JPH11190838A - 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 - Google Patents

液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法

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JPH11190838A
JPH11190838A JP10275447A JP27544798A JPH11190838A JP H11190838 A JPH11190838 A JP H11190838A JP 10275447 A JP10275447 A JP 10275447A JP 27544798 A JP27544798 A JP 27544798A JP H11190838 A JPH11190838 A JP H11190838A
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Minako Kurosaki
美奈子 黒崎
Teruyuki Midorikawa
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 十分な遮光が可能となるよう周辺遮光層を形
成するとともに、前記遮光層の周縁に存在する段の部分
に画素電極膜用導電性膜が残留せず、画質の高い表示が
可能で、且つ経済性に優れた液晶表示装置および液晶表
示装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 一対の基板間に液晶が封入され、前記一
対の基板の内、一方の基板上には、複数の配線と、前記
複数の配線に重畳して形成された有機膜と、前記有機膜
上に形成された導電膜と、を備えた液晶表示装置におい
て、前記複数の配線は、前記有機膜に重畳される第1の
領域から前記有機膜の端辺を超える第2の領域まで延び
ており、前記端辺を挟んで前記第1の領域と第2の領域
にまたがって台座が配置されており、前記有機膜は、前
記台座上から台座非形成領域まで形成され、前記台座上
に形成された前記有機膜の少なくとも端辺近傍の膜厚は
前記台座非形成領域に形成された前記有機膜の膜厚より
薄く、また前記台座の膜厚は、台座非形成領域に形成さ
れた前記有機膜の膜厚より薄く設定されている。。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置および
液晶表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、液晶表示装置の画像処理の高速化
や、表示画像の高品位化を実現するために、表示画素ご
とにスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた、いわ
ゆるアクティブマトリクス駆動型のカラー液晶表示装置
が一般に使用されるようになりつつある。
【0003】一般に、液晶表示装置は、電極を有する2
枚のガラス基板を接着剤および封止剤で封着し、前記2
枚のガラス板の間に液晶を挟み保持した構成となってお
り、通常、2枚の基板の間の距離を一定に保つために、
粒子径の均一なプラスチックビーズ等をスペーサとして
基板の間に散在させている。またカラー表示用の液晶表
示装置では、2枚のガラス基板の片方に三原色(RG
B)に相当する着色層が配置されたカラーフィルター層
が備えられている。
【0004】近年、液晶表示装置の画像処理の高速化
や、表示画像の高品位化を実現するために、表示画素ご
とにスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた、いわ
ゆるアクティブマトリクス駆動型のカラー液晶表示装置
が一般に使用されるようになりつつある。
【0005】このアクティブマトリクス駆動型のカラー
液晶表示装置においては、例えば、図6に示されるよう
に、一方のガラス基板46上に、マトリクス状に配列さ
れた複数の画素電極48、それらの画素電極48に対し
て、スイッチング素子、例えば、アモルファスシリコン
(a−Si)を半導体層とした薄膜トランジスタ(TF
T)47が設けられ、さらに、この薄膜トランジスタ4
7はゲート電極、ドレィン電極、およびソース電極を有
し、ゲート電極は走査線に、ドレィン電極は信号線に、
またソース電極は画素電極48にそれぞれ接続されてア
レイ基板を構成している。さらにその上に保護膜およ
び、液晶分子の向きを設定するための配向膜49が順次
設けられている。
【0006】一方の対向基板には、一般的には、透明ガ
ラス基板41上に、例えば、Cr金属膜からなる遮光層
(ブラックマトリックス)42、3原色のカラーフィル
ター43、カラーフィルターの保護膜、共通透明電極4
4、上部配向膜45が順次設けられている。
【0007】これら一対の基板は、スペーサ51により
所定の間隔を隔てて対向するよう配置され、前記一対の
基板の周縁に設けられたシール剤で貼りあわせた構成と
なっている。
【0008】ここで、前記TFT47は、前記遮光層4
2に対向した位置に設けられ、また前記カラーフィルタ
ー43は、画素電極48と対向するように配置されてい
る。そして、アレイ基板および対向基板間には液晶組成
物50が封入されるとともに、アレイ基板および対向基
板の両側には偏光板が配設されており、液晶組成物を光
シャッタとして動作させてカラー画像が表示されてい
る。
【0009】近年、アクティブマトリクス駆動型液晶表
示装置の高輝度化および低消費電力化の要求が更に高ま
り、各画素の開口率を向上させることが望まれている。
ここで、開口率は、各画素電極の間において光学変調さ
れない領域を遮光しているブラックマトリクス42によ
り規制され、前記ブラックマトリクス42の開口部の形
状は画素電極の形状に合わせるように形成されている。
【0010】通常、前述のように、遮光層(ブラックマ
トリクス)42はカラーフィルタ43と同様に対向基板
側に形成されるが、アレイ基板と対向基板とを貼り合わ
せる時のずれ量やアレイ基板上のパターンと対向基板上
の遮光層(ブラックマトリクス)42のパターンとのピ
ッチの誤差を考慮して、遮光層(ブラックマトリクス)
42の開口部の大きさは画素電極48よりも一回り小さ
くしておく必要があり、この事が各画素の開口率を低下
させる要因となっている。
【0011】そこで、画素の開口率を高くする方法とし
て、ブラックマトリクス42をアレイ基板側に形成する
ことが提案されている。また、アレイ基板の画素電極4
8を、その周囲を囲んでいる走査線および信号線の配線
の上にまで拡げ、走査線や信号線自体をブラックマトリ
クス42に利用する方法も考えられている。
【0012】ところで、遮光が必要となる領域は、画素
電極48間の領域だけでなく、表示領域の外側の、パネ
ルの外周部の領域についても同様である。ここで、表示
領域の外側の遮光層を特に周辺遮光層と規定する。
【0013】アレイ基板上に遮光層を形成する場合、抵
抗率が十分高いことが必要であるので、遮光層の材料と
して樹脂材料を使用する。しかしながら、一般的に樹脂
の遮光率は金属材料用いた遮光層の遮光率と比較して低
いので、金属製の遮光層と同様の厚さでは、十分な遮光
率が得られず、厚くせざるを得ないという問題があっ
た。
【0014】また、遮光層の厚さを増加した場合には、
次のような問題が起こる。
【0015】普通、画素電極は、アレイ基板の全面に導
電膜を成膜し、フォトプロセスを用いてパターニングに
することにより形成されるが、その際、画素電極のパタ
ーニングに用いるフォトレジストが遮光層の周縁に存在
する段の部分に溜まり、その後の現像によって遮光層の
周縁に存在する段の部分に溜まったフォトレジストが十
分に除去されないため、結果として遮光層の周縁に存在
する段の部分に、導電性膜が残留するという問題があっ
た。
【0016】特に、周辺遮光層の周縁に存在する段の部
分に導電性膜が残った場合には、周辺遮光層の近傍にあ
る配線がショートして表示不良が生じ、製品不良が発生
するという問題があった。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来の
問題に鑑みてなされたもので、十分な遮光が可能となる
よう周辺遮光層を形成するとともに、前記遮光層の周縁
に存在する段の部分に画素電極膜用導電性膜が残留せ
ず、画質の高い表示が可能で、且つ経済性に優れた液晶
表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供すること
を目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】本発明第1の液晶表示装
置は、一対の基板間に液晶が封入され、前記一対の基板
の内、第1の基板上には、複数の配線と、前記複数の配
線に重畳して形成された有機膜と、前記有機膜上に形成
された導電膜とからなる液晶表示装置であって、前記複
数の配線は、前記有機膜に重畳される第1の領域から前
記有機膜の端辺を超える第2の領域まで延在しており、
端辺部分には、前記端辺を挟んで前記第1の領域と第2
の領域にまたがって配置された台座を有し、前記有機膜
は、前記台座上から台座非形成領域まで形成され、前記
台座上に形成された前記有機膜の少なくとも端辺近傍の
膜厚は、前記台座非形成領域に形成された前記有機膜の
膜厚より薄く、且つ前記台座の膜厚は、前記台座非形成
領域に形成された前記有機膜の膜厚より薄いことを特徴
とするものである。
【0019】さらに、前述の第1の液晶表示装置は、有
機膜が、表示領域の周囲に少なくとも一部に形成された
遮光膜であることにより特徴づけられる。またこの遮光
膜としての有機膜は、表示領域の周囲を包囲する形状に
形成されている、あるいは、前記配線が、表示領域内か
ら表示領域外に延びていることもーつの特徴である。ま
たさらに、前述の第1の液晶表示装置は、第1の基板に
は、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲート
と、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜
と、を備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前
記ゲート絶縁膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【0020】さらに、前述の第1の液晶表示装置は、前
記第1の基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配
置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれ
たゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素予を有し、
前記スイッチング素子上には、前記スイッチング素子を
保護する保護膜を有し、前記台座は、前記保護膜と同じ
材質からなることを特徴とする。
【0021】さらにまたは、前述の第1の液晶表示装置
は、前記第1の基板には、半導体層と、前記半導体層上
に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形
成されたゲート電極と、前記半導体層に接続するソース
・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極と前記ゲ
ート電極との層間に形成された第1層間膜とを備えたス
イッチング素子を有し、前記台座は、前記第1層間膜と
同じ材質からなることを特徴とする。
【0022】さらに又は、前述の第1の液晶表示装置
は、前記第1の基板には、スイッチング素子と、前記ス
イッチング素子上に形成された第2層間膜と、前記第2
層間膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイ
ッチング素子に接続された画素電極とを有し、前記台座
は、前記第2層間膜と同じ材質からなることを特徴とす
る。
【0023】上述の第2層間膜は、着色されていること
もーつの特徴である。
【0024】前述の第1の液晶表示装置において、前記
一対の基板は、閉曲線形状のシール材を介して貼りあわ
せており、前記台座は、前記シール材が形成された領域
を含む前記閉曲線の内側に形成されていることを特徴と
する。
【0025】また第1の液晶表示装置は、前記一対の基
板の間隙を保持するべく形成された柱状のスペーサー
と、前記有機膜とが同じ材質からなることを特徴とす
る。さらに、この柱状のスペーサーは、前記シール材が
形成された領域中に形成されたことにより特徴づけられ
る。さらにこの柱状のスペーサーは、前記シール材によ
り形成された領域中と前記閉曲線内の領域に形成されて
いることにより特徴づけられる。または、前記台座は、
前記シール材が形成された領域中に形成され、前記柱状
のスペーサーは、前記台座上の第2の領域上に形成され
ていることにより特徴づけられる。
【0026】本発明第2の液晶表示装置は、一対の基板
間に液晶が封入され、前記一対の基板の内、第1の基板
上には、複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成
された有機膜と、前記有機膜上に形成された導電膜と、
を備えた液晶表示装置であって、前記複数の配線は、前
記有機膜に重畳される第1の領域から前記有機膜の端辺
を超える第2の領域まで延びており、前記有機膜の膜厚
は、少なくとも端辺近傍で相対的に薄く形成されている
ことを特徴とするものである。
【0027】さらに、この本発明第2の液晶表示装置
は、有機膜が、端辺近傍でテーパー状に形成されている
ことにより特徴づけられる。
【0028】本発明に係る液晶表示装置によれば、一対
の基板のうち、第1の基板の表面に配設された配線と、
その上に形成された有機膜と、この有機膜の上に形成さ
れた導電性膜とからなる表示装置において、有機膜の端
辺部が台座上に形成されている。より具体的には、この
有機膜は、遮光膜として機能し、この遮光層の周縁部
は、台座の上に形成されている。この台座を設けたこと
により、導電性膜を画素電極膜などとしてパターニング
する際に、パターニング用のフォトレジスト等がほぼ残
らなくなるとともに、したがって画素電極膜が周縁部に
残留するという事態を十分に回避することが可能にな
り、遮光膜外部の基板上の配線とのショートの発生をほ
ぼ防止することができ、製品不良の発生をほぼ防止する
ことができる。また、この遮光膜の存在により光漏れを
確実に防止することができる。
【0029】さらに本発明第2の液晶表示装置において
も、遮光膜に該当する有機膜の端辺が薄く設定されてい
るので、第1の液晶表示装置と同様な効果を同じような
効果をあげることができる。
【0030】したがって、本発明に係る液晶表示装置
は、経済性に優れ、画質の高い画像を表示することが可
能となる。
【0031】また、本発明に係る製造方法は、一対の対
向する基板とそれらの基板の間に封入された液晶からな
り、表示領域と表示外領域有する液晶表示装置の製造方
法が、一方の第1の基板上に前記表示領域から前記表示
外領域まで延在する複数の配線を形成し、この表示領域
の配線上に絶縁層を形成し、同時に前記表示外領域で前
記複数の配線に跨る領域上の一部に台座を形成し、この
台座上に、端辺を有し且つ台座非形成領域を含む形状に
有機膜を形成し、導電性膜を前記有機膜を含む基板全部
の面に形成し、この導電膜を所望のパターンに形成し、
少なくとも前記導電性膜の台座に接触する部分を除去
し、前記一対の基板を貼りあわせ、および前記一対の基
板の間隙に液晶を封入する工程を有することを特徴とす
る。
【0032】前記の製造方法において、前記絶縁層は、
着色層であり、さらにまた、前記製造方法は、前記一対
の基板の間隙を保持する柱状スペーサーを第1の基板上
に形成する工程を含み、前記柱状スペーサーを形成する
工程は前記有機膜を形成する工程と同時に行われること
によりさらに特徴づけられる。
【0033】本発明に係る液晶表示装置の製造方法によ
れば、有機膜の周縁は台座上に形成されているので、台
座の部分に導電性膜をパターニングするためのフォトレ
ジスト等が残らなくなるようにすることが可能である。
したがって、光漏れを確実に防止できる、有機膜からな
る遮光層を形成できると共に、基板上表示領域外の配線
と、有機膜上の導電性膜とのショートの発生を防止する
ことができ、製品不良の発生をほぼ防止することができ
る。
【0034】したがって、本発明に係る液晶表示装置の
製造方法によれば、経済性に優れ、画質の高い画像を表
示することが可能な液晶表示装置を得ることができる。
【0035】本発明において、遮光層として機能する有
機膜の周縁に設けられた台座の断面形状としては、周縁
部における画素電極膜が残りにくい形状であれば、台
形、角型、半円状、あるいは複数の段差を有する階段
状、いずれでも使用可能である。また台座の配線を有す
る基板面からの高さは、すくなくとも有機膜の厚さより
も薄くなるように設定される。
【0036】また、前記の台座は、基板の周辺の配線部
分だけに設けても、また全周辺に連続的に配置しても、
どちらでも良い。
【0037】またこれらの台座の形成は、単独の工程で
行うこともできるが、他の要素の形成工程と同時に行う
ことにより、工程の簡略化が可能である。
【0038】例えば、アクティブ・マトリック方式の液
晶表示装置では、マトリックス状に配列された複数の画
素電極に対応して、前記の一方の基板上にスイッチング
素子が設けられている。このスイッチング素子として
は、逆スタッガ型TFTやコプラナ型TFT等が挙げら
れる。
【0039】前述の台座は、例えば、前記の逆stag
gered type TFTの場合には、ゲート絶縁
膜と同時に同じ材質により形成する、あるいは保護膜形
成と同時期にまた同じ材質で行うこともできる。
【0040】さらにcoplanar type TF
Tの場合には、層間絶縁膜と形成と同時期にまた同じ材
質で行うこともできる。
【0041】これにより台座の製造工程を簡略化するこ
とができる。
【0042】また台座は、十分な遮光率を得るため、遮
光層の厚さ(基板からの距離)を大きくした場合には、
遮光層の台座形成部分に該遮光層よりも薄いカラーフィ
ルタやアレイパターン等が一部重なるように構成する
と、必然的に段は複数段となって各段の段差が階段状に
小さくなり、画素電極膜のパターニング用のレジスト等
は各段の部分に溜まりにくくなる。したがって、台座外
部の周縁には画素電極膜が形成されず、該遮光層の近傍
に配線パターンが存在した場合にも、配線パターンのシ
ョートをほぼ防止することができる。
【0043】また、遮光層に設けられた各段の段差が段
階的に小さくなるとき、遮光層のパターンは順テーパで
ある方がより好ましい。遮光層のパターンを順テーパに
する方法としては、例えば、遮光層の材料としてTg
(ガラス転移点)の低い材料を用いたり、遮光層の端部
の下地の表面処理を行って遮光層に対する下地の濡れ性
をよくしたり、あるいは遮光層の端部を階調露光によっ
て形成する方法等を挙げることができる。
【0044】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施の形態を
詳細に説明する。
【0045】実施態様1 図1は、液晶表示装置におけるスイッチング素子アレイ
基板1を対向基板1´側より概観したときの平面図であ
り、説明の簡略化のために、セル内部の表示領域20は
省略したが、公知のように、液晶表示装置のスイッチン
グ素子アレイ基板1においては、ガラス基板の上に、複
数個のスイッチング素子がマトリックス状に配置されて
おり、それぞれの素子には、ドレイン電極に、ソース電
極、およびゲート電極が設けられ、ドレイン電極は信号
線に、ソース電極は画素電極に、ゲート電極は走査線に
それぞれ接続されている。そしてこれらの信号線および
走査線等の複数の配線10はシール材3により覆われた
シール部分をとおってそのシール材により囲まれた表示
領域20の外部まで延伸し基板1の外部あるいは基板1
の周辺に設けられた信号線駆動回路および走査線駆動回
路等と接続される構成となっている。
【0046】図2は、図1のスイッチング素子アレイ基
板1と対向基板1´とよりなる液晶表示装置の図1にお
けるA−A´部(配線部分を含む)の断面を示す図であ
る。図中、3はシール材、13はシール部に設けられた
台座、2は、遮光膜として機能する有機膜で、7はカラ
ーフィルター、8は画素電極、9は配向膜、10は信号
線および走査線等の基板上に設けられた配線である。こ
れらはいずれも、透明ガラス基板4の上に配設されてい
る。
【0047】一方、対向基板1´には、ガラス基板5
上、共通電極8´が、更に配向膜9が設けられている。
【0048】図3は前記液晶表示装置の薄膜トランジス
タ部の断面を特に拡大して示したものである。本図で、
4はガラス基板、11はゲート電極、12はゲート絶縁
膜、19は半導体層、19´はオーミックコンタクト
層、14はチャンネル保護膜、16はドレィン電極、1
8はソース電極、7はカラーフィルター層、8は画素電
極、図2および3から明らかなように、本実施例では、
カラーフィルターは、アレイ基板上に設けられており、
有機膜2の端部には、台座13が配設されている。前記
有機膜2は、非台座形成部から台座上の略センターまで
重なるよう配設されており、台座13の基板からの高さ
は非台座形成部における有機膜2の厚さよりも小さく、
且つ台座13上の有機膜2の厚さは非台座形成部におけ
る有機膜の厚さより小さくなるように設定されている。
【0049】ここで、上記液晶表示装置の製造工程につ
いて、図2および図3を参照しながら説明する。
【0050】ガラス基板4に、モリブデン−タングステ
ン等の金属を約0.3μmスパッタリングにより成膜し
た後、フォトリソ法により所定の形状にパターン形成し
て走査線およびゲート電極11を形成した。その上に、
膜厚約0.15μmの二酸化珪素あるいは窒化珪素から
なるゲート絶縁膜12を形成した後、半導体層19およ
びチャネル保護膜14を設け、膜厚0.3μmのAlか
らなる信号線とドレイン電極16、ソース電極18を形
成してTFTを形成した。
【0051】一方、赤色(R)、緑色(G)および青色
(B)の顔料含有のネガレジストをそれぞれフォトリソ
法でパターニングし、R.GおよびBを備えたカラーフ
ィルタ層7を形成した。同時に、台座13を形成した。
その後、R、GおよびBの顔料を含有した黒色ネガレジ
ストをフォトリソ法でパターニングし柱状スペーサおよ
び有機膜2を形成した。この時有機膜2は台座13のセ
ンターまでカバーするように、形成された。
【0052】次に、膜厚0.1μmのITOからなる導
電層をスパッタ法等により成膜し、レジストを塗布後、
エッチングにより画素電極8をパターニングにより形成
した。なお、ソース電極18はカラーフィルタ層7のコ
ンタクトホールを介して、カラーフィルタ層7上の画素
電極8に接続している。
【0053】次に、これらの上にポリイミドからなる配
向膜9を形成してカラーフィルタ層7およびスイッチン
グ素子を備えた基板を得た。
【0054】次に、ガラス基板4基板に対向するガラス
基板5に膜厚0.15μmのITO膜からなる共通電極
8´を形成し、その上にポリイミドからなる配向膜9を
形成した。最後に、アレイ基板1と対向基板1´をシー
ルし、さらに液晶30を注入し、注入口を封止して液晶
表示装置を得た。
【0055】また前記スペーサはシール部にも形成する
こともできる。また前記台座の上に形成することもでき
る。
【0056】こうして製造された液晶表示装置を試験的
に駆動したところ、有機膜2の端部において画素電極膜
の残留はほぼ防止され、画素電極膜の残留に起因する配
線のショートも減少して動作不良がほぼ防止された。ま
た、有機膜の厚さが十分であったため、画質の高い画像
を得ることができた。したがって、液晶表示装置を歩留
りよく得ることができた。
【0057】なお、図5は、コプラナ型薄膜トランジス
タの構成の一例を示す断面図である。
【0058】ここでは、4はガラス基板、19はポリシ
リコン、12はゲート絶縁膜、11はゲート電極、16
はドレイン電極、18はソース電極、22は層間絶縁膜
である。さらにカラーフィルタ層7上に画素電極8が形
成されている。
【0059】実施態様1において、このような構成を持
った薄膜トランジスタが使用される場合には、前記台座
13は、カラーフィルタ層たけではなく層間絶縁膜22
やゲート絶縁膜、または、パッシベーション膜(図示せ
ず)等、同じ材質で、同時に形成することができる。
【0060】ここで、着色層の形成方法は顔料レジスト
のフォトリソ法に限らず、染色法、印刷法および電着法
等を用いてもよく、台座13として、カラーフィルタ層
を段階的に2色以上重ねて段を増してもよい。
【0061】実施態様2 次に本発明第2の液晶表示装置について説明する。
【0062】図4は、本発明に係る第2の実施形態の液
晶表示装置の断面を示したものである。図4に示すよう
に、本実施の形態によれば、シール部に台座は特に設け
ず、有機膜2の端部は、基板外周部に向かって順次薄く
なるようにテーパー状となっている。その他の構成は実
施態様1と同じである。
【0063】こうして製造された液晶表示素子を検査し
たところ、有機膜2の周縁に画素電極膜はほとんど残留
していなかった。また、液晶表示装置を試験的に駆動し
たところ、画素電極膜の残留に起因する配線のショート
が激減して動作不良が防止され、画質の高い画像を得る
ことができた。したがって、液晶表示装置を歩留りよく
得ることができた。
【0064】
【発明の効果】以上、詳述したように、本発明に係る液
晶表示装置によれば、遮光層端部に画素電極膜のパター
ニング用のフォトレジスト等が残らなくなるため、遮光
層端部への画素電極膜等の形成が防止され、遮光層の近
傍に配線パターンが存在する場合にショートの発生を防
止することができ、製品不良の発生を防止することがで
きる。また、遮光層を厚く設けられることから十分な遮
光を実現できる。したがって、経済性に優れ、画質の高
い画像を表示することができる液晶表示素子を提供する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶表示装置の構造を平面的に示
した図である。
【図2】第1の実施の形態に係る液晶表示装置のシーリ
ング部分の断面構造を示した図である。
【図3】第1の実施の形態に係る液晶表示装置の薄膜ト
ランジスタ部分の断面構造を示した図である。
【図4】第2の実施形態に係る液晶表示装置のシーリン
グ部分の断面構造を示した図である。
【図5】本発明において使用する他の薄膜トランジスタ
の構成を示す図である。
【図6】従来の液晶表示装置の構成の一例を示す図であ
る。
【符号の説明】
1……スイッチング素子アレイ基板 1´……対向基
板 2……有機膜 3……シール材 4、5……ガラス
基板 7……カラーフィルター 8……画素電極 8´…
…共通電極 9……配向膜 10……配線 11……ゲート電極 12……ゲート絶縁膜 13……台座 14……チ
ャンネル保護膜 16……ドレィン電極 18……ソース電極 19
……半導体層 19´……オーミックコンタクト層 20……表示領
域 22……層間絶縁膜 30……液晶
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI G02F 1/136 500 G02F 1/136 500

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一対の基板間に液晶が封入され、前記一
    対の基板の内、一方の基板上には、複数の配線と、前記
    複数の配線に重畳して形成された有機膜と、前記有機膜
    より上層に形成された導電膜と、を備えた液晶表示装置
    において、 前記複数の配線は、前記有機膜に重畳される第1の領域
    から前記有機膜の端辺を超える第2の領域まで延びてお
    り、前記端辺を挟んで前記第1の領域と第2の領域にま
    たがって配置された台座を有し、前記有機膜は、前記台
    座上から台座非形成領域まで形成され、前記台座上に形
    成された前記有機膜の少なくとも端辺近傍の膜厚は前記
    台座非形成領域に形成された前記有機膜の膜厚より薄
    く、前記台座の膜厚は、台座非形成領域に形成された前
    記有機膜の膜厚より薄いことを特徴とする液晶表示装
    置。
  2. 【請求項2】 前記有機膜は、表示領域の周囲に少なく
    とも一部に形成された遮光膜であることを特徴とする請
    求項1記載の液晶表示装置。
  3. 【請求項3】 前記有機膜は、表示領域の周囲を包囲す
    る形状に形成されたことを特徴とする請求項2記載の液
    晶表示装置。
  4. 【請求項4】 前記配線は、表示領域内から表示領域外
    に延びていることを特徴とする請求項2記載の液晶表示
    装置。
  5. 【請求項5】 前記一方の基板には、半導体層と、前記
    半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前
    記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチ
    ング素子を有し、前記台座は、前記ゲート絶縁膜と同じ
    材質からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示
    装置。
  6. 【請求項6】 前記一方の基板には、半導体層と、前記
    半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前
    記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチ
    ング素子を有し、前記スイッチング素子上には、前記ス
    イッチング素子を保護する保護膜を有し、前記台座は、
    前記保護膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項
    1記載の液晶表示装置。
  7. 【請求項7】 前記一方の基板には、半導体層と、前記
    半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶
    縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体層に接続
    するソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電
    極と前記ゲート電極との層間に形成された第1層間膜と
    を備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記第
    1層間膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項1
    記載の液晶表示装置。
  8. 【請求項8】 前記一方の基板には、スイッチング素子
    と、前記スイッチング素子上に形成された第2層間膜
    と、前記第2層間膜に形成されたコンタクトホールを介
    して前記スイッチング素子に接続された画素電極とを有
    し、前記台座は、前記第2層間膜と同じ材質からなるこ
    とを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
  9. 【請求項9】 前記第2層間膜は、着色されていること
    を特徴とする請求項8記載の液晶表示装置。
  10. 【請求項10】 前記一対の基板は、閉曲線形状のシー
    ル材を介して貼りあわせており、前記台座は、前記シー
    ル材が形成された領域を含む前記閉曲線の内側に形成さ
    れていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装
    置。
  11. 【請求項11】 前記一対の基板の間隙を保持するべく
    形成された柱状のスペーサーと、前記有機膜とが同じ材
    質からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装
    置。
  12. 【請求項12】 前記柱状のスペーサーは、前記シール
    材が形成された領域中に形成されたことを特徴とする請
    求項11記載の液晶表示装置。
  13. 【請求項13】 前記柱状のスペーサーは、前記シール
    材により形成された領域中と前記閉曲線内の領域に形成
    されていることを特徴とする請求項12記載の液晶表示
    装置。
  14. 【請求項14】 前記台座は、前記シール材が形成され
    た領域中に形成され、前記柱状のスペーサーは、前記台
    座上の第2の領域上に形成されていることを特徴とする
    請求項12記載の液晶表示装置。
  15. 【請求項15】 一対の基板間に液晶が封入され、前記
    一対の基板の内、一方の基板上には、複数の配線と、前
    記複数の配線に重畳して形成された有機膜と、前記有機
    膜より上層に形成された導電膜と、を備えた液晶表示装
    置において、 前記複数の配線は、前記有機膜に重畳される第1の領域
    から前記有機膜の端辺を超える第2の領域まで延びてお
    り、前記有機膜の膜厚は、少なくとも端辺近傍で相対的
    に薄く形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
  16. 【請求項16】 前記有機膜は、端辺近傍でテーパー状
    に形成されていることを特徴とする請求項15記載の液
    晶表示装置。
  17. 【請求項17】 表示領域と表示外領域とを有する基板
    上に前記表示領域から前記表示外領域まで延在する複数
    の配線を形成する工程と、 前記表示領域の前記配線上に絶縁層を形成し、同時に前
    記表示外領域で前記複数の配線に跨る領域上の一部に台
    座を形成する工程と、 前記台座上に、端辺を有し且つ台座非形成領域を含む形
    状に有機膜を形成する工程と、 導電膜を基板前面に形成する工程と、 前記導電膜を所望のパターンに形成し、少なくとも前記
    台座に接触する部分を除去する工程と、 前記第1基板と第2基板とを貼りあわせる工程と、 前記第1基板と前記第2基板との間隙に液晶を封入する
    工程と、を有することを特徴とする液晶表示装置の製造
    方法。
  18. 【請求項18】 前記絶縁層は、着色層であることを特
    徴とする請求項17記載の製造方法。
  19. 【請求項19】 前記第1基板と前記第2基板との間隙
    を保持する柱状スペーサーを形成する工程を有し、前記
    柱状スペーサーを形成する工程は前記有機膜を形成する
    工程と同じ工程であることを特徴とする請求項17記載
    の製造方法。
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