TW401524B - Liquid crystal display apparatus and manufacturing method thereof - Google Patents

Description

401524 五、發明說明（1)

[發明背景] 本發明係有關於動態矩陣系統之液晶顯示裝置及其製 造方法，其中很多的TFT(薄膜電晶體）藉由像素電極 (pixel electrode)而排列在一起。 有關在使用TFTs之液晶顯示裝置中為TFT陣列基底佈 線之方法中，主要使用兩種方法： 其中一種為分批式曝光法（batch exposing method) ’其藉由使用傳統的大尺寸光罩將曝光程序同時 應用於構成液晶顯示裝置之顯示區，和包含有用於將掃描 訊號和數據訊號從外部電路傳送至顯示區之配線部份的: 板外圍部份’或用於提供電壓給對立基底之轉換區；和 另一種為分區式曝光法（divisional expQsing method) ’其是當分成複數個小光罩之顯示區和面板外圍 部分在陣列基底上重複位移時，對其進行曝光。 分 出現邊 法中為 方法的 分區式 其輕易 為在顯 如 複數條 中細微 批式曝 界線， 了直接 缺點為 曝光法 變換圖不區上 上所述 的邊界 差異將 光法的 這是因 繪製圖 光罩非 因使用 樣，所 因將光 ，在分 線，所 對顯示 主要特徵 為當製造 樣其使用 常昂責且 較分批式 以已廣泛 罩分割所 區式曝光 以位於邊 特性產生 是在陣 大尺寸 電子束 其圖樣 曝光法 使用； 以會出 法中， 界線雙 不良的 光罩時在圖 或雷射光束 不易修改。 更便宜的光 然而，此方 現複數條的 因為在_示 侧之完工圖 影響，因為 樣上不會 樣繪製方 ;然而此 相反地， 罩和允許 法的缺點 邊界線。 區上出現 樣精密度 此結果將·

五'發明說明（2) 使邊界線上亮度之差異變得很顯著，且在視覺上將其視為 所謂的投射量不均勻（不均勻unevenness)。再者，最近當 改良液晶顯示裝置使其具有高品質和高精密度時，在將2 被組合成組件的同時，傳統顯示裝置中不曾引起任何問題 之孔徑比變量、灰度設定t色域和色散之發生，現在則因 細微的製程色散而導致強調投射量不均勻之問題。在此， 維然已經知道人類眼睛之能見度（visibi 1 ity)在辨識一般 圖樣佈線和亮度差異時是非常高的，但是在辨識大範圍中 遂漸變動之圖樣時卻是很低的。因此，本發明之目的係在 不會導致加工生產之產量降低下，利用人類眼睛之能見度 模糊性（vagueness of visibility)使得顯示不均勻的狀 況變得較不明顯而改睿液晶顯示裝置之品質，且藉由吸收 製程色散而增加處理範圍。 依據本發明申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置的製 造方法，在液晶顯示裝置中使用的包含有： (1) TFT陣列基底’其具有藉由金屬薄膜而形成於透明 絕緣基底上之複數條掃描線、為了可利用絕緣薄膜分割且 以與掃描線交錯之方式形成於掃描線之上或之下的複數條 數據線、藉由半導體層而形成在掃描線和數據線之間的久 交又點之轉換元件、和藉由透明導電薄膜所 接至轉換元件之像素電極；以及 (2) 對立基底，設有插入於TFT陣列和對立基底之間的 液晶；其中因為採用分區式曝光法做為在TFT陣列基底佈 線之方法，所以位於液晶顯示裝置之顯示區内因分割成複.

401524 五、發明說明（3) 數個投射量故相鄰的曝光區中具有相互重疊區，且所以將 投射量配置界定於重疊之曝光區中；其中愈接近特定投射 區之部份易受愈多的特定投射量分配。 依據本發明申請專利範圍第2項之液晶顯示裝置的製 造方法，在液晶顯示裳置中使用的包含有： (1) TFT陣列基底，其具有藉由金屬薄膜而形成於透明 絕緣基底上之複數條掃描線、為了可利用絕緣薄膜分割且 以與掃描線交錯之方式形成於掃描線之上或之下的複數條 數據線、藉由半導體層而形成在掃描線和數據線之間的各 交叉點之轉換元件、和藉由透明導電薄膜所形成且電氣連 接至轉換元件之像素電極；以及 (2) 對立基底，設有插入，TFT陣列和對立墓底之間的 液晶；其中因為採用分區式曝光法做為在TFT陣列基底佈 線之方法，所以位於液晶顯示裝置之顯示區因分割成複 數個投射量故相鄰的曝光區中具有相互重叠區； 其中將投射量配置界定於具有四重重疊之曝光區中； 其中愈接近特定投射區之部份接收愈多的特定投射量分 配。 依據本發明申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置製造 方法，其配置使得可以像素為單位選擇重疊曝光區内之投 射量。 依據本發明申請專利範圍第4項之液晶顯示裝置製造 方法’其配置使-得可利用亂數選擇重養曝光區内之投射

401524 五、發明說明（4) 依據本發明申請專利範圍 方法’其配置使得可以與從位 一”製造 投射量區之間的邊界線距離成正比 内由特定投射量所佔有的比率。之方式選擇重叠曝先區 依據本發明申請專利範圍第6塌 方法，盆在配弟項液晶顯示裝置製造 依據本發明申請專利筘園笛7 s之寬度大於4mni。 古主請專利範圍第7項之液晶顯示裝置製造 方法，其在配置使得重叠曝光區與不同投二置聚遺 量可具有1至5um的重覆曝光區。 又 依據本發明申請專利範圍第8項之液晶 方法，可將其當做佈線方法而廄爾大#4顯裝置製以 ^ m μ > ^ ^ ^ μ 4 應用在形成掃描線、形成半 導體層、形成數據線和形成像素電極等任何一個步驟中。 、依據本發明申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置製造 方法’可將其應用在形成掃描線、开)成半導體層、 據線和形成像素電極之步驟中的複數個步驟，其中在上述 應用步驟中，在重疊曝光區内使用相同的投射量配置。匕 依據本發明申請專利範圍第10項之液晶顯示裝置製造 方法’可將其應用在形成掃描線、形成半導趑層、形成數 據線和形成像素電極之步驟中的複數個步驟，其中在上述 應用步驟中，在重疊曝光區内使用各自獨立的投射量配 圖。 依據本發明申請專利範圍第11項之液晶顯示裝置是利 用-申請專利範圍第1項之方法而製造。 換句話說，本發明當使用分區式曝光法時，藉由避免. 第9頁 C:\Program Files\Patent\310643.ptd 401524 五、發明說明（5) 在顯示區内形成明顯的邊界線而使得亮度差異的能見度變 得很模糊。尤甚者，亦允許複數個相鄰投射量具有相互重 疊區，其每一個的寬度均不少於特定寬度，且此曝光區可 由任何一個投射量曝光，而除了所選擇之投射量外的其他 投射量將藉由光罩上之光遮蔽圖樣而進行光遮蔽，因而可 使其免於重覆投射量。再者，為了使人類對邊界線部份之 能見度變得更含糊，可藉由使用亂數在重疊區内有效地執 行投射量之選擇。 大曰本印刷株式会社（Dainippon Insatsu K.K.)曾提 出類似本發明之概念做為製造大尺寸光罩方法（參考曰本 未審查（Unexamined)公開公報第143514/1990號和日本未 審查公開公報第144535/ 1 990號）。在早為當傳統使用電< 子 束、雷射光束等傳統直接繪圖方法無法應用在大尺寸光罩 之大區域時’可使用此方法做為包含複數個小尺寸光罩所 組成之大尺寸光罩基底曝光之佈線方法。在此，於大光罩 製造圖樣中使用此方法的例子中，雖然可使大光罩上完工 圖形中因差異所造成的邊界線較不明顯’但是大尺寸光罩 上圖樣間之位置關係則總是相同。因此，藉由大尺寸光罩 利用此方法所製造的陣列圖樣在大尺寸光罩形成時其在加 工狀態中總是存有錯誤，且即使這些錯誤對電氣特性而 & ’非理想化的，但其關係是無法改變的。相反地，在將 此方法應用於分區式曝光系統之例子中，因為可為每一個 投射量進行校正，所以-可藉由調整相鄰投射量間之細微位 置關係而改善其電氣特性。本發明將此概念發展為用於

C:\Program FUes\Patent\31〇643.ptd 第10頁 401524 五，發明說明（6) TFT陣列基底之製造方法和解決實際上將此概念應用至TFT 陣列基底之製造方法時所遭遇之問題。 本發明的特性之一為可自由選擇應用本發明之製程 (Pr〇cess)。換句話說.，在使用本發明之液晶顯示裝置 中，雖然在執行其他製程時會留下與傳統方法中相同明顯 的邊界線’但本發明僅可應用於此種製程，此製程因其陣 列結構和驅動系統而可能引起的投射量不均勻是可預測 的。相反地，藉由將本發明應用在複數個製程而為投射量 不均勻提供複數個參數可使得亮度差異較不明顯。再者， 在不同投射量相鄰之例子中，沿著邊界線形成雙重的曝光 區’所以可避免在曝光裝置和光罩中因位置精密度中之色 散而形成不想要之圖樣和失去需要‘之圖樣。下文的說明中 將討論本發明之功能。為了方便說明，下面的說明是以僅 將本發明應用在一個製程為例子。第i圖係顯示當使用傳 統分區式曝光系統時投射量邊界線部份之平面圖。 在第1圖中，參考數字1係表示其中之一的相鄰投射量 1;參考數字2係表示另一個相鄰投射量2 ;參考數字3係顯. 不位於相鄰投射量1和相鄰投射量2之間的邊界線。因為1 和2不具有重疊區，所以形成由參考數字3所顯示之明顯邊 界線·’因此’與顯示特性相關之參數因在光罩精密度和製 程完工中之色散而趨向於在邊界線3之右侧和左側間變 動。 -第2(a)圖係顯示本發明之概念平面圖。在第2(a)圖 中’參考數字1係表示相鄰投射量1的其中之一；參考數字

C:\Program Files\Patent\310643.ptd 第11頁 401524 五、發明說明（7) 2係表示另一個相鄰投射量2 ; 投射昔〒取予係顯不介於相鄰 =的相投鄰射 ^ 度之重：「個均具有不少於特定寬 為非所提供之製程而為另-製程(下文中將 ί =另一製程)是屬於投射量1，而參考數字33係顯示 個£域，在此另一製程是屬於投射量2。再老， =楚，解釋本發明之功能，第2(b)圖係為重疊區31 〃之放大 第2(b)圖中’參考數字41係顯示另一製程是屬於投 射1且應用製程是屬於投射量1之區域，而參考數字42係 顯示另—製程是屬於投射量1且應用製程是屬於投射量2之’ 區域。同理可知，參考數字43係顯示另一製程是屬於投射 量2且應用製程是屬於投射量1之區域，而參考數字44係顯 示另一製程是屬於投射量2且應用製程是屬於投射量2之區 域。如上所述’即使當本發明之應用製程僅限於一個製 程’重疊區内在應用製程和另一製程間亦存在有四種投射 量之組合，且如第2(b)圖中所顯示，對顯示特性有影響之 四個參數是隨機放置的且沒有明顯的邊界線，因而可使得 亮度差異較不明顯。 [圖示之簡要說明] 第1圖係顯示在使用傳統分區式曝光系統的例子中其 投射量邊界線部份的概念平面圖； 第2(a)圖係顯示本發明之概念平面圖； 第2(b)圖係顯示第2(a)圖中之重疊區的平面說明圖；

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五、發明說明（8) 第3圖係顯示依據實施例1之某一步驟有關之打了陣列 基底之投射量配置概念平面圖； 第4圖係顯示依據本發明在第3圖之投射量配置中需有 光罩區的概念平面圖； 第5圖係顯示依據本發明在第3圖之投射量配置中需有 光罩區的概念平面圖； 第6圖係顯示第3圖中之重覆曝光區之概念平面圖； 第7圖係顯示與依據實施例2之某一步驟有關之打了陣 列基底之投射量配置概念平面圖； 第8圖係顯示當將投射量放置成其橫向和縱向均與另 一投射量相鄰時之概念平面圖； 第9圖係顯示與依據實施例3之某一步驟，有關之TFT 列基底之投射量配置概念平面圖； 第1〇圖係顯示與依據實施m之某一步驟有關之 列基底之投射量配置概念平面圖； [符號之簡單說明] 邊界 區域 區域（像素） 粗線 投射量 31 重疊區 ^ 41、42、43、44 區域 45、46 47 ' 48 光遮蔽圖樣 49 [詳細說明] 下文中將更詳細地討論本發明之實施 實施例1 -之某一步雜有關之. 第3圖係顯示與依據本發明實施例

C:\Program Files\Patent\310643.ptd 第13頁 401524 五、發明說明（9) TFT陣列基底之投射量配置概念平面圖，和第4和第5圖係 顯示在進行第3囷之配置時所需要光罩之概念平面圖。在 橫向相鄰之投射量1和投射量2間的重疊區是藉由以像素為 單位之m列和η行投射量所建構成的。在此，最好將重疊區 之寬度（η行）設為大於4mm以便可使能見度變得模糊。 在第3圖中，參考數字1標示僅由投射量1曝光之區 域，和參考數字2標示僅由投射量2曝光之區域。參考數字 45係標示在重疊區内僅由投射量1曝光之區域，而參考數 字46係標示在重疊區内僅由投射量2曝光之區域。有關重 疊區内之m列η行投射量配置，即將要討論的是愈接近只受 投射量1曝光之區域1的部份包含愈多的受投射量1曝光之 選擇像素45，即使他們是利用亂數放置的。舉例而言，重 疊區内與只受投射量1曝光之區域1相鄰之行中，選擇做為 僅受投射量1曝光之像素45的像素個數是以最接近m Χη/ ηΗ)之整數（Μη)表示。在與前述行相鄰之行中，其個數是 以最接近mx(n-l)/(n+l)之整數（Μη-1)表示，以此類推； 因此，只受投射量1曝光之像素45的個數將逐漸遞減，且 在與只受投射量2曝光之區域2相鄰之行中，那些選擇做為 僅受投射量1曝光之像素個數是以最接近m X 1 /( η +1 )之整 數Ml表示。相反地’在重疊區内與僅受投射量1曝光之區 域1是最接近的行中，僅受投射量2曝光之像素46的個數是 以m-Μη表示，.且將討論的是愈接近只受投射量2曝光之區 域2的部份其個數亦增加，且在最靠近只受投射量2曝光之 區域2的行中，其個數是以m-Ml表示

C:\Program Files\Patent\310643.ptd 第14頁 401524 五、發明說明（ίο) 換句話說’重疊區内投射量1之比率是隨著從邊界線 至只受投射量2曝光之區域2的距離而正比增加，而投射量 2之比率是隨著從邊界線至僅受投射量丨曝光之區域的距 離而正比增加，且在行中，與各像素相關之投射量選擇是 依據上述比率由亂數決定的。藉.由此種配置，就算投射量 1和投射量2就人類本身的視覺參數而言具有可由人類眼 睛看到之亮度差異’但此差異並不如明顯邊界線那麼可視 覺辨識的，且因為此亮度是隨著所選擇像素之比率而逐漸 改變，所以可使得邊界線模糊且較不明顯。 第4圖係顯示當藉由投射量1曝光時，與使用本發明之 光罩1相關之部份的概念平面圖。在第4圖中，參考數字1 係標示僅受投射量1曝光之區域i，而參考數字45係標示在 重叠區内僅受投射量1曝光之區域。參考數字47係標示在 重養區和相鄰區域内與投射量}有關之光罩1的光遮蔽圖 樣。以相同方式，第5圓係顯示當藉由投射量2曝光時，與 使用本發明之光罩2相關之部份的概念平面圖。在第5圖 中’參考數字2係標示僅受投射量2曝光之區域2，而參考 數字4 6係標示在重疊區内僅受投射量2曝光之區域。參考 數字48係標示在重疊區和相鄰區域内與投射量2有關之光 罩2的光遮蔽圖樣。 在重疊區内光罩2上與選擇投射量丨做為其曝光投射量 之像素相對應之位置上因為光遮蔽圖樣之形成所以當然不 會曝光。以相同方式，在重疊區内光罩1上與選擇投射量2 做為其曝光投射量之像素相對應之位置上因為光遮蔽圖樣.

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第15頁 401524 五、發明說明（ii) 以當然不會曝光。然而，因為投射量1和投射量2 之於重4區内’所以有可能發生在用於投射量1 ^選擇像素45Μ均是詩投射t2之選料㈣的情 / #或在用於投射量2之選擇像素46周圍均是用於投射量1 之選擇像素4 5的情況。 在此情況下，假如在光罩〗之光遮蔽圖樣和光罩2之 遮蔽囷樣間並沒有提供雙重曝光區，貝有可能因為在光罩 光罩2之間的兀工精密度的差異或因 底上發生投…和投射量2之位置的細微位移，所= 利用光罩1曝光之投射量！和利用光罩2#光之投射量2之 間形成不必要之圖樣或發生必要圖樣之喪失。因此，將光 罩1之光遮蔽圖樣4 7和光罩2之光遮蔽圖樣48設計成具有j =5 uni之雙重曝光區，其是以相互重疊之方式在其相鄰區 域上形成；所以有可能避免不必要圖樣之形成和必要圖 之喪失。 一光罩1和光罩2之雙重曝光區是以第6圖中之粗線49表 不。由粗線4 9所標示之雙重曝光區將接受投射量工和投射 量2雙重曝光；因此針對於此將曝光之區域必須在光罩工和 光罩2中準備相同的圖樣。 實施例2 在上述實施例1中，已針對橫向相鄰投射量進行重疊 區設定之說明，且在此平面上縱向相鄰投射量之重疊區的 設定與實施例1中的是相同的。 在此例子中，縱向相鄰之投射量1和投射量2間的重疊. 第16頁 C:\Program Files\Patent\3l〇643.ptd 401524 五、發明說明（12) 區是以像素為單位之m列和η行之投射量所構成的。在此，， 最好將重4區之寬度設定為大於4 mD1以便使能見度變得模 糊β 第7圖係顯示實施例2中某一步驟之陣列基底的投射量 配置概念圖。在第7圖中，參考數字1係標示係標示僅受投 射量1曝光之區域1，而參考數字2係標示僅受投射量2曝 光之區域2。參考數字45係標示在重疊區内僅受投射量1曝 光之區域而參考數字46係標示在重疊區内僅受投射量2之 區域。有關重疊區内此m列η行之投射量配置，即將要討論 的是愈接近只受投射量1曝光之區域1的部份包含愈多的受 投射量1曝光之選擇像素45，他們是利用亂數放置的。舉 例而言，重疊區内只受投射量1曝光之區域1相鄰之列中， 選擇做為僅受投射量1曝光之像素45的像素個數是以最接 近nxm/(m+l)之整數（Nm)表示。在與前述列相鄰之列中， 其個數是以最接近mX(m-l)/(m+l)之整數（Nm-Ι)表示，以 此類推；因此，只受投射量1曝光之像素45的個數將逐漸 遞減，且在與只受投射量2曝光之區域2相鄰之列中，那些 選擇做為僅受投射量1曝光之像素個數是以最接近η X l/(m+l)之整數Ν1表示。相反地’在重疊區内僅受投射量1 曝光之區域1最接近的列中’受投射量2曝光之像素46的個 數是以n-Nm表示，且將討論的是愈接近只受投射量2曝光 之區域2的部份此個數亦增加，且在最靠近只受投射量2曝 光之區域2的列中’其個數是-以η — Ν1表示。（其他的敘述與 實施例1的相同）

C:\Program Fiies\Patent\310643.ptd 第17頁 401524 五、發明說明（13) 實施例3 在最近已逐漸受重視之大尺寸液晶顯示裝置中’當其 顯示區是藉由使用分區式曝光系統形成時，其曝光操作很 少是藉由在橫向和縱向中使用重覆的製程（process)而實 現的，且在大部份的例子中，其曝光操作是藉由在橫向和 縱向中使用二維組合而實現的。可藉由結合實施例1和實 施例2而達成此組合；但是，其亦同時須考量在橫向和縱 向中之四重重番。 第8圖係顯示將投射量放置成其在橫向和縱向均與另 一投射量相鄰之例子的概念平面圖。在第8圖中，參考數 字1係標示僅由投射量1曝光之區域，參考數字2係標示僅 由投射量2曝光之區域，參考數字5係標示僅由投射量3曝 光之區域，和參考數字6係標示僅由投射量4曝光之區域。 參考數字7係標示由投射量1和投射量2之重疊區，參考數 子10係標示由投射量3和投射量4之重疊區。有關區域7和 10 ’可應用於實施例1。以此相同方法，參考數字8係標示 由投射量1和投射量3之重疊區，參考數字9係標示由投射 量2和投射量4之重疊區。有關區域8和9，可應用於實施例 2 °在此’參考數字11係標示由投射量1、投射量2、投射 量3和投射量4之四重重疊區，且關於此區域，可應用於實 施例1或實施例2。然而，藉由結合實施例丨和實施例2，此 重昼區可藉由使用亂數而配置’所以在橫向和縱向所選擇 像素之個數將隨著與各投射量之距離和四重重叠之狀態而 改變°針對這些區域應用實施例1和實施例2之組合比^別，

401524 五、發明說明（14) 應用實施例1或實施例2將更為有效，因為顯示特性用之參 數將使其更有效地反應四個相鄰投射量之資訊，JL變得更 複雜；因此，可使能見度更模糊。 上述做為實施例3之方法是顯示在第9圖中。下面之說 明將討論四重重4區内投射量之選擇方法。首先，關於重 疊區内之像素’藉由單獨方式連續地應用實施例1和實施 例2各別地選擇那些屬於右和左之投射量及上和下之投射 量。換句話說’以重疊方式在重疊區的像素中選擇那些屬 於左投射量和右投射量，和那些屬於上投射量和下投射 量。其後，依據上和下投射量及左和右投射量之選擇，將 各像素分類。換句話說’屬於左投射量和上投射量的那些 像素是由投射量1曝光，而屬於左投射量和下投射量的那 些像素是由投射量3曝光。以相同方法，屬於右投射量和 上投射量的那些像素是由投射量2曝光，而屬於右投射量 和下投射量的那些像素是由投射量4曝光。有關相鄰放置 有不同投射量之光遮蔽圖樣的區域，利用與實施例1和實 施例2相同之方式進行多重曝光區之設定。因此，將考慮 將投射量1、2、3和4相鄰放置之例子，在此提供具有最大 四重重疊區之多重曝光區。 再者，為了決定在四重重疊區11内之四種投射量每— 個的比率所以提供下列方法。舉例而言，將投射量2之比 率設定在0至0.5範圍内之值，其正比於從四重重叠區之邊 界線（對角左下方）至投射量2區域之距離。有關其他所有 的投射量1、3和4，將進行相同的設定；因此，在重整區

Ι^βΓΓ C:\ProgramFiles\Patent\310643.ptd 第 19 頁 401524 — 丨·· 五、發明說明（15) = 2二=，四種投射量之比率總合為1，所導致的結 射蚤而德^^量之比率隨著所討論位置愈接近相對應投 線性地增加。特殊範例將顯示在下文中：在此，其 重ί區為已標準化之邊長為1的正方形，且將、 俨-夕办*點疋義為原點。當區域内在座標（0.75,0.75 ) :不取得之投射量1、2、3和4的比率為P1至Ρ4 些比率值之细人可批3 8 3 8、和P4 = 2/8。基於這 之投射量。執行亂數處理，所以可決定真正須挑選 货施你14 射9 之說明中將討論實施例4，在此將實施例1、實施 用，、：/二例3應用在像素電極成形製程。當將本發明應 在像素電極成形製程時，可獲得的效果為可 性中因汲極和源極間之卑士雪六览氧特 Π之寄生電谷Cds而引起的投射量和投 而ί: 和可抑制在色域發生中因液晶之排列狀況 2引起之投射量和投射量間之差異。再者，當在像素電極 j形製程和如掃描線成形製程等其他製程間形成輔助電容 奋’可獲得的效果為可使辅助電容中之色散較為不明顯。 J施你I ϋ 下列之說明中將討論實施例5，在此將實施例〗、實施 Ή2和實施例3應用在掃描線成形製程。當將本發明應用 在掃描線成形製程時，可獲得的效果為可抑制電氣特性中 因閘極和汲極間之寄生電容Cgd而引起的投射量和投射量 間之差異。再者，當在掃描線成形製程和如像素電極成形 第20頁 c;^r〇gram Files\Patent\310643.ptd 401524 五、發明說明（16) ------- 製程等其他製程間形成輔助電容時’彳獲得的效 助電容中之色散較為不明顯。再者，當採用共用= 做為輔助電容之成形方法時，其可獲得的效果為可 氣特性中因共用輔助電容接線和源極接線間之寄生 $ 引起的投射量和投射量間之差異。再者，當在掃猫線$ 製程中形成處於電浮接狀態下之黑色矩陣圖樣時，其可^ 得的效果為可抑制電氣特性中因汲極和源極（線）間之寄生 電容Cds而引起的投射量和投射量間之差異。 。 除此之外’當掃描線成形製程亦可做為陣列基底上之 黑色陣列成形製程時，其可獲得的效果為可抑制^徑 變動》 實施例6 下列之說明中將討論實施例6，在此將實施例1、實施 例2、和實施例3應用在數據線成形製程。當將本發明應用 在數據線成形製程時’可獲得的效果為可抑制電氣特性中 因閘極和沒極間之寄生電容Cgd而引起的投射量和投射量 間之差異。其亦可獲得的效果為可抑制電氣特性中因源極 (線）和没極間之寄生電容Cds而引起的投射量和投射量間 之差異。 實施例7 下列之說明中將討論實施例7，在此將實施例1、實施 例2、和實施例3應用於從掃描線成形製程、數據線成形製 程、通道成形製程、和像素電極成形製程、中以混合方式所 選擇的兩種製程，且有關重疊區内投射量之選擇方法，此.

C:\Program Files\Patent\310643.ptd 第 21 頁 4015；4 五、發明說明（17) --- 二種製程之配置是依據相同的亂數配置決定的。當與僅應 用於一個製程的例子相比，其參數變得更加複雜，但確可 位於邊緣時之能見度變得更加模糊。 第10困係顯示實施例7之陣列基底上的投射量配置 圖。 在第10圖中’參考數字1係標示在所有製程中只利用 投射量1曝光之區域；參考數字2係標示在所有製程中只利 用投射量2曝光之區域；參考數字5係標示在所有製程中只 利用投射量3曝光之區域；參考數字6係標示在所有製程中 只利用投射量4曝光之區域；參考數字1 2係標示一個區 域，在此其他製程將接受投射量1曝光，而應用本發明之 二製程則將易受投射量1或投射量2曝光，且在此二應用製 程中是依據相同的亂數配置放置所選擇的投射量；參考數 子13係標示一個區域，在此其他製程將易受投射量2曝 光’而應用本發明之二製程則將易受投射量1或投射量2曝 光’且在此二應用製程中是依據相同的亂數配置放置所選 擇的投射量；參考數字14係標示一個區域，在此其他製程 將易受投射量1曝光，而應用本發明之二製程則將易受投 射量1或投射量3曝光，且在此二應用製程中是依據相同的 亂數配置放置所選擇的投射量；參考數字15係標示一個區 域’在此其他製程將易受投射量2曝光，而應用本發明之 一製程則將易受投射量2或投射量4曝光，且在此二應用製 ，中是依據相同的亂數配置放置所選擇的投射量；參考數 子16係標示一個區域，在此其他製程將易受投射量3曝

401524 五、發明說明（18) 本發明之二製程則將易受投射量i或投射㈣ 了應用製程中是依據相同的亂數配置放置所選 將县兵热扮番，考數字17係標示"'個區域’在此其他製程 ^ ^ 曝光，而應用本發明之二製程則將易受投 或投射量4曝光，且在此二應用製程中是依據相同的 ^數配置放置所選擇的投射量；I考數字18係標示-個區 域制在此其他製程將易受投射量3曝光，而應用本發明之 -製程則將易受投射量3或投射量4曝光，且在此二應用製 ，中是依據相同的亂數配置放置所選擇的投射量；參考數 字19係標示一個區域，在此其他製程將易受投射量4曝 光，而應用本發明之二製程則將易受投射量3或投射量4曝 光，且在此一應用製程中是依據相同的亂數配置放置所選 擇的投射量；參考數字2〇係標示一個區域，在此其他製程 將易受投射量1曝光，而應用本發明之二製程則將易受投 射量1、_投射量2、投射量3或投射量4曝光，且在此二應用 製程中是依據相同的亂數配置放置所選擇的投射量；參考 數字21係標示一個區域，在此其他製程將易受投射量2曝 光，而應用本發明之二製程則將易受投射量〗、投射量2、 投射量3或投射量4曝光，且在此二應用製程中是依據相同 的亂數配置放置所選擇的投射量；參考數字22係標示一個 區域’在此其他製程將易受投射量3曝光，而應用本發明 之二製程則將易受投射量1、投射量2、投射量3或投射量4 曝光’且在此二應用製程中是依據相同的亂數配置放置所 選擇的投射量；和參考數字23係標示_個區域，在此其他

C:\Program Files\Patent\310643.ptd 第23頁 401524 五、發明說明（19) 製程將易受投射量4曝光，而應用本發明之二製程則將易 受投射量1、投射量2、投射量3或投射量4曝光，且在此二 應用製程中是依據相同的亂數配置放置所選擇的投射量》 由上述混合製程所獲得之效果將視為由顯示在實施例 5、實施例6和實施例7中之效果的組合。 實施例8 下列之說明中將討論實施例8，在此將實施例1、實施 例2、和實施例3應用於從掃瞄線成形製程、數據線成形製 程、通道成形製程、和像素電極成形製程中以混合方式所 選擇的兩種製程，且有關重疊區内投射量之選擇方法，此 二種製程之配置是依據各別的亂數配置而決定的。當與具 有相同投射量配、置之兩個選擇製程相比時，重疊區内投射 量組合之數目將更增加’且其參數將變得更加複雜，但確 可於邊界上之能見度變得更加模糊。 陣列基底上投射量配置圖與第6圖辛的相同，且在第 10圖中’參考數字1係標示在所有製程中只利用投射量】曝 光之區域；參考數字2係標示在所有製程中只利用投射量2 曝光之區域，參考數子5係標示在所有製程中只利用投射 量3曝光之區域；和參考數字6係標示在所有製程令只利用 投射量4曝光之區域。參考數字12係標示一個區域在此 其他製程易受投射量1曝光，而應用本發明之二製程 接受投射量1或投射量2曝光，且在此二應用製程中是依 各別的亂數配置分別放置所選擇的投射量；參考數字以 標示一個區域’在此其他製程將接受投射量2曝光而應 第24頁 C:\Program Files\Patent\310643.ptd 401524 五、發明說明（20) 用本發明之二製程則易受投射量丨或投射量2曝光， 二應用製程中是依據各別的亂赵酤警八免丨必要仕此 射番考子係標不一個區域，在此其他製程易受投 量3曝光，且在此二應用製程；ί = f或投射 別放置所選擇的投射量參考中數是字 1據係各裤別一的亂/配置分 个芩數子15係標不一個區域，在 此其他製程易受投射量2曝光，而應用本發明之二 易受投射量2或投射董4曝光，且在此二應用製程中是依】據 各別的亂數配置分別放置所選擇的投射量；參考數字1 6係 標示一個區域，在此其他製程易受投射量3曝光，而應用’、 本發明之二製程則易受投射量1或投射量3曝光，且在此二 應用製程中是依據各別的亂數配置分別放置所選擇的投射 量；參考數字17係標示一個區域，在此其他製程易受投射 量4曝光，而應用本發明之二製程易受投射量2或投射量* 曝光，且在此二應用製程中是依據各別的亂數配置分別放 置所選擇的投射量；參考數字18係標示一個區域，在此盆 他製程易受投射量3曝光，而應用本發明之二製程則易受、 投射量3或投射量4曝光，且在此二應用製程中是依據各別 的亂數配置分別放置所選擇的投射量；和參考數字19係標 示一個區域，在此其他製程易受投射量4曝光，而應用本 發明之一製程易受投射量3或投射量4曝光，且在此二應用 製程中是依據各別的亂數配置分別放置所選擇的投射量。 參考數予20係標示一個區域，在此其他製程易受投射量1 曝光，而應用本發明之二製程易受投射、投射量2、投 Η C:\Program F _ 'iles\Patent\310643 1 ptd 笛百 401524 五、發明說明（21) 射量3或投射量4曝光，且在此二應用製程中是依據各別的 亂數配置分別放置所選擇的投射量；參考數字2丨係標示一 個區域’在此其他製程易受投射量2曝光，而應用本發明 之二製程易接受投射量1、投射量2、投射量3或投射量4曝 光’且在此二應用製程中是依據各別的亂數配置分別放置 所選擇的投射量；參考數字22係標示一個區域，在此其他 製程易受投射量3曝光’而應用本發明之二製程易受投射 量1、投射量2、投射量3或投射量4曝光，且在此二應用製 程中是依據各別的亂數配置分別放置所選擇的投射量；和 參考數字23係標示一個區域，在此其他製程易受投射量4 曝光，而應用本發明之二製程則易受投射量1、投射量2、 投射量3或投射量4曝光，i在此二應用製程中是依據各別 的亂數配置分別放置所選擇的投射量。由上述混合製程所 獲得之效果將視為由顯示在實施例5、實施例6和實施例7 中之效果的組合。 實施例9 下列之說明中將討論實施例9，在此將實施例1、實施 例2、和實施例3應用於從掃描線成形製程、數據線成形製 程、通道成形製程、和像素電極成形製程令以混合方式所 選擇的不少於三種製程，且有關重疊區内投射量之選擇方 法’在所有的製程中其製程的配置是依據相同的亂數配置 決定的。隨著應用製程之數目增加，其參數變得更加複 雜，但確可使位於邊緣上之能見度變得更加含糊。再者， 由上述混合製程所獲得之效果將視為由顯示在實施例5、

C:\Progiam Files\Patent\310643.ptd 第26頁 401524 五、發明說明（22) 實施例6和實施例7中之效果的組合。 實施例1 0 下列之說明中將討論實施例10，在此將實施例1、實 施例2、和實施例3應用於從掃描線成形製程、數據線成形 製程、通道成形製程、和像素電極成形製程中以混合方式 所選擇的不少於三種製程，且有關重疊區内投射量之選擇 方法’在所選擇之製程内是依據各別的亂數配置決定其製 程之配置。當與在所選择之三個製程令均使用相同的投射 量配置相比，重疊區内投射量組合之數目更為增加，其參 數亦將變得更加複雜，但確可使位於邊緣上之能見度變得 更加模糊。再者，由上述混合製程所獲得之效果將視為由 顯示名實施例5、實施例6和實施例7中之效果的組合。 除此之外’上述實施例是以在TFT陣列基底上處理其 曝光製程為例子；然而，亦可為了消除對立基底上由亮度 不均勻所引起之因素而採用本發明，其可獲得相同的效 果。 依據本發明申請專利範圍第1至1〇項之液晶顯示裝置 的製造方法，在液晶顯示裝置中包含有： (l)TFT陣列基底’其具有藉由金屬薄膜而形成於透明 絕緣基底上之複數條掃描線、為了可利用絕緣薄膜分隔且 以與掃描線交錯之方式形成於掃描線之上或之下的複數條 數據線、藉由半導體層而形成在掃描線和數據線各交又點 間之轉換元件、和藉由透明導電薄膜形成且電 換元件之像素電極。 轉

五、發明說明（23) (2)對立基底，提供有插入在tft陣列和對立基底之間 的液晶， 其中因為採用分區式曝光法做為在Tj?T陣列基底佈線 之方法，所以在液晶顯示裝置之顯示區内因分割成複數個 投射量故相鄰的曝光區中具有相互重疊區，且將投射量配 置界定於重疊的曝光區中；其中愈接近特定投射區之部份 易受愈多的特定投射量分配。因此，就算採用分區式曝光 法，所提供之液晶顯示裝置亦可使分割區域内邊界線附近 的亮度不均勻變得較不明顯。 依據本發明申請專利範 方法’所提供之液晶顯示裝 間之邊界線上可避免不必要 失。 圍第7項之液晶顯示裝置製造 置在上述重疊區内不同投射量 圖樣之形成和必要圖樣之喪 ，可 利用項利之範方圍法第:1 造項之液晶顯示裝置

Claims (1)

1. 401524 六、申請專利範圍 公告本

   1. 一種製造液晶顯示裝置之方法，包含有： 薄膜電晶體（TFT)陣列基底，具有藉由金屬薄膜而 形成於透明絕緣基底上之複數條掃描線，為了可利用 絕緣薄嫉分隔且以與掃描線交錯之方式形成於掃福線 之上或之下的複數條數據線，藉由半導髏層而形成在 掃描線和數據線各交叉點間之交換元件，和藉^透明 導電薄膜形成且電氣連接至交換元件之像素電極. 對立基底’設有插入在TFT陣列和對立基底之間的 液晶；以及 其中因為採用分區式曝光法做為在TFT陣列基底佈 線之方法’所以在液晶顯示裝置之顯示區内因分割成 複數個投射量故相鄰的曝光區中具有相互重整區，且 將投射量配置界定於曝光區中；其中愈接近特定投射 區之部份接收愈多的特定投射量分配。 2. —種製造液晶顯示裝置之方法，包含有： 薄膜電晶體（TFT)陣列基底’具有藉由金屬薄膜而 形成於透明絕緣基底上之複數條掃描線，為了可利用 絕緣薄膜分隔且以與掃描線交錯之方式形成於掃描線 之上或之下的複數條數據線’藉由半導趙層而形成在 掃描線和數據線各交叉點間之交換元件，和藉由透明 導電薄膜形成且電氣連接至交換元件之像素電極； 對立基底，設有插入在T F T陣列和對立基底之間的 液晶；以及 其中因為採用分區式曝光法做為在TFT陣列基底佈.

   C:\Program Files\Patent\310643.pld 第29頁 六、申請專利範圍 線之方法 複數個投 其中 光區中； 定投射量 3· 如申請專 是以像素 4. 如申請專 是利用亂 5. 如申請專 是以其與 邊緣之距 射量所佔 6 ·如申請專 之寬度大 7. 如申請專 與不同投 區。 8. 如申請專 線方法應 線和形成 9. 如申請專 形成掃描 電極之步 ，所以 射量故 將投射 其中愈 分配。 利範圍 大小做 利範圍 數選擇 利範圍 位於其 離成正 有的比 利範圍 於4 mm 利範圍 射量相 在液晶顧7F裝置之顯示區内因分割成 相鄰的曝光區中具有相互重疊區； 量配置界定於具有四重重疊部份之曝 接近特定投射區之部份易受愈多的特 第1項之方法’其t在重疊曝光區中， 為選擇投射量之單位。 第1項之方法，其中在重疊曝光區中， 投射量》 第1項之方法’其中在重疊嗓光區中， 中一特定區和另一不同投射量區之間 比之方式選擇重疊曝'光區内由特定投 率。 第1項之方法，其中重疊曝光區所具有 > 第1項之方法，其中在重疊曝光區中， 鄰之投射量可具有1至5 um的重覆曝光 利範圍第1項之方法，其中可將此方法當做佈 形成掃描線、形成半導體層、形成數據 像素電極等任何一個步驟中。 範圍第1項之方法，其中可將此方法應用在 形成半導體層、形成數據線和形成像素 的複數個步驟，其中在上述應用步驟

   __ 六申請專利範圍 --- 中’在重疊曝光區内使用相同的投射量配置。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中可將此方法應用在 形成掃描線、形成半導體層、形成數據線和形成像素 電極之步驟中的複數個步驟，其中在上述應用步驟、 中，在重疊曝光區内使用各自獨立的投射量配置圖。 11. 一種由製造液晶顯示裝置之方法所製造之液晶顯示裝 置薄膜電晶體（TFT)包含有·· (TFT)陣列基底，具有藉由金屬薄膜而 形成於透明絕緣基底上之複數條掃描線、為了可利用 絕緣薄膜分隔且以與掃描線交錯之方式形成於掃描線 之上或之下的複數條數據線、藉由半導體層而形成在 掃描線和數據線各交又'點間之交換元件，和藉由透明 等電薄膜形成且電氣連接至交換元件之像素電極； 對立基底，設有插入在TFT陣列和對立基底之間的 液晶，以及 其中因為採用分區式曝光法做為在TFT陣列基底佈 線之方法’所以在液晶顯不裝置之顯示區内因分割成 複數個投射量故相鄰的曝光區中具有相互重叠區，且 將投射量配置界定於曝光區中；其中愈接近特定投射 區之部份接收愈多的特定投射量分配。