JPH04301672A - 画像表示装置 - Google Patents
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
- G02F2201/508—Pseudo repairing, e.g. a defective part is brought into a condition in which it does not disturb the functioning of the device
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、画素を２次元状に配列
した画像表示装置に係わり、特に画像欠陥補正を行った
画像表示装置に関する。
した画像表示装置に係わり、特に画像欠陥補正を行った
画像表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＣＲＴに代わる表示手段として、
液晶，ＥＬ，ＬＥＤ等を用いた各種の画像表示装置が開
発されている。図５に、代表的な画像表示装置であるア
クティブ・マトリックスＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）液晶表示装置の断面を示す。ガ
ラス基板１上に、Ｘ−Ｙアドレスを行い画素電極２に任
意の電位を与える複数のＴＦＴ（図示せず）が形成され
ている。画素電極２上には、画素電極側を透明導体層４
としたガラス等の透明板５が設置され、画素電極２と透
明板５との間には液晶層３が収容されている。
液晶，ＥＬ，ＬＥＤ等を用いた各種の画像表示装置が開
発されている。図５に、代表的な画像表示装置であるア
クティブ・マトリックスＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ
Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）液晶表示装置の断面を示す。ガ
ラス基板１上に、Ｘ−Ｙアドレスを行い画素電極２に任
意の電位を与える複数のＴＦＴ（図示せず）が形成され
ている。画素電極２上には、画素電極側を透明導体層４
としたガラス等の透明板５が設置され、画素電極２と透
明板５との間には液晶層３が収容されている。
【０００３】この装置で画像を表示する場合は、画像信
号のコントラストにより画素電極２の各電位を変化させ
て、画素電極２と透明導体層４との間の印加電圧を変え
、これにより液晶層３の分子配向を変えて光屈折率を制
御する。そして、ガラス基板１側から光を入射すること
によって、２次元の画像表示が行われる。
号のコントラストにより画素電極２の各電位を変化させ
て、画素電極２と透明導体層４との間の印加電圧を変え
、これにより液晶層３の分子配向を変えて光屈折率を制
御する。そして、ガラス基板１側から光を入射すること
によって、２次元の画像表示が行われる。
【０００４】図６は、図５の装置を上から見た画素配置
図である。ここで、マトリックス配置された画素６のう
ちに、画像欠陥を有する画素６′があると、画質の劣化
要因となる。特に、コントラストの高い白傷画像欠陥で
あると、画質を著しく劣化させる。
図である。ここで、マトリックス配置された画素６のう
ちに、画像欠陥を有する画素６′があると、画質の劣化
要因となる。特に、コントラストの高い白傷画像欠陥で
あると、画質を著しく劣化させる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このように従来、液晶
等を用いた画像表示装置においては、画像欠陥を有する
画素が存在すると、画質を著しく劣化させる問題があり
、この欠陥を取り除くことは困難であった。そして、欠
陥画素の存在が画像表示装置の品質を低下させる大きな
要因となっていた。
等を用いた画像表示装置においては、画像欠陥を有する
画素が存在すると、画質を著しく劣化させる問題があり
、この欠陥を取り除くことは困難であった。そして、欠
陥画素の存在が画像表示装置の品質を低下させる大きな
要因となっていた。
【０００６】本発明は、上記事情を考慮してなされたも
ので、その目的とするところは、画像欠陥を有する画素
を補正して目立たなくすることができ、欠陥画素による
画質の劣化を最小限に抑えた画像表示装置を提供するこ
とにある。
ので、その目的とするところは、画像欠陥を有する画素
を補正して目立たなくすることができ、欠陥画素による
画質の劣化を最小限に抑えた画像表示装置を提供するこ
とにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の骨子は、画像欠
陥を有する画素をマスクすると共に、マスクした画素を
その周辺画素の情報で補償することにある。
陥を有する画素をマスクすると共に、マスクした画素を
その周辺画素の情報で補償することにある。
【０００８】即ち本発明は、画素領域に複数の画素を２
次元状に配列してなる画像表示装置において、画素領域
上に透明物質層を設置し、この透明物質層の欠陥画素上
に、外側に広がったテーパ状断面を有し且つ側面の一部
が該欠陥画素の周辺画素上に位置する凹部を設け、この
凹部の底部に遮光物質層を設けるようにしたものである
。
次元状に配列してなる画像表示装置において、画素領域
上に透明物質層を設置し、この透明物質層の欠陥画素上
に、外側に広がったテーパ状断面を有し且つ側面の一部
が該欠陥画素の周辺画素上に位置する凹部を設け、この
凹部の底部に遮光物質層を設けるようにしたものである
。
【０００９】
【作用】本発明によれば、欠陥画素上の透明物質層に凹
部が形成され、その底部に遮光物質層が形成されるため
、欠陥画素はマスクされることになる。しかも、単に欠
陥画素をマスクするだけではなく、テーパ側面を介して
欠陥画素の周辺画素から一部光を取り出すことにより、
欠陥画素をその周辺画素の情報で補償することができる
。従って、欠陥画素を等価的に非欠陥画素と見なすこと
ができ、欠陥画素による画質の劣化を大幅に低減するこ
とが可能となる。
部が形成され、その底部に遮光物質層が形成されるため
、欠陥画素はマスクされることになる。しかも、単に欠
陥画素をマスクするだけではなく、テーパ側面を介して
欠陥画素の周辺画素から一部光を取り出すことにより、
欠陥画素をその周辺画素の情報で補償することができる
。従って、欠陥画素を等価的に非欠陥画素と見なすこと
ができ、欠陥画素による画質の劣化を大幅に低減するこ
とが可能となる。
【００１０】
【実施例】以下、本発明の詳細を図示の実施例によって
説明する。
説明する。
【００１１】図１は、本発明の第１の実施例に係わる画
像表示装置の概略構成を示す断面図である。基本的な構
成は従来と同様であり、第１のガラス基板１１上にＴＦ
Ｔ（図示せず）によってＸ−Ｙアドレス選択される画素
電極１２がマトリックス状に配列されている。なお、図
１では１２２１，１２２２，１２２３，１２２４，１２
２５が示されている。画素電極１２上には、画素電極１
２側を透明導体層（共通電極）１４とした第２のガラス
基板１５が設置され、ガラス基板１１，１５で挟まれた
領域には液晶層１３が収容されている。
像表示装置の概略構成を示す断面図である。基本的な構
成は従来と同様であり、第１のガラス基板１１上にＴＦ
Ｔ（図示せず）によってＸ−Ｙアドレス選択される画素
電極１２がマトリックス状に配列されている。なお、図
１では１２２１，１２２２，１２２３，１２２４，１２
２５が示されている。画素電極１２上には、画素電極１
２側を透明導体層（共通電極）１４とした第２のガラス
基板１５が設置され、ガラス基板１１，１５で挟まれた
領域には液晶層１３が収容されている。
【００１２】ガラス基板１５上には、有機物による透明
物質層１６が設けられている。画像欠陥（白傷）を有す
る画素（画素電極）１２２３の上において、透明物質層
１６には凹部１７が形成されている。この凹部１７の底
部には、例えば炭素を含んだ遮光物質層１８が形成され
ている。また、凹部１７の側面は上側に広がったテーパ
であり、各側面は欠陥画素１２２３に隣接する周辺画素
の領域に一部重なるように形成されている。
物質層１６が設けられている。画像欠陥（白傷）を有す
る画素（画素電極）１２２３の上において、透明物質層
１６には凹部１７が形成されている。この凹部１７の底
部には、例えば炭素を含んだ遮光物質層１８が形成され
ている。また、凹部１７の側面は上側に広がったテーパ
であり、各側面は欠陥画素１２２３に隣接する周辺画素
の領域に一部重なるように形成されている。
【００１３】図２は本装置の平面図であり、図２（ａ）
の矢視Ａ−Ａ断面及び同図（ｂ）の矢視Ｂ−Ｂ断面が図
１に相当している。なお、図２（ａ）は凹部１７を矩形
に形成した例で、同図（ｂ）は凹部１７を円形に形成し
た例である。
の矢視Ａ−Ａ断面及び同図（ｂ）の矢視Ｂ−Ｂ断面が図
１に相当している。なお、図２（ａ）は凹部１７を矩形
に形成した例で、同図（ｂ）は凹部１７を円形に形成し
た例である。
【００１４】図２において、画素電極１２２２，１２２
３，１２２４の上側には画素電極１２１２，１２１３，
１２１４が配置され、下側には画素電極１２３２，１２
３３，１２３４が配置されているものとする。欠陥画素
１２２３上には、先にも説明したように遮光物質層１８
が設けられている。図中に見られるように、透明物質層
１６の凹部側面Ｓ１は欠陥画素１２２３の周辺画素１２
１２，１２２２，１２３２の領域上にあり、凹部側面Ｓ
２は周辺画素１２１４，１２２４，１２３４の領域上に
あり、凹部側面Ｓ３は周辺の画素電極１２１２，１２１
３，１２１４の領域上にあり、さらに凹部側面Ｓ４は周
辺画素１２３２，１２３３，１２３４の領域上にある。
３，１２２４の上側には画素電極１２１２，１２１３，
１２１４が配置され、下側には画素電極１２３２，１２
３３，１２３４が配置されているものとする。欠陥画素
１２２３上には、先にも説明したように遮光物質層１８
が設けられている。図中に見られるように、透明物質層
１６の凹部側面Ｓ１は欠陥画素１２２３の周辺画素１２
１２，１２２２，１２３２の領域上にあり、凹部側面Ｓ
２は周辺画素１２１４，１２２４，１２３４の領域上に
あり、凹部側面Ｓ３は周辺の画素電極１２１２，１２１
３，１２１４の領域上にあり、さらに凹部側面Ｓ４は周
辺画素１２３２，１２３３，１２３４の領域上にある。
【００１５】なお、本実施例における凹部１７の製造方
法としては、予め欠陥画素を検出しておき、検出した欠
陥画素に位置合わせして上方（表示面側）から透明物質
層１６にレーザ光を照射し、レーザ光照射部の透明物質
層１６を除去すればよい。このとき、レーザ光照射によ
り炭化物を形成すれば、凹部１７の形成と同時に遮光物
質層１８を形成することが可能である。
法としては、予め欠陥画素を検出しておき、検出した欠
陥画素に位置合わせして上方（表示面側）から透明物質
層１６にレーザ光を照射し、レーザ光照射部の透明物質
層１６を除去すればよい。このとき、レーザ光照射によ
り炭化物を形成すれば、凹部１７の形成と同時に遮光物
質層１８を形成することが可能である。
【００１６】また、他の方法として、透明物質層１６上
にレジストを塗布しておき、欠陥画素に相当する画素電
極以外の画素電極に黒レベルとなる電圧を印加した状態
で、裏面側から露光光を照射してレジストパターンを形
成し、このレジストパターンに合わせて透明物質層１６
を選択エッチングしてもよい。この場合、欠陥画素が白
傷欠陥であれば、全ての画素電極に黒レベルとなる電圧
を印加した状態でも欠陥画素は白レベルとなるので、欠
陥画素の検出やアライメントなしに凹部１７をセルフア
ラインで簡易に製造することも可能である。
にレジストを塗布しておき、欠陥画素に相当する画素電
極以外の画素電極に黒レベルとなる電圧を印加した状態
で、裏面側から露光光を照射してレジストパターンを形
成し、このレジストパターンに合わせて透明物質層１６
を選択エッチングしてもよい。この場合、欠陥画素が白
傷欠陥であれば、全ての画素電極に黒レベルとなる電圧
を印加した状態でも欠陥画素は白レベルとなるので、欠
陥画素の検出やアライメントなしに凹部１７をセルフア
ラインで簡易に製造することも可能である。
【００１７】このような構成において、第１のガラス基
板１１側から光が入射されると、画素電極１２の印加電
圧に応じて液晶層１３の配向が変わり透過光量が変化す
ることになり、これによって２次元画像を表示すること
ができる。ここで、欠陥画素１２２３上の液晶層１３の
多くの透過光は、遮光物質層１８により遮蔽される。一
方、透明物質層１６に入射して凹部側面（図１ではＳ１
）に到達した隣接画素よりの光Ｌ１１は屈折され、光Ｌ
１２として前面に通過していく。この場合、通過光Ｌ１
２の光量は隣接画素１２２２からの透過光分が多い。つ
まり、欠陥画素１２２３が遮光物質層１８でマスクされ
、欠陥画素１２２３はその周辺画素からの光で補償され
ることになる。
板１１側から光が入射されると、画素電極１２の印加電
圧に応じて液晶層１３の配向が変わり透過光量が変化す
ることになり、これによって２次元画像を表示すること
ができる。ここで、欠陥画素１２２３上の液晶層１３の
多くの透過光は、遮光物質層１８により遮蔽される。一
方、透明物質層１６に入射して凹部側面（図１ではＳ１
）に到達した隣接画素よりの光Ｌ１１は屈折され、光Ｌ
１２として前面に通過していく。この場合、通過光Ｌ１
２の光量は隣接画素１２２２からの透過光分が多い。つ
まり、欠陥画素１２２３が遮光物質層１８でマスクされ
、欠陥画素１２２３はその周辺画素からの光で補償され
ることになる。
【００１８】また、凹部側面（図１ではＳ２）に入射し
た欠陥画素１２２３の影響の強い光Ｌ２１は入射角度θ
が大きくなり、側面Ｓ２で全反射され、光Ｌ２２として
透明物質層１６内に反射される。これにより、例えば第
２のガラス基板１５の厚みのため一部広がった欠陥画素
１２２３上の液晶層透過光が表示装置前面に出ていくの
が抑制される。
た欠陥画素１２２３の影響の強い光Ｌ２１は入射角度θ
が大きくなり、側面Ｓ２で全反射され、光Ｌ２２として
透明物質層１６内に反射される。これにより、例えば第
２のガラス基板１５の厚みのため一部広がった欠陥画素
１２２３上の液晶層透過光が表示装置前面に出ていくの
が抑制される。
【００１９】このように本実施例によれば、第２のガラ
ス基板１５上に透明物質層１６を設け、白傷等の画像欠
陥を有する画素１２２３上に位置する透明物質層１６に
凹部１７を形成すると共にその底部に遮光物質層１８を
設けることにより、欠陥画素１２２３の透過光は遮光物
質層１８で遮蔽され、該画素１２２３は隣接した周辺画
素上の透過光で補間されることになる。従って、欠陥画
素１２２３を等価的に非欠陥画素と見なすことができ、
欠陥画素に起因する画質の劣化を未然に防止することが
できる。 次に、本発明の第２の実施例について説明する。
ス基板１５上に透明物質層１６を設け、白傷等の画像欠
陥を有する画素１２２３上に位置する透明物質層１６に
凹部１７を形成すると共にその底部に遮光物質層１８を
設けることにより、欠陥画素１２２３の透過光は遮光物
質層１８で遮蔽され、該画素１２２３は隣接した周辺画
素上の透過光で補間されることになる。従って、欠陥画
素１２２３を等価的に非欠陥画素と見なすことができ、
欠陥画素に起因する画質の劣化を未然に防止することが
できる。 次に、本発明の第２の実施例について説明する。
【００２０】この実施例は、素子構造は第１の実施例と
同様であり、欠陥画素とその隣接画素に印加する電圧を
変えたものである。図３に、欠陥画素電極とその周辺画
素電極に印加する電圧波形を示す。なお、図中 （１）
〜（５） は画素電極１２２１〜１２２５にそれぞれ印
加する電圧を示している。
同様であり、欠陥画素とその隣接画素に印加する電圧を
変えたものである。図３に、欠陥画素電極とその周辺画
素電極に印加する電圧波形を示す。なお、図中 （１）
〜（５） は画素電極１２２１〜１２２５にそれぞれ印
加する電圧を示している。
【００２１】ここにおいて、基準電圧ＶＡより正電圧だ
と透過光強度が大きいものとする。同じ明るさの画面を
表示する場合は、従来は（ａ）に示すように同じ電圧Ｖ
Ｂを各画素電極に印加する。これに対し、本実施例では
（ｂ）に示すように、欠陥画素電極に印加する電圧を透
過光強度が下がる電圧、ここにおけるＶＡを印加し、こ
の欠陥画素電極に隣接した電極に印加する電圧を電圧Ｖ
Ｃのように上げて透過光強度を増やす。
と透過光強度が大きいものとする。同じ明るさの画面を
表示する場合は、従来は（ａ）に示すように同じ電圧Ｖ
Ｂを各画素電極に印加する。これに対し、本実施例では
（ｂ）に示すように、欠陥画素電極に印加する電圧を透
過光強度が下がる電圧、ここにおけるＶＡを印加し、こ
の欠陥画素電極に隣接した電極に印加する電圧を電圧Ｖ
Ｃのように上げて透過光強度を増やす。
【００２２】具体的には、図４に示すように、画素電極
を選択するＴＦＴ４０のソースに印加する信号電圧を、
上記欠陥画素に隣接する周辺画素において一定レベル上
げるようにする。これによって、凹部１７の側面が欠陥
画素に隣接する周辺画素上の一部領域にかかることによ
る画素光輝度低下を補正することができる。
を選択するＴＦＴ４０のソースに印加する信号電圧を、
上記欠陥画素に隣接する周辺画素において一定レベル上
げるようにする。これによって、凹部１７の側面が欠陥
画素に隣接する周辺画素上の一部領域にかかることによ
る画素光輝度低下を補正することができる。
【００２３】なお、本発明は上述した各実施例に限定さ
れるものではない。実施例では液晶を用いた画像表示装
置の例を説明したが、他の表示素子、例えばＬＥＤやＥ
Ｌ等を用いた画像表示装置に適用することもできる。ま
た、実施例では１画素の欠陥の場合について説明したが
、複数箇所についても同様に適用できるのは勿論のこと
である。また、第２の実施例においては、隣接する周辺
画素電極のみについて印加電圧を制御したが、さらに外
側の画素電極に印加する電圧も制御して画像欠陥補正を
さらに改善することも可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
れるものではない。実施例では液晶を用いた画像表示装
置の例を説明したが、他の表示素子、例えばＬＥＤやＥ
Ｌ等を用いた画像表示装置に適用することもできる。ま
た、実施例では１画素の欠陥の場合について説明したが
、複数箇所についても同様に適用できるのは勿論のこと
である。また、第２の実施例においては、隣接する周辺
画素電極のみについて印加電圧を制御したが、さらに外
側の画素電極に印加する電圧も制御して画像欠陥補正を
さらに改善することも可能である。その他、本発明の要
旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することがで
きる。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、画
像欠陥を有する画素をマスクすると共に、マスクした画
素をその周辺画素の情報で補償するようにしているので
、画像欠陥を有する画素を補正して目立たなくすること
ができ、欠陥画素による画質の劣化を最小限に抑えた画
像表示装置を実現することが可能となる。
像欠陥を有する画素をマスクすると共に、マスクした画
素をその周辺画素の情報で補償するようにしているので
、画像欠陥を有する画素を補正して目立たなくすること
ができ、欠陥画素による画質の劣化を最小限に抑えた画
像表示装置を実現することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例に係わる画像表示装置の
概略構成を示す断面図、
概略構成を示す断面図、
【図２】第１の実施例における画素電極と凹部との位置
関係を示す平面図、
関係を示す平面図、
【図３】第２の実施例を説明するための信号波形図、
【
図４】第２の実施例を説明するための模式図、
図４】第２の実施例を説明するための模式図、
【図５】
従来の画像表示装置の概略構成を示す断面図、
従来の画像表示装置の概略構成を示す断面図、
【図６】
従来の画像表示装置の概略構成を示す平面図。
従来の画像表示装置の概略構成を示す平面図。
１１…第１のガラス基板、
１２…画素電極、
１３…液晶層、
１４…透明電極、
１５…第２のガラス基板、
１６…透明物質層、
１７…凹部、
１８…遮光物質層。
Claims (1)
- 【請求項１】画素領域に２次元状に配列された画素と、
前記画素領域上に設置された透明物質層と、前記画素の
うち画像欠陥を有する画素上の前記透明物質層に設けら
れ、外側に広がったテーパ状断面を有し且つ側面の一部
が該欠陥画素の周辺画素上に位置する凹部と、この凹部
の底部に形成された遮光物質層とを具備してなることを
特徴とする画像表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6709991A JPH04301672A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 画像表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6709991A JPH04301672A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 画像表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04301672A true JPH04301672A (ja) | 1992-10-26 |
Family
ID=13335102
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6709991A Pending JPH04301672A (ja) | 1991-03-29 | 1991-03-29 | 画像表示装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04301672A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006016463A1 (ja) * | 2004-08-09 | 2006-02-16 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置、及びその製造方法 |
| JP2007065653A (ja) * | 2005-08-26 | 2007-03-15 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007241067A (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示パネル |
| WO2009019913A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US7612861B2 (en) | 2005-06-13 | 2009-11-03 | Lg. Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel capable of minimizing a defect rate caused by bright point and repairing method thereof |
| JP2018197781A (ja) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | シャープ株式会社 | 表示装置及び欠損画素補間方法 |
-
1991
- 1991-03-29 JP JP6709991A patent/JPH04301672A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2009019913A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2009-02-12 | Sharp Kabushiki Kaisha | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JPWO2009019913A1 (ja) * | 2007-08-09 | 2010-10-28 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| US8203690B2 (en) | 2007-08-09 | 2012-06-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing same |
| JP2018197781A (ja) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | シャープ株式会社 | 表示装置及び欠損画素補間方法 |
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