JP4156722B2 - 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 - Google Patents
液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4156722B2 JP4156722B2 JP27544798A JP27544798A JP4156722B2 JP 4156722 B2 JP4156722 B2 JP 4156722B2 JP 27544798 A JP27544798 A JP 27544798A JP 27544798 A JP27544798 A JP 27544798A JP 4156722 B2 JP4156722 B2 JP 4156722B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- display device
- crystal display
- resin
- light shielding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、液晶表示装置の画像処理の高速化や、表示画像の高品位化を実現するために、表示画素ごとにスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた、いわゆるアクティブマトリクス駆動型のカラー液晶表示装置が一般に使用されるようになりつつある。
【0003】
一般に、液晶表示装置は、電極を有する2枚のガラス基板を接着剤および封止剤で封着し、前記2枚のガラス板の間に液晶を挟み保持した構成となっており、通常、2枚の基板の間の距離を一定に保つために、粒子径の均一なプラスチックビーズ等をスペーサとして基板の間に散在させている。またカラー表示用の液晶表示装置では、2枚のガラス基板の片方に三原色(RGB)に相当する着色層が配置されたカラーフィルター層が備えられている。
【0004】
近年、液晶表示装置の画像処理の高速化や、表示画像の高品位化を実現するために、表示画素ごとにスイッチング用の薄膜トランジスタを設けた、いわゆるアクティブマトリクス駆動型のカラー液晶表示装置が一般に使用されるようになりつつある。
【0005】
このアクティブマトリクス駆動型のカラー液晶表示装置においては、例えば、図6に示されるように、一方のガラス基板46上に、マトリクス状に配列された複数の画素電極48、それらの画素電極48に対して、スイッチング素子、例えば、アモルファスシリコン(a−Si)を半導体層とした薄膜トランジスタ(TFT)47が設けられ、さらに、この薄膜トランジスタ47はゲート電極、ドレィン電極、およびソース電極を有し、ゲート電極は走査線に、ドレィン電極は信号線に、またソース電極は画素電極48にそれぞれ接続されてアレイ基板を構成している。さらにその上に保護膜および、液晶分子の向きを設定するための配向膜49が順次設けられている。
【0006】
一方の対向基板には、一般的には、透明ガラス基板41上に、例えば、Cr金属膜からなる遮光層(ブラックマトリックス)42、3原色のカラーフィルター43、カラーフィルターの保護膜、共通透明電極44、上部配向膜45が順次設けられている。
【0007】
これら一対の基板は、スペーサ51により所定の間隔を隔てて対向するよう配置され、前記一対の基板の周縁に設けられたシール剤で貼りあわせた構成となっている。
【0008】
ここで、前記TFT47は、前記遮光層42に対向した位置に設けられ、また前記カラーフィルター43は、画素電極48と対向するように配置されている。
そして、アレイ基板および対向基板間には液晶組成物50が封入されるとともに、アレイ基板および対向基板の両側には偏光板が配設されており、液晶組成物を光シャッタとして動作させてカラー画像が表示されている。
【0009】
近年、アクティブマトリクス駆動型液晶表示装置の高輝度化および低消費電力化の要求が更に高まり、各画素の開口率を向上させることが望まれている。ここで、開口率は、各画素電極の間において光学変調されない領域を遮光しているブラックマトリクス42により規制され、前記ブラックマトリクス42の開口部の形状は画素電極の形状に合わせるように形成されている。
【0010】
通常、前述のように、遮光層(ブラックマトリクス)42はカラーフィルタ43と同様に対向基板側に形成されるが、アレイ基板と対向基板とを貼り合わせる時のずれ量やアレイ基板上のパターンと対向基板上の遮光層(ブラックマトリクス)42のパターンとのピッチの誤差を考慮して、遮光層(ブラックマトリクス)42の開口部の大きさは画素電極48よりも一回り小さくしておく必要があり、この事が各画素の開口率を低下させる要因となっている。
【0011】
そこで、画素の開口率を高くする方法として、ブラックマトリクス42をアレイ基板側に形成することが提案されている。また、アレイ基板の画素電極48を、その周囲を囲んでいる走査線および信号線の配線の上にまで拡げ、走査線や信号線自体をブラックマトリクス42に利用する方法も考えられている。
【0012】
ところで、遮光が必要となる領域は、画素電極48間の領域だけでなく、表示領域の外側の、パネルの外周部の領域についても同様である。ここで、表示領域の外側の遮光層を特に周辺遮光層と規定する。
【0013】
アレイ基板上に遮光層を形成する場合、抵抗率が十分高いことが必要であるので、遮光層の材料として樹脂材料を使用する。しかしながら、一般的に樹脂の遮光率は金属材料用いた遮光層の遮光率と比較して低いので、金属製の遮光層と同様の厚さでは、十分な遮光率が得られず、厚くせざるを得ないという問題があった。
【0014】
また、遮光層の厚さを増加した場合には、次のような問題が起こる。
【0015】
普通、画素電極は、アレイ基板の全面に導電膜を成膜し、フォトプロセスを用いてパターニングにすることにより形成されるが、その際、画素電極のパターニングに用いるフォトレジストが遮光層の周縁に存在する段の部分に溜まり、その後の現像によって遮光層の周縁に存在する段の部分に溜まったフォトレジストが十分に除去されないため、結果として遮光層の周縁に存在する段の部分に、導電性膜が残留するという問題があった。
【0016】
特に、周辺遮光層の周縁に存在する段の部分に導電性膜が残った場合には、周辺遮光層の近傍にある配線がショートして表示不良が生じ、製品不良が発生するという問題があった。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、十分な遮光が可能となるよう周辺遮光層を形成するとともに、前記遮光層の周縁に存在する段の部分に画素電極膜用導電性膜が残留せず、画質の高い表示が可能で、且つ経済性に優れた液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明第1の液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記アレイ基板上には、複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成された樹脂の周辺遮光層と、前記樹脂の周辺遮光層より上層に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、前記複数の配線は、前記樹脂の周辺遮光層に重畳される第1の領域から前記樹脂の周辺遮光層の端辺を超える第2の領域まで延びており、前記端辺を挟んで前記第1の領域と第2の領域にまたがって配置された台座を有し、前記樹脂の周辺遮光層は、前記台座上から台座非形成領域まで形成され、前記台座上に形成された前記樹脂の周辺遮光層の少なくとも端辺近傍の膜厚は前記台座非形成領域に形成された前記樹脂の周辺遮光層の膜厚より薄く、前記台座の膜厚は、台座非形成領域に形成された前記樹脂の周辺遮光層の膜厚より薄いことを特徴とするものである。
【0019】
さらに、前述の第1の液晶表示装置は、樹脂の周辺遮光層が、表示領域の周囲に少なくとも一部に形成されたことにより特徴づけられる。またこの樹脂の周辺遮光層は、表示領域の周囲を包囲する形状に形成されている、あるいは、前記配線が、表示領域内から表示領域外に延びていることもーつの特徴である。またさらに、前述の第1の液晶表示装置は、アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記ゲート絶縁膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【0020】
さらに、前述の第1の液晶表示装置は、前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素予を有し、前記スイッチング素子上には、前記スイッチング素子を保護する保護膜を有し、前記台座は、前記保護膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【0021】
さらにまたは、前述の第1の液晶表示装置は、前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体層に接続するソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極と前記ゲート電極との層間に形成された第1層間膜とを備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記第1層間膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【0022】
さらに又は、前述の第1の液晶表示装置は、前記アレイ基板には、スイッチング素子と、前記スイッチング素子上に形成された第2層間膜と、前記第2層間膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極とを有し、前記台座は、前記第2層間膜と同じ材質からなることを特徴とする。
【0023】
上述の第2層間膜は、着色されていることもーつの特徴である。
【0024】
前述の第1の液晶表示装置において、前記アレイ基板と前記対向基板とは、閉曲線形状のシール材を介して貼りあわせており、前記台座は、前記シール材が形成された領域を含む前記閉曲線の内側に形成されていることを特徴とする。
【0025】
また第1の液晶表示装置は、前記アレイ基板と前記対向基板の間隙を保持するべく形成された柱状のスペーサーと、前記樹脂の周辺遮光層とが同じ材質からなることを特徴とする。さらに、この柱状のスペーサーは、前記シール材が形成された領域中に形成されたことにより特徴づけられる。さらにこの柱状のスペーサーは、前記シール材により形成された領域中と前記閉曲線内の領域に形成されていることにより特徴づけられる。または、前記台座は、前記シール材が形成された領域中に形成され、前記柱状のスペーサーは、前記台座上の第2の領域上に形成されていることにより特徴づけられる。
【0026】
本発明第2の液晶表示装置は、アレイ基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記アレイ基板上には、 複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成された樹脂の周辺遮光層と、前記樹脂の周辺遮光層より上層に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、前記複数の配線は、前記樹脂の周辺遮光層に重畳される第1の領域から前記樹脂の周辺遮光層の端辺を超える第2の領域まで延びており、前記樹脂の周辺遮光層の膜厚は、少なくとも端辺近傍で相対的に薄く形成されていることを特徴とするものである。
【0027】
さらに、この本発明第2の液晶表示装置は、樹脂の周辺遮光層が、端辺近傍でテーパー状に形成されていることにより特徴づけられる。
【0028】
本発明に係る液晶表示装置によれば、アレイ基板の表面に配設された配線と、その上に形成された樹脂の周辺遮光層と、この樹脂の周辺遮光層の上に形成された画素電極とからなる表示装置において、樹脂の周辺遮光層の端辺部が台座上に形成されている。この台座を設けたことにより、画素電極をパターニングする際に、パターニング用のフォトレジスト等がほぼ残らなくなるとともに、したがって画素電極膜が周縁部に残留するという事態を十分に回避することが可能になり、樹脂の周辺遮光層外部の基板上の配線とのショートの発生をほぼ防止することができ、製品不良の発生をほぼ防止することができる。また、この樹脂の周辺遮光層の存在により光漏れを確実に防止することができる。
【0029】
さらに本発明第2の液晶表示装置においても、樹脂の周辺遮光層の端辺が薄く設定されているので、第1の液晶表示装置と同様な効果を同じような効果をあげることができる。
【0030】
したがって、本発明に係る液晶表示装置は、経済性に優れ、画質の高い画像を表示することが可能となる。
【0031】
また、本発明に係る製造方法は、表示領域と表示外領域とを有するアレイ基板上に前記表示領域から前記表示外領域まで延在する複数の配線を形成する工程と、前記表示領域の前記配線上に絶縁層を形成し、同時に前記表示外領域で前記複数の配線に跨る領域上の一部に台座を形成する工程と、前記台座上に、端辺を有し且つ台座非形成領域を含む形状に樹脂の周辺遮光層を形成する工程と、導電膜を前記アレイ基板全面に形成する工程と、前記導電膜を所望のパターンとして画素電極を形成し、少なくとも前記導電膜の前記台座に接触する部分を除去する工程と、前記アレイ基板と対向基板とを貼りあわせる工程と、前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に液晶を封入する工程とを有することを特徴とする。
【0032】
前記の製造方法において、前記絶縁層は、着色層であり、さらにまた、前記製造方法は、前記アレイ基板と前記対向基板の間隙を保持する柱状スペーサーをアレイ基板上に形成する工程を含み、前記柱状スペーサーを形成する工程は前記樹脂の周辺遮光層を形成する工程と同時に行われることによりさらに特徴づけられる。
【0033】
本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、樹脂の周辺遮光層の周縁は台座上に形成されているので、台座の部分に導電膜をパターニングするためのフォトレジスト等が残らなくなるようにすることが可能である。したがって、光漏れを確実に防止できる、樹脂の周辺遮光層を形成できると共に、アレイ基板上の表示領域外の配線と、樹脂の周辺遮光層上の導電膜とのショートの発生を防止することができ、製品不良の発生をほぼ防止することができる。
【0034】
したがって、本発明に係る液晶表示装置の製造方法によれば、経済性に優れ、画質の高い画像を表示することが可能な液晶表示装置を得ることができる。
【0035】
本発明において、樹脂の周辺遮光層の周縁に設けられた台座の断面形状としては、周縁部における画素電極膜が残りにくい形状であれば、台形、角型、半円状、あるいは複数の段差を有する階段状、いずれでも使用可能である。また台座の配線を有する基板面からの高さは、すくなくとも樹脂の周辺遮光層の厚さよりも薄くなるように設定される。
【0036】
また、前記の台座は、基板の周辺の配線部分だけに設けても、また全周辺に連続的に配置しても、どちらでも良い。
【0037】
またこれらの台座の形成は、単独の工程で行うこともできるが、他の要素の形成工程と同時に行うことにより、工程の簡略化が可能である。
【0038】
例えば、アクティブ・マトリック方式の液晶表示装置では、マトリックス状に配列された複数の画素電極に対応して、前記アレイ基板上にスイッチング素子が設けられている。このスイッチング素子としては、逆スタッガ型TFTやコプラナ型TFT等が挙げられる。
【0039】
前述の台座は、例えば、前記の逆staggered type TFTの場合には、ゲート絶縁膜と同時に同じ材質により形成する、あるいは保護膜形成と同時期にまた同じ材質で行うこともできる。
【0040】
さらにcoplanar type TFTの場合には、層間絶縁膜と形成と同時期にまた同じ材質で行うこともできる。
【0041】
これにより台座の製造工程を簡略化することができる。
【0042】
また台座は、十分な遮光率を得るため、樹脂の周辺遮光層の厚さ(基板からの距離)を大きくした場合には、樹脂の周辺遮光層の台座形成部分に該樹脂の周辺遮光層よりも薄いカラーフィルタやアレイパターン等が一部重なるように構成すると、必然的に段は複数段となって各段の段差が階段状に小さくなり、画素電極膜のパターニング用のレジスト等は各段の部分に溜まりにくくなる。したがって、台座外部の周縁には画素電極膜が形成されず、該樹脂の周辺遮光層の近傍に配線パターンが存在した場合にも、配線パターンのショートをほぼ防止することができる。
【0043】
また、樹脂の周辺遮光層に設けられた各段の段差が段階的に小さくなるとき、樹脂の周辺遮光層のパターンは順テーパである方がより好ましい。樹脂の周辺遮光層のパターンを順テーパにする方法としては、例えば、樹脂の周辺遮光層の材料としてTg(ガラス転移点)の低い材料を用いたり、樹脂の周辺遮光層の端部の下地の表面処理を行って樹脂の周辺遮光層に対する下地の濡れ性をよくしたり、あるいは樹脂の周辺遮光層の端部を階調露光によって形成する方法等を挙げることができる。
【0044】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。
【0045】
実施態様1
図1は、液晶表示装置におけるスイッチング素子アレイ基板1を対向基板1´側より概観したときの平面図であり、説明の簡略化のために、セル内部の表示領域20は省略したが、公知のように、液晶表示装置のスイッチング素子アレイ基板1においては、ガラス基板の上に、複数個のスイッチング素子がマトリックス状に配置されており、それぞれの素子には、ドレイン電極に、ソース電極、およびゲート電極が設けられ、ドレイン電極は信号線に、ソース電極は画素電極に、ゲート電極は走査線にそれぞれ接続されている。そしてこれらの信号線および走査線等の複数の配線10はシール材3により覆われたシール部分をとおってそのシール材により囲まれた表示領域20の外部まで延伸し基板1の外部あるいは基板1の周辺に設けられた信号線駆動回路および走査線駆動回路等と接続される構成となっている。
【0046】
図2は、図1のスイッチング素子アレイ基板1と対向基板1´とよりなる液晶表示装置の図1におけるA−A´部(配線部分を含む)の断面を示す図である。図中、3はシール材、13はシール部に設けられた台座、2は、遮光膜として機能する有機膜で、7はカラーフィルター、8は画素電極、9は配向膜、10は信号線および走査線等の基板上に設けられた配線である。これらはいずれも、透明ガラス基板4の上に配設されている。
【0047】
一方、対向基板1´には、ガラス基板5上、共通電極8´が、更に配向膜9が設けられている。
【0048】
図3は前記液晶表示装置の薄膜トランジスタ部の断面を特に拡大して示したものである。本図で、4はガラス基板、11はゲート電極、12はゲート絶縁膜、19は半導体層、19´はオーミックコンタクト層、14はチャンネル保護膜、16はドレィン電極、18はソース電極、7はカラーフィルター層、8は画素電極、図2および3から明らかなように、本実施例では、カラーフィルターは、アレイ基板上に設けられており、有機膜2の端部には、台座13が配設されている。前記有機膜2は、非台座形成部から台座上の略センターまで重なるよう配設されており、台座13の基板からの高さは非台座形成部における有機膜2の厚さよりも小さく、且つ台座13上の有機膜2の厚さは非台座形成部における有機膜の厚さより小さくなるように設定されている。
【0049】
ここで、上記液晶表示装置の製造工程について、図2および図3を参照しながら説明する。
【0050】
ガラス基板4に、モリブデン−タングステン等の金属を約0.3μmスパッタリングにより成膜した後、フォトリソ法により所定の形状にパターン形成して走査線およびゲート電極11を形成した。その上に、膜厚約0.15μmの二酸化珪素あるいは窒化珪素からなるゲート絶縁膜12を形成した後、半導体層19およびチャネル保護膜14を設け、膜厚0.3μmのAlからなる信号線とドレイン電極16、ソース電極18を形成してTFTを形成した。
【0051】
一方、赤色(R)、緑色(G)および青色(B)の顔料含有のネガレジストをそれぞれフォトリソ法でパターニングし、R.GおよびBを備えたカラーフィルタ層7を形成した。同時に、台座13を形成した。その後、R、GおよびBの顔料を含有した黒色ネガレジストをフォトリソ法でパターニングし柱状スペーサおよび有機膜2を形成した。この時有機膜2は台座13のセンターまでカバーするように、形成された。
【0052】
次に、膜厚0.1μmのITOからなる導電層をスパッタ法等により成膜し、レジストを塗布後、エッチングにより画素電極8をパターニングにより形成した。なお、ソース電極18はカラーフィルタ層7のコンタクトホールを介して、カラーフィルタ層7上の画素電極8に接続している。
【0053】
次に、これらの上にポリイミドからなる配向膜9を形成してカラーフィルタ層7およびスイッチング素子を備えた基板を得た。
【0054】
次に、ガラス基板4基板に対向するガラス基板5に膜厚0.15μmのITO膜からなる共通電極8´を形成し、その上にポリイミドからなる配向膜9を形成した。最後に、アレイ基板1と対向基板1´をシールし、さらに液晶30を注入し、注入口を封止して液晶表示装置を得た。
【0055】
また前記スペーサはシール部にも形成することもできる。また前記台座の上に形成することもできる。
【0056】
こうして製造された液晶表示装置を試験的に駆動したところ、有機膜2の端部において画素電極膜の残留はほぼ防止され、画素電極膜の残留に起因する配線のショートも減少して動作不良がほぼ防止された。また、有機膜の厚さが十分であったため、画質の高い画像を得ることができた。したがって、液晶表示装置を歩留りよく得ることができた。
【0057】
なお、図5は、コプラナ型薄膜トランジスタの構成の一例を示す断面図である。
【0058】
ここでは、4はガラス基板、19はポリシリコン、12はゲート絶縁膜、11はゲート電極、16はドレイン電極、18はソース電極、22は層間絶縁膜である。さらにカラーフィルタ層7上に画素電極8が形成されている。
【0059】
実施態様1において、このような構成を持った薄膜トランジスタが使用される場合には、前記台座13は、カラーフィルタ層たけではなく層間絶縁膜22やゲート絶縁膜、または、パッシベーション膜(図示せず)等、同じ材質で、同時に形成することができる。
【0060】
ここで、着色層の形成方法は顔料レジストのフォトリソ法に限らず、染色法、印刷法および電着法等を用いてもよく、台座13として、カラーフィルタ層を段階的に2色以上重ねて段を増してもよい。
【0061】
実施態様2
次に本発明第2の液晶表示装置について説明する。
【0062】
図4は、本発明に係る第2の実施形態の液晶表示装置の断面を示したものである。図4に示すように、本実施の形態によれば、シール部に台座は特に設けず、有機膜2の端部は、基板外周部に向かって順次薄くなるようにテーパー状となっている。その他の構成は実施態様1と同じである。
【0063】
こうして製造された液晶表示素子を検査したところ、有機膜2の周縁に画素電極膜はほとんど残留していなかった。また、液晶表示装置を試験的に駆動したところ、画素電極膜の残留に起因する配線のショートが激減して動作不良が防止され、画質の高い画像を得ることができた。したがって、液晶表示装置を歩留りよく得ることができた。
【0064】
【発明の効果】
以上、詳述したように、本発明に係る液晶表示装置によれば、遮光層端部に画素電極膜のパターニング用のフォトレジスト等が残らなくなるため、遮光層端部への画素電極膜等の形成が防止され、遮光層の近傍に配線パターンが存在する場合にショートの発生を防止することができ、製品不良の発生を防止することができる。また、遮光層を厚く設けられることから十分な遮光を実現できる。したがって、経済性に優れ、画質の高い画像を表示することができる液晶表示素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る液晶表示装置の構造を平面的に示した図である。
【図2】第1の実施の形態に係る液晶表示装置のシーリング部分の断面構造を示した図である。
【図3】第1の実施の形態に係る液晶表示装置の薄膜トランジスタ部分の断面構造を示した図である。
【図4】第2の実施形態に係る液晶表示装置のシーリング部分の断面構造を示した図である。
【図5】本発明において使用する他の薄膜トランジスタの構成を示す図である。
【図6】従来の液晶表示装置の構成の一例を示す図である。
【符号の説明】
1……スイッチング素子アレイ基板 1´……対向基板
2……有機膜 3……シール材 4、5……ガラス基板
7……カラーフィルター 8……画素電極 8´……共通電極
9……配向膜 10……配線 11……ゲート電極
12……ゲート絶縁膜 13……台座 14……チャンネル保護膜
16……ドレィン電極 18……ソース電極 19……半導体層
19´……オーミックコンタクト層 20……表示領域
22……層間絶縁膜 30……液晶
Claims (19)
- アレイ基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記アレイ基板上には、複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成された樹脂の周辺遮光層と、前記樹脂の周辺遮光層より上層に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、
前記複数の配線は、前記樹脂の周辺遮光層に重畳される第1の領域から前記樹脂の周辺遮光層の端辺を超える第2の領域まで延びており、前記端辺を挟んで前記第1の領域と第2の領域にまたがって配置された台座を有し、前記樹脂の周辺遮光層は、前記台座上から台座非形成領域まで形成され、前記台座上に形成された前記樹脂の周辺遮光層の少なくとも端辺近傍の膜厚は前記台座非形成領域に形成された前記樹脂の周辺遮光層の膜厚より薄く、前記台座の膜厚は、台座非形成領域に形成された前記樹脂の周辺遮光層の膜厚より薄いことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記樹脂の周辺遮光層は、表示領域の周囲に少なくとも一部形成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記樹脂の周辺遮光層は、表示領域の周囲を包囲する形状に形成されたことを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記配線は、表示領域内から表示領域外に延びていることを特徴とする請求項2記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記ゲート絶縁膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層に対向配置されるゲートと、前記半導体層と前記ゲートに挟まれたゲート絶縁膜と、を備えたスイッチング素子を有し、前記スイッチング素子上には、前記スイッチング素子を保護する保護膜を有し、前記台座は、前記保護膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板には、半導体層と、前記半導体層上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記半導体層に接続するソース・ドレイン電極と、前記ソース・ドレイン電極と前記ゲート電極との層間に形成された第1層間膜とを備えたスイッチング素子を有し、前記台座は、前記第1層間膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板には、スイッチング素子と、前記スイッチング素子上に形成された第2層間膜と、前記第2層間膜に形成されたコンタクトホールを介して前記スイッチング素子に接続された画素電極とを有し、前記台座は、前記第2層間膜と同じ材質からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記第2層間膜は、着色されていることを特徴とする請求項8記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板と前記対向基板とは、閉曲線形状のシール材を介して貼りあわせており、前記台座は、前記シール材が形成された領域を含む前記閉曲線の内側に形成されていることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記アレイ基板と前記対向基板の間隙を保持するべく形成された柱状のスペーサーと、前記樹脂の周辺遮光層とが同じ材質からなることを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記柱状のスペーサーは、前記シール材が形成された領域中に形成されたことを特徴とする請求項11記載の液晶表示装置。
- 前記柱状のスペーサーは、前記シール材により形成された領域中と前記閉曲線内の領域に形成されていることを特徴とする請求項12記載の液晶表示装置。
- 前記台座は、前記シール材が形成された領域中に形成され、前記柱状のスペーサーは、前記台座上の第2の領域上に形成されていることを特徴とする請求項12記載の液晶表示装置。
- アレイ基板と対向基板との間に液晶が封入され、前記アレイ基板上には、 複数の配線と、前記複数の配線に重畳して形成された樹脂の周辺遮光層と、前記樹脂の周辺遮光層より上層に形成された画素電極と、を備えた液晶表示装置において、
前記複数の配線は、前記樹脂の周辺遮光層に重畳される第1の領域から前記樹脂の周辺遮光層の端辺を超える第2の領域まで延びており、前記樹脂の周辺遮光層の膜厚は、少なくとも端辺近傍で相対的に薄く形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 - 前記樹脂の周辺遮光層は、端辺近傍でテーパー状に形成されていることを特徴とする請求項15記載の液晶表示装置。
- 表示領域と表示外領域とを有するアレイ基板上に前記表示領域から前記表示外領域まで延在する複数の配線を形成する工程と、
前記表示領域の前記配線上に絶縁層を形成し、同時に前記表示外領域で前記複数の配線に跨る領域上の一部に台座を形成する工程と、
前記台座上に、端辺を有し且つ台座非形成領域を含む形状に樹脂の周辺遮光層を形成する工程と、
導電膜を前記アレイ基板全面に形成する工程と、
前記導電膜を所望のパターンとして画素電極を形成し、少なくとも前記導電膜の前記台座に接触する部分を除去する工程と、
前記アレイ基板と対向基板とを貼りあわせる工程と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間隙に液晶を封入する工程と、
を有することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記絶縁層は、着色層であることを特徴とする請求項17記載の製造方法。
- 前記アレイ基板と前記対向基板との間隙を保持する柱状スペーサーを形成する工程を有し、前記柱状スペーサーを形成する工程は前記樹脂の周辺遮光層を形成する工程と同じ工程であることを特徴とする請求項17記載の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP27544798A JP4156722B2 (ja) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26736197 | 1997-09-30 | ||
JP9-267361 | 1997-09-30 | ||
JP27544798A JP4156722B2 (ja) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11190838A JPH11190838A (ja) | 1999-07-13 |
JP4156722B2 true JP4156722B2 (ja) | 2008-09-24 |
Family
ID=26547838
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP27544798A Expired - Fee Related JP4156722B2 (ja) | 1997-09-30 | 1998-09-29 | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4156722B2 (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001175198A (ja) | 1999-12-14 | 2001-06-29 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置およびその作製方法 |
JP2002040404A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-06 | Toshiba Corp | 液晶表示装置 |
JP4494369B2 (ja) * | 2006-05-24 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
WO2011037102A1 (ja) | 2009-09-28 | 2011-03-31 | 凸版印刷株式会社 | アクティブマトリクス基板及びその製造方法並びに画像表示装置 |
JP2013145406A (ja) * | 2013-04-25 | 2013-07-25 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
-
1998
- 1998-09-29 JP JP27544798A patent/JP4156722B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH11190838A (ja) | 1999-07-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3949759B2 (ja) | カラーフィルタ基板および液晶表示素子 | |
US6567150B1 (en) | Liquid crystal display and method of manufacturing the same | |
US7777858B2 (en) | Liquid crystal display apparatus and method of forming the same | |
KR101146532B1 (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
JP2004070284A (ja) | 画素駆動素子を具備する基板上にカラーフィルタを形成する方法 | |
JP2000089240A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JPH09105952A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
US20060290830A1 (en) | Semi-transmissive liquid crystal display device and method of manufacture thereof | |
JP3708593B2 (ja) | 液晶表示装置、及びその製造方法 | |
KR100305523B1 (ko) | 액정표시장치및액정표시장치의제조방법 | |
US20040135939A1 (en) | Liquid crystal display device with light shielding structure and method for forming the same | |
KR101192122B1 (ko) | 컬러필터 어레이 기판 및 그 제조 방법 | |
JPH1096949A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
JP2004272012A (ja) | 表示装置 | |
JP4217308B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
JP2007240542A (ja) | 液晶表示素子 | |
JP4156722B2 (ja) | 液晶表示装置および液晶表示装置の製造方法 | |
KR100626347B1 (ko) | 티에프티 엘시디 판넬의 제작방법 | |
JPH08136951A (ja) | 液晶パネル用基板とその製造方法 | |
JP4090594B2 (ja) | 反射型液晶表示装置およびその製造方法 | |
KR101329779B1 (ko) | 표시 기판, 이의 제조 방법 및 이를 갖는 표시 장치 | |
JPH1184386A (ja) | アクティブマトリクス型液晶表示装置 | |
US20080149933A1 (en) | Display panel | |
JPH07175088A (ja) | 液晶パネル用基板とその製造方法 | |
JP2005134904A (ja) | 薄膜ダイオード表示板及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050922 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20070425 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20070425 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080408 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080514 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080708 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080710 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110718 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |