JP2021117486A - アライメントマーク付き基板及びアライメントマーク付き基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アライメントマークの読み込み精度を向上させる。【解決手段】アライメントマーク付き基板１１ＡＭは、基板部１１ＧＳＭと、基板部１１ＧＳＭの板面上に成膜される下地膜Ｆ１からなるアライメントマーク５０と、下地膜Ｆ１よりも上層側に成膜される遮光膜Ｆ３からなり少なくとも一部がアライメントマーク５０と重畳するよう配される遮光部５３と、アライメントマーク５０と遮光膜Ｆ３との間に介在するよう配される嵩上げ部５２と、を備える。【選択図】図６

Description

本明細書が開示する技術は、アライメントマーク付き基板及びアライメントマーク付き基板の製造方法に関する。

従来、液晶表示装置の製造方法の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された液晶表示装置の製造方法は、基板に吸光物質を混入した有機材料を主体としたネガ型の感光性レジストの薄層を形成する工程と、有効領域外の所定部分の感光性レジスト薄層をレーザー加工によりアライメントマーク部分を残して除去加工する工程と、感光性レジスト薄層をブラックマトリクスパターンおよびアライメントマーク部分とに対応する開口を有する露光マスクを用いて露光する露光工程と、感光性レジストを現像してアライメントマークおよびブラックマトリクスを形成する工程と、ベーキングしてアライメントマークおよびブラックマトリクスを硬化する工程と、複数のカラーフィルタを形成する工程とを少なくとも含む。

特開平８−３２７９９６号公報

上記した特許文献１に記載された液晶表示装置の製造方法は、有機材料を用いたブラックマトリクス用薄膜に高精度のアライメントマークのパターンを形成することを目的としたものであり、アライメントマークを構成するブラックマトリクスの下地が基板となっている。これに対し、液晶表示装置の構成によっては、ブラックマトリクスの下地に別の膜が存在する場合があり、その場合は、下地膜にアライメントマークのパターンを形成しておき、そのアライメントマークを利用してブラックマトリクス用薄膜をパターニングするためのフォトマスクの位置合わせを行うことになる。しかしながら、ブラックマトリクス用薄膜は、遮光性を有しているため、ブラックマトリクス用薄膜により覆われた下地膜からなるアライメントマークの読み込み精度が低下するおそれがあった。

本願明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、アライメントマークの読み込み精度を向上させることを目的とする。

（１）本願明細書に記載の技術に関わるアライメントマーク付き基板は、基板部と、前記基板部の板面上に成膜される下地膜からなるアライメントマークと、前記下地膜よりも上層側に成膜される遮光膜からなり少なくとも一部が前記アライメントマークと重畳するよう配される遮光部と、前記アライメントマークと前記遮光膜との間に介在するよう配される嵩上げ部と、を備える。

（２）また、上記アライメントマーク付き基板は、上記（１）に加え、前記嵩上げ部は、前記下地膜と前記遮光膜との間に介在するよう配される感光性レジスト膜からなってもよい。

（３）また、上記アライメントマーク付き基板は、上記（２）に加え、前記感光性レジスト膜は、ポジ型とされてもよい。

（４）また、上記アライメントマーク付き基板は、上記（２）に加え、前記感光性レジスト膜は、ネガ型とされてもよい。

（５）また、上記アライメントマーク付き基板は、上記（１）から上記（４）のいずれかに加え、前記遮光部は、前記アライメントマークと重畳するよう配される遮光アライメントマークを有してもよい。

（６）また、上記アライメントマーク付き基板は、上記（５）に加え、前記遮光膜の上層側に成膜されて互いに異なる色を呈する複数の着色膜からなる複数のカラーフィルタを備えており、前記遮光部は、前記複数のカラーフィルタを仕切るよう配されるブラックマトリクスを有してもよい。

（７）また、上記アライメントマーク付き基板は、上記（６）に加え、前記下地膜は、前記遮光膜よりも光反射率が高くされており、前記下地膜からなり前記ブラックマトリクスと重畳するよう配される光反射部を備えてもよい。

（８）また、上記アライメントマーク付き基板は、上記（６）または上記（７）に加え、前記下地膜は、導電性を有しており、前記複数のカラーフィルタと重畳するよう配される複数の画素電極と、前記下地膜からなり前記画素電極に接続される画素配線と、を備えてもよい。

（９）本願明細書に記載の技術に関わるアライメントマーク付き基板の製造方法は、基板部の板面上に下地膜を成膜する下地膜成膜工程と、前記下地膜上に嵩上げ部を形成する嵩上げ部形成工程と、前記嵩上げ部と重畳するよう配されていて前記下地膜からなるアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、前記基板部及び前記嵩上げ部上に遮光膜を成膜する遮光膜成膜工程と、前記遮光膜をパターニングすることで遮光部を形成する遮光部形成工程と、を備える。

（１０）また、上記アライメントマーク付き基板の製造方法は、上記（９）に加え、前記下地膜成膜工程と前記嵩上げ部形成工程との間に行われて前記下地膜上に感光性レジスト膜を成膜するレジスト膜成膜工程を備えており、前記嵩上げ部形成工程では、前記感光性レジスト膜を露光・現像することで前記感光性レジスト膜からなる前記嵩上げ部を形成しており、前記アライメントマーク形成工程では、前記嵩上げ部をマスクとして用いて前記下地膜をエッチングすることで前記アライメントマークを形成してもよい。

（１１）また、上記アライメントマーク付き基板の製造方法は、上記（１０）に加え、前記レジスト膜成膜工程と前記嵩上げ部形成工程との間に行われて前記感光性レジスト膜を焼成する第１焼成工程を備えてもよい。

（１２）また、上記アライメントマーク付き基板の製造方法は、上記（１１）に加え、前記アライメントマーク形成工程と前記遮光膜成膜工程との間に行われて前記嵩上げ部を焼成する第２焼成工程を備えており、前記第１焼成工程での焼成温度が前記第２焼成工程での焼成温度よりも高くてもよい。

（１３）また、上記アライメントマーク付き基板の製造方法は、上記（１０）から上記（１２）のいずれかに加え、前記遮光部形成工程では、前記遮光部が前記アライメントマークと重畳するよう配される遮光アライメントマークを含むよう形成されてもよい。

本願明細書に記載の技術によれば、アライメントマークの読み込み精度を向上させることができる。

実施形態１に係る液晶表示装置の断面図 液晶表示装置を構成する液晶パネルに備わるアレイ基板の表示領域における画素配列を示す平面図 液晶パネルの断面図 液晶パネルに備わる対向基板の表示領域における画素配列を示す平面図 マザー対向基板の角部付近の平面図 マザー対向基板における角部と対向基板を構成する部分とにおける断面図 マザー対向基板の製造方法における下地膜成膜工程にて下地膜を成膜した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法におけるレジスト膜成膜工程にて感光性レジスト膜を成膜した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における嵩上げ部形成工程にてフォトマスクを介して感光性レジスト膜を露光した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における嵩上げ部形成工程にて感光性レジスト膜を現像した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法におけるアライメントマーク形成工程にて下地膜をエッチングしてアライメントマークを形成した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における遮光膜成膜工程にて遮光膜を成膜した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における遮光部形成工程にてフォトマスクを介して遮光膜を露光した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における遮光部形成工程にて嵩上げ部形成工程にて遮光膜を現像した状態を示す図６と同じ部分の断面図 実施形態２に係るマザー対向基板の製造方法におけるレジスト膜成膜工程にて感光性レジスト膜を成膜した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における嵩上げ部形成工程にてフォトマスクを介して感光性レジスト膜を露光した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における嵩上げ部形成工程にて感光性レジスト膜を現像した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における遮光膜成膜工程にて遮光膜を成膜した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における遮光部形成工程にてフォトマスクを介して遮光膜を露光した状態を示す図６と同じ部分の断面図 マザー対向基板の製造方法における遮光部形成工程にて嵩上げ部形成工程にて遮光膜を現像した状態を示す図６と同じ部分の断面図 実施形態３に係る液晶パネルに備わるアレイ基板の表示領域における画素配列を示す平面図 アレイ基板における図２１のＡ−Ａ線断面図 液晶パネルにおける図２１のＢ−Ｂ線断面図 マザーアレイ基板の角部付近の平面図 実施形態４に係るアレイ基板における図２２と同じ部分の断面図 液晶パネルにおける図２３と同じ部分の断面図

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図１４によって説明する。液晶表示装置１０に備わる液晶パネル１１に用いられるアライメントマーク付き基板であるマザー対向基板１１ＡＭについて例示する。なお、各図面の一部にはＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を示しており、各軸方向が各図面で示した方向となるように描かれている。また、上下方向については、図１，図３，図６から図１４を基準とし、且つ同図上側を表側とするとともに同図下側を裏側とする。

先に、液晶表示装置１０の構成について説明する。液晶表示装置１０は、図１に示すように、画像を表示可能な液晶パネル１１と、液晶パネル１１に対して表示に利用するための光を照射する外部光源であるバックライト装置１２と、を少なくとも備える。バックライト装置１２は、液晶パネル１１に対して裏側、つまり表示面側とは反対側に配置され、白色の光を発する光源や光源からの光に光学作用を付与することで面状の光に変換する光学部材などを有する。この光源としては、例えばＬＥＤなどが用いられる。

液晶パネル１１は、図１に示すように、互いに貼り合わせられる一対の基板１１Ａ，１１Ｂと、一対の基板１１Ａ，１１Ｂの間に挟持される液晶層１１Ｃと、液晶層１１Ｃを取り囲んでいて一対の基板１１Ａ，１１Ｂの外周端部の間に介在するシール部１１Ｄと、一対の基板１１Ａ，１１Ｂにおける外面に貼り付けられる一対の偏光板１１Ｅ，１１Ｆと、を備える。一対の基板１１Ａ，１１Ｂのうちの一方がアレイ基板１１Ｂとされ、他方が対向基板１１Ａとされる。そして、本実施形態に係る液晶パネル１１は、アレイ基板１１Ｂが表側、つまりバックライト装置１２側とは反対側に位置し、対向基板１１Ａが裏側、つまりバックライト装置１２側に位置するよう配されている。対向基板１１Ａ及びアレイ基板１１Ｂは、いずれもガラス基板１１ＧＳの内面側に各種の膜が積層形成されてなる。また、液晶パネル１１は、画面の中央側部分が、画像が表示される表示領域ＡＡとされるのに対し、画面の外周端側部分が、表示領域ＡＡを取り囲むよう額縁状をなす非表示領域ＮＡＡとされる。

液晶パネル１１を構成するアレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡに備わる構成について図２及び図３を参照しつつ説明する。アレイ基板１１Ｂのうちの対向基板１１Ａと対向する内面側には、図２に示すように、スイッチング素子であるＴＦＴ１３及び画素電極１４が設けられている。ＴＦＴ１３及び画素電極１４は、複数ずつＸ軸方向及びＹ軸方向に沿って間隔を空けて並んでマトリクス状に設けられている。これらＴＦＴ１３及び画素電極１４の周りには、互いに交差、より詳細にはほぼ直交する複数ずつのゲート配線１６及びソース配線１７が配設されている。ゲート配線１６及びソース配線１７は、いずれも「画素配線」を構成している。ゲート配線１６及びソース配線１７は、絶縁膜を介して異なる層に配される金属膜からなり、絶縁膜によって交差部位間の短絡が避けられている。ゲート配線１６は、Ｘ軸方向に沿って延在するのに対し、ソース配線１７は、Ｙ軸方向に沿って延在している。ゲート配線１６とソース配線１７とがそれぞれＴＦＴ１３のゲート電極とソース領域とに接続され、画素電極１４がＴＦＴ１３のドレイン領域に接続されている。ＴＦＴ１３は、ゲート配線１６及びソース配線１７にそれぞれ供給される各種信号に基づいて駆動され、その駆動に伴って画素電極１４への電位の供給を制御する。画素電極１４は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極膜からなり、平面形状が縦長の長方形状とされていて複数のスリット１４Ａを有している。なお、ゲート配線１６及びソース配線１７を構成する各金属膜の間や、各金属膜と後述する共通電極１５の間や、共通電極１５と画素電極１４との間には、それぞれ絶縁膜ＩＮが介設されており、これらの絶縁膜ＩＮによって絶縁性が担保されている。

アレイ基板１１Ｂの表示領域ＡＡにおける内面側には、全ての画素電極１４と重畳する形で共通電極１５が画素電極１４よりも下層側に形成されている。共通電極１５は、画素電極１４と同様にＩＴＯなどの透明電極膜からなる。共通電極１５には、一定の共通電位が供給されており、表示領域ＡＡのほぼ全域にわたって延在している。画素電極１４が充電されるのに伴って互いに重畳する画素電極１４と共通電極１５との間に電位差が生じると、画素電極１４におけるスリット１４Ａの開口縁と共通電極１５との間には、アレイ基板１１Ｂの板面に沿う成分に加えて、アレイ基板１１Ｂの板面に対する法線方向の成分を含むフリンジ電界（斜め電界）が生じる。従って、このフリンジ電界を利用することで液晶層１１Ｃに含まれる液晶分子の配向状態を制御することができ、この液晶分子の配向状態に基づいて所定の表示がなされる。つまり、本実施形態に係る液晶パネル１１は、動作モードがＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードとされている。

液晶パネル１１を構成する対向基板１１Ａの表示領域ＡＡに備わる構成について図３及び図４を参照しつつ説明する。対向基板１１Ａのうちのアレイ基板１１Ｂと対向する内面側には、図３及び図４に示すように、青色（Ｂ）、緑色（Ｇ）及び赤色（Ｒ）を呈する３色のカラーフィルタ１８が設けられている。３色のカラーフィルタ１８は、特定の色味を呈する着色材料からなる。対向基板１１Ａには、互いに異なる色を呈するカラーフィルタ１８が、ゲート配線１６の延在方向であるＸ軸方向に沿って繰り返し並ぶとともに、それらがソース配線１７の延在方向であるＹ軸方向に沿って延在することで、全体としてストライプ状に配列されている。これらのカラーフィルタ１８は、アレイ基板１１Ｂ側の各画素電極１４と平面に視て重畳する配置とされている。この液晶パネル１１においては、Ｘ軸方向に沿って並ぶＲ，Ｇ，Ｂのカラーフィルタ１８と、各カラーフィルタ１８と対向する３つの画素電極１４と、が３色の画素部ＰＸをそれぞれ構成している。そして、この液晶パネル１１においては、Ｙ軸方向に沿って隣り合うＲ，Ｇ，Ｂの３色の画素部ＰＸによって所定の階調のカラー表示を可能な表示画素が構成されている。

対向基板１１Ａの内面側には、図３及び図４に示すように、ブラックマトリクス１９が設けられている。ブラックマトリクス１９は、例えばカーボンブラックなどの遮光性を有する遮光材料からなる。ブラックマトリクス１９は、表示領域ＡＡにおいてマトリクス状に平面配置された複数の画素部ＰＸの間を仕切るよう平面に視て格子状をなしている。このような構成のブラックマトリクス１９により隣り合う画素部ＰＸの間で行き交おうとする光を遮ることができ、それにより各画素部ＰＸの表示独立性が担保される。ブラックマトリクス１９は、複数ずつのゲート配線１６及びソース配線１７に対して平面に視て重畳するよう配されている。カラーフィルタ１８及びブラックマトリクス１９の上層側（アレイ基板１１Ｂ側）には、対向基板１１Ａのほぼ全域にわたってベタ状に配されるオーバーコート膜２０が設けられている。オーバーコート膜２０は、有機絶縁材料からなる平坦化膜である。このオーバーコート膜２０により、対向基板１１Ａの内面においてカラーフィルタ１８及びブラックマトリクス１９に起因する段差が平坦化されるようになっている。なお、両基板１１Ａ，１１Ｂのうち液晶層１１Ｃに接する最内面には、液晶層１１Ｃに含まれる液晶分子を配向させるための配向膜２１がそれぞれ形成されている。

さらには、対向基板１１Ａの内面側には、図３に示すように、ブラックマトリクス１９に対して下層側、つまりガラス基板１１ＧＳ側に重畳するよう配される光反射部２２が設けられている。光反射部２２は、重畳するブラックマトリクス１９と同様に、平面に視て格子状をなしており、複数ずつのゲート配線１６及びソース配線１７に対して平面に視て重畳するよう配されている。光反射部２２は、例えばアルミニウムなどの金属材料からなり、表面の光反射率がブラックマトリクス１９における表面の光反射率よりも高くなっている。ところで、既述した通り、本実施形態に係る液晶パネル１１は、対向基板１１Ａがバックライト装置１２側に配置されている。このため、バックライト装置１２から照射される光は、対向基板１１Ａを透過した後に液晶層１１Ｃに照射されることになる。このとき、対向基板１１Ａに照射された光がブラックマトリクス１９により吸収されると、その分だけ光の利用効率が低下するおそれがある。その点、上記した光反射部２２は、ブラックマトリクス１９に対して下層側、つまりバックライト装置１２側に重畳するよう配されているから、バックライト装置１２から対向基板１１Ａに照射される光のうちのブラックマトリクス１９へ向かう光を光反射部２２によって効率的に反射してバックライト装置１２側に戻すことができる。バックライト装置１２側に戻された反射光は、バックライト装置１２内にて反射するなどして再び照明光として対向基板１１Ａに向けて照射されて再利用が図られる。これにより、これにより、光の利用効率の向上や低消費電力化を図る上で好適となる。

そして、対向基板１１Ａの内面側には、図３に示すように、上記した光反射部２２とブラックマトリクス１９との間に介在するようＢＭ嵩上げ部２３が設けられている。ＢＭ嵩上げ部２３は、重畳する光反射部２２及びブラックマトリクス１９と同様に、平面に視て格子状をなしており、複数ずつのゲート配線１６及びソース配線１７に対して平面に視て重畳するよう配されている。ＢＭ嵩上げ部２３は、感光性レジスト（フォトレジスト）材料からなり、製造過程で光反射部２２をパターン形成するのに用いられるものである。ブラックマトリクス１９は、ＢＭ嵩上げ部２３の厚さ分、光反射部２２から嵩上げされた状態とされる。

本実施形態に係る液晶パネル１１は以上のような構造であり、続いてその製造方法について説明する。本実施形態に係る液晶パネル１１は、それぞれ別途に製造した対向基板１１Ａ及びアレイ基板１１Ｂを貼り合わせることで製造されている。本実施形態では、対向基板１１Ａ及びアレイ基板１１Ｂの製造に際しては、複数のガラス基板１１ＧＳが板面内に並んで配されてなる基板部であるマザーガラス基板１１ＧＳＭを図示しない各種製造装置により処理するようにしている。本実施形態では、複数の対向基板１１Ａが板面内に並んで配されてなるマザー対向基板１１ＡＭは、図５及び図６において代表して図示されている。図５は、マザー対向基板１１ＡＭの角部付近の平面図である。なお、図５には複数のガラス基板１１ＧＳの外形を実線により図示している。図６は、マザー対向基板１１ＡＭにおける角部と対向基板１１Ａを構成する部分とにおける断面図である。

そして、対向基板１１Ａを製造する際に用いられるマザーガラス基板１１ＧＳＭには、図５及び図６に示すように、マザーガラス基板１１ＧＳＭをフォトマスクＰＭ１などに対してアライメント調整、つまり位置合わせするためのアライメントマーク５０が設けられている。アライメントマーク５０は、マザーガラス基板１１ＧＳＭの板面内において複数のガラス基板１１ＧＳ、つまり複数の対向基板１１Ａとなる領域とは非重畳の配置とされていて、マザーガラス基板１１ＧＳＭにおける角部付近に配されている。アライメントマーク５０は、対向基板１１Ａに備わる光反射部２２と同層に位置していて光反射部２２と同じ金属材料からなる。さらには、マザーガラス基板１１ＧＳＭには、アライメントマーク５０に対して上層側に重畳する形で遮光アライメントマーク５１が設けられている。遮光アライメントマーク５１は、対向基板１１Ａに備わるブラックマトリクス１９と同層に位置していてブラックマトリクス１９と同じ遮光材料からなる。その上で、マザーガラス基板１１ＧＳＭには、アライメントマーク５０と遮光アライメントマーク５１との間に介在する形で配される嵩上げ部５２が設けられている。嵩上げ部５２は、対向基板１１Ａに備わるＢＭ嵩上げ部２３と同層に位置していてＢＭ嵩上げ部２３と同じ感光性レジスト材料からなる。遮光アライメントマーク５１及び嵩上げ部５２は、平面に視た形成範囲がアライメントマーク５０の同形成範囲と一致している。また、マザーガラス基板１１ＧＳＭにおいて同じ遮光材料からなるブラックマトリクス１９及び遮光アライメントマーク５１は、遮光部５３を構成している。従って、遮光部５３は、その一部（遮光アライメントマーク５１）がアライメントマーク５０に対して重畳配置されている、と言える。なお、マザー対向基板１１ＡＭは、マザーガラス基板１１ＧＳＭに対して各種処理が行われた後に分断されるものであり、分断に伴って複数の対向基板１１Ａを取り出すことができる。この分断時には、マザー対向基板１１ＡＭのうちのアライメントマーク５０が形成された領域を含む部分が対向基板１１Ａには含まれずに廃棄等される。以下、液晶パネル１１を構成する対向基板１１Ａの製造方法について詳しく説明する。

対向基板１１Ａの製造に際しては、マザーガラス基板１１ＧＳＭの板面上に下地膜Ｆ１を成膜する下地膜成膜工程と、下地膜Ｆ１上に感光性レジスト膜Ｆ２を成膜するレジスト膜成膜工程と、感光性レジスト膜Ｆ２を焼成する第１焼成工程と、感光性レジスト膜Ｆ２をパターニングして感光性レジスト膜Ｆ２からなる嵩上げ部５２などを形成する嵩上げ部形成工程と、嵩上げ部５２などを利用して下地膜Ｆ１をエッチングしてアライメントマーク５０などを形成するアライメントマーク形成工程と、嵩上げ部５２を焼成する第２焼成工程と、遮光膜Ｆ３を成膜する遮光膜成膜工程と、遮光膜Ｆ３をパターニングして遮光部５３を形成する遮光部形成工程と、を経てマザー対向基板１１ＡＭが得られる。その後、マザーガラス基板１１ＧＳＭ及び遮光部５３上に着色膜Ｆ４を成膜する着色膜成膜工程と、着色膜Ｆ４をパターニングしてカラーフィルタ１８を形成するカラーフィルタ形成工程と、を繰り返し行うことで、３色のカラーフィルタ１８が形成されたマザー対向基板１１ＡＭが得られる。それから、マザーガラス基板１１ＧＳＭを複数のガラス基板１１ＧＳに分割する分断工程を経ることで、複数の対向基板１１Ａが得られる。以下、各工程について図７から図１４を用いて順次に説明する。図７から図１４は、各工程のいずれかに関するマザーガラス基板１１ＧＳＭにおける図６と同じ部分の断面図である。

詳しくは、下地膜成膜工程では、図７に示すように、マザーガラス基板１１ＧＳＭの板面上に、例えばアルミニウムなどの金属材料からなる下地膜Ｆ１が成膜される。成膜された下地膜Ｆ１は、ブラックマトリクス１９を構成する遮光膜Ｆ３に比べると、光反射率が高い光反射膜となっている。続いて、レジスト膜成膜工程では、図８に示すように、下地膜Ｆ１上に、ポジ型の感光性レジスト材料からなる感光性レジスト膜Ｆ２が成膜される。その後、第１焼成工程では、感光性レジスト膜Ｆ２が所定の焼成温度でもって焼成される。第１焼成工程は、嵩上げ部形成工程の前に行われることから、「プリベーク工程」とも呼ばれる。この第１焼成工程での焼成温度は、後述する第２焼成工程での焼成温度よりも高温となっている。これにより、下地膜Ｆ１に対する感光性レジスト膜Ｆ２の密着性が向上する。

嵩上げ部形成工程には、感光性レジスト膜Ｆ２を露光する露光工程と、感光性レジスト膜Ｆ２を現像する現像工程と、が含まれている。このうちの露光工程では、図９に示すように、露光装置及びフォトマスクＰＭ１を用いて感光性レジスト膜Ｆ２の露光が行われる。ここで、フォトマスクＰＭ１について説明する。フォトマスクＰＭ１は、十分に高い透光性を有する透明な基材ＰＭ１Ａと、基材ＰＭ１Ａの板面に形成されて露光装置の光源からの露光光を遮光するとともに部分的な開口ＰＭ１Ｃを有する遮光膜ＰＭ１Ｂと、を備える。フォトマスクＰＭ１は、遮光膜ＰＭ１Ｂの形成範囲が光を遮る遮光領域とされ、開口ＰＭ１Ｃの形成範囲（遮光膜ＰＭ１Ｂの非形成範囲）が光を透過する透過領域とされている。露光工程では、露光装置の光源から発せられた露光光が上記のような構成のフォトマスクＰＭ１を介して感光性レジスト膜Ｆ２に対して照射されることで、感光性レジスト膜Ｆ２の選択的な露光が行われる。本実施形態では、ポジ型の感光性レジスト膜Ｆ２が用いられているので、感光性レジスト膜Ｆ２のうちの露光部分は、次の現像工程で用いられる現像液によって溶解される速度、つまり溶解速度が早いものの、非露光部分については溶解速度が遅くなっている。これに対し、フォトマスクＰＭ１は、遮光膜ＰＭ１Ｂの形成範囲が、光反射部２２及びアライメントマーク５０の形成範囲と一致するパターンを有している。従って、露光工程にて露光された感光性レジスト膜Ｆ２が現像工程にて現像され、露光部分が選択的に除去されると、図１０に示すように、感光性レジスト膜Ｆ２のうちの非露光部分がＢＭ嵩上げ部２３及び嵩上げ部５２となる。以上により、感光性レジスト膜Ｆ２のパターニングがなされてＢＭ嵩上げ部２３及び嵩上げ部５２が形成される。

アライメントマーク形成工程では、ＢＭ嵩上げ部２３及び嵩上げ部５２をマスクとして用いて下地膜Ｆ１がエッチングされる。このとき、図１１に示すように、下地膜Ｆ１のうちのＢＭ嵩上げ部２３及び嵩上げ部５２とは非重畳となる部分、つまり露出部分が選択的に除去され、ＢＭ嵩上げ部２３及び嵩上げ部５２と重畳する部分、つまり被覆部分が選択的に残存する。これにより、下地膜Ｆ１のパターニングがなされて光反射部２２及びアライメントマーク５０が形成される。その後、第２焼成工程では、感光性レジスト膜Ｆ２からなるＢＭ嵩上げ部２３及び嵩上げ部５２が所定（例えば２２０℃以上など）の焼成温度でもって焼成される。第２焼成工程は、嵩上げ部形成工程の後に行われることから、「ポストベーク工程」とも呼ばれる。この第２焼成工程での焼成温度は、上記した第１焼成工程での焼成温度よりも低温となっている。これにより、下地膜Ｆ１からなる光反射部２２及びアライメントマーク５０に対し、感光性レジスト膜Ｆ２からなるＢＭ嵩上げ部２３及び嵩上げ部５２の密着性が向上するとともに、エッチング耐性の向上が図られる。

遮光膜成膜工程では、図１２に示すように、マザーガラス基板１１ＧＳＭ、ＢＭ嵩上げ部２３及び嵩上げ部５２上に、感光性を有する遮光材料、つまりブラックレジスト材料からなる遮光膜Ｆ３が成膜される。感光性を有する遮光膜Ｆ３は、感光性レジスト膜Ｆ２と同様に、ポジ型とされる。続いて行われる遮光部形成工程には、遮光膜Ｆ３を露光する露光工程と、遮光膜Ｆ３を現像する現像工程と、が含まれている。このうちの露光工程では、図１３に示すように、露光装置及びフォトマスクＰＭ１を用いて遮光膜Ｆ３の露光が行われる。ここで用いられるフォトマスクＰＭ１は、上記した嵩上げ部形成工程に含まれる露光工程で用いられるものと同じ遮光領域及び透過領域を有するものである。露光工程では、露光装置の光源から発せられた露光光がフォトマスクＰＭ１を介して感光性を有する遮光膜Ｆ３に対して照射されることで、遮光膜Ｆ３の選択的な露光が行われる。ここで用いられるフォトマスクＰＭ１は、遮光膜ＰＭ１Ｂの形成範囲、つまり遮光領域が、光反射部２２及びアライメントマーク５０に対してそれぞれ重畳するブラックマトリクス１９及び遮光アライメントマーク５１の形成範囲と一致するパターンを有している。従って、露光工程にて露光された遮光膜Ｆ３が現像工程にて現像され、露光部分が選択的に除去されると、図１４に示すように、遮光膜Ｆ３のうちの非露光部分がブラックマトリクス１９及び遮光アライメントマーク５１となる。以上により、遮光膜Ｆ３のパターニングがなされてブラックマトリクス１９及び遮光アライメントマーク５１からなる遮光部５３が形成される。その後、着色膜成膜工程では、図１４の二点鎖線に示されるように、マザーガラス基板１１ＧＳＭ及び遮光部５３上に感光性を有する着色材料、つまりカラーレジスト材料からなる着色膜Ｆ４が成膜される。それからカラーフィルタ形成工程では、着色膜Ｆ４を選択的に露光した後に現像することで、その着色膜Ｆ４からなるカラーフィルタ１８が形成される。この着色膜成膜工程及びカラーフィルタ形成工程を３回繰り返し行うことで、図６に示すように、３色のカラーフィルタ１８が形成される。

ここで、遮光部形成工程について改めて詳しく説明する。遮光部形成工程では、図１３に示すように、露光工程を行う前の段階で、マザーガラス基板１１ＧＳＭをフォトマスクＰＭ１に対して所定の要求精度でもって位置合わせする必要があり、それには下地膜Ｆ１からなるアライメントマーク５０が用いられる。このとき、アライメントマーク５０の読み込み、言い換えると位置情報の取得を行うのであるが、例えばアライメントマーク５０に対してマザーガラス基板１１ＧＳＭ側から光を照射してマザーガラス基板１１ＧＳＭ側を透過した透過光を、反対側、つまり遮光膜Ｆ３側にて受光することで読み込みを行うようにした場合には、アライメントマーク５０が遮光膜Ｆ３により覆われているため、アライメントマーク５０の読み込みが不可能となってしまう。これを避けるには、アライメントマーク５０に対して遮光膜Ｆ３側から光を照射し、遮光膜Ｆ３により反射された反射光を遮光膜Ｆ３側にて受光することで読み込みを行うことが考えられる。このときの読み込み精度は、遮光膜Ｆ３のうちのアライメントマーク５０と重畳する部分による反射光と、他の部分による反射光と、の間に生じる光路差が影響しており、光路差が大きいほど読み込み精度が高い傾向にある。

その点、本実施形態では、アライメントマーク５０と遮光膜Ｆ３との間に嵩上げ部５２が介在するよう配されているので、遮光膜Ｆ３のうち、アライメントマーク５０と重畳する部分は、他の部分よりも嵩上げ部５２の厚みの分だけ嵩上げされた状態となっている。従って、アライメントマーク５０の読み取りに際してアライメントマーク５０に対して遮光膜Ｆ３側から光が照射されたとき、遮光膜Ｆ３のうち、アライメントマーク５０と重畳する部分の反射光と、他の部分（アライメントマーク５０とは非重畳となる部分）の反射光と、には、嵩上げ分に対応する大きな光路差が生じる。すなわち、仮に嵩上げ部が非形成の場合における反射光の光路差は、アライメントマーク５０の厚み分に対応したものとなるのに対し、本実施形態では、反射光の光路差は、アライメントマーク５０の厚み分に加えて嵩上げ部５２の厚みの分に対応したものとなって相対的に大きくなっている。これにより、アライメントマーク５０の読み込み精度が高くなることから、マザーガラス基板１１ＧＳＭをフォトマスクＰＭ１に対して十分に高い精度でもって位置合わせすることができる。以上により、遮光膜Ｆ３を高い精度でもってパターニングすることができ、形成される遮光部５３を構成するブラックマトリクス１９及び遮光アライメントマーク５１の位置精度が向上する。ブラックマトリクス１９の位置精度が向上すれば、ブラックマトリクス１９によって複数のカラーフィルタ１８が高い位置精度でもって仕切られることになり、それにより複数のカラーフィルタ１８の透過光に混色などが生じ難くなる。

しかも、嵩上げ部５２は、下地膜Ｆ１をパターニングするために用いられる感光性レジスト膜Ｆ２を利用して形成されているから、感光性レジスト膜Ｆ２を除去するための工程（例えばアッシング工程）が不要になるのに加えて、嵩上げ部５２を構成する膜を新規に追加する必要がない。これにより、工程数などの削減を図ることができる。また、感光性レジスト膜Ｆ２は、ポジ型とされているので、ネガ型の感光性レジスト膜に比べると、下地膜Ｆ１を高い解像度でパターニングすることができる。

また、カラーフィルタ形成工程では、露光工程を行う前の段階で、マザーガラス基板１１ＧＳＭをフォトマスクＰＭ１に対して所定の要求精度でもって位置合わせする必要があり、それには遮光膜Ｆ３からなる遮光アライメントマーク５１が用いられる。この遮光アライメントマーク５１は、上記した遮光部形成工程にて高い位置精度でもって形成されており、アライメントマーク５０及び嵩上げ部５２に対して殆ど位置ずれすることなく重畳配置されているから、カラーフィルタ形成工程においても、マザーガラス基板１１ＧＳＭをフォトマスクＰＭ１に対して十分に高い精度でもって位置合わせすることができる。これにより、カラーフィルタ１８を高い位置精度でもって形成することができる。

以上説明したように本実施形態のマザー対向基板（アライメントマーク付き基板）１１ＡＭは、マザーガラス基板（基板部）１１ＧＳＭと、マザーガラス基板１１ＧＳＭの板面上に成膜される下地膜Ｆ１からなるアライメントマーク５０と、下地膜Ｆ１よりも上層側に成膜される遮光膜Ｆ３からなり少なくとも一部がアライメントマーク５０と重畳するよう配される遮光部５３と、アライメントマーク５０と遮光膜Ｆ３との間に介在するよう配される嵩上げ部５２と、を備える。

アライメントマーク５０は、マザーガラス基板１１ＧＳＭの板面上に成膜された下地膜Ｆ１をパターニングすることで形成されている。遮光部５３は、下地膜Ｆ１よりも上層側に成膜された遮光膜Ｆ３をパターニングすることで形成されている。この遮光膜Ｆ３のパターニングに際しては、アライメントマーク５０を利用してパターニングのためのフォトマスクＰＭ１を位置合わせするようにする。ここで、下地膜Ｆ１よりも上層側にあってアライメントマーク５０を覆う遮光膜Ｆ３は、遮光性を有しているため、マザーガラス基板１１ＧＳＭ側から照射した光を利用してアライメントマーク５０の位置情報を取得するのが困難となっている。これに対応するには、遮光膜Ｆ３側から光を照射して遮光膜Ｆ３による反射光を利用してアライメントマーク５０の位置情報を取得することが考えられるが、その場合にはアライメントマーク５０の読み込み精度が低くなることが懸念される。

その点、アライメントマーク５０と遮光膜Ｆ３との間には、嵩上げ部５２が介在するよう配されているので、下地膜Ｆ１よりも上層側に成膜された遮光膜Ｆ３のうち、アライメントマーク５０と重畳する部分は、他の部分よりも嵩上げ部５２の厚みの分だけ嵩上げされた状態となっている。従って、アライメントマーク５０の読み込みに利用される遮光膜Ｆ３の反射光のうち、アライメントマーク５０と重畳する部分の反射光と、他の部分の反射光と、には、嵩上げ分に対応する大きな光路差が生じる。この光路差が大きいほどアライメントマーク５０の読み込み精度が高くなることから、嵩上げ部５２によって遮光膜Ｆ３が嵩上げされることで読み込み精度の向上が図られる。以上により、遮光膜Ｆ３を高い精度でもってパターニングすることができ、形成される遮光部５３の位置精度が向上する。

また、嵩上げ部５２は、下地膜Ｆ１と遮光膜Ｆ３との間に介在するよう配される感光性レジスト膜Ｆ２からなる。このようにすれば、下地膜Ｆ１のパターニングは、下地膜Ｆ１上に成膜された感光性レジスト膜Ｆ２を露光・現像することで行われる。下地膜Ｆ１をパターニングするために用いられる感光性レジスト膜Ｆ２を嵩上げ部５２として利用しているので、嵩上げ部５２を構成する膜を新規に追加する必要がない。

また、感光性レジスト膜Ｆ２は、ポジ型とされる。このようにすれば、ネガ型の感光性レジスト膜に比べると、下地膜Ｆ１を高い解像度でパターニングすることができる。

また、遮光部５３は、アライメントマーク５０と重畳するよう配される遮光アライメントマーク５１を有する。このようにすれば、遮光膜Ｆ３が高い精度でもってパターニングされることで、アライメントマーク５０に対して遮光アライメントマーク５１が高い位置精度でもって重畳するよう配される。

また、遮光膜Ｆ３の上層側に成膜されて互いに異なる色を呈する複数の着色膜Ｆ４からなる複数のカラーフィルタ１８を備えており、遮光部５３は、複数のカラーフィルタ１８を仕切るよう配されるブラックマトリクス１９を有する。このようにすれば、遮光膜Ｆ３が高い精度でもってパターニングされることで、ブラックマトリクス１９が高い位置精度でもって複数のカラーフィルタ１８を仕切るよう配される。これにより、ブラックマトリクス１９により仕切られる複数のカラーフィルタ１８の透過光に混色が生じ難くなる。カラーフィルタ１８は、遮光膜Ｆ３上に成膜された着色膜Ｆ４をパターニングすることで形成されている。この着色膜Ｆ４のパターニングに際しては、遮光アライメントマーク５１を利用してパターニングのためのフォトマスクＰＭ１が位置合わせされるので、カラーフィルタ１８を高い位置精度でもって形成することができる。

また、下地膜Ｆ１は、遮光膜Ｆ３よりも光反射率が高くされており、下地膜Ｆ１からなりブラックマトリクス１９と重畳するよう配される光反射部２２を備える。このようにすれば、マザーガラス基板１１ＧＳＭ側から光が照射されたとき、その光をブラックマトリクス１９と重畳する光反射部２２によって効率的に反射することができる。従って、例えば当該マザー対向基板１１ＡＭの少なくとも一部を、液晶パネル１１を構成する一対の基板１１Ａ，１１Ｂのうちのバックライト装置１２側に位置する基板である対向基板１１Ａとして用いるようにすれば、バックライト装置１２から液晶パネル１１に照射される照明光を下地膜Ｆ１からなる光反射部２２によって効率的に反射することができ、その反射光を照明光として再利用することができる。これにより、光の利用効率の向上や低消費電力化を図る上で好適となる。

また、本実施形態に係るマザー対向基板１１ＡＭの製造方法は、マザーガラス基板１１ＧＳＭの板面上に下地膜Ｆ１を成膜する下地膜成膜工程と、下地膜Ｆ１上に嵩上げ部５２を形成する嵩上げ部形成工程と、嵩上げ部５２と重畳するよう配されていて下地膜Ｆ１からなるアライメントマーク５０を形成するアライメントマーク形成工程と、マザーガラス基板１１ＧＳＭ及び嵩上げ部５２上に遮光膜Ｆ３を成膜する遮光膜成膜工程と、遮光膜Ｆ３をパターニングすることで遮光部５３を形成する遮光部形成工程と、を備える。

下地膜成膜工程が行われると、マザーガラス基板１１ＧＳＭの板面上に下地膜Ｆ１が成膜される。嵩上げ部形成工程が行われると、下地膜Ｆ１上に嵩上げ部５２が形成される。アライメントマーク形成工程が行われると、嵩上げ部５２と重畳するよう配されていて下地膜Ｆ１からなるアライメントマーク５０が形成される。遮光膜成膜工程が行われると、マザーガラス基板１１ＧＳＭ及び嵩上げ部５２上に遮光膜Ｆ３が成膜される。遮光部形成工程が行われると、遮光膜Ｆ３がパターニングされることで遮光部５３が形成される。

ところで、遮光部形成工程における遮光膜Ｆ３のパターニングに際しては、アライメントマーク５０を利用してパターニングのためのフォトマスクＰＭ１を位置合わせするようにする。ここで、下地膜Ｆ１よりも上層側にあってアライメントマーク５０を覆う遮光膜Ｆ３は、遮光性を有しているため、マザーガラス基板１１ＧＳＭ側から照射した光を利用してアライメントマーク５０の位置情報を取得するのが困難となっている。これに対応するには、遮光膜Ｆ３側から光を照射して遮光膜Ｆ３による反射光を利用してアライメントマーク５０の位置情報を取得することが考えられるが、その場合にはアライメントマーク５０の読み込み精度が低くなることが懸念される。

その点、遮光膜成膜工程にて成膜された遮光膜Ｆ３のうち、アライメントマーク５０と重畳する部分とアライメントマーク５０との間には、嵩上げ部形成工程にて形成された嵩上げ部５２が介在しているので、遮光膜Ｆ３のうち、アライメントマーク５０と重畳する部分は、他の部分よりも嵩上げ部５２の厚みの分だけ嵩上げされた状態となっている。従って、遮光部形成工程でのアライメントマーク５０の読み込みに利用される遮光膜Ｆ３の反射光のうち、アライメントマーク５０と重畳する部分の反射光と、他の部分の反射光と、には、嵩上げ分に対応する大きな光路差が生じる。この光路差が大きいほどアライメントマーク５０の読み込み精度が高くなることから、嵩上げ部５２によって遮光膜Ｆ３が嵩上げされることで読み込み精度の向上が図られる。以上により、遮光膜Ｆ３を高い精度でもってパターニングすることができ、形成される遮光部５３の位置精度が向上する。

また、下地膜成膜工程と嵩上げ部形成工程との間に行われて下地膜Ｆ１上に感光性レジスト膜Ｆ２を成膜するレジスト膜成膜工程を備えており、嵩上げ部形成工程では、感光性レジスト膜Ｆ２を露光・現像することで感光性レジスト膜Ｆ２からなる嵩上げ部５２を形成しており、アライメントマーク形成工程では、嵩上げ部５２をマスクとして用いて下地膜Ｆ１をエッチングすることでアライメントマーク５０を形成する。このようにすれば、レジスト膜成膜工程が行われると、下地膜Ｆ１上に感光性レジスト膜Ｆ２が成膜される。嵩上げ部形成工程が行われると、感光性レジスト膜Ｆ２が露光・現像されることで感光性レジスト膜Ｆ２のパターニングがなされ、それにより感光性レジスト膜Ｆ２からなる嵩上げ部５２が形成される。続いてアライメントマーク形成工程が行われると、嵩上げ部５２をマスクとして用いて下地膜Ｆ１がエッチングされ、それによりアライメントマーク５０が形成される。このように、下地膜Ｆ１をパターニングするために用いられる感光性レジスト膜Ｆ２を嵩上げ部５２として利用しているので、嵩上げ部５２を構成する膜を成膜などする工程を新規に追加する必要がない。しかも、感光性レジスト膜Ｆ２を剥離する工程が不要となるので、タクトの短縮化を図る上でも好適となる。

また、レジスト膜成膜工程と嵩上げ部形成工程との間に行われて感光性レジスト膜Ｆ２を焼成する第１焼成工程を備える。このようにすれば、第１焼成工程では、感光性レジスト膜Ｆ２が焼成されるので、アライメントマーク５０に対する嵩上げ部５２の密着性が向上する。

また、アライメントマーク形成工程と遮光膜成膜工程との間に行われて嵩上げ部５２を焼成する第２焼成工程を備えており、第１焼成工程での焼成温度が第２焼成工程での焼成温度よりも高い。このようにすれば、第１焼成工程では、第２焼成工程よりも高い焼成温度でもって嵩上げ部５２が焼成される。これにより、アライメントマーク５０に対する嵩上げ部５２の密着性がより向上する。

また、遮光部形成工程では、遮光部５３がアライメントマーク５０と重畳するよう配される遮光アライメントマーク５１を含むよう形成される。このようにすれば、遮光部形成工程では、遮光膜Ｆ３は、アライメントマーク５０と重畳する部分が残存するようパターニングされることで、遮光アライメントマーク５１を含む遮光部５３が形成される。遮光アライメントマーク５１は、アライメントマーク５０に対して高い位置精度でもって重畳するよう配される。

＜実施形態２＞
実施形態２を図１５から図２０によって説明する。この実施形態２では、感光性レジスト膜Ｆ１２を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る感光性レジスト膜Ｆ１２には、ネガ型の感光性レジスト材料が用いられている。ネガ型の感光性レジスト膜Ｆ１２においては、非露光部分が、現像液によって溶解される際の溶解速度が速いものの、露光部分については溶解速度が遅くなっている。図１５に示すように、レジスト膜成膜工程を経て成膜されたネガ型の感光性レジスト膜Ｆ１２は、第１焼成工程を経てプリベークされる。次に行われる遮光部形成工程に含まれる露光工程では、図１６に示されるフォトマスクＰＭ１１が用いられる。このフォトマスクＰＭ１１は、開口ＰＭ１１Ｃの形成範囲が、光反射部１２２及びアライメントマーク１５０の形成範囲と一致するパターンを有している。従って、露光工程にて露光された感光性レジスト膜Ｆ１２が現像工程にて現像され、非露光部分が選択的に除去されると、図１７に示すように、感光性レジスト膜Ｆ１２のうちの露光部分がＢＭ嵩上げ部１２３及び嵩上げ部１５２となる。以上により、感光性レジスト膜Ｆ１２のパターニングがなされてＢＭ嵩上げ部１２３及び嵩上げ部１５２が形成される。

ここで、第１焼成工程において感光性レジスト膜Ｆ１２がプリベークされる際には、焼成温度がポストベーク時の焼成温度よりも高いこともあって、感光性レジスト膜Ｆ１２に「熱ダレ」と呼ばれる加熱に伴う変形が生じるおそれがある。この「熱ダレ」は、感光性レジスト材料が加熱によって高分子化する前の低分子状態における分子量が小さいほど生じ易いことが経験的に分かっている。そして、ネガ型の感光性レジスト材料は、高分子化する前の低分子状態における分子量が、ポジ型の感光性レジスト材料に比べると、大きくなる傾向にある。従って、本実施形態では、第１焼成工程にてネガ型の感光性レジスト膜Ｆ１２がポストベーク時の焼成温度よりも高い焼成温度でプリベークされても、上記した実施形態１に比べて「熱ダレ」が生じ難くなっている。これにより、第１焼成工程を経た感光性レジスト膜Ｆ１２の膜厚は、上記した実施形態１に記載の感光性レジスト膜Ｆ２の膜厚に比べると、大きくなっている。従って、現像工程を経て形成されるＢＭ嵩上げ部１２３及び嵩上げ部１５２における各厚さ寸法が、上記した実施形態１に比べて大きくなっている。

アライメントマーク形成工程では、ＢＭ嵩上げ部１２３及び嵩上げ部１５２をマスクとして用いて下地膜Ｆ１１がエッチングされ、光反射部１２２及びアライメントマーク１５０が形成される。その後、第２焼成工程を経て遮光膜成膜工程が行われると、図１８に示すように、ポジ型の遮光材料からなる遮光膜Ｆ１３が成膜される。続いて行われる遮光部形成工程に含まれる露光工程では、図１９に示すように、上記した実施形態１にて説明したものと同じ遮光領域及び透過領域を有するフォトマスクＰＭ１が用いられる。遮光膜Ｆ１３は、遮光部形成工程の露光工程にてフォトマスクＰＭ１を介して露光された後に遮光部形成工程の現像工程にて現像されると、露光部分が選択的に除去される。これにより、図２０に示すように、ブラックマトリクス１１９及び遮光アライメントマーク１５１が形成される。

上記した遮光部形成工程の露光工程が行われる際には、アライメントマーク１５０の読み込みが行われることで、マザーガラス基板１１１ＧＳＭがフォトマスクＰＭ１１に対して位置合わせされるようになっている。このアライメントマーク１５０に対して上層側に重畳する嵩上げ部１５２は、その膜厚が上記した実施形態１に記載されたものよりも大きくなっている。従って、アライメントマーク１５０の読み取りに際してアライメントマーク１５０に対して遮光膜Ｆ１３側から光が照射されたとき、遮光膜Ｆ１３のうち、アライメントマーク１５０と重畳する部分の反射光と、他の部分の反射光と、には、上記した実施形態１に比べてより大きな光路差が生じる。これにより、アライメントマーク１５０の読み込み精度がより高くなることから、マザーガラス基板１１１ＧＳＭをフォトマスクＰＭ１に対してさらに高い精度でもって位置合わせすることができる。

以上説明したように本実施形態によれば、感光性レジスト膜Ｆ１２は、ネガ型とされる。ネガ型の感光性レジスト膜Ｆ１２は、ポジ型の感光性レジスト膜に比べると、製造過程で加わる熱などの影響によって膜厚が小さくなり難い傾向にある。従って、ネガ型の感光性レジスト膜Ｆ１２からなる嵩上げ部１５２によって遮光膜Ｆ１３のうちのアライメントマーク１５０と重畳する部分が十分に嵩上げされ、それによりアライメントマーク１５０の読み込み精度がより高いものとなる。

＜実施形態３＞
実施形態３を図２１から図２４によって説明する。この実施形態３では、上記した実施形態１から対向基板２１１Ａ及びアレイ基板２１１Ｂの構成を変更したものを示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るアレイ基板２１１Ｂには、図２１に示すように、ゲート配線２１６に並行する容量配線２４が設けられている。容量配線２４は、画素電極２１４を挟み込む２つのゲート配線２１６の中間に位置しており、Ｘ軸方向に沿って並ぶ複数の画素電極２１４をそれぞれ横切っている。容量配線２４は、画素電極２１４との間で静電容量、言い換えると補助容量を形成することで、画素電極２１４に充電された電位を保持することが可能とされる。容量配線２４は、ＴＦＴ２１３を構成するドレイン電極２１３Ｃのうちの画素電極２１４に対する接続部分に対して重畳する配置となっている。なお、図２１には、画素電極２１４の外形を二点鎖線にて図示するとともに、３色のカラーフィルタ２１８の形成範囲を色毎に異なる網掛け状にして図示している。

アレイ基板２１１Ｂには、図２２及び図２３に示すように、カラーフィルタ２１８及びブラックマトリクス２１９が共に設けられている。これに伴い、アレイ基板２１１Ｂに積層形成される各種膜の積層順は、以下の通りとなっている。すなわち、アレイ基板２１１Ｂを構成するガラス基板２１１ＧＳには、下層側（ガラス基板２１１ＧＳ側）から順に、金属膜Ｆ５、ゲート絶縁膜Ｆ６、半導体膜Ｆ７、下地膜Ｆ２１、感光性レジスト膜Ｆ２２、遮光膜Ｆ２３、第１層間絶縁膜Ｆ８、着色膜Ｆ２４、第２層間絶縁膜Ｆ９、透明電極膜Ｆ１０、配向膜２２１、が設けられている。金属膜Ｆ５は、導電性を有する金属材料からなり、ゲート配線２１６及び容量配線２４やＴＦＴ２１３のゲート電極２１３Ａなどを構成する。半導体膜Ｆ７は、酸化物半導体材料やアモルファスシリコンなどからなり、ＴＦＴ２１３のチャネル部２１３Ｄなどを構成する。なお、図２２では、半導体膜Ｆ７が、下層側のＰ層と上層側のｎ^＋層との積層構造とされる場合を一例として図示している。下地膜Ｆ２１は、金属膜Ｆ５と同様に、金属材料からなり、ソース配線２１７やＴＦＴ２１３のソース電極２１３Ｂ及びドレイン電極２１３Ｃやアライメントマーク２５０などを構成する。感光性レジスト膜Ｆ２２は、ポジ型の感光性レジスト材料からなり、ＢＭ嵩上げ部２２３や嵩上げ部などを構成する。遮光膜Ｆ２３は、ポジ型の感光性を有する遮光材料からなり、ブラックマトリクス２１９や遮光アライメントマークなどを構成する。着色層Ｆ２４は、感光性を有する着色材料からなり、カラーフィルタ２１８などを構成する。透明電極膜Ｆ１０は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明電極材料からなり、画素電極２１４などを構成する。ゲート絶縁膜Ｆ６、第１層間絶縁膜Ｆ８及び第２層間絶縁膜Ｆ９は、いずれも無機絶縁材料からなり、積層方向に隣り合う導電膜を絶縁状態に保っている。

一方、対向基板２１１Ａには、図２３に示すように、対向電極２５が設けられている。対向電極２５は、少なくとも表示領域においてベタ状に設けられており、全ての画素電極２１４に対して液晶層２１１Ｃを挟んで対向している。対向電極２５には、基準電位が供給されることで、ＴＦＴ２１３によって充電された画素電極２１４との間に電位差を生じさせる。この電位差に基づいて液晶層２１１Ｃの液晶分子の配向状態が変化し、それにより画素部ＰＸ毎に所定の階調表示を行うことが可能とされる。このように、本実施形態に係る液晶パネル２１１は、表示モードがＶＡ（Vertical Alignment）モードなどとされる。

そして、アレイ基板２１１Ｂを製造する際に用いられるマザーアレイ基板２１１ＢＭには、図２４に示すように、マザーガラス基板２１１ＧＳＭをフォトマスクなどに対して位置合わせするためのアライメントマーク２５０などが設けられている。アライメントマーク２５０は、ソース配線２１７などと同じ下地膜Ｆ２１からなる。なお、アライメントマーク２５０の上層側には、上記した実施形態１と同様に、感光性レジスト膜Ｆ２２からなる嵩上げ部と、遮光膜Ｆ２３からなる遮光アライメントマークと、が積層形成されている。本実施形態では、このアライメントマーク２５０の読み込み精度は、上記した実施形態１と同様に、十分に高いものとなっているので、図２２に示すように、下地膜Ｆ２１からなるソース配線２１７に対して遮光膜Ｆ２３からなるブラックマトリクス２１９が高い位置精度で形成されるようになっている。

以上説明したように本実施形態によれば、下地膜Ｆ２１は、導電性を有しており、複数のカラーフィルタ２１８と重畳するよう配される複数の画素電極２１４と、下地膜Ｆ２１からなり画素電極２１４に接続されるソース配線（画素配線）２１７と、を備える。このようにすれば、画素電極２１４は、ソース配線２１７により供給される信号に基づいて充電される。画素電極２１４の電位に基づいて画素電極２１４と重畳するカラーフィルタ２１８の透過光量を制御可能とされる。アライメントマーク２５０の読み込み精度が向上しているので、下地膜Ｆ２１からなるソース配線２１７に対して遮光膜Ｆ２３からなるブラックマトリクス２１９が高い位置精度で形成される。

＜実施形態４＞
実施形態４を図２５または図２６によって説明する。この実施形態４では、上記した実施形態３からブラックマトリクス３１９の配置などを変更したものを示す。なお、上記した実施形態３と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係るブラックマトリクス３１９は、図２５及び図２６に示すように、アレイ基板３１１Ｂではなく、対向基板３１１Ａに設けられている。ブラックマトリクス３１９は、図２６に示すように、ゲート配線３１６の延在方向であるＸ軸方向に沿って延在する帯状をなしており、ゲート配線３１６に対して重畳するよう配されている。対向基板３１１Ａには、ブラックマトリクス３１９の下層側に重畳するよう、ＢＭ嵩上げ部３２３及び光反射部３２２が設けられている。ＢＭ嵩上げ部３２３及び光反射部３２２は、ブラックマトリクス３１９と同様に、いずれもＸ軸方向に沿って延在する帯状をなしている。また、対向基板３１１Ａには、ブラックマトリクス３１９の上層側で且つ対向電極３２５の下層側にベタ状のオーバーコート膜３２０が設けられていて平坦化が図られている。このような構成の対向基板３１１Ａの製造過程で用いられるマザー対向基板は、上記した実施形態１と同様に、アライメントマーク、嵩上げ部及び遮光アライメントマークを有しており（図５を参照）、上記した実施形態１と同様の作用及び効果を得ることができる。

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

（１）マザー対向基板１１ＡＭやマザーアレイ基板２１１ＢＭにおけるアライメントマーク５０，１５０，２５０の具体的な設置位置、平面形状、設置数などは、適宜に変更可能である。

（２）感光性レジスト膜Ｆ２，Ｆ１２，Ｆ２２からなる嵩上げ部５２，１５２については維持しつつ、ＢＭ嵩上げ部２３，１２３，３２３を除去することも可能である。その場合は、感光性レジスト膜Ｆ２，Ｆ１２，Ｆ２２を露光する際にフォトマスクＰＭ１，ＰＭ１１として半透過領域を有するハーフトーンマスクまたはグレートーンマスクを用いるようにすればよい。

（３）嵩上げ部５２，１５２は、感光性レジスト膜Ｆ２，Ｆ１２，Ｆ２２以外の材料（例えば絶縁材料、半導体膜材料など）により構成されていても構わない。

（４）遮光アライメントマーク５１，１５１を省略することも可能である。

（５）遮光膜Ｆ３，Ｆ１３，Ｆ２３は、非感光性の遮光材料により構成されても構わない。その場合、遮光膜Ｆ３，Ｆ１３，Ｆ２３を成膜した後に感光性レジスト膜を成膜し、その感光性レジスト膜を露光・現像してから遮光膜Ｆ３，Ｆ１３，Ｆ２３をエッチングすることで、遮光膜Ｆ３，Ｆ１３，Ｆ２３のパターニングを行うようにすればよい。

（６）カラーフィルタ１８，２１８は、インクジェット装置により着色材料を塗布することで形成された着色膜Ｆ４，Ｆ２４により構成されていても構わない。その場合、着色膜Ｆ４，Ｆ２４の着色材料は、感光性を有さなくてもよい。

（７）上記した実施形態１，２に記載された構成において、ブラックマトリクス１９，１１９、光反射部２２，１２２及びＢＭ嵩上げ部２３，１２３は、ゲート配線１６とソース配線１７とのいずれか一方に対して重畳するよう帯状に形成されていても構わない。

（８）上記した実施形態２に記載された構成において、遮光膜Ｆ１３の遮光材料は、感光性レジスト膜Ｆ１２と同様に、ネガ型であっても構わない。その場合、嵩上げ部形成工程に含まれる露光工程にて感光性レジスト膜Ｆ１２を露光するのに用いられるものと同じ遮光領域及び透過領域を有するフォトマスクＰＭ１１を用いることが可能となる。

（９）上記した実施形態３に記載された構成において、ブラックマトリクス２１９及びＢＭ嵩上げ部は、ゲート配線２１６とソース配線２１７とのいずれか一方に対して重畳するよう帯状に形成されていても構わない。

（１０）上記した実施形態４に記載された構成において、ブラックマトリクス３１９、光反射部３２２及びＢＭ嵩上げ部３２３は、ソース配線１７，２１７に対して重畳するよう帯状に形成されていたり、ゲート配線３１６及びソース配線の双方に対して重畳するよう格子状に形成されていたりしても構わない。

（１１）上記した実施形態３の変形例として、ブラックマトリクス２１９をアレイ基板１１Ｂ，２１１Ｂ，３１１Ｂに設けた状態に維持した上で、カラーフィルタ２１８を対向基板２１１Ａに設けるようにしても構わない。

（１２）上記した実施形態１，２，４に記載された構成において、対向基板１１Ａ，３１１Ａに設けられた下地膜Ｆ１，Ｆ１１が、光反射部２２，１２２，３２２以外の部位を構成していても構わない。例えば、液晶パネル１１の表示モードがＩＰＳモードの場合に生じる帯電を抑制するための帯電防止部が下地膜Ｆ１，Ｆ１１，により構成されていても構わない。それ以外にも、例えばセミインセル型のタッチパネルパターンを内蔵した液晶パネル１１において、タッチ電極やタッチ配線が下地膜Ｆ１，Ｆ１１により構成されていても構わない。

（１３）下地膜Ｆ１，Ｆ１１，Ｆ２１は、金属材料以外により構成されていても構わない。例えば、実施形態１，２，４のように下地膜Ｆ１，Ｆ１１が光反射部２２，１２２，３２２を構成するのであれば、光の反射性に優れていて金属材料以外からなる膜（例えば誘電体多層膜など）により構成されていても構わない。

（１４）カラーフィルタ１８，２１８は、画素電極１４，２１４と同様にマトリクス状に並ぶ配列となるよう設けられても構わない。

（１５）液晶パネル１１，２１１は、透過型以外にも、反射型や半透過型であっても構わない。反射型の場合は、バックライト装置が不要となる。

（１６）液晶パネル１１，２１１以外の種類の表示パネル（有機ＥＬパネル、ＥＰＤ（マイクロカプセル型電気泳動方式のディスプレイパネル）、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）表示パネルなど）であっても構わない。

１１ＡＭ…マザー対向基板（アライメントマーク付き基板）、１１ＧＳＭ，１１１ＧＳＭ，２１１ＧＳＭ…マザーガラス基板（基板部）、１４，２１４…画素電極、１７，２１７…ソース配線（画素配線）、１８，２１８…カラーフィルタ、１９，１１９，２１９，３１９…ブラックマトリクス、２２，１２２，３２２…光反射部、５０，１５０，２５０…アライメントマーク、５１，１５１…遮光アライメントマーク、５２，１５２…嵩上げ部、５３，２５３…遮光部、Ｆ１，Ｆ１１，Ｆ２１…下地膜、Ｆ２，Ｆ１２，Ｆ２２…感光性レジスト膜、Ｆ３，Ｆ１３，Ｆ２３…遮光膜、Ｆ４，Ｆ２４…着色膜

Claims (13)

1. 基板部と、
   前記基板部の板面上に成膜される下地膜からなるアライメントマークと、
   前記下地膜よりも上層側に成膜される遮光膜からなり少なくとも一部が前記アライメントマークと重畳するよう配される遮光部と、
   前記アライメントマークと前記遮光膜との間に介在するよう配される嵩上げ部と、を備えるアライメントマーク付き基板。
2. 前記嵩上げ部は、前記下地膜と前記遮光膜との間に介在するよう配される感光性レジスト膜からなる請求項１記載のアライメントマーク付き基板。
3. 前記感光性レジスト膜は、ポジ型とされる請求項２記載のアライメントマーク付き基板。
4. 前記感光性レジスト膜は、ネガ型とされる請求項２記載のアライメントマーク付き基板。
5. 前記遮光部は、前記アライメントマークと重畳するよう配される遮光アライメントマークを有する請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のアライメントマーク付き基板。
6. 前記遮光膜の上層側に成膜されて互いに異なる色を呈する複数の着色膜からなる複数のカラーフィルタを備えており、
   前記遮光部は、前記複数のカラーフィルタを仕切るよう配されるブラックマトリクスを有する請求項５記載のアライメントマーク付き基板。
7. 前記下地膜は、前記遮光膜よりも光反射率が高くされており、
   前記下地膜からなり前記ブラックマトリクスと重畳するよう配される光反射部を備える請求項６記載のアライメントマーク付き基板。
8. 前記下地膜は、導電性を有しており、
   前記複数のカラーフィルタと重畳するよう配される複数の画素電極と、
   前記下地膜からなり前記画素電極に接続される画素配線と、を備える請求項６または請求項７記載のアライメントマーク付き基板。
9. 基板部の板面上に下地膜を成膜する下地膜成膜工程と、
   前記下地膜上に嵩上げ部を形成する嵩上げ部形成工程と、
   前記嵩上げ部と重畳するよう配されていて前記下地膜からなるアライメントマークを形成するアライメントマーク形成工程と、
   前記基板部及び前記嵩上げ部上に遮光膜を成膜する遮光膜成膜工程と、
   前記遮光膜をパターニングすることで遮光部を形成する遮光部形成工程と、を備えるアライメントマーク付き基板の製造方法。
10. 前記下地膜成膜工程と前記嵩上げ部形成工程との間に行われて前記下地膜上に感光性レジスト膜を成膜するレジスト膜成膜工程を備えており、
    前記嵩上げ部形成工程では、前記感光性レジスト膜を露光・現像することで前記感光性レジスト膜からなる前記嵩上げ部を形成しており、
    前記アライメントマーク形成工程では、前記嵩上げ部をマスクとして用いて前記下地膜をエッチングすることで前記アライメントマークを形成する請求項９記載のアライメントマーク付き基板の製造方法。
11. 前記レジスト膜成膜工程と前記嵩上げ部形成工程との間に行われて前記感光性レジスト膜を焼成する第１焼成工程を備える請求項１０記載のアライメントマーク付き基板の製造方法。
12. 前記アライメントマーク形成工程と前記遮光膜成膜工程との間に行われて前記嵩上げ部を焼成する第２焼成工程を備えており、
    前記第１焼成工程での焼成温度が前記第２焼成工程での焼成温度よりも高い請求項１１記載のアライメントマーク付き基板の製造方法。
13. 前記遮光部形成工程では、前記遮光部が前記アライメントマークと重畳するよう配される遮光アライメントマークを含むよう形成される請求項１０から請求項１２のいずれか１項に記載のアライメントマーク付き基板の製造方法。

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