KR970707466A - 박막소자의 제조방법. 엑티브 매트릭스 기판, 액정표시장치, 액티브 매트릭스 기판의 제조방법, 및 액정표시장치에 포함되는 능동소자의 정전 파괴 방지 방법(A method to fabricate a thin film element, A method to fabricate an active matrix substrate. A liquid crystal display device. and An active matrix substrate. and A method to prevent static destruction of an active element comprised in a liquid crystal display device) - Google Patents

박막소자의 제조방법. 엑티브 매트릭스 기판, 액정표시장치, 액티브 매트릭스 기판의 제조방법, 및 액정표시장치에 포함되는 능동소자의 정전 파괴 방지 방법(A method to fabricate a thin film element, A method to fabricate an active matrix substrate. A liquid crystal display device. and An active matrix substrate. and A method to prevent static destruction of an active element comprised in a liquid crystal display device)

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Abstract

버텀 게이트 구조(역 스태거구조)의 비정질 실리콘 박막트랜지스터의 제조공정을 줄일 수 있는 신규의 제조 방법과, 그 제조방법을 이용하여 작성한 정전보호수단을 구비하는 액티브 매트릭스기판 및 그 기판을 이용한 액정표시장치이다.
박막트랜지스터의 제조공정에서, 접촉구멍과 외부단자를 접속하기 위한 개구부를 동시에 형성함과 동시에 ITO 막을 배선으로서 사용한다.
정전보호수단은, 외부단자를 접속하기 위한 전극(패드)과 공통전위선의 사이에 접속된, MOS 트랜지스터를 이용하여 구성된 쌍방향의 다이오드(정전보호소자)로 이루어진다. 정전보호소자는 실질적으로 트랜지스터이고, 전류용량이 크고, 또한, 화소부의 TFT 형성공정을 그대로 사용하여, 공정을 복잡화시키지 않게 형성하는 것이 가능하다.

Description

박막소자의 제조방법. 액티브 매트릭스 기판, 액정표시장치, 액티브 매트릭스 기판의 제조방법, 및 액정표시장치에 포함되는 능동소자의 정전 파괴 방지 방법(A method to fabricate a thin film element. A method to fabricate an active matrix substrate. A liquid crystal display device, and An active matrix substrate, and A method to prevent static destruction of an active element comprised in a liquid crystal display device)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제9도는 본 발명의 TFT 기판의 구성예를 나타내는 도면.

Claims (15)

  1. (A) 게이트전극층 및 이 게이트전극층과 동일한 재료로 이루어지는 게이트전극 재료층을 기판상에 형성하는 공정과, (B) 상기 게이트 전극층 및 게이트전극 재료층상에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, (C) 상기 게이트 전극층과 평면적으로 중첩을 지니는 형태로 채널층 및 저항성 접촉층을 상기 게이트 절연막상에 형성하는 공정과, (D) 상기 저합성접촉층에 접속된 소스전극층 및 드레인전극층을 형성하는 공정과, (E) 상기 소스전극층과 드레인 전극층의 사이에 개재하고 있는 상기 저항성 접촉층을 에칭에 의해 제거하는 공정과, (F) 상기 소스전극층, 드레인 전극층 및 상기 게이트 전극 재료층을 덮도록 보호막을 형성하는 rhd정과, (G) 상기 게이트 전극층 또는 상기 게이트 전극 재료층상에 존재하는 상기 게이트 절연막 및 상기 보호막의 중첩막의 일부를 선택적으로 에칭하고, 상기 게이트 전극층 또는 게이트전극 재료층의 표면의 일부가 노출하는 제1의 개구부를 형성하는 것과 동시에, 상기 소스전극층 Ehsms드레인 전극층상의 상기 보호막의 일부를 선택적으로 에칭하여 상기 소스전극층 또는 드레인 전극층의 표면의 일부가 노출하도록 한 제2의 개구부를 형성하는 공정과, (H) 상기 제1의 개구부 또는 제2의 개구부를 경유하여 전도성 재료층을, 상기 게이트 전극층, 게이트전극 재료층, 상기 소스전극층, 드레인 전극층의 적어도 하나에 접속하는 공정으로 포함하는 것을 특징으로 하는 박막소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 공정(G)에서 형성되는 상기 제1의 개구부는, 배선을 상기 게이트 전극 재료층에 접속하기 위한 접촉구멍, 또는 외부단자를 상기 게이트 전극 재료층에 접속하기 위한 개구부인 것을 특징으로 하는 박막소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전도성 재료층은, ITO(Indium Tin Oxide)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막소자의 제조방법.
  4. 매트릭스상에 배치된 주사선과 신호선에 접속된 박막트랜지스터(TFT)와, 그 박막트랜지스터의 한끝에 접속된 화소전극을 포함하여 화소부가 구성되는 액티브 매트릭스기판에 있어서, 상기 주사선 및 신호선중의 적어도 하나의 선 혹은 그 선과 전기적으로 등가인 부위와 공통전위선의 사이에 설치된, 박막트랜지스터를 이용한 정전파괴방지용 보호수단을 구비하고, 상기 정전파괴방지용 보호수단은, 막막트랜지스터에 있어서, 게이트전극층과 소스·드레인 전극층을 접속한 구성의 다이오드를 포함하여 구성되어 있고, 상기 게이트 전극층과 소스·드레인 전극층을 전기적으로 접속하기 위한, 상기 게이트 전극층상의 절연층을 선택적으로 제거하여 형성되는 제1의 개구부와 상기 소스·드레인 전극층상의 절연층을 선택적으로 제거하여 형성되는 제2의 개구부는, 동일한 제조공정에서 형성되어 있고, 또한, 상기 게이트 전극층과 상기 소스·드레인전극층은, 상기 제1 및 제2의 개구부를 경유하여 상기 화소전극과 동일한 재료로 이루어지는 전도재료층에 의해 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1의 개구부는 게이트전극 재료층상의 제1의 절연막 및 이 제1의 절연막상의 제2의 절연막의 중첩막을 관통하여 형성되어 있고, 상기 제2의 개구부는 소스·드레인전극층상의 상기 제2의 절연막만을 관통하여 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판.
  6. 제4항에 있어서, 상기 화소전극 및 화소전극과 동일한 재료로 이루어지는 상기 전도재료층은 ITO(Indium Tin Oxide)막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판.
  7. 제4항에 있어서, 상기 주사선 및 상기 신호선중의 적어도 하나의 선과 전기적으로 등가인 부위는 외부단자를 접속하기 위한 전극(패드)이고, 또한, 상기 공통전위선은, 액정을 교류구동할 때에 기준이 되는 기준전위를 주는 선(LC-COM선)혹은 액정표시장치의 제조단계에서, 상기 외부단자를 접속하기 위한 전극을 공통으로 접속하여 동전위로 하기 위한 선(가드링)인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판.
  8. 제7항에 있어서, 상기 정전파괴방지용 보호수단은 상기 외부단자를 접속하기 위한 전극(패드)과 상기 액정을 교류구동할 때에 기준이 되는 기준전위를 주는선(LC-COM선)의 사이, 및, 상기 외부단자를 접속하기 위한 전극(패드)과 상기 외부단자를 접속하기 위한 전극(패드)을 공통으로 접속하여 동전위로 하기 위한 선(가드링)의 사이의 쌍방에 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판.
  9. 제4항에 있어서, 상기 정전파괴방지용 보호수단은 제1의 다이오드의 애노드와 제2의 다이오드의 캐소드를 공통접속하고, 상기 제1의 다이오드의 캐소드와 상기 제2의 다이오드의 애노드를 공통접속하여 구성되는 쌍방향성의 다이오드를 구비하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판.
  10. 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 액티브 매트릭스기판을 이용하여 구성된 액정표시장치.
  11. (A) 기판상에 게이트전극층 및 이 게이트전극층과 동일한 재료로 이루어지는 게이트전극 재료층을 형성하는 공정과, (B) 상기 게이트 전극층 및 게이트전극 재료층상에 게이트 절연막을 형성하는 공정과, (C) 상기 게이트 절연막상에 상기 게이트 전극층과 평면적으로 중첩을 지니는 형태로 채널층 및 저항성 접촉층을 형성하는 공정과, (D) 상기 저항성접촉층에 접속된 소스·드레인 전극층을 형성하는 것과 동시에, 상기 절연막상의 소정의 영역에서 상기 소스·드레인 전극층과 같은 재료로 이루어지는 소스·드레인전극 재료층을 형성하는 공정과, (E) 상기 소스·드레인 전극층, 및 상기 소스·드레인 전극 재료층을 덮도록 보호막을 형성하는 공정과, (F) 상기 게이트 전극층 또는 게이트 전극 재료층상에 존재하는 상기 게이트 절연막 및 상기 보호막의 중첩막을 선택적으로 에칭하고 상기 게이트 전극층 또는 게이트전극 재료층의 표면의 일부가 노출하도록 제1의 개구부를 형성하는 것과 동시에, 상기 소스·드레인 전극층 혹은 상기 소스·드레인 전극 재료층상의 상기 보호막을 선택적으로 에칭하여 상기 소스·드레인 전극층 혹은 상기 소스·드레인 전극 재료층의 표면의 일부가 노출하도록 한 제2의 개구부를 형성하는 공정과, (G) 상기 제1 또는 제2의 개구부를 경유하여 전도성 재료층을, 상기 게이트 전극층, 상기 게이트전극 재료층, 상기 소스·드레인 전극층 혹은 상기 소스·드레인 전극 재료층에 접속하는 공정의 제조공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 (A) 내지 (G)의 공정을 통해 상기 액티브 매트릭스 기판상에는, 주사선과 신호선에 접속된 박막트랜지스터(TFT)와, 상기 박막트랜지스터에 접속되는 화소전극과, 상기 박막트랜지스터의 게이트전극층 및 소스·드레인 전극층을 접속한 구성의 정전파괴방지용의 다이오드가 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 공정(G)에서의 전도성 재료층은 화소전극과 같은 재료로 이루어지는 층을 이용하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판의 제조방법.
  14. 제11항에 있어서, 상기 공정(G)에서의 전도성 재료층은 ITO(Indium Tin Oxide)를 이용하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스기판의 제조방법.
  15. 매트릭스상에 배치된 주사선과 신호선에 접속된 박막트랜지스터(TFT)와, 그 박막트랜지스터의 한끝에 접속된 화소전극을 포함하여 화소부가 구성되는 액티브매트릭스형 액정표시장치에 포함되는 능동소자의 정전파괴를 방지하는 방법에 있어서, 제4항에 기재된 정전보호수단을, 상기 주사선 및 신호선중의 적어도 하나의 선 혹은 그 선과 전기적으로 등가인 부위와 공통전위선의 사이에 접속하고, 이것에 의해, 액정표시장치에 포함되는 능동소자의 정전파괴를 방지하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치에 포함되는 능동소자의 정전파괴 방지방법.
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