KR100334450B1 - 액정표시장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과; TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하는 액정표시장치의 제조방법에 있어서, TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 서로 중첩된 부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법이 제공된다.

Description

액정표시장치 및 그 제조방법{LIQUID CRYSTAL DISPLAY APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD THEREOF}
본 발명은, 다수의 TFT(thin film transistor)를 화소전극과 함께 배열한 액티브매트릭스 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
TFT를 사용한 액정표시장치용의 TFT 어레이 기판의 패터닝 방법에 대해서는, 다음과 같은 2가지 방법이 주로 사용되고 있다:
한가지 방법은, 종래의 대형 마스크를 사용하여, 액정표시장치를 구성하는 표시영역 부분, 및 외부 회로에서 표시영역에 주사신호 및 데이터 신호를 전송하는 배선 부분 또는 대향기판에 전압을 공급하는 트랜스퍼 패드 등을 포함하는 패널 주변 부분에 대해 한번에 노광공정이 행해지는 일괄 노광방식이며,
다른 방법은, 표시영역 및 패널 주변 부분을 복수의 소형 마스크로 분할하고, 어레이 기판 위를 반복하여 이동하면서 노광하는 분할노광 방식이다.
일괄 노광방식의 중요한 특징은, 대형 마스크 제작시의 패턴 묘화방식에서 전자 빔 또는 레이저빔이 직접적으로 패턴을 묘화하기 위해 사용되기 때문에, 어레이 기판 상의 패턴에 경계선이 생기지 않는다는 점이지만. 마스크가 대단히 고가인 이고 패턴을 용이하게 변경할 수 없다는 결점이 있었다. 이에 반해, 분할노광 방식은, 일괄노광 방식에 비해 저가의 마스크를 사용하고 패턴을 용이하게 변경할 수 있어 널리 사용되고 있지만, 분할된 복수의 마스크로 인해 표시영역에 복수의 경계선을 생긴다고 하는 결점이 있었다.
전술한 것과 같이, 분할노광 방식에서는, 표시영역에 복수의 경계선을 생기기 때문에, 이 경계선의 양측의 패턴 완성 정밀도의 미세한 차이가 표시특성에 악영향을 미쳐, 경계부의 휘도차를 현저하게 하여, 소위 쇼트 얼룩짐(shot unevenness)으로서 시각적으로 인식되는 결과를 초래한다. 더구나, 최근에는, 액정표시장치의 고품질화·고정밀도화에 따라, 종래에 문제가 되지 않았던 미세한 프로세스의 편차에 의한 개구율 변동·도메인의 발생, 및 패널을 모듈에 조립할 때의 계조설정 편차 등이 쇼트 얼룩짐을 강조하는 문제를 일으키고 있다. 이때, 인간의 눈의 시각인식성은 규칙적인 패턴 배치와 휘도차를 인식하는데에 있어서는 매우 민감하지만, 광범위한 범위에 걸쳐 서서히 변화하는 패턴의 인식에 있어서는 비교적 낮다는 것이 잘 알려져 있다. 따라서, 본 발명의 목적은, 이러한 인간의 눈의 시각인식성의 애매함을 이용하여 표시 얼룩짐을 덜 두드러지게 함으로써 액정표시장치의 품질을 향상시키는 동시에, 프로세스 제품의 수율 저하를 일으키는 일 없이, 프로세스의 편차를 흡수하여, 프로세스 마진을 확대하는데 있다.
도 1은 종래의 분할노광 방식이 사용된 경우에 쇼트 경계부를 나타낸 개략적 평면도,
도 2a는 본 발명을 나타낸 개략적 평면도,
도 2b는 도 2a에 있어서의 중첩 영역을 나타낸 평면 설명도,
도 3은 실시예 1에 따른, 어느 한 공정에 관한 TFT 어레이 기판의 쇼트 배치를 나타낸 개략적 평면도,
도 4는 본 발명에 따른 도 3의 쇼트 배치에 필요한 마스크 부분을 나타낸 개략적 평면도,
도 5는 본 발명에 따른 도 3의 쇼트 배치에 필요한 마스크 부분을 나타낸 개략적 평면도,
도 6은 도 3에 있어서의 다중 노광 영역을 나타낸 개략적 평면도,
도 7은 실시예 2에 따른, 어느 한 공정에 관한 TFT 어레이 기판의 쇼트 배치를 나타낸 개략적 평면도,
도 8은 쇼트가 상하좌우 방향으로 서로 인접하게 배치된 경우를 나타낸 개략적 평면도,
도 9는 실시예 3에 따른, 어느 한 공정에 관한 TFT 어레이 기판의 쇼트 배치를 나타낸 개략적 평면도,
도 10은 실시예 7에 따른, 어느 한 공정에 관한 TFT 어레이 기판의 쇼트 배치를 나타낸 개략적 평면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 쇼트 1, 또는 쇼트 1 만에 의해 노광된 영역
2 : 쇼트 2, 또는 쇼트 2 만에 의해 노광된 영역
3 : 쇼트 1, 2의 경계선
5 : 쇼트 3 만에 의해 노광된 영역
6 : 쇼트 4 만에 의해 노광된 영역
7 : 쇼트 1과 쇼트 2에 의한 중첩 영역
8 : 쇼트 1과 쇼트 3에 의한 중첩 영역
9 : 쇼트 2와 쇼트 4에 의한 중첩 영역
10 : 쇼트 3과 쇼트 4에 의한 중첩 영역
11 : 쇼트 1, 2, 3, 4에 의한 중첩 영역
12 : 기타 공정이 쇼트 1에 의해, 적용공정이 쇼트 1 또는 쇼트 2에 의해 노광된 영역
13 : 기타 공정이 쇼트 2에 의해, 적용공정이 쇼트 1 또는 쇼트 2에 의해 노광된 영역
14 : 기타 공정이 쇼트 1에 의해, 적용공정이 쇼트 1 또는 쇼트 3에 의해 노광된 영역
15 : 기타 공정이 쇼트 2에 의해, 적용공정이 쇼트 2 또는 쇼트 4에 의해 노광된 영역
16 : 기타 공정이 쇼트 3에 의해, 적용공정이 쇼트 1 또는 쇼트 3에 의해 노광된 영역
17 : 기타 공정이 쇼트 4에 의해, 적용공정이 쇼트 2 또는 쇼트 4에 의해 노광된 영역
18 : 기타 공정이 쇼트 3에 의해, 적용공정이 쇼트 3 또는 쇼트 4에 의해 노광된 영역
19 : 기타 공정이 쇼트 4에 의해, 적용공정이 쇼트 3 또는 쇼트 4에 의해 노광된 영역
20 : 기타 공정이 쇼트 1에 의해, 적용공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3, 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광된 영역
21 : 기타 공정이 쇼트 2에 의해, 적용공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3, 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광된 영역
22 : 기타 공정이 쇼트 3에 의해, 적용공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3, 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광된 영역
23 : 기타 공정이 쇼트 4에 의해, 적용공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3, 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광된 영역
31 : 쇼트 1, 쇼트 2의 중첩 영역
32 : 기타 공정이 쇼트 1에 속하는 영역
33 : 기타 공정이 쇼트 2에 속하는 영역
41 : 기타 공정이 쇼트 1에 속하며, 적용공정이 쇼트 1에 속하는 영역
42 : 기타 공정이 쇼트 1에 속하며, 적용공정이 쇼트 2에 속하는 영역
43 : 기타 공정이 쇼트 2에 속하며, 적용공정이 쇼트 1에 속하는 영역
44 : 기타 공정이 쇼트 2에 속하며, 적용공정이 쇼트 2에 속하는 영역
45 : 중첩 영역 내에서 쇼트 1에 의해 노광된 영역
46 : 중첩 영역 내에서 쇼트 2에 의해 노광된 영역
47 : 중첩 영역 및 인접 영역에서 쇼트 1에 대한 차광패턴
48 : 중첩 영역 및 인접 영역에서 쇼트 2에 대한 차광패턴
49 : 쇼트 1과 쇼트 2가 인접 다중노광된 영역
본 발명의 청구항 1에 따른 액정표시장치의 제조방법은,
(1) 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
(2) TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하는 액정표시장치에 사용되며,
TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 2에 따른 액정표시장치의 제조방법은,
(1) 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
(2) TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하는 액정표시장치에 사용되며,
TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고,
4중의 중첩을 갖는 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성된 것을 특징으로 한다.
본 발명의 청구항 3에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 상기 중첩된 노광영역 내에서, 쇼트가 화소 사이즈를 1 단위로 사용하여 선택되도록 구성된 것이다.
본 발명의 청구항 4에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 상기 중첩된 노광영역 내에서, 쇼트가 난수를 사용하여 선택되도록 구성된 것이다.
본 발명의 청구항 5에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 상기 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트가 차지하는 비율이, 소정의 영역 중 한 개와 이와 다른 쇼트의 타 영역 사이의 경계로부터의 거리에 비례하여 선택되도록 구성된 것이다.
본 발명의 청구항 6에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 상기 중첩된 노광영역이 4mm보다 큰 폭을 갖도록 구성된 것이다.
본 발명의 청구항 7에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 상기 중첩된 노광영역 내에서, 다른 쇼트와 인접하는 쇼트가, 1∼5㎛의 다중노광 영역을 갖도록 구성된 것이다.
본 발명의 청구항 8에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 어느 한개의 공정에 패터닝 방법으로서 적용되도록 한 것이다.
본 발명의 청구항 9에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 복수의 공정에 적용되고, 중첩 영역 내에서 동일한 쇼트 배치가 상기한 복수의 적용공정 중에서 사용되도록 한 것이다.
본 발명의 청구항 10에 따른 액정표시장치의 제조방법은, 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 복수의 공정에 적용되고, 중첩된 노광영역 내에서 개별적으로 독립된 쇼트 배치가 상기한 적용공정 중에서 사용되도록 한 것이다.
본 발명의 청구항 11에 따른 액정표시장치는, 청구항 1의 제조방법을 사용하여 제조된 것이다.
즉, 본 발명은, 분할노광 방식을 사용하여, 표시영역 내에 명확한 경계선이 형성되지 않도록 하여 휘도차에 대한 시각인식성을 애매하게 하고 있다. 특히, 인접한 복수의 쇼트가 서로 소정 폭 이상의 중첩 영역을 갖고, 중첩 영역은 복수의 쇼트 중 어느 하나에 의해 노광되며, 선택된 상기 쇼트 이외의 쇼트는 마스크 상의 차광패턴에 의해 차광되어, 쇼트의 중복을 방지할 수 있다. 또한, 경계부에 대한 인간의 시각인식성을 더욱 애매한 것으로 하기 위해, 중첩된 영역 내에서 난수를 허용하여 쇼트의 선택을 수행하는 것이 효과적이다.
본 발명과 유사한 아이디어가 대형 마스크 제작방법으로서 대일본인쇄주식회사(Dainippon Insatsu K.K.)에서 제안된 바 있다(일본국 특개평 143513/1990, 일본국 특개평 143514/1990, 일본국 특개평 144535/1990). 이 방법은, 종래에 전자빔, 레이저 빔 등을 사용하는 직접묘화 방식이 대형 마스크의 대면적에 적용될 수 없었던 시대에, 복수의 소형 마스크를 조합하여 대형 마스크 기판을 노광하는 패터닝 방법으로서 사용되고 있었다. 이때, 대형 마스크 제작 패턴으로서 이 방법을 사용한 경우, 대형 마스크 상의 마무리 형상의 차이로 인해 경계선을 덜 두드러지게 하는 것은 가능하지만, 대형 마스크 상의 패턴 사이의 위치관계는 항상 동일하다. 따라서, 이 방법을 사용한 대형 마스크에 의해 제작된 어레이 패턴은 대형 마스크 제작시의 프로세스 상태의 오차를 항상 포함하고 있으며, 이들 오차가 전기적 특성에 대해 바람직하지 않은 것이더라도 그 관계를 바꾸는 것은 불가능하다. 이에 반해, 이 방법이 분할노광 방식에 적용되는 경우에는, 쇼트마다 보정을 하는 것이 가능하기 때문에, 인접한 쇼트 사이의 미묘한 위치관계를 조정함으로써 전기적 특성의 개선이 가능하다. 본 발명은, 이러한 아이디어를 TFT 어레이 기판의 제조방법으로서 전개하여, 이 아이디어를 실제로 TFT 어레이 기판의 제조방법에 적용할 때 당면하는 문제점을 해결하기 위한 것이다.
본 발명의 특징 중에서 한가지는, 본 발명이 적용되는 공정을 자유롭게 선택할 수 있는 것이다. 즉, 본 발명을 사용하는 액정표시장치에 있어서, 어레이 구조 및 구동 시스템에 의해 쇼트 얼룩짐을 일으키기 쉬운 공정을 예측하여, 그러한 공정에만 본 발명을 적용하는 한편, 기타 공정은 종래방법에서와 같이 명확한 경계선을 수행한다. 이에 반해, 복수 공정에 본 발명을 적용하여 쇼트 얼룩짐에 대한 복수의 파라미터를 제공함으로써, 휘도차를 더욱 애매하게 하는 것도 가능하다. 또한, 다른 쇼트가 인접하는 경우에, 그 경계를 따라 다중노광 영역을 설치함으로써, 노광장치 및 마스크의 위치 정밀도의 편차에 기인한 원치않는 패턴의 형성 및 필요한 패턴의 손실을 방지할 수 있다. 본 발명의 작용에 관해, 이하에 설명한다. 설명의 간략화를 위해, 본 발명을 한 개의 공정에만 적용한 경우에 대해 서술한다. 도 1은 종래의 분할노광 방식을 사용한 경우에 쇼트 경계부를 나타낸 개략적 평면도이다.
도 1에 있어서, 도면부호 1은 인접하는 한 개의 쇼트 1, 도면부호 2는 또 다른 인접하는 쇼트, 도면부호 3은 인접하는 쇼트 1과 쇼트 2의 경계선을 나타낸다. 1, 2는 중첩된 영역을 갖고 있지 않기 때문에, 도면부호 3으로 나타낸 것과 같은 명확한 경계가 형성하므로, 마스크 정밀도 및 프로세스의 완료 편차에 의해, 경계(3)의 좌우에서 표시특성에 대한 파라미터가 변하는 경향이 있다.
도 2a는 본 발명을 나타낸 개략적 평면도이다. 도 2a에 있어서, 도면부호 1은 인접한 한개의 쇼트 1, 도면부호 2는 인접한 또 다른 쇼트 2, 도면부호 31은 쇼트 1과 쇼트 2 사이의 중첩 영역을 나타낸다. 도면부호 31로 나타낸 것과 같이, 쇼트 1과 쇼트 2 각각은 소정 폭 이상의 중첩 영역을 갖고, 명확한 경계를 갖지 않는다. 도면부호 32는 적용공정 이외의 공정(이하, 기타 공정이라 칭한다)이 쇼트 1에 속하는 영역을 나타내고, 도면부호 33은 기타 공정이 쇼트 2에 속하는 영역을 나타낸다. 더구나, 본 발명의 작용을 더욱 상세하게 설명하기 위해, 중첩 영역(31)을 도 2b에 확대하여 나타낸다. 도 2b에 있어서, 도면부호 41은 기타 공정이 쇼트 1에 속하며 적용공정이 쇼트 1에 속하는 영역을 나타내고, 도면부호 42는 기타 공정이 쇼트 1에 속하며 적용공정이 쇼트 2에 속하는 영역을 나타낸다. 마찬가지로, 도면부호 43은 기타 공정이 쇼트 2에 속하며 적용공정이 쇼트 1에 속하는 영역을 나타내고, 도면부호 44는 기타 공정이 쇼트 2에 속하며 적용공정이 쇼트 2에 속하는 영역을 나타낸다. 상기한 것과 같이, 본 발명의 적용공정을 한 개의 공정으로 제한한 경우에도, 중첩 영역 내에서 적용공정과 기타 공정 사이에 쇼트의 4가지 조합이 존재하며, 도 2b에 나타낸 것과 같이, 표시특성에 영향을 미치는 4가지 파라미터가 명확한 경계를 이루지 않고 난수적으로 배치되어, 휘도차를 애매한 것으로 하고 있다.
이하, 실시예에 근거하여 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다.
실시예 1
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 한 개의 공정에 관련된 TFT 어레이 기판의 쇼트 배치를 나타낸 개략적 평면도이며, 도 4 및 도 5는 도 3의 배치를 위해 필요한 마스크를 나타낸 개략적 평면도이다. 좌우 방향으로 서로 인접한 쇼트 1 및 쇼트 2 사이에 중첩 영역은 화소 사이즈 쇼트를 1 단위로 사용하여, m행 n열로 구성된다. 이때, 중첩 영역의 폭(n열)을 4mm보다 크게 설정하는 것이, 시각인식성을 애매한 것으로 하는 데 보다 효과적이다.
도 3에 있어서, 도면부호 1은 쇼트 1 만으로 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 2는 쇼트 2 만으로 노광되는 영역을 나타낸다. 도면부호 45는 중첩 영역 내에서 쇼트 1에 의해 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 46은 중첩 영역 내에서 쇼트 2에 의해 노광되는 영역을 나타낸다. m행 n열의 중첩 영역 내의 쇼트 배치에 대해, 이 부분이 쇼트 1 만으로 노광되는 영역 1에 가까이 감에 따라, 그 부분은 쇼트 1에 의해 노광되는 더욱 더 많은 선택된 화소(45)를 포함하며, 이들은 난수를 사용하여 배치된다. 예를 들면, 중첩 영역 내에서 쇼트 1 만으로 노광되는 영역 1에 인접하는 열에서는, mxn/(n+1)에 가장 가까운 정수 (Mn)에 의해 그 수가 표시되는 화소가, 쇼트 1에 의해 노광되는 화소(45)로서 선택된다. 그것에 인접한 열에서는, 그 수가 mx(n-1)/(n+1)에 가장 가까운 정수 (Mn-1) 등으로 표시되므로, 쇼트 1에 의해 노광되는 화소(45)의 수가 줄어들며, 쇼트 2 만으로 노광되는 영역 2에 인접하는 열에서는, mx1/(n+1)에 가장 가까운 정수 (M1)에 의해 그 수가 표시되는 화소가 쇼트 1에 노광되는 화소로서 선택된다. 그 반대로서, 중첩 영역 내의 쇼트 1 만으로 노광되는 영역 1에 가장 가까운 열에서, 쇼트 2에 의해 노광되는 화소(46)의 수는 m-Mn으로 표시되며, 그 부분이 쇼트 2 만으로 노광되는 영역 2에 가까이 감에 따라 그 수가 증가하여, 쇼트 2 만으로 노광되는 영역 2에 가장 가까운 열에서는 그 수가 m-M1으로 표시된다.
바꿔 말하면, 중첩 영역 내에서의 쇼트 1의 비율은, 쇼트 2 만으로 노광되는 영역 2와의 경계로부터의 거리에 비례하여 증가하는 한편, 쇼트 2의 비율은 쇼트 1 만으로 노광되는 영역 1에 대한 경계로부터의 거리에 비례하여 증가하며, 열 내에서의 각각의 화소와 관련된 쇼트의 선택은, 상기한 비율에 근거하여 난수를 사용하여 결정된다. 이와 같은 배치를 사용하는 것에 의해, 쇼트 1 및 쇼트 2가 인간의 눈으로 인식되는 휘도차를 그 쇼트 고유의 파라미터로서 갖고 있더라도, 그 차이는 명확한 경계로서 시각적으로 인식되지 않고, 선택된 화소가 차지하는 비율에 따라 서서히 휘도가 변화되기 때문에, 경계를 애매한 것으로 하여 시각인식되기 어렵게 할 수 있다.
도 4는 쇼트 1을 사용하여 노광할 때에 사용되는 마스크 1의 본 발명이 관한 부분을 나타낸 개략적 평면도이다. 도 4에 있어서, 도면부호 1은 쇼트 1 만으로 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 45는 중첩 영역 내에서 쇼트 1에 의해 노광되는 영역을 나타낸다. 도면부호 47은 중첩 영역 및 인접 영역에서의 쇼트 1에 대한 마스크 1의 차광패턴을 나타낸다. 마찬가지로, 도 5는 쇼트 2를 사용하여 노광할 때 사용되는 마스크 2의 본 발명에 관한 부분을 나타낸 개략적 평면도이다. 도 5에 있어서, 도면부호 2는 쇼트 2 만으로 노광되는 영역을 나타내며, 도면부호 46은 중첩 영역 내에서 쇼트 2에 의해 노광되는 영역을 나타낸다. 도면부호 48은 중첩 영역및 인접 영역에서의 쇼트 2에 대한 마스크 2의 차광패턴을 나타낸다.
중첩 영역 내에서 쇼트 1을 노광 쇼트로 갖는 것으로 선택된 화소에 대응하는 마스크 2 상의 위치는, 차광패턴이 형성되기 때문에 노광되지 않는 것은 물론이다. 마찬가지로, 쇼트 2를 노광 쇼트로갖는 것으로 선택된 화소에 대응하는 마스크 1 상의 위치는, 차광패턴이 형성되기 때문에 노광되지 않는다. 그렇지만, 중첩 영역 내부는 쇼트 1과 쇼트 2가 난수적으로 배치되기 때문에, 쇼트 1에 대한 선택 화소 45의 주위에 쇼트 2에 대한 선택 화소 46이 배치된 경우, 또는, 쇼트 1에 대한 선택 화소 45가 쇼트 2에 대한 선택 화소 46을 둘러싸는 경우가 있을 수 있다.
이와 같은 경우에, 마스크 1의 차광패턴과 마스크 2의 차광패턴 사이에 다중노광 영역이 설치되어 있지 않으면, 마스크 1과 마스크 2의 마무리 정밀도가 다르거나, 어레이 기판 상에서 노출시에 쇼트 1과 쇼트 2의 위치가 미묘하게 어긋나게 되면, 마스크 1을 사용하여 노광되는 쇼트 1과 마스크 2를 사용하여 노광되는 쇼트 2 사이에 불필요한 패턴이 형성되거나, 원래 필요한 패턴이 손실되는 경우가 있다. 이러한 이유로, 마스크 1의 차광 패턴 47과 마스크 2의 차광패턴 48이 인접하는 영역은 1∼5㎛의 서로 오버랩하여 다중노광하는 영역을 갖도록 설계되어, 불필요한 패턴의 형성 또는 필요한 패턴의 손실을 방지할 수 있다.
마스크 1과 마스크 2의 다중노광 영역을 도 6에 굵은 선 49로 나타낸다. 굵은 선으로 표시된 다중노광 영역 49는 쇼트 1과 쇼트 2에 의해 중첩되어 노광되기 때문에, 노광되어야 할 영역에 대해 마스크 1에 있어서도 마스크 2에 있어서도 동일한 패턴이 준비되는 것은 물론이다.
실시예 2
상기한 실시예 1에서는, 좌우 방향으로의 인접 쇼트에 대한 중첩 영역의 설정에 관해 서술하였지만, 평면 상의 상하 방향으로 인접하는 중첩 영역의 설정에 관해서도 실시예 1과 동일한 것이라고 말할 수 있다.
이와 같은 경우에, 상하 방향으로 서로 인접하는 쇼트 1 및 쇼트 2 사이의 중첩 영역은 화소 사이즈를 1 단위로 사용하여, m행 n열로 구성한다. 이때, 중첩 영역의 폭을 4mm보다 크게 설정하는 것이, 시각인식성을 애매한 것으로 하는 데에 보다 효과적이다.
도 7은 실시예 2에 있어서 한 개의 공정의 어레이 기판 쇼트 배치를 개략적으로 나타낸 것이다. 도 7에 있어서, 도면부호 1은 쇼트 1 만으로 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 2는 쇼트 2 만으로 노광되는 영역을 나타낸다. 도면부호 45는 중첩 영역 내에서 쇼트 1에 의해 노광되는 영역을 나타내며, 도면부호 46은 중첩 영역 내에서 쇼트 2에 의해 노광되는 영역을 나타낸다. m행 n열의 중첩 영역 내의 쇼트 배치에 대해, 특정한 부분이 쇼트 1 만으로 노광되는 영역 1에 가까이 감에 따라, 그 부분은 쇼트 1에 의해 노광되는 선택된 화소 45를 더 많이 포함하며, 이들은 난수를 사용하여 배치된다. 예를 들면, 중첩 영역 내에서 쇼트 1 만으로 노광되는 영역 1에 인접한 행에서는, nxm/(m+1)에 가장 가까운 정수 (Nm)에 의해 그 수가 표시되는 화소가, 쇼트 1에 의해 노광되는 화소 45로서 선택된다. 그것에 인접한 행에서는, 그 수가 nx(m-1)/(m+1)에 가장 가까운 정수(Nm-l) 등으로 표시되므로, 쇼트 1에 의해 노광되는 화소 45의 수가 순차적으로 줄어들어, 쇼트 2 만으로 노광되는 영역 2에 인접하는 행에서는, nx1/(m+1)에 가장 가까운 정수 (N1)으로 그 수가 표시되는 화소가 쇼트 1에 의해 노광되는 것으로 선택된다. 그 반대로서, 중첩 영역 내의 쇼트 1 만으로 노광되는 영역 1에 가장 가까운 행에서 쇼트 2에 의해 노광되는 화소 46의 수는 n-Nm으로 표시되고, 특정한 부분이 쇼트 2 만으로 노광되는 영역 2에 가까이 감에 따라 그 수가 증가하여, 쇼트 2 만으로 노광되는 영역 2에 가장 가까운 행에서는 그 수가 n-N1으로 표시된다(이하, 동일한 문장이기 때문에 생략한다).
실시예 3
근래에 요구되는 대면적의 액정표시장치에 있어서, 표시영역을 분할노광 방식을 사용하여 형성하는 경우, 좌우 또는 상하 방향으로의 반복된 프로세서를 사용하여 노광되는 것은 거의 없고, 대부분의 경우에는, 상하 좌우 방향의 2차원의 조합을 사용하여 노광 동작이 수행된다. 이와 같은 조합은, 실시예 1과 2의 조합에 의해 실현가능하지만, 상하 좌우 방향으로의 4중으로 중첩된 영역에 대한 고려가 필요하게 된다.
도 8은, 쇼트가 상하 좌우 방향으로 서로 인접하게 배치된 경우를 나타낸 개략적 평면도이다. 도 8에 있어서, 도면부호 1은 쇼트 1 만으로 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 2는 쇼트 2 만으로 노광되는 영역을 나타내며, 도면부호 5는 쇼트 3 만으로 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 6은 쇼트 4 만으로 노광되는 영역을 나타내며, 도면부호 7은 쇼트 1과 쇼트 2에 의한 중첩 영역을 나타내고, 도면부호 10은 쇼트 3과 쇼트 4에 의한 중첩 영역을 나타낸다. 7, 10의 영역에 대해서는, 실시예 1이 적용될 수 있다. 마찬가지로, 도면부호 8은 쇼트 1과 쇼트 3에 의한 중첩 영역을 나타내며, 도면부호 9는 쇼트 2와 쇼트 4에 의한 중첩 영역을 나타낸다. 8, 9의 영역에 대해서는, 실시예 2가 적용될 수 있다. 여기에서, 도면부호 11은 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3, 쇼트 4의 4중으로 중첩된 영역을 나타내며, 이 영역에 대해서는, 실시예 1 또는 실시예 2 중에서 어느 하나를 적용할 수 있다. 그러나, 실시예 1과 실시예 2를 조합하여, 상하 좌우의 4중으로 중첩되고, 각각의 쇼트로부터의 거리에 따라 선택되는 화소의 수가 변화하도록 중첩된 영역을 난수를 사용하여 배치하는 것도 가능하다. 이들 영역에 대해 실시예 1 또는 실시예 2 중에서 어느 것을 적용한 경우보다도 실시예 1과 실시예 2를 조합하여 사용한 쪽이, 표시특성에 대한 파라미터가 인접한 4개의 쇼트의 정보를 더 효과적으로 반영하여 더욱 복잡해지기 때문에 시각인식성을 더욱 애매한 것으로 할 수 있어, 보다 효과적이다.
전술한 방식을 실시예 3으로서 도 9에 나타낸다. 4중으로 중첩된 영역 내의 쇼트의 선택방법에 관해 이하에서 설명한다. 처음에, 중첩 영역 내의 화소에 대해 실시예 1 및 실시예 2를 따로따로 순차 적용하여 좌우 쇼트와 상하 쇼트 각각에 속하는 것을 선택한다. 즉, 중첩 영역 내의 화소를 좌측 쇼트 또는 우측 쇼트에 속하는 것과 상측 쇼트 또는 하측 쇼트에 속하는 것으로 중복하여 선택한다. 다음에, 각각의 화소를 좌우 쇼트 뿐만 아니라 상하 쇼트의 선택에 근거하여 분류한다. 즉,좌측 쇼트 및 상측 쇼트에 속하는 화소는 쇼트 1에 의해 노광되고, 좌측 쇼트 및 하측 쇼트에 속하는 화소는 쇼트 3에 의해 노광된다. 마찬가지로, 우측 쇼트 및 상측 쇼트에 속하는 화소는 쇼트 2에 의해 노광되고, 우측 쇼트 및 하측 쇼트에 속하는 화소는 쇼트 4에 의해 노광된다. 다른 쇼트의 차광패턴이 서로 인접하여 배치된 영역에 대해, 다중노광 영역의 설정은 실시예 1 및 실시예 2와 동일하게 이루어진다. 따라서, 쇼트 1, 2, 3, 4가 서로 인접하여 배치된 경우를 생각하면, 최대 4중으로 중첩된 다중노광 영역이 설치된다.
더구나, 4중의 중첩 영역 11 내에 4 종류의 쇼트 각각의 비율을 결정하기 위해 다음과 방법을 제안한다. 예를 들면, 쇼트 2의 비율은, 4중 중첩 영역과 쇼트 2의 영역의 경계(대각선 방향으로 좌측 하측)로부터의 거리에 비례하여 0 내지 0.5 의 범위에 있는 값으로 설정된다. 다른 모든 쇼트 1, 3, 4에 대해서도, 동일한 설정이 행해지므로, 중첩 영역 상의 어떤 점에서도 4가지 종류의 쇼트의 비율의 합계는 1로 표시되어, 특정한 부분이 대응하는 쇼트의 영역에 가까이 갈수록 특정한 쇼트의 확률이 직선적으로 증가하는 결과가 얻어진다. 구체예를 나타내면, 여기에서 4중의 중첩 영역을 좌측 하측 정점을 원점으로 하여 한 변이 1로 표시되는 정방형으로 규격화하는 것이 제안된다. 좌표 (0.75, 0.75)에 의해 표시되는 위치에서 쇼트 1, 2, 3, 4의 확률 P1∼P4를 구하면, P1 = 2/8, P2 = 3/8, P3 = 1/8 및 P4 = 2/8이 얻어진다. 이들 확률값의 조합에 근거하여 난수처리를 수행함으로써, 실제로 선택되는 쇼트를 결정할 수 있다.
실시예 4
실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3을 화소전극 형성공정에 적용한 실시예 4를 이하에서 설명한다. 본 발명을 화소전극 공정에 적용한 경우, 드레인 전극과 소스 전극 사이의 기생용량 Cds에 의한 전기 특성의 쇼트 사이의 차이, 및 액정의 배향상태에 의한 도메인 발생의 쇼트 사이의 차이를 억제하는 효과를 얻을 수 있다. 더구나, 화소전극 형성공정과 주사선 형성공정 등과 같은 타 공정과의 사이에서 보조용량을 형성하고 있는 경우, 보조용량의 편차를 애매하게 하는 효과를 얻을 수 있다.
실시예 5
이하에서는, 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3을 주사선 형성공정에 적용한 실시예 5에 대해 설명한다. 주사선 형성공정에 본 발명을 적용한 경우, 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 기생용량 Cgd에 의한 전기 특성의 쇼트간 차이를 억제하는 효과를 얻을 수 있다. 더구나, 주사선 형성공정과 화소전극 형성공정 등과 같은 타 공정과의 사이에서 보조용량을 형성하고 있는 경우, 보조용량의 편차를 애매하게 하는 효과를 얻을 수 있다. 더욱이, 보조용량의 형성방법으로서 공통배선 방식을 채택하는 경우, 공통 보조용량 배선과 소스 배선 사이의 기생용량에 의한 전기 특성의 쇼트간 차이를 억제하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 주사선 형성공정에서 전기적으로 부유상태에 있는 블랙 매트릭스 패턴을 형성하는 경우에, 드레인 전극과 소스 배선 사이의 기생용량 Cds에 의한 전기특성의 쇼트간 차이를 억제하는 효과를 얻을 수 있다.
더구나, 주사선 형성공정이 어레이 기판 상에서의 블랙 매트릭스 패턴 형성공정을 겸하는 경우에, 개구율 변동을 억제하는 효과를 얻을 수 있다.
실시예 6
이하에서는, 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3을 데이터선 형성공정에 적용한 제 6 실시예에 대해 설명한다. 데이터선 형성공정에 본 발명을 적용한 경우, 게이트 전극과 드레인 전극 사이의 기생용량 Cgd에 의한 전기특성의 쇼트간 차이를 억제하는 효과를 얻을 수 있다. 또한, 소스 전극(배선)과 드레인 전극 사이의 기생용량 Cds에 의한 전기특성의 쇼트간 차이를 억제하는 효과를 얻을 수 있다.
실시예 7
이하에서는, 실시예 1, 실시예 2, 실시예 3을 주사선 형성공정, 데이터선 형성공정, 채널 형성공정 및 화소전극 형성공정 중에서 선택된 2가지 공정에 조합하여 적용하고, 중첩 영역 내의 쇼트의 선택방법에 대해, 2가지 공정의 배치가 동일한 난수 배치에 근거를 둔 실시예 7에 대해 설명한다. 적용공정이 1개의 공정인 경우에 비해, 파라미터의 복잡화가 증가하여, 경계 시각인식성을 보다 애매한 것으로 할 수 있다.
도 10은, 실시예 7에 의한 어레이 기판 상의 쇼트 배치를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 10에 있어서, 도면부호 1은 전체 공정에서 쇼트 1 만을 사용하여 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 2는 전체 공정에서 쇼트 2 만을 사용하여 노광되는 영역을 나타내며, 도면부호 5는 전체 공정에서 쇼트 3 만을 사용하여 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 6은 전체 공정에서 쇼트 4 만을 사용하여 노광되는 영역을 나타낸다. 도면부호 12는, 기타 공정이 쇼트 1에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1 또는 쇼트 2 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내고, 도면부호 13은 기타 공정이 쇼트 2에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1 또는 쇼트 2 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내며, 도면부호 14는 기타 공정이 쇼트 1에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1 또는 쇼트 3 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내고, 도면부호 15는 기타 공정이 쇼트 2에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 2 또는 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내며, 도면부호 16은 기타 공정이 쇼트 3에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1 또는 쇼트 3 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내고, 도면부호 17은 기타 공정이 쇼트 4에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 2 또는 쇼트 4 중어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내며, 도면부호 18은 기타 공정이 쇼트 3에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 3 또는 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내고, 도면부호 19는 기타 공정이 쇼트 4에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 3 또는 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타낸다. 도면부호 20은, 기타 공정이 쇼트 1을 겪으며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3, 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내며, 도면부호 21은 기타 공정이 쇼트 2를 겪으며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3 및 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되고 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내고, 도면부호 22는 기타 공정이 쇼트 3을 겪으며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3 및 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되고 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타내고, 도면부호 23은 기타 공정이 쇼트 4를 겪으며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3, 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되고, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 동일한 난수 배치에 근거하여 배치된 영역을 나타낸다.
상기한 조합 공정에 의해 얻어지는 효과는 상기한 실시예 5, 실시예 6 및 실시예 7에 나타낸 효과의 조합이라고 할 수 있다.
실시예 8
이하에서는, 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3을 주사선 형성공정, 데이터선 형성공정, 채널 형성공정 및 화소전극 형성공정 중에서 선택된 2가지 공정을 조합하여 적용하고, 중첩 영역 내의 쇼트의 선택방법에 대해, 2가지 공정의 배치가 각각 독립적으로 난수 배치에 근거한 실시예 8을 설명한다. 선택된 2가지 공정의 쇼트 배치가 동일한 경우에 비해, 중첩 영역 내의 쇼트의 조합의 수가 더 증가하여, 파라미터를 한층 더 복잡하게 하여, 경계에 대한 시각인식성을 보다 애매하게 할 수 있다.
어레이 기판 상의 쇼트 배치에 대한 모식도는 도 6 및 도 10과 동일하지만, 도면부호 1은 전체 공정에서 쇼트 1 만을 사용하여 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 2는 전체 공정에서 쇼트 2 만을 사용하여 노광되는 영역을 나타내며, 도면부호 5는 전체 공정에서 쇼트 3 만을 사용하여 노광되는 영역을 나타내고, 도면부호 6은 전체 공정에서 쇼트 4 만을 사용하여 노광되는 영역이다. 도면부호 12는 기타 공정이 쇼트 1에 의해 노광되며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1 또는 쇼트 2 중 어느 하나에 의해 노광되고, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내고, 도면부호 13은 기타 공정이 쇼트 2에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트1 또는 쇼트 2 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내며, 도면부호 14는 기타 공정이 쇼트 1에 의해 노출되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1 또는 쇼트 3 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내고, 도면부호 15는 기타 공정이 쇼트 2에 의해 노출되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 2 또는 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내며, 도면부호 16은 기타 공정이 쇼트 3에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1 또는 쇼트 3 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내며, 도면부호 17은 기타 공정이 쇼트 4에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 2 또는 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내고, 도면부호 18은 기타 공정이 쇼트 3에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 3 또는 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내며, 도면부호 19는 기타 공정이 쇼트 4에 의해 노광되고 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 3 또는 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타낸다. 도면부호 20은 기타 공정이 쇼트 1을 겪으며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1, 쇼트2 , 쇼트 3 및 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내고, 도면부호 21은 기타 공정이 쇼트 2를 겪으며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3 및 쇼트 4 중에서 어느 하나에 의해 노광되고, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내며, 도면부호 22는 기타 공정이 쇼트 3을 겪으며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3 및 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용하는 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타내고, 도면부호 23은 기타 공정이 쇼트 4를 겪으며 본 발명을 적용하는 2가지 공정이 쇼트 1, 쇼트 2, 쇼트 3 및 쇼트 4 중 어느 하나에 의해 노광되며, 그 선택되는 쇼트가 적용된 2가지 공정에서 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 배치되어 있는 영역을 나타낸다. 상기한 조합 공정에 의해 얻어지는 효과는, 제 5 실시예, 제 6 실시예 및 제 7 실시예에 나타낸 효과의 조합이라고 할 수 있다.
실시예 9
이하에서는, 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3을 주사선 형성공정, 데이터선 형성공정, 채널 형성공정 및 화소전극 형성공정 중에서 선택된 3가지 공정 이상을조합하여 적용하고, 중첩 영역 내의 쇼트의 선택방법에 대해, 적용공정 전부에서 공정의 배치가 동일한 난수 배치에 근거하여 이루어진 실시예를 설명한다. 적용 공정수가 증가함에 따라, 파라미터가 더욱 복잡해져, 경계에 대한 시각인식성을 보다 애매한 것으로 할 수 있다. 더구나, 상기한 조합된 공정에 의해 얻어지는 효과는 실시예 5, 실시예 6, 실시예 7에 나타낸 효과의 조합이라고 할 수 있다.
실시예 10
이하에서는, 실시예 1, 실시예 2 및 실시예 3을 주사선 형성공정, 데이터선 형성공정, 채널 형성공정 및 화소전극 형성공정 중에서 선택된 3가지 공정 이상을 조합하여 적용하고, 중첩 영역 내의 쇼트의 선택방법에 대해, 선택된 공정에서 공정 배치가 각각 독립적으로 난수 배치에 근거하여 이루어진 실시예 10을 설명한다. 선택된 3가지 공정에서 동일한 쇼트 배치가 사용되는 경우에 비해, 중첩 영역 내의 쇼트의 조합이 더욱 증가하여, 파라미터가 한층 더 복잡하게 되어, 경계에 대한 시각인식성을 보다 애매한 것으로 할 수 있다. 더구나, 상기한 조합된 공정에 의해 얻어지는 효과는 실시예 5, 실시예 6 및 실시예 7에 나타낸 효과의 조합이라 할 수 있다.
더욱이, 상기한 실시예는 TFT 어레이 기판에 대한 노광공정을 예로 들어 설명하였지만, 대향기판측의 휘도 불균일을 일으키는 요인을 제거하는데 본 발명을 적용할 수 있으며, 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명의 청구항 1 내지 10에 관한 액정표시장치의 제조방법에 따르면,
(1) 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
(2) TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하는 액정표시장치에 있어서,
TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성된다. 따라서, 분할노광 방식을 사용하더라도, 분할영역에 있는 경계선 근방에서의 휘도 얼룩짐이 눈에 띄지 않은 액정표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 청구항 7에 관한 액정표시장치의 제조방법에 따르면, 상기한 중첩된 영역 내에서의 서로 다른 쇼트 사이의 경계에 불필요한 패턴이 형성되거나, 필요한 패턴이 손실되는 것을 방지하는 액정표시장치를 제공할 수 있다.
본 발명의 청구항 11에 관한 액정표시장치에 따르면, 청구항 1의 방법에 의해 액정표시장치가 제조된다.

Claims (16)

  1. 삭제
  2. 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
    TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하고,
    TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고,
    4중의 중첩을 갖는 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 중첩된 노광영역 내에서, 쇼트가 화소 사이즈를 1 단위로 사용하여 선택되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 중첩된 노광영역 내에서, 쇼트가 난수를 사용하여 선택되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  5. 제 2 항에 있어서,
    상기 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트가 차지하는 비율이, 소정의 영역 중 한 개와 이와 다른 쇼트의 타 영역 사이의 경계로부터의 거리에 비례하여 선택되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  6. 제 2 항에 있어서,
    상기 중첩된 노광영역은 4mm보다 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    상기 중첩된 노광영역 내에서, 다른 쇼트와 인접하는 쇼트는, 1∼5㎛의 다중노광 영역을 갖도록 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  8. 제 2 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 어느 한개의 공정에 패터닝 방법으로서 적용된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  9. 제 2 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 복수의 공정에 적용되고, 중첩 영역 내에서 동일한 쇼트 배치가 상기한 복수의 적용공정 중에서 사용되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  10. 제 2 항에 있어서,
    상기 방법은, 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 복수의 공정에 적용되고, 중첩된 노광영역 내에서 개별적으로 독립된 쇼트 배치가 상기한 적용공정 중에서 사용되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  11. 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
    TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하고,
    TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성되고, 상기 중첩된 노광영역은 4mm보다 큰 폭을 갖는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  12. 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
    TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하고,
    TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성되고, 상기 중첩된 노광영역 내에서, 다른 쇼트와 인접하는 쇼트는, 1∼5㎛의 다중 노광 영역을 갖도록 구성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  13. 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
    TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하고,
    TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성되고, 상기 제조방법은 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 어느 한개의 공정에 패터닝 방법으로서 적용된 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  14. 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
    TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하고,
    TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성되고, 상기 제조방법은 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 복수의 공정에 적용되고, 중첩영역 내에서 동리한 쇼트배치가 상기한 복수의 적용공정 중에서 사용되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  15. 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
    TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하고,
    TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성되고, 상기 제조방법은 상기 주사선 형성공정, 반도체층 형성공정, 데이터선 형성공정, 화소전극 형성공정 중 복수의 공정에 적용되고, 중첩된 노광영역 내에서 개별적으로 독립된 쇼트배치가 상기한 적용공정 중에서 사용되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법.
  16. 투명한 절연성 기판 상에 금속막으로 형성된 복수개의 주사선과, 주사선의 위 또는 아래에 주사선과 교차하도록 절연막에 의해 격리되도록 형성된 복수개의 데이터선과, 상기 주사선과 데이터선 사이의 각 교점에 반도체층으로 형성된 스위칭 소자와, 투명 도전성막으로 형성되고 스위칭 소자와 전기적으로 접속된 화소전극을 갖는 TFT 어레이 기판과,
    TFT 어레이 기판과 대향 기판 사이에 삽입된 액정을 구비한 대향 기판을 포함하고,
    TFT 어레이 기판 상의 패터닝 방법으로서 분할노광 방식을 사용하여, 액정표시장치의 표시영역 내의 인접한 노광영역이 복수개의 쇼트로 분할되는 서로 중첩된 부분을 갖고, 중첩된 노광영역 내에서, 소정의 쇼트 영역에 가까운 부분일수록 소정 쇼트가 다수 분포되도록 쇼트 배치가 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법에 의해 제조된 액정표시장치.
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