JPH10268321A - 電極基板の製造方法 - Google Patents
電極基板の製造方法Info
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- JPH10268321A JPH10268321A JP6984097A JP6984097A JPH10268321A JP H10268321 A JPH10268321 A JP H10268321A JP 6984097 A JP6984097 A JP 6984097A JP 6984097 A JP6984097 A JP 6984097A JP H10268321 A JPH10268321 A JP H10268321A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 スペーサ配設工程における所要時間が短く、
かつ、スペーサ配設の位置精度が高い電極基板及び液晶
表示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 能動素子及び配線を保護する保護膜８
と、液晶セルの基板間隔を設定し保持する支持部材とを
形成するための感光性有機樹脂膜９を透明基板１上に形
成し、支持部材９ａと、開口部を有する保護膜とを形成
するために光透過率の異なる複数の領域を有するマスク
を用いて感光性有機樹脂膜の上層部及び下層部の所定領
域を選択的に露光し、感光性有機樹脂膜を現像して支持
部材と、開口部を有する保護膜とを同時に形成するもの
である。
かつ、スペーサ配設の位置精度が高い電極基板及び液晶
表示素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 能動素子及び配線を保護する保護膜８
と、液晶セルの基板間隔を設定し保持する支持部材とを
形成するための感光性有機樹脂膜９を透明基板１上に形
成し、支持部材９ａと、開口部を有する保護膜とを形成
するために光透過率の異なる複数の領域を有するマスク
を用いて感光性有機樹脂膜の上層部及び下層部の所定領
域を選択的に露光し、感光性有機樹脂膜を現像して支持
部材と、開口部を有する保護膜とを同時に形成するもの
である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電極基板及び液晶表
示素子の製造方法に係り、特に、液晶表示素子の基板間
隔を設定し保持する支持部材が所定の位置に形成された
電極基板及び液晶表示素子の製造方法に関する。
示素子の製造方法に係り、特に、液晶表示素子の基板間
隔を設定し保持する支持部材が所定の位置に形成された
電極基板及び液晶表示素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子の基板間隔を設定し
保持する支持部材としてガラス、有機樹脂等の材料から
なる球状、円柱状等のスペーサを用い、エアガンにより
基板上に散布する方法や、エタノール等の低沸点の溶媒
にスペーサを混合した混合液を噴霧して基板上に散布す
る方法等がとられていた。
保持する支持部材としてガラス、有機樹脂等の材料から
なる球状、円柱状等のスペーサを用い、エアガンにより
基板上に散布する方法や、エタノール等の低沸点の溶媒
にスペーサを混合した混合液を噴霧して基板上に散布す
る方法等がとられていた。
【０００３】また、液晶表示素子の画素開口率の低下を
防止するために、基板の遮光部分に基板間隔を設定し保
持する支持部材を配設する方法として、有機樹脂に上記
スペーサを混合して印刷法により基板の所定位置に配設
する方法、感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ法に
より基板の所定位置に配設する方法等が用いられてい
る。
防止するために、基板の遮光部分に基板間隔を設定し保
持する支持部材を配設する方法として、有機樹脂に上記
スペーサを混合して印刷法により基板の所定位置に配設
する方法、感光性樹脂を用いてフォトリソグラフィ法に
より基板の所定位置に配設する方法等が用いられてい
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板間
隔を設定し保持する支持部材の配設方法として広く用い
られているスペーサを散布する方法においては、画素開
口部にもスペーサが散布され、そのスペーサの存在によ
る画質の低下や、複数個のスペーサが塊になって画素開
口部に存在することによる表示の点欠陥の発生等の問題
がある。特に、投射型のライトバルブの液晶表示素子
に、スペーサを散布する方法を用いる場合には、拡大投
射を行うため、スぺ一サによる欠陥も拡大され、直視型
よりもより画質の低下が大きくなる。また、配向膜上に
支持部材が存在することは、液晶層への不純物の混入に
よる信頼性の低下の原因にもなる。
隔を設定し保持する支持部材の配設方法として広く用い
られているスペーサを散布する方法においては、画素開
口部にもスペーサが散布され、そのスペーサの存在によ
る画質の低下や、複数個のスペーサが塊になって画素開
口部に存在することによる表示の点欠陥の発生等の問題
がある。特に、投射型のライトバルブの液晶表示素子
に、スペーサを散布する方法を用いる場合には、拡大投
射を行うため、スぺ一サによる欠陥も拡大され、直視型
よりもより画質の低下が大きくなる。また、配向膜上に
支持部材が存在することは、液晶層への不純物の混入に
よる信頼性の低下の原因にもなる。
【０００５】また、印刷法により基板間隔を設定し保持
する支持部材を所定位置に形成する方法においては、支
持部材の位置精度が十分に高くないために、高精細表示
を行う場合には遮光部上のみに支持部材を配設すること
が困難になる。さらに、印刷法による場合は散布法より
も、スペーサ配設工程の時間が長くなる。
する支持部材を所定位置に形成する方法においては、支
持部材の位置精度が十分に高くないために、高精細表示
を行う場合には遮光部上のみに支持部材を配設すること
が困難になる。さらに、印刷法による場合は散布法より
も、スペーサ配設工程の時間が長くなる。
【０００６】フォトリソグラフィ法においては、位置精
度は高精度にできるが、散布法、印刷法に比較してスペ
ーサ配設工程にさらに長時間を要するため、スループッ
トが低下する。
度は高精度にできるが、散布法、印刷法に比較してスペ
ーサ配設工程にさらに長時間を要するため、スループッ
トが低下する。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑みてなされたもの
で、その目的は、スペーサ配設工程における所要時間が
短く、かつ、スペーサ配設の位置精度が高い電極基板及
び液晶表示素子の製造方法を提供することである。
で、その目的は、スペーサ配設工程における所要時間が
短く、かつ、スペーサ配設の位置精度が高い電極基板及
び液晶表示素子の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明に係る電極基板及
び液晶表示素子の製造方法においては、上記問題点を解
決するために、液晶表示素子を構成する２枚の基板のう
ち少なくとも一方の基板に保護膜を形成する際に、光透
過率の異なる複数の領域を有するマスクと感光性材料と
を用いて開口部を有する保護膜と基板間隔を設定し保持
する支持部材とを同時に形成する。即ち、１度又は２度
の保護膜材料塗布工程と１度又は２度の露光工程と１度
のみの現像工程を行うことにより、従来のフォトリソグ
ラフィ法に比較して工程数を増加させることなく、高い
位置精度で支持部材を形成するものである。具体的に
は、以下の第１又は第２の構成により、支持部材と開口
部を有する保護膜とを同時に形成する。
び液晶表示素子の製造方法においては、上記問題点を解
決するために、液晶表示素子を構成する２枚の基板のう
ち少なくとも一方の基板に保護膜を形成する際に、光透
過率の異なる複数の領域を有するマスクと感光性材料と
を用いて開口部を有する保護膜と基板間隔を設定し保持
する支持部材とを同時に形成する。即ち、１度又は２度
の保護膜材料塗布工程と１度又は２度の露光工程と１度
のみの現像工程を行うことにより、従来のフォトリソグ
ラフィ法に比較して工程数を増加させることなく、高い
位置精度で支持部材を形成するものである。具体的に
は、以下の第１又は第２の構成により、支持部材と開口
部を有する保護膜とを同時に形成する。
【０００９】本発明の第１の構成においては、基板間隔
を設定し保持する支持部材と保護膜とを形成する際に、
感光性有機樹脂膜パターニング用に２枚のマスクを用
い、１度目の露光で支持部材パターンニング用マスクを
用い、後続の２度目の露光で保護膜パターニング用マス
クを用いる。２度目の露光後に現像を行うことにより、
基板間隔を設定し保持する支持部材と保護膜とを同時に
形成することができる。
を設定し保持する支持部材と保護膜とを形成する際に、
感光性有機樹脂膜パターニング用に２枚のマスクを用
い、１度目の露光で支持部材パターンニング用マスクを
用い、後続の２度目の露光で保護膜パターニング用マス
クを用いる。２度目の露光後に現像を行うことにより、
基板間隔を設定し保持する支持部材と保護膜とを同時に
形成することができる。
【００１０】即ち、工程数を増加させることなく保護膜
と基板間隔を設定し保持する支持部材とを所定位置に高
い位置精度で形成でき、支持部材は遮光部に形成するこ
とができるため、画素開口部におけるスペーサ周囲から
の光漏れを防止して画質を向上させることができる。ま
た、配向膜が上記保護膜上に支持部材を覆って形成され
るので、保護膜の溶媒や現像液による配向膜への悪影響
もなく、また、配向膜の存在により液晶層への不純物の
混入による液晶表示素子の信頼性の低下を防止すること
ができる。
と基板間隔を設定し保持する支持部材とを所定位置に高
い位置精度で形成でき、支持部材は遮光部に形成するこ
とができるため、画素開口部におけるスペーサ周囲から
の光漏れを防止して画質を向上させることができる。ま
た、配向膜が上記保護膜上に支持部材を覆って形成され
るので、保護膜の溶媒や現像液による配向膜への悪影響
もなく、また、配向膜の存在により液晶層への不純物の
混入による液晶表示素子の信頼性の低下を防止すること
ができる。
【００１１】本発明の第２の構成においては、光透過率
の異なる複数の領域を有するマスクを使用することによ
り、露光回数を増加させることなく、１度の露光により
基板間隔を設定し保持する支持部材のパターニングと保
護膜のパターンニングとを行って保護膜と同じ材料で支
持部材を形成することができ、基板間隔を設定し保持す
る支持部材形成ためのみの工程を不要とすることができ
る。
の異なる複数の領域を有するマスクを使用することによ
り、露光回数を増加させることなく、１度の露光により
基板間隔を設定し保持する支持部材のパターニングと保
護膜のパターンニングとを行って保護膜と同じ材料で支
持部材を形成することができ、基板間隔を設定し保持す
る支持部材形成ためのみの工程を不要とすることができ
る。
【００１２】上記各構成において、基板間隔を設定し保
持する支持部材及び保護膜と配向膜とを同時に形成する
ためには、支持部材及び保護膜の材料として感光性ポリ
イミドを用いるとよい。
持する支持部材及び保護膜と配向膜とを同時に形成する
ためには、支持部材及び保護膜の材料として感光性ポリ
イミドを用いるとよい。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら、本発
明に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法の実施の
形態について説明する。本発明に係る電極基板及び液晶
表示素子の製造方法の各実施の形態は、スイッチング素
子としてＴＦＴを形成した場合について説明するが、ス
イッチング素子はＴＦＴ以外のものを形成してもよい。
明に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法の実施の
形態について説明する。本発明に係る電極基板及び液晶
表示素子の製造方法の各実施の形態は、スイッチング素
子としてＴＦＴを形成した場合について説明するが、ス
イッチング素子はＴＦＴ以外のものを形成してもよい。
【００１４】図１、図２及び図３は、本発明の第１の実
施の形態に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法の
製造過程を表した説明図であり、図４は、本発明に係る
液晶表示素子の製造方法により作製された液晶表示素子
の概略断面図である。
施の形態に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法の
製造過程を表した説明図であり、図４は、本発明に係る
液晶表示素子の製造方法により作製された液晶表示素子
の概略断面図である。
【００１５】図１に示されるように、スイッチング素子
等が形成されてアレイ基板となる透明基板１上にアモル
ファスシリコン膜２，ゲート絶縁膜３，ゲート線４，層
間絶縁膜５，信号線６，ソース電極７を通常のプロセス
により形成し、ＴＦＴを所定位置にそれぞれ配設する。
ＴＦＴの信号線６及びソース電極７を形成後、保護膜と
してポジ型感光性有機樹脂膜８（日本合成ゴム製）をス
ピンコータにより２．３μｍの厚さに塗布する。次に、
基板間隔を設定し保持する支持部材となるネガ型感光性
有機樹脂膜９（日本合成ゴム製）をスピンコータにより
６．０μｍの厚さに塗布する。ポジ型感光性有機樹脂膜
８及びネガ型感光性有機樹脂膜９を塗布した後、図１に
示されるように、支持部材９ａを形成すべき部分のみに
光が照射される支持部材パターンマスク１０を用いてマ
スクアライナによりＵＶ光の露光を行う。このときの露
光量は、感光性有機樹脂膜９の６μｍの膜厚がちょうど
露光できる露光量（４００ｍＪ／ｃｍ2）として、支持
部材パターンマスク１０の開口部１０ａから支持部材９
ａを形成すべき部分のみにＵＶ光を照射する。
等が形成されてアレイ基板となる透明基板１上にアモル
ファスシリコン膜２，ゲート絶縁膜３，ゲート線４，層
間絶縁膜５，信号線６，ソース電極７を通常のプロセス
により形成し、ＴＦＴを所定位置にそれぞれ配設する。
ＴＦＴの信号線６及びソース電極７を形成後、保護膜と
してポジ型感光性有機樹脂膜８（日本合成ゴム製）をス
ピンコータにより２．３μｍの厚さに塗布する。次に、
基板間隔を設定し保持する支持部材となるネガ型感光性
有機樹脂膜９（日本合成ゴム製）をスピンコータにより
６．０μｍの厚さに塗布する。ポジ型感光性有機樹脂膜
８及びネガ型感光性有機樹脂膜９を塗布した後、図１に
示されるように、支持部材９ａを形成すべき部分のみに
光が照射される支持部材パターンマスク１０を用いてマ
スクアライナによりＵＶ光の露光を行う。このときの露
光量は、感光性有機樹脂膜９の６μｍの膜厚がちょうど
露光できる露光量（４００ｍＪ／ｃｍ2）として、支持
部材パターンマスク１０の開口部１０ａから支持部材９
ａを形成すべき部分のみにＵＶ光を照射する。
【００１６】次いで、図２に示されるように、画素電極
とソース電極７とを電気的に接続するための保護膜８の
コンタクトホール８ａが形成されるべき部分にのみ光が
照射される保護膜パターンマスク１１を用いて再度露光
を行う。このときの露光量は、感光性有機樹脂膜８の
２．３μｍの膜厚が十分に露光できる露光量（６００ｍ
Ｊ／ｃｍ2）として保護膜パターンマスク１１の開口部
１１ａから保護膜８のコンタクトホール８ａを形成すべ
き部分のみにＵＶ光を照射する。
とソース電極７とを電気的に接続するための保護膜８の
コンタクトホール８ａが形成されるべき部分にのみ光が
照射される保護膜パターンマスク１１を用いて再度露光
を行う。このときの露光量は、感光性有機樹脂膜８の
２．３μｍの膜厚が十分に露光できる露光量（６００ｍ
Ｊ／ｃｍ2）として保護膜パターンマスク１１の開口部
１１ａから保護膜８のコンタクトホール８ａを形成すべ
き部分のみにＵＶ光を照射する。
【００１７】２度の露光後、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ
（テトラメチルアンモニウムハイドライド）０．５％水
溶液）により現像を行うと、保護膜８ｂと支持部材９ａ
のパターンが形成される。さらに、クリーンオーブンに
より２００℃の温度でキュアを行い有機樹脂膜を安定化
させると、図３に示されるように、保護膜８ｂと支持部
材９ａとが安定して形成される。このとき、支持部材９
ａと保護膜８ｂとの基板１表面からの高さの差は、５μ
ｍ程度となる。
（テトラメチルアンモニウムハイドライド）０．５％水
溶液）により現像を行うと、保護膜８ｂと支持部材９ａ
のパターンが形成される。さらに、クリーンオーブンに
より２００℃の温度でキュアを行い有機樹脂膜を安定化
させると、図３に示されるように、保護膜８ｂと支持部
材９ａとが安定して形成される。このとき、支持部材９
ａと保護膜８ｂとの基板１表面からの高さの差は、５μ
ｍ程度となる。
【００１８】さらに、図４に示されるように、保護膜８
ｂ上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソ
グラフィ及びエッチング法によりパターニングを行って
画素電極１２を形成し、さらに配向膜１３を形成する。
対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜からなる共通
電極１５及び配向膜１４が形成されたものを用い、上記
アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組み立て、液晶層
３０を封入して液晶表示素子が完成する。
ｂ上にＩＴＯ膜をスパッタ法により成膜し、フォトリソ
グラフィ及びエッチング法によりパターニングを行って
画素電極１２を形成し、さらに配向膜１３を形成する。
対向基板として透明基板１６上にＩＴＯ膜からなる共通
電極１５及び配向膜１４が形成されたものを用い、上記
アレイ基板と貼り合わせて液晶セルを組み立て、液晶層
３０を封入して液晶表示素子が完成する。
【００１９】以上のように、本発明の第１の実施の形態
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来のフォトリソグラフ
ィ法に比較して工程数を増加させることなく、保護膜材
料塗布工程と露光工程とをそれぞれ２度行うのみで、保
護膜８ｂと基板間隔を設定し保持する支持部材９ａとを
所定位置に高い位置精度で形成でき、支持部材９ａは画
素開口部以外の遮光部に形成することができるので、画
素開口部におけるスペーサ周囲からの光漏れが発生せず
画質を向上させることができる。また、支持部材９ａは
配向膜１３の形成前に形成されるので、感光性有機樹脂
膜８又は９の溶媒や現像液による配向膜への悪影響もな
く、かつ、配向膜１３が保護膜８ｂ上に支持部材９ａを
覆って形成されるので、配向膜１３の存在により液晶層
３０への不純物の混入による液晶表示素子の信頼性の低
下を防止することができる。
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来のフォトリソグラフ
ィ法に比較して工程数を増加させることなく、保護膜材
料塗布工程と露光工程とをそれぞれ２度行うのみで、保
護膜８ｂと基板間隔を設定し保持する支持部材９ａとを
所定位置に高い位置精度で形成でき、支持部材９ａは画
素開口部以外の遮光部に形成することができるので、画
素開口部におけるスペーサ周囲からの光漏れが発生せず
画質を向上させることができる。また、支持部材９ａは
配向膜１３の形成前に形成されるので、感光性有機樹脂
膜８又は９の溶媒や現像液による配向膜への悪影響もな
く、かつ、配向膜１３が保護膜８ｂ上に支持部材９ａを
覆って形成されるので、配向膜１３の存在により液晶層
３０への不純物の混入による液晶表示素子の信頼性の低
下を防止することができる。
【００２０】図５は、本発明の第２の実施の形態に係る
電極基板及び液晶表示素子の製造方法の製造過程を表し
た説明図である。
電極基板及び液晶表示素子の製造方法の製造過程を表し
た説明図である。
【００２１】第１の実施の形態と同様に、ＴＦＴの信号
線６及びソース電極７を形成後、保護膜としてポジ型感
光性有機樹脂膜８（日本合成ゴム製）をスピンコータに
より２．３μｍの厚さに塗布する。次に、基板間隔を設
定し保持する支持部材となるネガ型感光性有機樹脂膜９
（日本合成ゴム製）をスピンコータにより６．０μｍの
厚さに塗布する。ポジ型感光性有機樹脂膜８及びネガ型
感光性有機樹脂膜９を塗布した後、図５に示されるよう
に、支持部材９ａを形成すべき部分に対応する部分には
ＵＶ光（ｇ，ｈ，ｉ線）の透過率が３３％となるパター
ン１７ａが形成され、画素電極とソース電極７とを電気
的に接続するための保護膜８のコンタクトホール８ａが
形成されるべき部分に対応する部分にはＵＶ光の透過率
がほぼ１００％となるパターン１７ｂが形成された支持
部材・保護膜パターンマスク１７を用いてマスクアライ
ナにより、支持部材９ａ及び保護膜８のパターン形成の
ためのＵＶ光の露光を同時に行う。このときの露光量は
６００ｍＪ／ｃｍ2とした。露光後、弱アルカリ溶液
（ＴＭＡＨ０．５％水溶液）により現像を行うと、保護
膜８ｂと支持部材９ａのパターンが形成される。さら
に、クリーンオーブンにより２００℃の温度でキュアを
行い有機樹脂膜を安定化させると、図３に示されたのと
同様に、保護膜８ｂと支持部材９ａとが安定して形成さ
れる。このとき、支持部材９ａと保護膜８ｂとの基板１
表面からの高さの差は、５μｍ程度となる。
線６及びソース電極７を形成後、保護膜としてポジ型感
光性有機樹脂膜８（日本合成ゴム製）をスピンコータに
より２．３μｍの厚さに塗布する。次に、基板間隔を設
定し保持する支持部材となるネガ型感光性有機樹脂膜９
（日本合成ゴム製）をスピンコータにより６．０μｍの
厚さに塗布する。ポジ型感光性有機樹脂膜８及びネガ型
感光性有機樹脂膜９を塗布した後、図５に示されるよう
に、支持部材９ａを形成すべき部分に対応する部分には
ＵＶ光（ｇ，ｈ，ｉ線）の透過率が３３％となるパター
ン１７ａが形成され、画素電極とソース電極７とを電気
的に接続するための保護膜８のコンタクトホール８ａが
形成されるべき部分に対応する部分にはＵＶ光の透過率
がほぼ１００％となるパターン１７ｂが形成された支持
部材・保護膜パターンマスク１７を用いてマスクアライ
ナにより、支持部材９ａ及び保護膜８のパターン形成の
ためのＵＶ光の露光を同時に行う。このときの露光量は
６００ｍＪ／ｃｍ2とした。露光後、弱アルカリ溶液
（ＴＭＡＨ０．５％水溶液）により現像を行うと、保護
膜８ｂと支持部材９ａのパターンが形成される。さら
に、クリーンオーブンにより２００℃の温度でキュアを
行い有機樹脂膜を安定化させると、図３に示されたのと
同様に、保護膜８ｂと支持部材９ａとが安定して形成さ
れる。このとき、支持部材９ａと保護膜８ｂとの基板１
表面からの高さの差は、５μｍ程度となる。
【００２２】さらに、図４に示された第１の実施の形態
と同様に、保護膜８ｂ上にＩＴＯ膜をスパッタ法により
成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング法によりパ
ターニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配向
膜１３を形成する。対向基板として透明基板１６上にＩ
ＴＯ膜からなる共通電極１５及び配向膜１４が形成され
たものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セル
を組み立て、液晶層３０を封入して液晶表示素子が完成
する。
と同様に、保護膜８ｂ上にＩＴＯ膜をスパッタ法により
成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング法によりパ
ターニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配向
膜１３を形成する。対向基板として透明基板１６上にＩ
ＴＯ膜からなる共通電極１５及び配向膜１４が形成され
たものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セル
を組み立て、液晶層３０を封入して液晶表示素子が完成
する。
【００２３】以上のように、本発明の第２の実施の形態
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来のフォトリソグラフ
ィ法に比較して工程数を増加させることなく、２度の保
護膜材料塗布工程と１度の露光工程をそれぞれ行うのみ
で、保護膜８ｂと基板間隔を設定し保持する支持部材９
ａとを所定位置に高い位置精度で形成でき、支持部材９
ａは画素開口部以外の遮光部に形成することができるの
で、画素開口部におけるスペーサ周囲からの光漏れが発
生せず画質を向上させることができる。また、支持部材
９ａは配向膜１３の形成前に形成されるので、感光性有
機樹脂膜８又は９の溶媒や現像液による配向膜への悪影
響もなく、かつ、配向膜１３が保護膜８ｂ上に支持部材
９ａを覆って形成されるので、配向膜１３の存在により
液晶層３０への不純物の混入による液晶表示素子の信頼
性の低下を防止することができる。
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来のフォトリソグラフ
ィ法に比較して工程数を増加させることなく、２度の保
護膜材料塗布工程と１度の露光工程をそれぞれ行うのみ
で、保護膜８ｂと基板間隔を設定し保持する支持部材９
ａとを所定位置に高い位置精度で形成でき、支持部材９
ａは画素開口部以外の遮光部に形成することができるの
で、画素開口部におけるスペーサ周囲からの光漏れが発
生せず画質を向上させることができる。また、支持部材
９ａは配向膜１３の形成前に形成されるので、感光性有
機樹脂膜８又は９の溶媒や現像液による配向膜への悪影
響もなく、かつ、配向膜１３が保護膜８ｂ上に支持部材
９ａを覆って形成されるので、配向膜１３の存在により
液晶層３０への不純物の混入による液晶表示素子の信頼
性の低下を防止することができる。
【００２４】図６及び図７は、本発明の第３の実施の形
態に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法の製造過
程を表した説明図である。
態に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法の製造過
程を表した説明図である。
【００２５】第１の実施の形態と同様に、ＴＦＴの信号
線６及びソース電極７を形成後、保護膜としてポジ型感
光性有機樹脂膜１８（日本合成ゴム製）をスピンコータ
により８．６μｍの厚さに塗布する。ポジ型感光性有機
樹脂膜１８を塗布した後、図６に示されるように、遮光
パターン１９ａを有し、支持部材１８ａを形成すべき部
分以外の部分に光が照射される支持部材パターンマスク
１９を用いてマスクアライナによりＵＶ光の露光を行
う。このときの露光量は、感光性有機樹脂膜１８の上部
６μｍの膜厚がちょうど露光できる露光量（４００ｍＪ
／ｃｍ2）として、支持部材１８ａを形成すべき部分以
外の部分にＵＶ光を照射する。
線６及びソース電極７を形成後、保護膜としてポジ型感
光性有機樹脂膜１８（日本合成ゴム製）をスピンコータ
により８．６μｍの厚さに塗布する。ポジ型感光性有機
樹脂膜１８を塗布した後、図６に示されるように、遮光
パターン１９ａを有し、支持部材１８ａを形成すべき部
分以外の部分に光が照射される支持部材パターンマスク
１９を用いてマスクアライナによりＵＶ光の露光を行
う。このときの露光量は、感光性有機樹脂膜１８の上部
６μｍの膜厚がちょうど露光できる露光量（４００ｍＪ
／ｃｍ2）として、支持部材１８ａを形成すべき部分以
外の部分にＵＶ光を照射する。
【００２６】次いで、図７に示されるように、画素電極
とソース電極７とを電気的に接続するための保護膜１８
のコンタクトホール１８ｄが形成されるべき部分にのみ
光が照射される保護膜パターンマスク２０を用いて再度
露光を行う。このときの露光量は、感光性有機樹脂膜１
８の下部の２．３μｍの膜厚が十分に露光できる露光量
（６００ｍＪ／ｃｍ2）として保護膜パターンマスク２
０の開口部２０ａから保護膜１８のコンタクトホール１
８ｄを形成すべき部分のみにＵＶ光を照射する。
とソース電極７とを電気的に接続するための保護膜１８
のコンタクトホール１８ｄが形成されるべき部分にのみ
光が照射される保護膜パターンマスク２０を用いて再度
露光を行う。このときの露光量は、感光性有機樹脂膜１
８の下部の２．３μｍの膜厚が十分に露光できる露光量
（６００ｍＪ／ｃｍ2）として保護膜パターンマスク２
０の開口部２０ａから保護膜１８のコンタクトホール１
８ｄを形成すべき部分のみにＵＶ光を照射する。
【００２７】２度の露光後、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ
０．５％水溶液）により現像を行うと、保護膜１８ｃと
支持部材１８ａのパターンが形成される。さらに、クリ
ーンオーブンにより２００℃の温度でキュアを行い有機
樹脂膜を安定化させると、図３に示されるように、保護
膜８ｂと支持部材１８ａとが安定して形成される。この
とき、支持部材１８ａと保護膜８ｂとの基板１表面から
の高さの差は、５μｍ程度となる。
０．５％水溶液）により現像を行うと、保護膜１８ｃと
支持部材１８ａのパターンが形成される。さらに、クリ
ーンオーブンにより２００℃の温度でキュアを行い有機
樹脂膜を安定化させると、図３に示されるように、保護
膜８ｂと支持部材１８ａとが安定して形成される。この
とき、支持部材１８ａと保護膜８ｂとの基板１表面から
の高さの差は、５μｍ程度となる。
【００２８】さらに、図４に示された第１の実施の形態
と同様に、保護膜１８ｂ上にＩＴＯ膜をスパッタ法によ
り成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により
パターニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配
向膜１３を形成する。対向基板として透明基板１６上に
ＩＴＯ膜からなる共通電極１５及び配向膜１４が形成さ
れたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セ
ルを組み立て、液晶層３０を封入して液晶表示素子が完
成する。
と同様に、保護膜１８ｂ上にＩＴＯ膜をスパッタ法によ
り成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により
パターニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配
向膜１３を形成する。対向基板として透明基板１６上に
ＩＴＯ膜からなる共通電極１５及び配向膜１４が形成さ
れたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セ
ルを組み立て、液晶層３０を封入して液晶表示素子が完
成する。
【００２９】以上のように、本発明の第３の実施の形態
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来のフォトリソグラフ
ィ法に比較して工程数を増加させることなく、１度の保
護膜材料塗布工程と２度の露光工程とをそれぞれ行うの
みで、保護膜１８ｃと基板間隔を設定し保持する支持部
材１８ａとを所定位置に高い位置精度で形成でき、支持
部材１８ａは画素開口部以外の遮光部に形成することが
できるので、画素開口部におけるスペーサ周囲からの光
漏れが発生せず画質を向上させることができる。また、
支持部材１８ａは配向膜１３の形成前に形成されるの
で、感光性有機樹脂膜１８の溶媒や現像液による配向膜
への悪影響もなく、かつ、配向膜１３が保護膜１８ｃ上
に支持部材１８ａを覆って形成されるので、配向膜１３
の存在により液晶層３０への不純物の混入による液晶表
示素子の信頼性の低下を防止することができる。
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来のフォトリソグラフ
ィ法に比較して工程数を増加させることなく、１度の保
護膜材料塗布工程と２度の露光工程とをそれぞれ行うの
みで、保護膜１８ｃと基板間隔を設定し保持する支持部
材１８ａとを所定位置に高い位置精度で形成でき、支持
部材１８ａは画素開口部以外の遮光部に形成することが
できるので、画素開口部におけるスペーサ周囲からの光
漏れが発生せず画質を向上させることができる。また、
支持部材１８ａは配向膜１３の形成前に形成されるの
で、感光性有機樹脂膜１８の溶媒や現像液による配向膜
への悪影響もなく、かつ、配向膜１３が保護膜１８ｃ上
に支持部材１８ａを覆って形成されるので、配向膜１３
の存在により液晶層３０への不純物の混入による液晶表
示素子の信頼性の低下を防止することができる。
【００３０】図８は、本発明の第４の実施の形態に係る
電極基板及び液晶表示素子の製造方法の製造過程を表し
た説明図である。
電極基板及び液晶表示素子の製造方法の製造過程を表し
た説明図である。
【００３１】第１の実施の形態と同様にＴＦＴの信号線
６及びソース電極７を形成後、第３の実施の形態と同様
に保護膜としてポジ型感光性有機樹脂膜１８（日本合成
ゴム製）をスピンコータにより８．６μｍの厚さに塗布
する。ポジ型感光性有機樹脂膜１８を塗布した後、ポジ
型感光性有機樹脂膜１８を塗布した後、図８に示される
ように、支持部材１８ａを形成すべき部分に対応する部
分には遮光パターン２１ａが形成され、画素電極とソー
ス電極７とを電気的に接続するための保護膜１８のコン
タクトホール１８ｄが形成されるべき部分に対応する部
分にはＵＶ光の透過率がほぼ１００％となるパターン２
１ｂが形成され、それ以外の部分に対応する部分にはＵ
Ｖ光（ｇ，ｈ，ｉ線）の透過率が３３％となるパターン
２１ｃが形成された支持部材・保護膜パターンマスク２
１を用いてマスクアライナにより、支持部材１８ａ及び
保護膜１８のパターン形成のためのＵＶ光の露光を同時
に行う。このときの露光量は６００ｍＪ／ｃｍ2とし
た。露光後、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ０．５％水溶
液）により現像を行うと、保護膜１８ｃと支持部材１８
ａのパターンが形成される。さらに、クリーンオーブン
により２００℃の温度でキュアを行い有機樹脂膜を安定
化させると、図３に示されたのと同様に、保護膜１８ｃ
と支持部材１８ａとが安定して形成される。このとき、
支持部材１８ａと保護膜１８ｃとの基板１表面からの高
さの差は、５μｍ程度となる。
６及びソース電極７を形成後、第３の実施の形態と同様
に保護膜としてポジ型感光性有機樹脂膜１８（日本合成
ゴム製）をスピンコータにより８．６μｍの厚さに塗布
する。ポジ型感光性有機樹脂膜１８を塗布した後、ポジ
型感光性有機樹脂膜１８を塗布した後、図８に示される
ように、支持部材１８ａを形成すべき部分に対応する部
分には遮光パターン２１ａが形成され、画素電極とソー
ス電極７とを電気的に接続するための保護膜１８のコン
タクトホール１８ｄが形成されるべき部分に対応する部
分にはＵＶ光の透過率がほぼ１００％となるパターン２
１ｂが形成され、それ以外の部分に対応する部分にはＵ
Ｖ光（ｇ，ｈ，ｉ線）の透過率が３３％となるパターン
２１ｃが形成された支持部材・保護膜パターンマスク２
１を用いてマスクアライナにより、支持部材１８ａ及び
保護膜１８のパターン形成のためのＵＶ光の露光を同時
に行う。このときの露光量は６００ｍＪ／ｃｍ2とし
た。露光後、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ０．５％水溶
液）により現像を行うと、保護膜１８ｃと支持部材１８
ａのパターンが形成される。さらに、クリーンオーブン
により２００℃の温度でキュアを行い有機樹脂膜を安定
化させると、図３に示されたのと同様に、保護膜１８ｃ
と支持部材１８ａとが安定して形成される。このとき、
支持部材１８ａと保護膜１８ｃとの基板１表面からの高
さの差は、５μｍ程度となる。
【００３２】さらに、図４に示された第１の実施の形態
と同様に、保護膜１８ｃ上にＩＴＯ膜をスパッタ法によ
り成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により
パターニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配
向膜１３を形成する。対向基板として透明基板１６上に
ＩＴＯ膜からなる共通電極１５及び配向膜１４が形成さ
れたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セ
ルを組み立て、液晶層３０を封入して液晶表示素子が完
成する。
と同様に、保護膜１８ｃ上にＩＴＯ膜をスパッタ法によ
り成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により
パターニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配
向膜１３を形成する。対向基板として透明基板１６上に
ＩＴＯ膜からなる共通電極１５及び配向膜１４が形成さ
れたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セ
ルを組み立て、液晶層３０を封入して液晶表示素子が完
成する。
【００３３】以上のように、本発明の第４の実施の形態
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来のフォトリソグラフ
ィ法に比較して工程数を増加させることなく、１度の保
護膜材料塗布工程と１度の露光工程をそれぞれ行うのみ
で、保護膜１８ｃと基板間隔を設定し保持する支持部材
１８ａとを所定位置に高い位置精度で形成でき、支持部
材１８ａは画素開口部以外の遮光部に形成することがで
きるので、画素開口部におけるスペーサ周囲からの光漏
れが発生せず画質を向上させることができる。また、支
持部材１８ａは配向膜１３の形成前に形成されるので、
感光性有機樹脂膜１８の溶媒や現像液による配向膜への
悪影響もなく、かつ、配向膜１３が保護膜１８ｃ上に支
持部材１８ａを覆って形成されるので、配向膜１３の存
在により液晶層３０への不純物の混入による液晶表示素
子の信頼性の低下を防止することができる。
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、従来のフォトリソグラフ
ィ法に比較して工程数を増加させることなく、１度の保
護膜材料塗布工程と１度の露光工程をそれぞれ行うのみ
で、保護膜１８ｃと基板間隔を設定し保持する支持部材
１８ａとを所定位置に高い位置精度で形成でき、支持部
材１８ａは画素開口部以外の遮光部に形成することがで
きるので、画素開口部におけるスペーサ周囲からの光漏
れが発生せず画質を向上させることができる。また、支
持部材１８ａは配向膜１３の形成前に形成されるので、
感光性有機樹脂膜１８の溶媒や現像液による配向膜への
悪影響もなく、かつ、配向膜１３が保護膜１８ｃ上に支
持部材１８ａを覆って形成されるので、配向膜１３の存
在により液晶層３０への不純物の混入による液晶表示素
子の信頼性の低下を防止することができる。
【００３４】本発明の第５の実施の形態に係る電極基板
及び液晶表示素子の製造方法は、上述した第１乃至第４
の実施の形態におけるネガ型、ポジ型感光性樹脂を、そ
れぞれネガ型、ポジ型感光性ポリイミド（日産化学工業
製）に置き換えて行う。
及び液晶表示素子の製造方法は、上述した第１乃至第４
の実施の形態におけるネガ型、ポジ型感光性樹脂を、そ
れぞれネガ型、ポジ型感光性ポリイミド（日産化学工業
製）に置き換えて行う。
【００３５】例えば、上記第３の実施の形態と同様の構
成について説明すると、第１の実施の形態と同様に、Ｔ
ＦＴの信号線６及びソース電極７を形成後、保護膜１８
としてポジ型感光性ポリイミド（日産化学工業製）をス
ピンコータにより８．６μｍの厚さに塗布する。ポジ型
感光性ポリイミド膜１８を塗布した後、図６に示される
ように、遮光パターン１９ａを有し、支持部材１８ａを
形成すべき部分以外の部分に光が照射される支持部材パ
ターンマスク１９を用いてマスクアライナによりＵＶ光
の露光を行う。このときの露光量は、感光性ポリイミド
膜１８の上部６μｍの膜厚がちょうど露光できる露光量
（４００ｍＪ／ｃｍ2）として、支持部材１８ａを形成
すべき部分以外の部分にＵＶ光を照射する。
成について説明すると、第１の実施の形態と同様に、Ｔ
ＦＴの信号線６及びソース電極７を形成後、保護膜１８
としてポジ型感光性ポリイミド（日産化学工業製）をス
ピンコータにより８．６μｍの厚さに塗布する。ポジ型
感光性ポリイミド膜１８を塗布した後、図６に示される
ように、遮光パターン１９ａを有し、支持部材１８ａを
形成すべき部分以外の部分に光が照射される支持部材パ
ターンマスク１９を用いてマスクアライナによりＵＶ光
の露光を行う。このときの露光量は、感光性ポリイミド
膜１８の上部６μｍの膜厚がちょうど露光できる露光量
（４００ｍＪ／ｃｍ2）として、支持部材１８ａを形成
すべき部分以外の部分にＵＶ光を照射する。
【００３６】次いで、図７に示されるように、ポリイミ
ド保護膜１８のコンタクトホール１８ｄが形成されるべ
き部分にのみ光が照射される保護膜パターンマスク２０
を用いて再度露光を行う。このときの露光量は、感光性
ポリイミド膜１８の下部の２．３μｍの膜厚が十分に露
光できる露光量（６００ｍＪ／ｃｍ2）として保護膜パ
ターンマスク２０の開口部２０ａから保護膜１８のコン
タクトホール１８ｄを形成すべき部分のみにＵＶ光を照
射する。
ド保護膜１８のコンタクトホール１８ｄが形成されるべ
き部分にのみ光が照射される保護膜パターンマスク２０
を用いて再度露光を行う。このときの露光量は、感光性
ポリイミド膜１８の下部の２．３μｍの膜厚が十分に露
光できる露光量（６００ｍＪ／ｃｍ2）として保護膜パ
ターンマスク２０の開口部２０ａから保護膜１８のコン
タクトホール１８ｄを形成すべき部分のみにＵＶ光を照
射する。
【００３７】２度の露光後、弱アルカリ溶液（ＴＭＡＨ
０．５％水溶液）により現像を行うと、保護膜１８ｃと
支持部材１８ａのパターンが形成される。さらに、クリ
ーンオーブンにより２００℃の温度でキュアを行い有機
樹脂膜を安定化させると、図３に示されるように、保護
膜８ｂと支持部材１８ａとが安定して形成される。この
とき、支持部材１８ａと保護膜８ｂとの基板１表面から
の高さの差は、５μｍ程度となる。
０．５％水溶液）により現像を行うと、保護膜１８ｃと
支持部材１８ａのパターンが形成される。さらに、クリ
ーンオーブンにより２００℃の温度でキュアを行い有機
樹脂膜を安定化させると、図３に示されるように、保護
膜８ｂと支持部材１８ａとが安定して形成される。この
とき、支持部材１８ａと保護膜８ｂとの基板１表面から
の高さの差は、５μｍ程度となる。
【００３８】さらに、図４に示された第１の実施の形態
と同様に、保護膜１８ｂ上にＩＴＯ膜をスパッタ法によ
り成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により
パターニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配
向膜１３を形成する。対向基板として透明基板１６上に
ＩＴＯ膜からなる共通電極１５及び配向膜１４が形成さ
れたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セ
ルを組み立て、液晶層３０を封入して液晶表示素子が完
成する。
と同様に、保護膜１８ｂ上にＩＴＯ膜をスパッタ法によ
り成膜し、フォトリソグラフィ及びエッチング法により
パターニングを行って画素電極１２を形成し、さらに配
向膜１３を形成する。対向基板として透明基板１６上に
ＩＴＯ膜からなる共通電極１５及び配向膜１４が形成さ
れたものを用い、上記アレイ基板と貼り合わせて液晶セ
ルを組み立て、液晶層３０を封入して液晶表示素子が完
成する。
【００３９】以上のように、本発明の第５の実施の形態
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、上記第３の実施の形態と
同様に、従来のフォトリソグラフィ法に比較して工程数
を増加させることなく、１度の保護膜材料塗布工程と２
度の露光工程とをそれぞれ行うのみで、保護膜１８ｃと
基板間隔を設定し保持する支持部材１８ａとを所定位置
に高い位置精度で形成でき、支持部材１８ａは画素開口
部以外の遮光部に形成することができるので、画素開口
部におけるスペーサ周囲からの光漏れが発生せず画質を
向上させることができる。また、支持部材１８ａは配向
膜１３の形成前に形成されるので、感光性有機樹脂膜１
８の溶媒や現像液による配向膜への悪影響もなく、か
つ、配向膜１３が保護膜１８ｃ上に支持部材１８ａを覆
って形成されるので、配向膜１３の存在により液晶層３
０への不純物の混入による液晶表示素子の信頼性の低下
を防止することができる。
に係る電極基板及び液晶表示素子の製造方法により作製
されたアレイ基板においては、上記第３の実施の形態と
同様に、従来のフォトリソグラフィ法に比較して工程数
を増加させることなく、１度の保護膜材料塗布工程と２
度の露光工程とをそれぞれ行うのみで、保護膜１８ｃと
基板間隔を設定し保持する支持部材１８ａとを所定位置
に高い位置精度で形成でき、支持部材１８ａは画素開口
部以外の遮光部に形成することができるので、画素開口
部におけるスペーサ周囲からの光漏れが発生せず画質を
向上させることができる。また、支持部材１８ａは配向
膜１３の形成前に形成されるので、感光性有機樹脂膜１
８の溶媒や現像液による配向膜への悪影響もなく、か
つ、配向膜１３が保護膜１８ｃ上に支持部材１８ａを覆
って形成されるので、配向膜１３の存在により液晶層３
０への不純物の混入による液晶表示素子の信頼性の低下
を防止することができる。
【００４０】加えて、本発明の第５の実施の形態に係る
電極基板及び液晶表示素子の製造方法においては、支持
部材及び保護膜の材料として感光性ポリイミドを用いた
ので、基板間隔を設定し保持する支持部材及び保護膜が
配向膜の一部又は全部をなすものとすることができ、支
持部材及び保護膜が配向膜の全部をなすものとした場合
には、支持部材及び保護膜と配向膜とを同時に形成する
ことができ、製造工程をさらに短縮することができる。
電極基板及び液晶表示素子の製造方法においては、支持
部材及び保護膜の材料として感光性ポリイミドを用いた
ので、基板間隔を設定し保持する支持部材及び保護膜が
配向膜の一部又は全部をなすものとすることができ、支
持部材及び保護膜が配向膜の全部をなすものとした場合
には、支持部材及び保護膜と配向膜とを同時に形成する
ことができ、製造工程をさらに短縮することができる。
【００４１】同様に、上述した第１、第２及び第４の実
施の形態におけるネガ型、ポジ型感光性樹脂を、それぞ
れネガ型、ポジ型感光性ポリイミド（日産化学工業製）
に置き換えた場合においても、各実施の形態と同様の効
果を得ることができる。
施の形態におけるネガ型、ポジ型感光性樹脂を、それぞ
れネガ型、ポジ型感光性ポリイミド（日産化学工業製）
に置き換えた場合においても、各実施の形態と同様の効
果を得ることができる。
【００４２】以上の本発明の各実施の形態に係る電極基
板及び液晶表示素子の製造方法により作製した液晶表示
素子と比較対照するための比較例として、従来の製造方
法により、散布したスペーサで基板間隔が保持された液
晶表示素子を作製した。
板及び液晶表示素子の製造方法により作製した液晶表示
素子と比較対照するための比較例として、従来の製造方
法により、散布したスペーサで基板間隔が保持された液
晶表示素子を作製した。
【００４３】この液晶表示素子を用いて投射映像を表示
すると、スペーサが存在する部分では他の部分と光透過
率が異なり、点欠陥や表示ムラの発生が認められた。一
方、本発明の各実施の形態に係る電極基板及び液晶表示
素子の製造方法により作製した液晶表示素子を用いて投
射映像を表示すると、点欠陥や表示ムラは発生しなかっ
た。
すると、スペーサが存在する部分では他の部分と光透過
率が異なり、点欠陥や表示ムラの発生が認められた。一
方、本発明の各実施の形態に係る電極基板及び液晶表示
素子の製造方法により作製した液晶表示素子を用いて投
射映像を表示すると、点欠陥や表示ムラは発生しなかっ
た。
【００４４】
【発明の効果】本発明に係る電極基板及び液晶表示素子
の製造方法によれば、光透過率の異なる複数の領域を有
するマスクと感光性材料とを用いて、感光性材料からな
る有機樹脂膜を選択的に露光した後、１度の現像工程を
行うので、液晶表示素子の基板間隔を設定し保持する支
持部材を保護膜を形成するのと同時に遮光部に形成する
ことができる。支持部材形成のための工程は、支持部材
材料の塗布工程（感光樹脂膜の形成工程）と露光工程が
増加する場合もあるが、保護膜と同じ材料を用い、ＵＶ
光の透過率の異なるマスクを用いて露光することによ
り、全体として支持部材形成のための工程を増加させる
ことなく基板上の所定位置に支持部材を形成することが
できる。また、支持部材及び保護膜の材料として感光性
ポリイミドを用いることにより、保護膜及び支持部材と
配向膜とを同一工程で形成することができる。その結
果、画素開口部以外の部分に支持部材を配設することが
でき、スペーサ配置部分からの光漏れ等、従来のスペー
サ散布方法により生じていたスペーサに起因する画質劣
化を解消することができた。特に、投射型ライトバルブ
等に用いる小型で高精細表示の液晶表示素子の表示品質
を向上させることができる。
の製造方法によれば、光透過率の異なる複数の領域を有
するマスクと感光性材料とを用いて、感光性材料からな
る有機樹脂膜を選択的に露光した後、１度の現像工程を
行うので、液晶表示素子の基板間隔を設定し保持する支
持部材を保護膜を形成するのと同時に遮光部に形成する
ことができる。支持部材形成のための工程は、支持部材
材料の塗布工程（感光樹脂膜の形成工程）と露光工程が
増加する場合もあるが、保護膜と同じ材料を用い、ＵＶ
光の透過率の異なるマスクを用いて露光することによ
り、全体として支持部材形成のための工程を増加させる
ことなく基板上の所定位置に支持部材を形成することが
できる。また、支持部材及び保護膜の材料として感光性
ポリイミドを用いることにより、保護膜及び支持部材と
配向膜とを同一工程で形成することができる。その結
果、画素開口部以外の部分に支持部材を配設することが
でき、スペーサ配置部分からの光漏れ等、従来のスペー
サ散布方法により生じていたスペーサに起因する画質劣
化を解消することができた。特に、投射型ライトバルブ
等に用いる小型で高精細表示の液晶表示素子の表示品質
を向上させることができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る電極基板及び
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る電極基板及び
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
【図３】本発明の第１の実施の形態に係る電極基板及び
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
【図４】本発明に係る液晶表示素子の製造方法により作
製された液晶表示素子の概略断面図。
製された液晶表示素子の概略断面図。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る電極基板及び
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係る電極基板及び
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る電極基板及び
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る電極基板及び
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
液晶表示素子の製造方法の製造過程を表した説明図。
１、１６ 透明基板 ２ アモルファスシリコン膜 ３ ゲート絶縁膜 ４ ゲート線 ５ 層間絶縁膜 ６ 信号線 ７ ソース電極 ８ 保護膜（ポジ型感光性有機樹脂膜） ８ａ、１８ｄ 開口部 ８ｂ、１８ｃ 保護膜 ９ 有機樹脂膜（ネガ型感光性有機樹脂膜） ９ａ、１８ａ 支持部材 １０、１１、１７、１９、２０、２１ マスク １２ 画素電極 １３、１４ 配向膜 １５ 共通電極 １８ 有機樹脂膜（ポジ型感光性有機樹脂膜） ３０ 液晶層
Claims (5)
- 【請求項１】透明基板上に形成された能動素子及び配線
を保護する保護膜を形成するための第１の感光性有機樹
脂膜を形成する第１の工程と、 前記透明基板と共に液晶表示素子の液晶セルを構成する
予定の他の透明基板と前記透明基板との基板間隔を設定
し保持する支持部材を形成するための第２の感光性有機
樹脂膜を前記第１の感光性有機樹脂膜上に形成する第２
の工程と、 前記支持部材を形成するために、光透過率の異なる複数
の領域を有する第１のマスクを用いて、前記第２の感光
性有機樹脂膜の所定領域のみを選択的に露光する第３の
工程と、 前記能動素子により駆動される画素電極が電気的に接続
される前記能動素子の画素電極接続用電極上に開口部を
有する前記保護膜を形成するために、光透過率の異なる
複数の領域を有する第２のマスクを用いて、前記第１の
感光性有機樹脂膜の所定領域を選択的に露光する第４の
工程と、 前記第１及び第２の感光性有機樹脂膜を同時に現像し、
前記支持部材と、前記画素電極接続用電極上に開口部を
有する前記保護膜とを同時に形成する第５の工程と、 前記開口部を通して前記画素電極接続用電極に電気的に
接続された画素電極を前記保護膜上に形成する第６の工
程と、 を備えたことを特徴とする電極基板の製造方法。 - 【請求項２】透明基板上に形成された能動素子及び配線
を保護する保護膜を形成するための第１の感光性有機樹
脂膜を覆って形成する第１の工程と、 前記透明基板と共に液晶表示素子の液晶セルを構成する
予定の他の透明基板と前記透明基板との基板間隔を設定
し保持する支持部材を形成するための第２の感光性有機
樹脂膜を前記第１の感光性有機樹脂膜上に形成する第２
の工程と、 前記能動素子により駆動される画素電極が電気的に接続
される前記能動素子の画素電極接続用電極上に開口部を
有する前記保護膜と、前記支持部材とを形成するため
に、光透過率の異なる複数の領域を有するマスクを用い
て、前記第１及び第２の感光性有機樹脂膜の所定領域を
選択的かつ同時に露光する第３の工程と、 前記第１及び第２の感光性有機樹脂膜を同時に現像し、
前記支持部材と、前記画素電極接続用電極上に開口部を
有する前記保護膜とを同時に形成する第４の工程と、 前記開口部を通して前記画素電極接続用電極に電気的に
接続された画素電極を前記保護膜上に形成する第５の工
程と、 を備えたことを特徴とする電極基板の製造方法。 - 【請求項３】透明基板上に形成された能動素子及び配線
を保護する保護膜と、前記透明基板と共に液晶表示素子
の液晶セルを構成する予定の他の透明基板と前記透明基
板との基板間隔を設定し保持する支持部材とを形成する
ための感光性有機樹脂膜を前記透明基板上に形成する第
１の工程と、 前記支持部材を形成するために、光透過率の異なる複数
の領域を有する第１のマスクを用いて、前記感光性有機
樹脂膜の上層部の所定領域のみを選択的に露光する第２
の工程と、 前記能動素子により駆動される画素電極が電気的に接続
される前記能動素子の画素電極接続用電極上に開口部を
有する前記保護膜を形成するために、光透過率の異なる
複数の領域を有する第２のマスクを用いて、前記感光性
有機樹脂膜の下層部の所定領域を選択的に露光する第３
の工程と、 前記感光性有機樹脂膜を現像し、前記支持部材と、前記
画素電極接続用電極上に開口部を有する前記保護膜とを
同時に形成する第４の工程と、 前記開口部を通して前記画素電極接続用電極に電気的に
接続された画素電極を前記保護膜上に形成する第５の工
程と、 を備えたことを特徴とする電極基板の製造方法。 - 【請求項４】透明基板上に形成された能動素子及び配線
を保護する保護膜と、前記透明基板と共に液晶表示素子
の液晶セルを構成する予定の他の透明基板と前記透明基
板との基板間隔を設定し保持する支持部材とを形成する
ための感光性有機樹脂膜を前記透明基板上に形成する第
１の工程と、 前記能動素子により駆動される画素電極が電気的に接続
される前記能動素子の画素電極接続用電極上に開口部を
有する前記保護膜と、前記支持部材とを形成するため
に、光透過率の異なる複数の領域を有するマスクを用い
て、前記感光性有機樹脂膜の上層部及び下層部の所定領
域を選択的に露光する第２の工程と、 前記感光性有機樹脂膜を現像し、前記支持部材と、前記
画素電極接続用電極上に開口部を有する前記保護膜とを
同時に形成する第３の工程と、 前記開口部を通して前記画素電極接続用電極に電気的に
接続された画素電極を前記保護膜上に形成する第４の工
程と、 を備えたことを特徴とする電極基板の製造方法。 - 【請求項５】請求項１乃至４のいずれかに記載の電極基
板の製造方法において、前記支持部材及び保護膜は、配
向膜の一部又は全部をなすものであることを特徴とする
電極基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6984097A JPH10268321A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 電極基板の製造方法 |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6984097A JPH10268321A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 電極基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10268321A true JPH10268321A (ja) | 1998-10-09 |
Family
ID=13414413
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6984097A Abandoned JPH10268321A (ja) | 1997-03-24 | 1997-03-24 | 電極基板の製造方法 |
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| JP (1) | JPH10268321A (ja) |
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