉积的绝缘材料进行构图。可选地，第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'中的每一个由负性光刻胶材料制成。可以通过以下步骤来形成第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成负性光刻胶材料层；以及对负性光刻胶材料层进行构图，以形成第一阻挡墙和第二阻挡墙。由于负性光刻胶材料的属性，负性光刻胶材料的曝光和显影导致第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'的底切轮廓，例如，第一阻挡墙161或第二阻挡墙161'的远离衬底基板100的一侧宽于第一阻挡墙161或第二阻挡墙161'的靠近衬底基板100的一侧。

在一些实施例中，无机阻挡层163具有10nm至3μm的范围内的厚度。各种适当材料和各种适当制造方法可以用于制作无机阻挡层163。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺或溅射工艺(例如，磁控溅射工艺)沉积绝缘材料。随后，例如通过光刻工艺对沉积的绝缘材料进行构图。用于制作无机阻挡层163的适当绝缘材料的示例包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、以及它们的任意组合。

参照图1和图1B，在一些实施例中，显示基板还包括位于衬底基板100上的阻挡层101以及位于显示区域DA中且位于阻挡层的远离衬底基板100的一侧的多个薄膜晶体管。所述多个薄膜晶体管中的对应一个包括：有源层110，其位于阻挡层101上；第一栅绝缘层111，其位于有源层110的远离衬底基板100的一侧；栅电极112，其位于第一栅绝缘层111的远离衬底基板100的一侧；绝缘层115，其位于栅电极112的远离衬底基板100的一侧；源电极121和漏电极122，其位于绝缘层115的远离衬底基板100的一侧。可选地，显示基板还包括：第二栅绝缘层113，其位于第一栅绝缘层111与绝缘层115之间。可选地，显示基板还包括第一电极112'和第二电极114。第二栅绝缘层113将第一电极112'和第二电极114彼此间隔开。第一电极112'、第二栅绝缘层113和第二电极114形成电容器。

所述多个发光元件140中的对应一个包括：阳极132；发光层141，其位于阳极132上；有机材料层142，其位于发光层141的远离衬底基板100的一侧；阴极层143，其位于有机材料层142的远离衬底基板100的一侧。可选地，有机材料层142和阴极层143可以以开放掩膜工艺形成。

在一些实施例中，显示基板还包括：平坦化层131，其位于所述多个薄膜晶体管的远离衬底基板100的一侧。阳极132通过贯穿平坦化层131的过孔与所述多个薄膜晶体管中的对应一个的漏电极122电连接。

在一些实施例中，显示基板还包括：像素限定层133，其位于平坦化层131的远离衬底基板100的一侧。像素限定层133限定用于容纳发光层141的多个子像素孔。

在一些实施例中，显示基板还包括位于像素限定层133上的间隔件134。

参照图1B，在一些实施例中，第一下部的侧面与第一上部的侧面实质上共面。图5A是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙的结构的示意图。图5B是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙和无机阻挡层的结构的示意图。图5C是示出根据本公开的一些实施例中的位于第一阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。图5A至图5C示出的结构与图3A至图3C示出的结构类似，区别之处在于第一下部161l的侧面与第一上部161u的侧面实质上共面。例如，如图5A所示，第一下部161l的第一侧面LS1与第一上部161u的第一侧面LS1'实质上共面。在另一个示例中，第一下部161l的第二侧面LS2与第一上部161u的第二侧面LS2'实质上共面。如本文所用，术语“实质上共面”指的是结构上的两个或更多个表面共享同一公共面或距共享同一公共面偏移不大于100nm(例如，不大于90nm、不大于80nm、不大于70nm、不大于60nm、不大于50nm、不大于40nm、不大于30nm、不大于20nm、不大于10nm、不大于5nm、或者不大于1nm)。可选地，术语“实质上共面”指的是结构上的两个或更多个表面共享同一公共面或者距离共享同一公共面偏移不超过20nm。

图6A是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙的结构的示意图。图6B是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙和无机阻挡层的结构的示意图。图6C是示出根据本公开的一些实施例中的位于第二阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。图6A至图6C示出的结构与图4A至图4C示出的结构类似，区别之处在于第二下部161'l的侧面与第二上部161'u的侧面实质上共面。例如，如图6A所示，第二下部161'l的第三侧面LS3与第二上部161'u的第三侧面LS3'实质上共面。在另一个示例中，第二下部161'l的第四侧面LS4与第二上部161'u的第四侧面LS4'实质上共面。

在一些实施例中，显示基板还包括：裂缝防止层，其位于第一阻挡墙的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中。图7是根据本公开的一些实施例中的显示基板的一部分的截面图。参照图7，在一些实施例中，显示基板具有显示区域DA和周边区域PA。在一些实施例中，显示基板包括：衬底基板100；多个发光元件140，其位于衬底基板100上且位于显示区域DA中；封装层150，其位于所述多个发光元件140的远离衬底基板100的一侧，用于封装所述多个发光元件140；绝缘层115，其位于衬底基板100上；第一阻挡墙161，其位于周边区域PA中并且位于绝缘层115的远离衬底基板100的一侧，第一阻挡墙161形成实质上围绕第一区域的第一围墙；以及裂缝防止层162，其位于第一阻挡墙161的侧面和绝缘层115的表面之间的成角空间中。

图8A是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙的结构的示意图。图8B是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙和裂缝防止层的结构的示意图。图8C是示出根据本公开的一些实施例中的第一阻挡墙、裂缝防止层和无机阻挡层的结构的示意图。图8D是示出根据本公开的一些实施例中的位于第一阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。参照图8A，在一些实施例中，第一阻挡墙161包括与绝缘层115接触的第一下部161l和位于第一下部161l的远离绝缘层115的一侧的第一上部161u。第一上部161u在衬底基板100上的正投影覆盖第一下部161l在衬底基板100上的正投影。可选地，第一上部161u的沿从第一侧面LS1至第二侧面LS2的方向的宽度大于第一下部161l的沿从第一侧面LS1到第二侧面LS2的方向的宽度。可选地，第一上部161u的沿从第一侧面LS1至第二侧面LS2的方向的最小宽度等于或大于第一下部161l的沿从第一侧面LS1到第二侧面LS2的方向的最大宽度。可选地，第一上部161u的远离衬底基板100的一侧(例如，顶侧)宽于第一上部161u的靠近衬底基板100的一侧(例如，底侧)。可选地，第一下部161l的远离衬底基板100的一侧(例如，顶侧)宽于第一下部161l的靠近衬底基板100的一侧(例如，底侧)。可选地，第一阻挡墙161的沿在从第一侧面LS1到第二侧面LS2的方向上的垂直于绝缘层115的平面的截面具有实质倒梯形形状。可选地，第一上部161u的沿在从第一侧面LS1到第二侧面LS2的方向上的垂直于绝缘层115的平面的截面具有实质倒梯形形状。可选地，第一下部161l的沿在从第一侧面LS1到第二侧面LS2的方向上的垂直于绝缘层115的平面的截面具有实质倒梯形形状。

在一些实施例中，第一下部161l的第一侧面LS1与绝缘层115的表面S形成第一成角空间AS1；并且，第一下部161l的第二侧面LS2与绝缘层115的表面S形成第二成角空间AS2。参照图8A和图8B，在一些实施例中，裂缝防止层162包括位于第一成角空间AS1中的第一裂缝防止子层162a和位于第二成角空间AS2中的第二裂缝防止子层162b。第一裂缝防止子层162a覆盖第一下部161l的第一侧面LS1；并且，第二裂缝防止子层162b覆盖第一下部161l的第二侧面LS2。如图8B所示，第一下部161l、第一裂缝防止子层162a和第二裂缝防止子层162b一起形成具有远离衬底基板的一侧窄于靠近衬底基板的一侧的结构(例如，类梯形形状)。可选地，第一裂缝防止子层162a相对于绝缘层115的表面S的高度不大于第一阻挡墙161相对于绝缘层115的表面S的高度的一半；并且，第二裂缝防止子层162b相对于绝缘层115的表面S的高度不大于第一阻挡墙161相对于绝缘层115的表面S的高度的一半；可选地，第一裂缝防止子层162a的侧面具有凹陷表面。可选地，第二裂缝防止子层162b的侧面具有凹陷表面。可选地，由第一阻挡墙161、第一裂缝防止子层162a和第二裂缝防止子层162b形成的结构形成具有两个凹壁侧面的组合墙。

可选地，第一裂缝防止子层162a形成实质上围绕小于由第一阻挡墙161实质上围绕的第一区域的区域的围墙。可选地，第二裂缝防止子层162b形成实质上围绕大于由第一阻挡墙161实质上围绕的第一区域的区域的围墙。可选地，由第二裂缝防止子层162b形成的围墙围绕由第一阻挡墙161形成的第一围墙，并且第一围墙围绕由第一裂缝防止子层162a形成的围墙。可选地，使用不同材料制作裂缝防止层162和第一阻挡墙161。

参照图7和图8C，在一些实施例中，显示基板还包括无机阻挡层163，其覆盖第一阻挡墙161和裂缝防止层162。可选地，无机阻挡层163限于周边区域PA中。可选地，无机阻挡层163与第一阻挡墙161和裂缝防止层162两者直接接触。可选地，无机阻挡层163还延伸至第一阻挡墙161和裂缝防止层162以外的区域中，并且与绝缘层115直接接触。

具体地，参见图8A至图8C，无机阻挡层163覆盖第一上部161u的顶表面(例如，远离衬底基板100的表面)并且可选地与第一上部161u的顶表面(例如，远离衬底基板100的表面)直接接触。无机阻挡层163还覆盖第一上部161u的侧面并且可选地与第一上部161u的侧面直接接触。无机阻挡层163还覆盖第一裂缝防止子层162a的侧面并且可以地与第一裂缝防止子层162a的侧面直接接触，并且覆盖第二裂缝防止子层162b的侧面并且可选地与第二裂缝防止子层162b的侧面直接接触。

通过具有裂缝防止层162(包括第一裂缝防止子层162a和第二裂缝防止子层162b)，第一阻挡墙161的侧面和绝缘层115的表面之间的成角空间可以被至少部分地填充。裂缝防止层162还使第一阻挡墙161在绝缘层115上稳定。通过至少部分地消除第一阻挡墙161的侧面和绝缘层115的表面之间的死角空间，后续的无机阻挡层163可以没有裂缝地形成在该区域中，从而完全封装显示区域。例如，在一些实施例中，无机阻挡层163没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡墙161和裂缝防止层162一起形成的结构的侧面。

参照图7和图8D，在一些实施例中，显示基板还包括有机材料层142(例如，有机发光层)和阴极层143之一或组合，其位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧、被第一阻挡墙161的侧面分离成不连续的部分。例如，图8D示出了被第一阻挡墙161的侧面分离成不连续的部分的第一部分P1、第二部分P2和第三部分P3。第一部分P1位于第一阻挡墙161的远离衬底基板100的一侧，第一部分P1在衬底基板100上的正投影与第一阻挡墙161在衬底基板100上的正投影至少部分地重叠。第二部分P2和第三部分P3位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧，第二部分P2和第三部分P3在衬底基板100上的正投影与第一阻挡墙161在衬底基板100上的正投影实质上不重叠(例如，完全不重叠)。

在一个示例中，封装层150的所述至少一个无机子层(例如，第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)没有裂缝地完全覆盖无机封装层163的覆盖由第一阻挡墙和裂缝防止层一起形成的结构的侧面的部分。通过具有裂缝防止层162(包括第一裂缝防止子层162a和第二裂缝防止子层162b)，第一阻挡墙161的侧面和绝缘层115的表面之间的成角空间可以被至少部分地填充。裂缝防止层162还使第一阻挡墙161在绝缘层115上稳定。通过至少部分地消除第一阻挡墙161的侧面和绝缘层115的表面之间的死角空间，后续的封装层150的无机子层可以没有裂缝地形成在该区域中，从而完全封装显示区域。例如，在一些实施例中，封装层150的所述至少一个无机子层没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡墙161和裂缝防止层162一起形成的结构的侧面。

图9A是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙的结构的示意图。图9B是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙和裂缝防止层的结构的示意图。图9C是示出根据本公开的一些实施例中的第二阻挡墙、裂缝防止层和无机阻挡层的结构的示意图。图9D是示出根据本公开的一些实施例中的位于第二阻挡墙上的有机材料层和阴极层的结构的示意图。参照图7、图9B至图9D，裂缝防止层162位于第二阻挡墙161'的侧面和绝缘层115的表面S之间的成角空间中。在一些实施例中，第二阻挡墙161'包括与绝缘层115接触的第二下部161'l和位于第二下部161'l的远离绝缘层115的一侧的第二上部161'u。可选地，第二上部161'u在衬底基板100上的正投影覆盖第二下部161'l在衬底基板100上的正投影。可选地，第二下部161'l的第三侧面LS3与绝缘层115的表面S形成第三成角空间AS3，并且第二下部161'l的第四侧面LS4与绝缘层115的表面S形成第四成角空间AS4。可选地，裂缝防止层162包括位于第三成角空间AS3中的第三裂缝防止子层162c和位于第四成角空间AS4中的第四裂缝防止子层162d。可选地，第三裂缝防止子层162c覆盖第二下部161'l的第三侧面LS3；并且，第四裂缝防止子层162d覆盖第二下部161'l的第四侧面LS4。

在一些实施例中，第二上部161'u的远离衬底基板100的一侧宽于第二上部161'u的靠近衬底基板100的一侧；并且，第二下部161'l的远离衬底基板100的一侧宽于第二下部161'l的靠近衬底基板100的一侧。可选地，第二阻挡墙161'的沿在从第三侧面LS3到第四侧面LS4的方向上的垂直于绝缘层115的平面的截面具有实质倒梯形形状。可选地，第二下部161'l、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d一起形成具有远离衬底基板100的一侧窄于靠近衬底基板100的一侧的结构。可选地，第三裂缝防止子层162c相对于绝缘层115的表面S的高度不大于第二阻挡墙161'相对于绝缘层115的表面S的高度的一半；并且，第四裂缝防止子层162d相对于绝缘层115的表面S的高度不大于第二阻挡墙161'相对于绝缘层115的表面S的高度的一半。可选地，第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'包括负性光刻胶材料；并且裂缝防止层162包括正性光刻胶材料。可选地，由第二阻挡墙161'、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d形成的结构形成具有两个凹壁侧面的组合墙。

在一些实施例中，无机阻挡层163实质上覆盖第一阻挡墙161、裂缝防止层162、第二阻挡墙161'和第一阻挡墙161与第二阻挡墙161'之间的任何区域。无机阻挡层163限于周边区域PA中。可选地，无机阻挡层163与第一阻挡墙161、裂缝防止层162、第二阻挡墙161'和绝缘层115直接接触。可选地，无机阻挡层163没有裂缝地完全覆盖由第二阻挡墙161'、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d一起形成的结构的侧面。

在一些实施例中，有机材料层142和阴极层143之一或组合位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧、被第二阻挡墙161'的侧面分离成不连续的部分。例如，图9D示出了被第二阻挡墙161'的侧面分离成不连续的部分的第四部分P1'、第五部分P2'和第六部分P3'。第四部分P1'位于第二阻挡墙161'的远离衬底基板100的一侧，第四部分P1'在衬底基板100上的正投影与第二阻挡墙161'在衬底基板100上的正投影至少部分地重叠。第五部分P2'和第六部分P3'位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧，第五部分P2'和第六部分P3'在衬底基板100上的正投影与第二阻挡墙161'在衬底基板100上的正投影实质上不重叠(例如，完全不重叠)。

在一些实施例中，封装层150的至少一个无机子层(例如，第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)位于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧。可选地，封装层150的所述至少一个无机子层位于第二阻挡墙161'的远离衬底基板100的一侧。可选地，封装层150的所述至少一个无机子层(例如，第一无机封装子层151和第二无机封装子层153之一或两者)没有裂缝地完全覆盖无机封装层163的覆盖由第二阻挡墙161'、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d一起形成的结构的侧面的部分。通过具有裂缝防止层162(包括第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d)，第二阻挡墙161'的侧面和绝缘层115的表面之间的成角空间可以被至少部分地填充。裂缝防止层162还使第二阻挡墙161'在绝缘层115上稳定。通过至少部分地消除第二阻挡墙161'的侧面和绝缘层115的表面之间的死角空间，后续的封装层150的无机子层可以没有裂缝地形成在该区域中，从而完全封装显示区域。例如，在一些实施例中，封装层150的所述至少一个无机子层没有裂缝地完全覆盖由第二阻挡墙161'、第三裂缝防止子层162c和第四裂缝防止子层162d一起形成的结构的侧面。

各种适当材料和各种适当制造方法可以用于制作裂缝防止层162。例如，可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺或溅射工艺(例如，磁控溅射工艺)沉积绝缘材料。随后，例如通过光刻工艺对沉积的绝缘材料进行构图。可选地，裂缝防止层162由正性光刻胶材料制成。可以通过以下步骤形成裂缝防止层162：在第一阻挡墙的远离衬底基板的一侧形成正性光刻胶材料层；以及对正性光刻胶材料层进行构图以形成裂缝防止层。正性光刻胶材料层形成为填充在成角空间中。由于第一阻挡墙161的底切轮廓，填充在成角空间中的正性光刻胶材料未被暴露或被不充分地暴露。在正性光刻胶材料层的显影期间，保留成角空间中的正性光刻胶材料，而在对正性光刻胶材料层进行构图期间，移除除位于第一阻挡墙161的侧面和绝缘层115的表面S之间的成角空间中的部分外的正性光刻胶材料层，从而形成裂缝防止层162。

可选地，利用相同掩膜板在相同构图工艺中形成裂缝防止层162和平坦化层131，利用相同绝缘材料在相同层中形成裂缝防止层162和平坦化层131。如本文所用，术语“相同层”指的是在相同步骤中同时形成的各层之间的关系。在一个示例中，当裂缝防止层162和平坦化层131作为在相同材料层中执行的相同构图工艺的一个或多个步骤的结果而形成时，它们位于相同层。在另一个示例中，可以通过同时执行形成裂缝防止层162的步骤和形成平坦化层131的步骤而将裂缝防止层162和平坦化层131形成在相同层。术语“相同层”不总是意味着层的厚度或层的高度在截面图中是相同的。

可选地，利用相同掩膜板在相同构图工艺中形成裂缝防止层162和像素限定层133，利用相同绝缘材料在相同层中形成裂缝防止层162和像素限定层133。

可选地，利用相同掩膜板在相同构图工艺中形成裂缝防止层162和间隔件134，利用相同绝缘材料在相同层中形成裂缝防止层162和间隔件134。

在另一方面，本公开提供了一种制造具有显示区域和周边区域的显示基板的方法。在一些实施例中，所述方法包括：在衬底基板上并且在显示区域中形成多个发光元件；在所述多个发光元件的远离衬底基板的一侧形成封装层，用于封装所述多个发光元件；形成绝缘层，其中，绝缘层形成在封装层和衬底基板之间；以及在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一阻挡墙，第一阻挡墙形成实质上围绕第一区域的第一围墙。可选地，第一阻挡墙形成为包括与绝缘层接触的第一下部和位于第一下部的远离绝缘层的一侧的第一上部。可选地，第一上部在衬底基板上的正投影覆盖第一下部在衬底基板上的正投影。可选地，第一阻挡墙形成为使得沿第一阻挡墙的从周边区域到显示区域的宽度方向，第一阻挡墙的远离衬底基板的一侧宽于第一阻挡墙的靠近衬底基板的一侧。

在一些实施例中，形成第一阻挡墙的步骤包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成负性光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板曝光负性光刻胶材料层，以生成曝光的负性光刻胶材料层；以及对曝光的负性光刻胶材料层进行显影以形成第一阻挡墙。可选地，第一阻挡墙形成为具有底切轮廓。

在一些实施例中，第一下部的侧面与第一上部的侧面实质上共面。

在一些实施例中，形成第一阻挡墙的步骤包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成图像反向光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板曝光图像反向光刻胶材料层，以生成第一曝光光刻胶材料层；反向烘焙第一曝光光刻胶材料层以生成反向光刻胶材料层；曝光反向光刻胶材料层以生成第二曝光光刻胶材料层；以及对第二曝光光刻胶材料层进行显影以形成第一阻挡墙。可选地，第一阻挡墙形成为具有底切轮廓。

在一些实施例中，第一下部的侧面与第一上部的侧面实质上共面。

在一些实施例中，形成第一阻挡墙的步骤包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一材料层；在周边区域中并且在第一材料层的远离衬底基板的一侧形成第二材料层；以及对第一材料层和第二材料层进行构图，以形成第一阻挡墙。

在一些实施例中，第一材料层是第一正性光刻胶材料层并且第二材料层是第二正性光刻胶材料层。可选地，第一正性光刻胶材料层与第二正性光刻胶材料层相比对曝光更敏感。可选地，形成第一阻挡墙的步骤包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一正性光刻胶材料层；在周边区域中并且在第一正性光刻胶材料层的远离衬底基板的一侧形成第二正性光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的遮光区域的掩膜板同时曝光第一正性光刻胶材料层和第二正性光刻胶材料层，以生成曝光的第一正性光刻胶材料层和曝光的第二正性光刻胶材料层；以及，对曝光的第一正性光刻胶材料层和曝光的第二正性光刻胶材料层进行显影以形成第一阻挡墙。可选地，通过对曝光的第一正性光刻胶材料层进行显影来生成第一下部。可选地，通过对曝光的第二正性光刻胶材料层进行显影来生成第一上部。可选地，第一下部的侧面与第一上部的侧面不共面。

在一些实施例中，第一材料层是正性光刻胶材料层并且第二材料层是负性光刻胶材料层。可选地，形成第一阻挡墙的步骤包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成正性光刻胶材料层；在周边区域中并且在正性光刻胶材料层的远离衬底基板的一侧形成负性光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的透光区域的第一掩膜板曝光负性光刻胶材料层，以生成曝光的负性光刻胶材料层；对曝光的负性光刻胶材料层进行显影以生成第一上部；使用具有与第一阻挡墙相对应的遮光区域的第二掩膜板曝光正光刻胶材料层，以生成曝光的正性光刻胶材料层；以及，对曝光的正性光刻胶材料层进行显影以生成第一下部。可选地，第一下部的侧面与第一上部的侧面不共面。

在一些实施例中，第一材料层是第一负性光刻胶材料层并且第二材料层是第二负性光刻胶材料层。可选地，第二负性光刻胶材料层与第一负性光刻胶材料层相比对曝光更敏感。可选地，形成第一阻挡墙的步骤包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第一负性光刻胶材料层；在周边区域中并且在第一负性光刻胶材料层的远离衬底基板的一侧形成第二负性光刻胶材料层；使用具有与第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板同时曝光第一负性光刻胶材料层和第二负性光刻胶材料层，以生成曝光的第一负性光刻胶材料层和曝光的第二负性光刻胶材料层；以及，对曝光的第一负性光刻胶材料层和曝光的第二负性光刻胶材料层进行显影以形成第一阻挡墙。可选地，通过对曝光的第一负性光刻胶材料层进行显影来生成第一下部。可选地，通过对曝光的第二负性光刻胶材料层进行显影来生成第一上部。可选地，第一下部的侧面与第一上部的侧面不共面。

在一些实施例中，第一材料层是金属材料层并且第二材料层是光刻胶材料层。可选地，形成第一阻挡墙的步骤包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成金属材料层；在周边区域中并且在金属材料层的远离衬底基板的一侧形成光刻胶材料层；曝光光刻胶材料层以生成曝光的光刻胶材料层；对曝光的光刻胶材料层进行显影以形成第一上部；以及，蚀刻金属材料层以形成第一下部。

在一些实施例中，第一下部具有与绝缘层接触的第一侧和与第一侧相对的第二侧，第一侧和第二侧通过第一下部的侧面连接；第一上部具有与第一下部接触的第三侧和与第三侧相对的第四侧，第三侧和第四侧通过第一上部的侧面连接；并且第三侧沿第一阻挡墙的宽度方向宽于第一侧和第二侧。

在一些实施例中，所述方法还包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第二阻挡墙，第二阻挡墙形成实质上围绕第二区域的第二围墙。

在一些实施例中，所述方法还包括：冲压出贯穿显示基板的孔，以形成窗口区域。可选地，第一围墙实质上围绕窗口区域。

图10A至图10C示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图10A，在周边区域中并且在绝缘层115的远离衬底基板100的一侧形成负性光刻胶材料层200。参照图10B，将具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的透光区域tr的掩膜板300置于负性光刻胶材料层200上方。使用具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的透光区域tr的掩膜板300(例如，使用UV光)对负性光刻胶材料层200进行曝光，以生成曝光的负性光刻胶材料层201，其具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的曝光区域412和曝光区域412以外的未曝光区域411。参照图10B和图10C，对曝光的负性光刻胶材料层201进行显影，以形成第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'。第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'形成为具有底切轮廓。

图11A至图11C示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图11A，在周边区域中并且在绝缘层115的远离衬底基板100的一侧形成第一正性光刻胶材料层210，在周边区域中并且在第一正性光刻胶材料层210的远离衬底基板100的一侧形成第二正性光刻胶材料层220。第一正性光刻胶材料层210与第二正性光刻胶材料层220相比对曝光更敏感。例如，第一正性光刻胶材料层210与第二正性光刻胶材料层220相比具有更高含量的光致产酸剂(photo acid generator)。导致第一正性光刻胶材料层210与第二正性光刻胶材料层220相比曝光面积更大。参照图11A和图11B，将具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的遮光区域br的掩膜板300置于第一正性光刻胶材料层210和第二正性光刻胶材料层220上方。使用具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的遮光区域br的掩膜板300(例如，使用UV光)同时曝光第一正性光刻胶材料层210和第二正性光刻胶材料层220，以生成曝光的第一正性光刻胶材料层211和曝光的第二正性光刻胶材料层221。参照图11C，对曝光的第一正性光刻胶材料层211和曝光的第二正性光刻胶材料层221进行显影以形成第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'。参照图11C、图3A至图3C以及图4A至图4C，通过对曝光的第一正性光刻胶材料层211进行显影生成了第一下部161l和第二下部161'l，通过对曝光的第二正性光刻胶材料层221进行显影生成了第一上部161u和第二上部161'u。可选地，第一下部161l的侧面与第一上部161u的侧面不共面，并且第二下部161'l的侧面与第二上部161'u的侧面不共面。

图12A至图12C示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图12A，在周边区域中并且在绝缘层115的远离衬底基板100的一侧形成第一负性光刻胶材料层230，在周边区域中并且在第一负性光刻胶材料层230的远离衬底基板100的一侧形成第二负性光刻胶材料层240。第二负性光刻胶材料层240与第一负性光刻胶材料层230相比对曝光更敏感。例如，导致第二负性光刻胶材料层240与第一负性光刻胶材料层230相比曝光面积更大。参照图12A和图12B，将具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的透光区域tr的掩膜板300置于第一负性光刻胶材料层230和第二负性光刻胶材料层240上方。使用具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的透光区域tr的掩膜板300(例如，使用UV光)同时曝光第一负性光刻胶材料层230和第二负性光刻胶材料层240，以生成曝光的第一负性光刻胶材料层231和曝光的第二负性光刻胶材料层241。参照图12C，对曝光的第一负性光刻胶材料层231和曝光的第二负性光刻胶材料层241进行显影以形成第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'。参照图12C、图3A至图3C以及图4A至图4C，通过对曝光的第一负性光刻胶材料层231进行显影生成了第一下部161l和第二下部161'l，通过对曝光的第二负性光刻胶材料层241进行显影生成了第一上部161u和第二上部161'u。可选地，第一下部161l的侧面与第一上部161u的侧面不共面，并且第二下部161'l的侧面与第二上部161'u的侧面不共面。

图13A至图13D示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图13A，在周边区域中并且在绝缘层115的远离衬底基板100的一侧形成正性光刻胶材料层250，在周边区域中并且在正性光刻胶材料层250的远离衬底基板100的一侧形成负性光刻胶材料层260。参照图13A和图13B，将具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的透光区域tr的第一掩膜板400置于负性光刻胶材料层260上方。使用具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的透光区域tr的掩膜板400(例如，使用UV光)曝光负性光刻胶材料层260，以生成曝光的负性光刻胶材料层261。参照图13B和图13C，对曝光的负性光刻胶材料层261进行显影，以生成第一上部161u和第二上部161'u。参照图13B和图13C，将具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的遮光区域br的第二掩膜板500置于第一上部161u和第二上部161'u上方。使用具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的遮光区域br的第二掩膜板500曝光正性光刻胶材料层250，以生成曝光的正性光刻胶材料层251。对曝光的正性光刻胶材料层251进行显影以生成第一下部161l和第二下部161'l。参照图13D、图3A至图3C以及图4A至图4C，第一下部161l的侧面与第一上部161u的侧面不共面，并且第二下部161'l的侧面与第二上部161'u的侧面不共面。

图14A至图14E示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图14A，在周边区域中并且在绝缘层115的远离衬底基板100的一侧形成图像反向光刻胶材料层270。参照图14A和图14B，将具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的透光区域tr的第一掩膜板300置于图像反向光刻胶材料层270上方。使用具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的透光区域tr的掩膜板300(例如，使用UV光)曝光图像反向光刻胶材料层270，以生成第一曝光光刻胶材料层271，其中712部分被曝光并且711部分基本不被曝光。参照图14B和图14C，使用反向烘烤工艺处理第一曝光光刻胶材料层271，以生成反向光刻胶材料层272。反向烘烤工艺将第一曝光光刻胶材料层271(其是负性光刻胶)转换为反向光刻胶材料层272(其是正性光刻胶)。参照图14C和图14D，(例如，在不使用掩膜板的情况下)对反向光刻胶材料层272进行曝光，以生成第二曝光光刻胶材料层273。参照图14D和图14E，对第二曝光光刻胶材料层273进行显影，以形成第一阻挡墙161和第二阻挡墙161'。

图15A至图15D示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图15A，在周边区域中并且在绝缘层115的远离衬底基板100的一侧形成金属材料层280。在周边区域中并且在金属材料层280的远离衬底基板100的一侧形成光刻胶材料层290。可选地，光刻胶材料层290是正性光刻胶材料层。参照图15A和图15B，将具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的遮光区域br的掩膜板300置于光刻胶材料层290上方。使用具有与第一阻挡墙和第二阻挡墙相对应的遮光区域br的掩膜板300(例如，使用UV光)曝光光刻胶材料层290，以生成曝光的光刻胶材料层291。参照图15B和图15C，对曝光的光刻胶材料层291进行显影，以形成第一上部161u和第二上部161'u。参照图15C和图15D，(例如，使用湿法蚀刻剂)对金属材料层280进行蚀刻，以形成第一下部161l和第二下部161'l。参照图15D、图3A至图3C以及图4A至图4C，第一下部161l的侧面与第一上部161u的侧面不共面，并且第二下部161'l的侧面与第二上部161'u的侧面不共面。

在一些实施例中，所述方法还包括：在第一阻挡墙的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中形成裂缝防止层。可选地，形成裂缝防止层的步骤包括：在第一阻挡墙的远离衬底基板的一侧形成正性光刻胶材料层；以及对正性光刻胶材料层进行构图以形成裂缝防止层。可选地，在对正性光刻胶材料层进行构图期间，移除除位于第一阻挡墙的侧面和绝缘层的表面之间的成角空间中的部分外的正性光刻胶材料层，从而形成裂缝防止层。

在一些实施例中，第一阻挡墙形成为包括与绝缘层接触的第一下部和位于第一下部的远离绝缘层的一侧的第一上部。第一下部的侧面形成为被裂缝防止层覆盖，并且第一上部的侧面形成为不存在裂缝防止层。第一上部在衬底基板上的正投影覆盖第一下部在衬底基板上的正投影。第一下部的第一侧面与绝缘层的表面形成第一成角空间。第一下部的第二侧面与绝缘层的所述表面形成第二成角空间。

在一些实施例中，第一阻挡墙形成为使得第一上部的远离衬底基板的一侧宽于第一上部的靠近衬底基板的一侧；并且，第一下部的远离衬底基板的一侧宽于第一下部的靠近衬底基板的一侧。可选地，第一阻挡墙的沿在从第一侧面到第二侧面的方向上的垂直于绝缘层的平面的截面具有实质倒梯形形状。

在一些实施例中，裂缝防止层形成为包括位于第一成角空间中的第一裂缝防止子层和位于第二成角空间中的第二裂缝防止子层。可选地，第二裂缝防止子层形成为覆盖第一下部的第一侧面。可选地，第二裂缝防止子层形成为覆盖第一下部的第二侧面。可选地，第一下部、第一裂缝防止子层和第二裂缝防止子层形成为一起构成具有远离衬底基板的一侧窄于靠近衬底基板的一侧的结构。可选地，裂缝防止层形成为使得第一裂缝防止子层相对于绝缘层的表面的高度不大于第一阻挡墙相对于绝缘层的表面的高度的一半，并且第二裂缝防止子层相对于绝缘层的表面的高度不大于第一阻挡墙相对于绝缘层的表面的高度的一半。

在一些实施例中，所述方法还包括：形成覆盖第一阻挡墙和裂缝防止层的无机阻挡层。无机阻挡层限于周边区域中。可选地，无机阻挡层形成为与第一阻挡墙、裂缝防止层和绝缘层直接接触。可选地，无机阻挡层形成为没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡墙和裂缝防止层一起形成的结构的侧面。

在一些实施例中，所述方法还包括：在无机阻挡层的远离衬底基板的一侧形成被第一阻挡墙的侧面分离成不连续的部分有机材料层和阴极层之一或组合。

在一些实施例中，所述方法还包括：形成封装层以封装所述多个发光元件。可选地，封装层的至少一个无机子层形成为从显示区域延伸至周边区域中。可选地，封装层的所述至少一个无机子层形成在无机阻挡层的远离衬底基板的一侧。可选地，封装层的所述至少一个无机子层形成为没有裂缝地完全覆盖无机阻挡层的覆盖由第一阻挡墙和裂缝防止层一起形成的结构的侧面的部分。

在一些实施例中，所述方法还包括：在周边区域中并且在绝缘层的远离衬底基板的一侧形成第二阻挡墙，第二阻挡墙形成实质上围绕第二区域的第二围墙。

图16A至图16F示出了根据本公开的一些实施例中的制造显示基板的方法。参照图16A，在绝缘层115上形成负性光刻胶材料层16，利用第一掩膜板MP1曝光负性光刻胶材料层16，第一掩膜板MP1的与第一阻挡墙161对应的区域是透光的，并且第一掩膜板MP1的与第一阻挡墙161以外部分对应的区域是遮光的。随后，对曝光的负性光刻胶材料层16进行显影。

参照图16B，由于负性光刻胶材料的属性，负性光刻胶材料的曝光和显影导致第一阻挡墙161的底切轮廓，例如，第一阻挡墙161的远离衬底基板100的一侧宽于第一阻挡墙161的靠近衬底基板100的一侧。

参照图16C，随后，在绝缘层115上形成正性光刻胶材料层17。利用第二掩膜板MP2曝光正性光刻胶材料层17，第二掩膜板MP2的与第一阻挡墙161对应的区域是遮光的，并且第二掩膜板MP2的与第一阻挡墙161以外部分对应的区域是透光的。随后，对曝光的正性光刻胶材料层17进行显影。

参照图16D，移除除了第一成角空间AS1和第二成角空间AS2中的正性光刻胶材料以外的正性光刻胶材料，因为这些空间中的正性光刻胶材料未暴露于光。形成裂缝防止层162，其包括位于第一成角空间AS1中的第一裂缝防止子层162a和位于第二成角空间AS2中的第二裂缝防止子层162b。

参照图16E，形成无机阻挡层163以覆盖第一阻挡墙161和裂缝防止层162。无机阻挡层163形成为与第一阻挡墙161、裂缝防止层162和绝缘层115直接接触。无机阻挡层163没有裂缝地完全覆盖由第一阻挡墙161和裂缝防止层162一起形成的结构的侧面。

参照图16F，在开放掩膜工艺期间，在衬底基板100上沉积有机材料层142和阴极层143之一或组合。在周边区域中，有机材料层142和阴极层143形成于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧、被第一阻挡墙161的侧面分离成不连续的部分(P1、P2和P3)。

参照图7，在显示基板上形成封装层150。第一无机封装子层151和第二无机封装子层153形成为从显示区域DA延伸至周边区域PA中。在周边区域PA中，第一无机封装子层151和第二无机封装子层153形成于无机阻挡层163的远离衬底基板100的一侧。

另一方面，本公开提供了一种显示设备，其包括本文所述的或通过本文所述方法制造的显示基板以及与显示基板连接的一个或多个集成电路。可选地，显示设备包括显示面板。可选地，显示面板包括本文所述的或者通过本文所述的方法制造的显示基板、以及对置基板。适当显示设备的示例包括但不限于：电子纸、移动电话、平板计算机、电视、监视器、笔记本计算机、数字相框、GPS等。可选地，所述显示设备还包括与显示面板连接的一个或多个集成电路。

出于示意和描述目的已示出对本发明实施例的上述描述。其并非旨在穷举或将本发明限制为所公开的确切形式或示例性实施例。因此，上述描述应当被认为是示意性的而非限制性的。显然，许多修改和变形对于本领域技术人员而言将是显而易见的。选择和描述这些实施例是为了解释本发明的原理和其最佳方式的实际应用，从而使得本领域技术人员能够理解本发明适用于特定用途或所构思的实施方式的各种实施例及各种变型。本发明的范围旨在由所附权利要求及其等同形式限定，其中除非另有说明，否则所有术语以其最宽的合理意义解释。因此，术语“发明”、“本发明”等不一定将权利范围限制为具体实施例，并且对本发明示例性实施例的参考不隐含对本发明的限制，并且不应推断出这种限制。本发明仅由随附权利要求的精神和范围限定。此外，这些权利要求可涉及使用跟随有名词或元素的“第一”、“第二”等术语。这种术语应当理解为一种命名方式而非意在对由这种命名方式修饰的元素的数量进行限制，除非给出具体数量。所描述的任何优点和益处不一定适用于本发明的全部实施例。应当认识到的是，本领域技术人员在不脱离随附权利要求所限定的本发明的范围的情况下可以对所描述的实施例进行变化。此外，本公开中没有元件和组件是意在贡献给公众的，无论该元件或组件是否明确地记载在随附权利要求中。

Claims (27)

1.一种制造显示基板的方法，所述显示基板具有显示区域和周边区域，所述方法包括：

在衬底基板上并且在所述显示区域中形成多个发光元件；

在所述多个发光元件的远离所述衬底基板的一侧形成封装层，用于封装所述多个发光元件；

形成绝缘层，其中，所述绝缘层形成在所述封装层和所述衬底基板之间；以及

在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成第一阻挡墙，所述第一阻挡墙形成实质上围绕第一区域的第一围墙；

其中，所述第一阻挡墙形成为包括与所述绝缘层接触的第一下部和位于所述第一下部的远离所述绝缘层的一侧的第一上部；

所述第一上部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一下部在所述衬底基板上的正投影；并且

所述第一阻挡墙形成为使得沿所述第一阻挡墙的从所述周边区域到所述显示区域的宽度方向，所述第一阻挡墙的远离所述衬底基板的一侧宽于所述第一阻挡墙的靠近所述衬底基板的一侧；

所述方法还包括：

形成覆盖所述第一阻挡墙的无机阻挡层；

所述无机阻挡层限于所述周边区域中；并且

所述无机阻挡层形成为与所述第一阻挡墙和所述绝缘层直接接触；

所述方法还包括：

在所述第一阻挡墙的侧面和所述绝缘层的表面之间的成角空间中形成裂缝防止层，所述裂缝防止层包括位于第一成角空间中的第一裂缝防止子层和位于第二成角空间中的第二裂缝防止子层；

所述第一裂缝防止子层相对于所述绝缘层的表面的高度不大于所述第一阻挡墙相对于所述绝缘层的表面的高度的一半；所述第二裂缝防止子层相对于所述绝缘层的表面的高度不大于所述第一阻挡墙相对于所述绝缘层的表面的高度的一半；

所述第一裂缝防止子层的侧面具有凹陷表面；所述第二裂缝防止子层的侧面具有凹陷表面；

所述第一阻挡墙、所述第一裂缝防止子层和所述第二裂缝防止子层形成具有两个凹壁侧面的组合墙；

所述方法还包括：

形成平坦化层，所述平坦化层位于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一阻挡墙包括：

在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成负性光刻胶材料层；

使用具有与所述第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板曝光所述负性光刻胶材料层，以生成曝光的负性光刻胶材料层；以及

对所述曝光的负性光刻胶材料层进行显影以形成所述第一阻挡墙；

其中，所述第一阻挡墙形成为具有底切轮廓。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第一下部的侧面与所述第一上部的侧面实质上共面。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一阻挡墙包括：

在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成图像反向光刻胶材料层；

使用具有与所述第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板曝光所述图像反向光刻胶材料层，以生成第一曝光光刻胶材料层；

反向烘烤所述第一曝光光刻胶材料层以生成反向光刻胶材料层；

曝光所述反向光刻胶材料层以生成第二曝光光刻胶材料层；以及

对所述第二曝光光刻胶材料层进行显影以形成所述第一阻挡墙；

其中，所述第一阻挡墙形成为具有底切轮廓。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一下部的侧面与所述第一上部的侧面实质上共面。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述第一阻挡墙包括：

在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成第一材料层；

在所述周边区域中并且在所述第一材料层的远离所述衬底基板的一侧形成第二材料层；以及

对所述第一材料层和所述第二材料层进行构图，以形成所述第一阻挡墙。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一材料层是第一正性光刻胶材料层并且所述第二材料层是第二正性光刻胶材料层；并且

所述第一正性光刻胶材料层与所述第二正性光刻胶材料层相比对曝光更敏感；

其中，形成所述第一阻挡墙包括：

在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成所述第一正性光刻胶材料层；

在所述周边区域中并且在所述第一正性光刻胶材料层的远离所述衬底基板的一侧形成所述第二正性光刻胶材料层；

使用具有与所述第一阻挡墙相对应的遮光区域的掩膜板同时曝光所述第一正性光刻胶材料层和所述第二正性光刻胶材料层，以生成曝光的第一正性光刻胶材料层和曝光的第二正性光刻胶材料层；以及

对所述曝光的第一正性光刻胶材料层和所述曝光的第二正性光刻胶材料层进行显影以形成所述第一阻挡墙；

其中，通过对所述曝光的第一正性光刻胶材料层进行显影来生成所述第一下部；

通过对所述曝光的第二正性光刻胶材料层进行显影来生成所述第一上部；并且

所述第一下部的侧面与所述第一上部的侧面不共面。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一材料层是正性光刻胶材料层并且所述第二材料层是负性光刻胶材料层；

其中，形成所述第一阻挡墙包括：

在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成所述正性光刻胶材料层；

在所述周边区域中并且在所述正性光刻胶材料层的远离所述衬底基板的一侧形成所述负性光刻胶材料层；

使用具有与所述第一阻挡墙相对应的透光区域的第一掩膜板曝光所述负性光刻胶材料层，以生成曝光的负性光刻胶材料层；

对所述曝光的负性光刻胶材料层进行显影以生成所述第一上部；

使用具有与所述第一阻挡墙相对应的遮光区域的第二掩膜板曝光所述正性光刻胶材料层，以生成曝光的正性光刻胶材料层；以及

对所述曝光的正性光刻胶材料层进行显影以生成所述第一下部；

其中，所述第一下部的侧面与所述第一上部的侧面不共面。

9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一材料层是第一负性光刻胶材料层并且所述第二材料层是第二负性光刻胶材料层；并且

所述第二负性光刻胶材料层与所述第一负性光刻胶材料层相比对曝光更敏感；

其中，形成所述第一阻挡墙包括：

在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成所述第一负性光刻胶材料层；

在所述周边区域中并且在所述第一负性光刻胶材料层的远离所述衬底基板的一侧形成所述第二负性光刻胶材料层；

使用具有与所述第一阻挡墙相对应的透光区域的掩膜板同时曝光所述第一负性光刻胶材料层和所述第二负性光刻胶材料层，以生成曝光的第一负性光刻胶材料层和曝光的第二负性光刻胶材料层；以及

对所述曝光的第一负性光刻胶材料层和所述曝光的第二负性光刻胶材料层进行显影以形成所述第一阻挡墙；

其中，通过对所述曝光的第一负性光刻胶材料层进行显影来生成所述第一下部；

通过对所述曝光的第二负性光刻胶材料层进行显影来生成所述第一上部；并且

所述第一下部的侧面与所述第一上部的侧面不共面。

10.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一材料层是金属材料层并且所述第二材料层是光刻胶材料层；并且

其中，形成所述第一阻挡墙包括：

在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成所述金属材料层；

在所述周边区域中并且在所述金属材料层的远离所述衬底基板的一侧形成所述光刻胶材料层；

曝光所述光刻胶材料层以生成曝光的光刻胶材料层；

对所述曝光的光刻胶材料层进行显影以形成所述第一上部；以及

蚀刻所述金属材料层以形成所述第一下部。

11.根据权利要求6至10中任一项所述的方法，其中，所述第一下部具有与所述绝缘层接触的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述第一侧和所述第二侧通过所述第一下部的侧面连接；

所述第一上部具有与所述第一下部接触的第三侧和与所述第三侧相对的第四侧，所述第三侧和所述第四侧通过所述第一上部的侧面连接；并且

所述第三侧沿所述第一阻挡墙的所述宽度方向宽于所述第一侧和所述第二侧。

12.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括：在所述周边区域中并且在所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧形成第二阻挡墙，所述第二阻挡墙形成实质上围绕第二区域的第二围墙；

其中，所述第一阻挡墙实质上围绕所述第二阻挡墙。

13.根据权利要求1至10中任一项所述的方法，还包括：冲压出贯穿所述显示基板的孔以形成窗口区域；

其中，所述第一围墙实质上围绕所述窗口区域。

14.根据权利要求13所述的方法，还包括：在所述无机阻挡层的远离所述衬底基板的一侧形成被所述第一阻挡墙的侧面分离成不连续的部分的有机材料层和阴极层之一或组合。

15.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述裂缝防止层包括：

在所述第一阻挡墙的远离所述衬底基板的一侧形成正性光刻胶材料层；以及

对所述正性光刻胶材料层进行构图以形成所述裂缝防止层；

其中，在对所述正性光刻胶材料层进行构图期间，移除除位于所述第一阻挡墙的侧面和所述绝缘层的表面之间的所述成角空间中的部分外的所述正性光刻胶材料层，从而形成所述裂缝防止层。

16.一种显示基板，其具有显示区域和周边区域，所述显示基板包括：

衬底基板；

多个发光元件，其位于所述衬底基板上并且位于所述显示区域中；

封装层，其位于所述多个发光元件的远离所述衬底基板的一侧，用于封装所述多个发光元件；

绝缘层，其位于所述封装层和所述衬底基板之间；以及

第一阻挡墙，其位于所述周边区域中并且位于所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第一阻挡墙形成实质上围绕第一区域的第一围墙；

其中，所述第一阻挡墙包括与所述绝缘层接触的第一下部和位于所述第一下部的远离所述绝缘层的一侧的第一上部；

所述第一上部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一下部在所述衬底基板上的正投影；并且

沿所述第一阻挡墙的从所述周边区域到所述显示区域的宽度方向，所述第一阻挡墙的远离所述衬底基板的一侧宽于所述第一阻挡墙的靠近所述衬底基板的一侧；

所述显示基板还包括：

覆盖所述第一阻挡墙的无机阻挡层；

所述无机阻挡层限于所述周边区域中；并且

所述无机阻挡层与所述第一阻挡墙和所述绝缘层直接接触；

所述显示基板还包括：

裂缝防止层，所述裂缝防止层位于所述第一阻挡墙的侧面和所述绝缘层的表面之间的成角空间中，所述裂缝防止层包括位于第一成角空间中的第一裂缝防止子层和位于第二成角空间中的第二裂缝防止子层；

所述第一裂缝防止子层相对于所述绝缘层的表面的高度不大于所述第一阻挡墙相对于所述绝缘层的表面的高度的一半；所述第二裂缝防止子层相对于所述绝缘层的表面的高度不大于所述第一阻挡墙相对于所述绝缘层的表面的高度的一半；

所述第一裂缝防止子层的侧面具有凹陷表面；所述第二裂缝防止子层的侧面具有凹陷表面；

所述第一阻挡墙、所述第一裂缝防止子层和所述第二裂缝防止子层形成具有两个凹壁侧面的组合墙；

所述显示基板还包括：

平坦化层，所述平坦化层位于所述绝缘层远离所述衬底基板的一侧。

17.根据权利要求16所述的显示基板，其中，所述第一下部的侧面与所述第一上部的侧面不共面；

所述第一下部具有与所述绝缘层接触的第一侧和与所述第一侧相对的第二侧，所述第一侧和所述第二侧通过所述第一下部的侧面连接；

所述第一上部具有与所述第一下部接触的第三侧和与所述第三侧相对的第四侧，所述第三侧和所述第四侧通过所述第一上部的侧面连接；并且

所述第三侧沿所述第一阻挡墙的所述宽度方向宽于所述第一侧和所述第二侧。

18.根据权利要求16至17中任一项所述的显示基板，还包括：第二阻挡墙，其位于所述周边区域中并且位于所述绝缘层的远离所述衬底基板的一侧，所述第二阻挡墙形成实质上围绕第二区域的第二围墙；

其中，所述第一阻挡墙实质上围绕所述第二阻挡墙。

19.根据权利要求16至17中任一项所述的显示基板，其中，所述第一围墙实质上围绕所述显示基板的窗口区域；并且

所述显示基板具有贯穿所述窗口区域的孔，以在所述孔中安装配件。

20.根据权利要求16至17中任一项所述的显示基板，还包括有机材料层和阴极层之一或组合，其位于所述无机阻挡层的远离所述衬底基板的一侧、被所述第一阻挡墙的侧面分离成不连续的部分。

21.根据权利要求20所述的显示基板，其中，所述第一阻挡墙包括与所述绝缘层接触的第一下部和位于所述第一下部的远离所述绝缘层的一侧的第一上部；

所述第一上部在所述衬底基板上的正投影覆盖所述第一下部在所述衬底基板上的正投影；

所述第一下部的第一侧面与所述绝缘层的表面形成所述第一成角空间；

所述第一下部的第二侧面与所述绝缘层的所述表面形成所述第二成角空间。

22.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述第一阻挡墙包括负性光刻胶材料；并且，裂缝防止层包括正性光刻胶材料。

23.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述第一下部包括正性光刻胶材料；并且，所述第一上部包括正性光刻胶材料。

24.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述第一下部包括正性光刻胶材料；并且，所述第一上部包括负性光刻胶材料。

25.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述第一下部包括负性光刻胶材料；并且，所述第一上部包括负性光刻胶材料。

26.根据权利要求21所述的显示基板，其中，所述第一下部包括金属材料；并且，所述第一上部包括光刻胶材料。

27.一种显示设备，包括权利要求16至26中任一项所述的显示基板、以及与所述显示基板连接的一个或多个集成电路。

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