TW438991B - Manufacturing method of thin film device, active matrix substrate, liquid crystal display device, active matrix substrate and the preventive method of static charge destruction of an active device in LCD - Google Patents

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4389 9 1 A7 I ' __^1_B7_ _ 五、發明説明（1 ) 本發明係關於薄膜元件之製造方法，有源矩陣基板， 液晶顯示裝置，有源矩陣基板之製造方法，以及含在液晶 顯示裝置之有源元件之靜電破壞防止方法。 在有源矩陣方式之液晶顯示裝置，係在各畫素電極連 接轉接元件，而介由該轉接元件轉接各畫素電極。 轉接元件可使用，例如薄膜電晶體（T F T ) ^ 薄膜電晶體之構造與動作，基本上是與單結晶矽之 Μ 0 S電晶體相同。 使用無定形矽（α - S i )之薄膜電晶體有幾種習知 之造，但一般常使用的是，閘極在無定形矽膜下方之底閘 構造（反交錯構造）之薄膜電晶體。 製造薄膜電晶體時，最重要的是，減少製造過程，並 確保很高之製成率。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 同時，從製造有源矩陣基板之過程中發生之靜電引起 之破壞，有效保護薄膜電晶體也是很重要。從靜電氣破壞 保護薄膜電晶體之技術記載於，例如日本國之實開昭 6 3 - 3 3 1 3 0 號之 Micro Film 或特開昭 6 2 — 187885號公報。 本發明之目的之一是在提供，能夠減少薄膜電晶體之 製造過程數，且可靠性很高之新穎之薄膜元件之製造處理 技術。 本發明之另一個目的是在提供，備有，利用該製造處 理技術，而以不致使製造過程複雜化之情況下形成具有充 分之靜電保護能力之保護元件之有源矩陣基板，以及液晶 本纸張尺度適用中囷國家標準（.CNS ) A4規格（2丨Ox297公釐） 43899 1 4 五、發明説明（2 ) 顯示裝置。 本發明之其他目的是在提供1能夠防止含在T F T基 板之有源元件（T F T )之靜電破壞之靜電破壞防止方法 a 本發明薄膜元件之製造方法之可取形態之一是。在製 造底閘構造之薄膜文件時，其製造過程包含： 形成覆蓋源極層，吸極層以及閘極材料層之保護膜之 過程。 然後選擇式蝕刻存在於閘極層或閘極材料層上之閘極 絕緣膜及保護膜之重叠膜之一部分，形成露出閘極層或閘 極材料層之表面之一部分之第1開□部，同時選擇式蝕刻 源極層或吸極層上之保護膜之一部分，形成露出源極層或 吸極層之表面之一部分之第2開口部之過程》 其後，經由第1或第t開口部，將導電性材料層連接 在閘極層、閘極材料層，源極層、吸極層之至少一方之過 程。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 依照上述之薄膜元件之製造方法時，絕緣膜之選擇性 .蝕刻可以統籌爲之。因此可以將形成供外部連接端子連接 於電極之開口部之過程，及形成供內部配線連接到電極之 開口部之過程共同化，因而得減少過程數。 至於「導電性材料層J ，最好是使用IT〇（

Indium Tin Oxide)膜。如上述，第1開口部係貫穿閘極 材料層上之第1絕緣膜及此第1絕緣膜上之第2絕緣膜之 重疊膜而成，因此成爲相當於兩層絕緣膜厚度之很深之接 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS M4規格（210X297公釐） 5 43899 t [ 一· .. N, 五、發明説明（3 ) 觸孔。 但因I T 0之觸點很高，較之鋁金屬其級層涵蓋性（ Step coverage)良好’因此經由很深之接觸孔也不會成 爲接續不良。 「導電性材料層」除了 I TO膜以外，也可以使用金 屬氧化.物等融點高之其他透明電極材料。例如S η ◦ X， Ζ η 0 X等金屬氧化物均可以使用。這時之級層涵蓋性仍 可符合實用性》 而本發明之有源矩陣基板之可取型態之一是，在掃描 線與信號線中之至少一方，或與該線在電氣上等效之部位 與共同電位線之間，配設使用薄膜電晶體之靜電破壤防止 用保護構件* 靜電破壞防止用保護構件係由連接薄膜電晶體之源極 層與吸極層而成之二極體，所構成。 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了以電氣方式連接閘極層與吸極層，而選擇式去除 閘極層上之絕緣膜而成之第1開口部，與選擇式去除上述 吸極層上之絕緣膜而成之第2開口部，係在同一製造過程 中形成，且，閘極層與上述吸極層，係經由上述第1及第 2開口部，由跟上述畫素電極相同之材料製成之導電層所 連接。 短路T F Τ之閘極與吸極而成之MO S電晶體（ Μ I S二極體）實質上係電晶體，通過電流之能力很高， 可高速吸收靜電|因此，靜電保護能力很強=同時，由於 實質上是電晶體，因而可以很容易控制電流-電壓特性之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（2丨0Χ 297公釐） 6 4389 9 1 A7

I B7 五、發明説明u ) 門檻值電壓（V t h )。因此可以降低不必要之漏洩電流 。同時，薄膜元件之製造過程數減少，製造很容易。 「畫素電極」及「與畫素電極同一材料製成之導電層 」最好使用I TO膜》除了 I TO膜以外，如金屬氧化膜 等觸點高之其他透明電極材料也可以使用。例如S η Ο X ，ZnOx等之金屬氧化物。 在本發明之有源矩陣基板之可取型態之一是，上述「 與掃描線及信號線中之至少一方在電氣上等效之部位」， 係連接外部連接端子用之電極（pad)，而上述之「共 同電位線」係以交流驅動液晶時供應成爲基準之基準電位 之線（LC 一 COM線〕，或在製造液晶顯示裝置之階段 中，將連接外部端子用之電極共同連接起來，使其成爲相 同電位之線（保護環）。 保護環係在液晶顯示裝置之製造階段中，作爲靜電對 策而配設.在電極（p a d)外側之線。L C 一 COM線及 保護環均爲共同電位線，因此，如果在電極與此等線之間 連接保護用之二極體，便可以將靜電引至這些線。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 而在本發明之有源矩陣基板之可取型態之一是，「靜 電破壞防止用保護構件」，係設在，連接外部端子用之電 極（p a d )與以交流驅動液晶時供給當作基準之基準電 位之線（L C — COM線）之間，以及，連接外部端子用 之電極與共同連接以連接外部端子之電極使成同電位之線 (護衝環）之間之雙方。 保護環會在貼合T F T基板與相對之基板（彩色濾波 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210父297公釐> -7 - A7 B7 438991 五、發明説明（5 ) 基板）後，在連接驅動用1 c之前被切斷掉’但1- C_ . C 0M線會一直殘留在最終製品內。因此，上述架構在切 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 斷基板後，連接I C前’晝素部之TFT可以受到保護免 受靜電破壞，因此可以提昇對製品之可靠性。 同時，對最終製品也會殘留有保護用二極體’因此實 際使用製品時之靜電破壞強度也會提高。而且是使用 TFT之保護用二極體’因此門檻值（V t h)之控制很 容易，漏洩電流也可以降低’因此二極.體殘存在最終製品 體也不會有不良影響。 同時，本發明之有源矩陣基板之製造方法之可取型態 之一是，靜電破壞防止用保護構件具備有，共同連接第1 二極體之陽極與第2二極體之陰極，並共同連接上述第1 二極體之陰極與上述第2二極髖之陽極，所構成之雙方向 性之二極體。 因爲是雙方向性之保護用二極體，可以保護T F T不 受正極性及負極性之突波之傷害》 同時，本發明之液晶顯示裝置係使用本發明之有源矩 經濟部中央標準局貢工消費合作杜印製 陣基板構成。因爲有源矩陣基板之畫素部之有源元件（ TF Τ)之靜電破壞可獲得確實之防止，因此液晶顯示裝 置之可靠性也會提高。 同時I本發明之有源矩陣基板之製造方法之可取型態 之一是，在形成底閘構造之TFT時，包括有， 形成同一材料之源極、吸極層，同時在絕緣膜上之一 定領域，形成輿源極、吸極層同一材料構成之源極、吸極 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） -8 ™ A7 43 89 9 1 ___B7_ 五、發明説明（6 ) 材料層之過程， (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 形成可覆蓋源極、吸極層，以及源極，吸極材料層之 保護膜之過程， 選擇性蝕刻存在於閛極層或閘極材料層上之閘極絕緣 膜及保護膜之重疊膜，形成可以使閘極層或閘極材料層之 表面之一部分露出之第1開口部，同時，選擇式蝕刻源極 、吸極或源極、吸極材料層上之保護膜，形成可使源極、 吸極或源極 '吸極材料層之表面之一部分露出之第2開口 部之過程，及 經由第1或第2開口部，將導電性材料層連接到閘極 ，閘極材料層，上述源極、吸極層或上述源極、吸極材料 層之過程。 依據上述薄膜元件之製造方法時，絕緣膜之選擇式蝕 刻係統籌一次爲之。固之可以將，形成可以將外部端子連 接到電極之開口部之過程，及形成可以將配線連接到電極 之開口部之過程共同化，而得減少過程數β 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 此製造方法也可應用在靜電保護元件之MO S二極體 之形成。亦可利用在電極附近之交童（cross under)配線 。所謂「交疊配線」係指，當將液晶顯示裝置之內部配線 引出密封材料外側時|爲了保護很厚之層間絕緣膜之配線 ，將上層之配線連接到下層之配線，迂迴引出部時所用之 配線。 上述「導電性材料層」以使用跟畫素電極相同之材料 爲佳。藉此可在形成畫素電極之同時也一併形成由導電性 k張尺度適用中國國家標孪（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ~ ~~ 一 9 一 A7 B7 43 89 9 五、發明説明（7 ) 材料所成之配線。 上述「導電性材料層J最好使用I T 0「Indcium Tin Oxidej膜。除了 I TO膜以外，也可以使用如例金 屬氧化膜之融點髙之其他透明電極材料。 同時•本發明之有源矩陣型液晶顯示裝置之靜電破壞 防止法之可取型態之一是，將雙方向二極體構成之靜電破 壞防止用保護構件，連接在掃描線與信號線中之至少一方 ，或在踉該線在電氣上等效之部位與共同電位線之間，藉 此防止含在液晶顯示裝置內之有源元件受到之靜電破壤 如此，可以確實防止含有在源矩陣基板之有源元件（ TFT)之靜電破壞。 茲參照附圖說明本發明之實施形態如下。 (第1實施態） 第1圖〜第6圖表示本發明之薄膜元件（底閘構造之 T F T )之製造方法之一個例子，係每一過程之元件之截 面圖。 (各製造過程之內容） (過程1 ) 如第1圖所示，利用光手版印刷技術在玻璃基板（無 鹼基板）2上形成，例如1 3 0 0A程度之厚度之c r所 構成之閘極4a，以及閘極材料層4b，4c。閘極4a 係在畫素部矩陣狀形成之底閘構造之T F T之閘極。而閘 表紙張尺度適用中國國家標準（CNS > A4規格（210X 297公釐）

丁 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁〕' 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 43899 1 Λ7 --------- 五、發明説明（8 ) 極材i層4j^形成後述之靜電破壞防止用保護元件之領 ..... . . ... · 一 I —III· Μ ――雙。而鬧極材料層4 c係用以形成與外部之連接用或檢査 用之端子之領域， (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 然後’藉電漿CVD法，連續形成由矽氮化膜 SiNx等構成之閘極絕緣膜6,未摻雜不純雑質之真性 無定瑕砂膜8 ’以及η型矽膜（電阻接觸層）1〇，接著 ’藉照相蝕刻術使真性無定形矽膜8與η型矽膜（電阻接 觸層）1 0小島化。 這時’閛極絕緣膜6之厚度爲，例如3 0 0 0Α前後 ’真性矽膜8之厚度爲，例如3 0 0 0Α前後，電阻接觸 層1 0之厚度爲，例如5 0 0Α前後。 在此過程之特徵是，不形成對閘極絕緣膜之接觸孔· (過程2 ) 其次’如第2圖所τκ，藉彌射（Spattering)或照相 蝕刻’形成例如由C r構成之1 3 0 0A前後之源極、吸 極 1 2 a，1 2 b。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (過程3 ) 接著如第3圖所示，將源極、吸極12a ，12 b當 作掩蔽使用，藉蝕刻去除電阻接觸層1 0之中央部分，以 分離源極、吸極（分離触刻）。這時能夠在同一室內連績 進行源極、吸極之圖型化之蝕刻與分離蝕刻。 亦即，先以C 系之蝕刻氣體進行源極、吸極 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（2ί〇Χ297公釐） -11 - 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 43 89 9 1 at B7 五、發明説明（9 ) 1 2 a，1 2 b之蝕刻，接著將蝕刻氣體切換爲s Fβ系. 之氣體，進行電阻接觸層1 〇之中央部位之蝕刻。 (過程4 ) 其次如第4圖所示，例如以電漿CVD法形成保護膜 i 1 4。此保護膜1 4係例如2 Ο Ο 0A前後之矽氮化膜（ S i N X )。 (過程5 ).. 其次，如第5圖所示，在保護膜1 4之一部分形成， 連接外部端子（搭接線或I C之外部引線等）用之開口部 20，同時形成接觸孔16，18» 開口部2 0及接觸孔1 8係貫穿閘極絕緣膜6及保護 膜1 4之重疊膜而成。接觸孔1 6係僅貫穿保護膜1 4而 成。 在形成開口部2 0與接觸孔16 ，1.8時，閘極材料 層4 b，4 c分別發生蝕刻阻擋層之作用。而在形成接觸 孔1 6時，源極、吸極1 2 b則成爲蝕刻阻擋層。 (過程6 ) 然後如第6圖所示，以5 0 0A前後之厚度沉積 I Τ Ο ( Indium Tin Oxide)膜，經選擇式独刻*形成由 ITO構成之配線22a及電極22b。 ITO之蝕刻係 利用H C 5/HN 03/H20之混合液之濕式蝕刻爲之。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再私寫本頁) -訂 12 A7 B7 438991 五、發明説明（ίο ) 如上述，開口部2 0及接觸孔1 8係貫穿閘極絕緣膜 6及保護膜1 4之重疊膜而成。因此成爲兩層絕綠膜厚度 之很深之接觸孔》 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 惟因I TO之融點很高，其級層涵蓋性較鋁金屬好， 因此經由很深之接觸孔時也不會造成接觸不良。再者，除 了 I TO以外，也可以使用例如金屣氧化物之觸點高之其 他透明電極材料。例如SnOx，2nOx等金屬氧化物 也可以使用。這時，級層涵蓋性仍可符合實際使用。 如此製成之底閘構造之TFT被用在，例如，有源矩 陣基板之畫素部之轉接元件。同時由IT◦形成之電極 2 2 b則成爲連接外部端子（I C之外部引線等）之墊片 (pad) 〇 (本製造方法之特徵） 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 第7圖A〜第7圖F係表示第1圖〜第6圖所記述之 本實施形態之TF T之製造過程》另一方面，第8圖A〜 第8圖G係表示對比例子之T F T之製造過程。此對比例 子係爲了明確表示本實施形態之T F T之製造方法之特徵 ，由本發明人等想出，而非傳統例子。 對比例子之第8圖A與第7圖A相同。 在第8圖A〜第8圖G，與第7圖A〜第7圖F相同 之部分標示相同記號。’ 對比例子係如第8圖B所示，在形成吸極層以前’先 形成接觸孔ΚΙ ，K2。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（21〇Χ297公釐） 4389 9 1 A7 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 B7 五、 發明説明（ 11) 1 | 而 如 第 8 圖 C 所 示 j .形 成 源 極 、 吸 極 層 1 2 a 1 1 1 | 1 2 b ♦ 以 及 相 同 材料 之 源 極 吸 極 材 料 層 1 2 C 9 1 1 2 d α Μ 1 請 j 然 後 如 第 8 圖 D 所 示 S 形 成 I T 〇 膜 3 0 ύ 先 閲 1 I 接 著 如 第 讀 i I 8 圖 E 所 示 ) 在 電 阻 接 觸 層 1 0 之 中 央 部 進 背 面 1 之 行 蝕 刻 ( 分 酿 離 蝕 刻 ) 0 注 意 1 | 其 次 如 第 8 圖 F 所 示 ， 形 成 保 護 膜 4 0 0 事 項 真 Ί 最 後 9 如 第 8 圖 G 所 示 t 形 成 開 □ 部 K 3 0 藉 此 使 $ 窝 I 源 極 <k 吸 極 材 料 層 1 2 d 之 表 面 露 出 > 形 成 用 來 連 接 外 部 1 1 端 子 之 電 極 ( P a d ) 0 1 1 依 據 上 述 之 對 比 例 子 之 製 造 方 法 時 在 第 8 圖 B 之 接 1 1 觸 孔 之 形 成 過 程 外 有 加 上 第 8 圖 G 之 形 成 開 □ 部 K 3 之 訂 I 過 程 共 計 需 要 兩 個 開 □ 部 之 形 成 過 程 〇 1 1 對 此 本 實 施 形 態 之 製 造 方 法 係 如 第 7 \ et 1 圖 Ε 所 示 統 1 I I 籌 一 次 形 成 開 □ 部 1 6 1 8 2 0 〇 亦 即 1 在 貫 穿 保 護 1 1 膜 1 4 及 閘 極 絕 綠 膜 6 之 重 疊-膜 形 成 開 □ 部 之 同 時 1 在 源 1 極 吸 極 層 1 2 b 上 也 形 成 保 護 膜 1 4 之 Γ«ΐ 圖 型 因 而 開 P 1 1 部 之 形 成 過 程 僅 — 次 即 可 〇 曝 光 過 程 也 可 以 減 少 一 次 〇 因 1 i 而 可 以 免 掉 光 阻 蝕 刻 膜 之 沉 m 過 程 及 其 触 刻 過 程 〇 因 此 共 1 縮 減 三 個 Μ 程 0 亦 即 可 簡 化 製 造 程 序 0 I 同 時 t 本 實 施 例 之 製 造 方 法 可 以 連 績 在 同 _~* 室 內 進 行 1 第 7 i q.l 圖 Β 所 示 之 源 極 吸 極 層 1 2 a 1 2 b 之 rwt 圖 型 化 ( 1 1 乾 式 蝕 刻 ) * 及 第 7 圓 C 所 7S< 之 電 阻 接 觸 層 1 0 之 中 央 部 位 之 蝕 刻 ( 乾 式 蝕 刻 ) 〇 亦 即 在 同 — 室 内 依 序 切 換 蝕 刻 1 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4规格（21〇Χ297公菠） -14 — 經濟部中央標準局貝工消費合作社印製 4 3 8 9 9 1 B7 五、發明説明（12 ) 氣體，便可連續蝕刻。 對此，對比例子之I τ ◦層3 0與源極、吸極1 0 a 10b屬同一層。即，，兩者成積層狀’其間無保護膜。 因而在基板上之其他領域（未圖示）有異物存在時’便有 可能使本來應該絕緣之I T Ο膜構成之配線’源極、吸極 層，及同一材料形成之配線或電極發生短路現象。亦即， 本實施形態之製造方法形成之元件之可靠性較高° 同時，對比例子因在較早之階段形成I TO膜_3 0 ( 第8圖D)，在其後之過程有可能受到I TO之組成物之 1 η或Sn等之污染 對此，本實施形態之製造方法，ΪΤΟ膜22a ， 2 2 b係在最後之過程形成，因此被I TO之組成物之 5 η污染之可能性很少。 如此，依據本實施形態之製造方法時，可縮減製造過 程，而且可製成可靠性很高之元件。 (第2實施形態） 其次再參照第9圖〜第1 8圖，說明本發明之第2實 施形態。 第9圖係表示本發明第2實施形態之有源矩陣基板之 平面配置圖。 第9圖之有源矩陣基板係使用在液晶顯示裝置。畫素 部之轉接元件及靜電破壞肪止用之保護元件，使用第1實 施形態所說明之製造方法製成之T F Τ。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ297公釐） ： — -15 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 蒗- 訂 A7 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 438991 _B7__ 五、發明説明（13 ) 畫素部4 0 0 0 (圖中以虛線所圍部分）係多數畫奉 120所構成，各畫素含有TFT (轉接元件）300〇 ’ TF T 3 0 0 0設在掃描線5 2與信號線5 4之交點》 在掃描線5 2與信號線5 4之各端部分別設有墊片（ 電極）160A，160B，此等墊片與LC — COM線 180之間連接有第1保護元件140A，140B，上 述墊片與保護環1 〇 〇之間則形成有第2保護元件 150A，150B。再者，LC-COM線 180 經由 銀點墊片1 1 0，同時連接在相對之電極。 「墊片1 6 0A，1 6 0B」係連接搭接線或碰撞（ b u m p )電極，或使用聚醯胺帶製成之電極等（外部端 子）之電極8 而「L C-COM線1 8 0」係供給作爲驅動液晶之 基準之電位之線。共同電位L C 一 COM係，例如第3 〇 圖所示，設定在較顯示信號電壓Vx之中點電位vB低Δν 之電位。即，如例示於第2 9圓，畫素部之丁 FT 3 0 0 〇存在有閘極，源極間電容Ccs，其影響使.顯示信 號電壓Vx與最終之保持電壓Vs之間產生電位差AV。爲 了要補償此電位差Δν，以較顯示信號電壓Vx2中點電 位之電位當作共同之基準電位。 再者，第2 9圖中，X係信號線，Y係掃描線， C ^係液晶之等效電容，C ad係保持電容。而第30圖中 ，V x係供給信號線X之顯示信號電壓，V γ係供給掃插線 Υ之掃描信號電壓。 先浪尺度適用中國國家標孪（CNS ) Α4規格（210X297公釐) ~ ' -1〇 - (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)

4389 9 1 A7 B7 五、發明説明（14 ) 而「保護環1 0 0」係作爲液晶顯示裝置在製造階段 之靜電對策，而設在墊片1 6 0A ’ 1 6 0B外例之線。 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) L C — COM線1 8 0及保護環1 0 0均爲共同電位 線，因此，若在墊片與此等線之間連接孔保護用二極體， 則可使靜電逸出到此等線上， 同時，保護環1 0.0係如第2 7圖所示，將在貼合 TFT基板1 3 0 0與相對基板（彩色濾波基板）後，連 接驅動用I C之前，沿著劃線（SB)切斷掉，但LC — C OM線1 8 0會殘留在最終製品。因此，在基板切斷後 ，連接I C之前，畫素部之TFT仍可由第1保護元件 1 4 0加以保護免受靜電破壞，因此對提高製品之可靠度 a 而因最終製品仍留有保護二極體，實際使用製品時之 耐靜電破壤強度也會提高。而且是使用T F T之保護用二 極體，因此門檻值（V ±h )很容易控制，也可降低漏洩電 流，因而在最終製品殘留二極體也不會有不良影響。 第1 1圖A〜第1 1圖C表示保護元件之具體例子。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 亦即，如第1 1圖A所示，保護元件係由，連接第1 TFT (F1)之閘極，吸極而成之MOS二極體，與連 接第2TFT (F2)之源極、吸極而成之MOS二極體 ，將兩MO S二極體反向並聯而構成。其等效電路係如第 1 1 B圖所示。 因之，如第1 1圖C所示I此保護元件之電流、電壓 特性在雙方向具有非線性特性》各二極體在施加低電壓時 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） -17 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 4 3 8 9 9 1 A7 B7 五、發明説明（15 ). 成爲高阻抗狀態，施加高電壓時成爲低阻抗狀態。同時，. 各二極體實質上是電晶體’流通電流之能力很大’可高速 吸收靜電，因此靜電保護能力很高。 在第1 0圖表示第9圖之墊片1 6 0A，1 6 0B周 邊之靜電保護元件之具體配置例子。 第1保護元件1 4 Ο A係由連接源極、吸極間之薄膜 電晶體M6 0及M6 2所構成’同樣地，第1保護元件 1 4 Ο B係由薄膜電晶體M4 0及M4 2所構成。 第2保護元件1 5 0A ’ 1 5 0B也同樣’由薄膜電 晶體M8 0，M8 2及M20，M2 2所構成。 此等保護元件在施加正或負之過大之突波時導通，使 該突波高速逸至LC 一 COM線180或保護環100。 而配置在墊片外側之第2保護元件1 5 0則除了靜電 保護之功能以外，同時具有，可以防止由保護環1 0 0短 路各墊片1 6 0致在排成行列過程中無法做最終檢查。茲 參照第14圖說明如下。. 如第14圖所示，將行列測試器2 0 0 (有放大器 220)之探針連接在墊片160A1 ，對畫素部之 TFT (Ma)進行試驗時， 第2保護元件1 5 0A1及第2保護元件1 5 0A2 維持著高阻抗狀態，因此畫素部之TFT (Ma )與 TFT (Mb)在電氣上成分離狀態。因之可防止與其他 電晶體間之串訊，而得僅對所需之T F T ( M a )進行試 驗。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X297公釐〉 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)

18 - A7 B7 438991 五、發明説明（) 又如第2 7圖所示，TFT基板1 3 0 0之製作完蹒 後，在塗敷配向膜’研磨過程’封閉材（間隔片）塗敷過 程，基板之粘貼過程，分斷過程，液晶注入及加封過程之 各過程結束後，在連接驅動用I C之前’沿著劃線（S B )切斷，而去除保護環 惟固連接在L C — COM線1 8 0與墊片1 6 0間之 第1保護元件1 4 0會留存下來，在連接驅動用Ϊ c前。 仍可有靜電保護作用。 再者，第1保護元件會殘留在最終製品，但使用 T F T之保護元件有正確之門檻值控制，因此不會因漏洩 電流等之影響使製品之可靠度降低^ 其次再參照第12圖及第13圖，說明第11圖所示 之第1及第2電晶體（FI ，F2)之元件之構造。 本實施形態係如第1 2圖所示，將由畫素材料形成之 ITO膜300，320，330當作連接源極、吸極之 配線使用》 第1 3圖表示對應第1 2圖之平面配置圖之各部分（ A)〜（F)之截面構造。 如圖示，構成靜電保護元件之第1薄膜電晶體F 1及 第2薄膜電晶體F 2均具有反交錯構造（底閘構造）。 亦即，在玻璃基板4 0 0上形成閘極層4 1 0， 420，430，440 •在其上面形成閘極絕緣膜 450，而形成真性無定形矽層470，472，介由η 型之電阻層480，形成吸極（源極）層490，並形成 本紙張尺度適用中國國家標率（CNS ) /\4见格（210Χ297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂. 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 -19 - 438991 A7 B7 五、發明説明（Π ) 覆蓋這些各層之保護膜4 6 0，而以畫素電極材料之 ITO 所成之膜（ITO 膜）300，320，330 連 接閘極，吸極間。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) I 丁 ◦膜300 ，320 ，330係經由，貫穿閘極 層上之閘極絕緣膜450及保護膜460之兩層膜之接觸 孔，以及貫穿吸極層4 9 0上之保護膜4 6 0之接觸孔， 連接閘極層與吸極層。 這時，I TO因爲是高融點，級層涵蓋性較鋁等優異 *因此經由貫穿兩層膜之深接觸孔，仍可確保良好之接續 〇 而如在第1實施形態所說明，對閘極、源極之接觸孔 ，因爲是在連接外部端子之開口部之形成過程中間時形成 ，因此可縮減過程數。 以上係就使用I TO膜當作配線以形成保護用二極體 之例子進行說明。但I T 0膜當作配線利用並不限定如上 述，例如也可以有第1 5圖所示形態之利用法。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 即，在第15圖，IT ◦膜3 4 2係利用作爲形成墊 片1 6 0附近之交疊配線3 4 2。 所請「交疊配線」係指，將液晶顯示裝置之內部配線 引出到封閉材5 2 0外側時，爲了藉厚層間絕緣膜保護配 線，將上層之配線連接到下層之配線，迂迴到出外部用之 配線。 亦即，ITO膜342係連接吸極層490，與使用 與閘極相同材料形成之層（閘極材料層）4 1 2。藉此， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -20 - 438991 A7 B7 五、發明説明（IS ) 引出閘極材料層4 1 2外部之部分係由閘極絕緣膜4 5 0 與保護膜4 6 0之雙方加以保護，可靠度可以提高。 再者，在第1 5圖'記號5 0 0及5 0 2表示配向膜 ，520表示封閉材，540係相對電極，562係玻璃 基板，1 4 0 0係液晶。而在墊片1 6 0連接有，例如搭 接線6 0 0。有時是連接碰撞電極或使用聚醯胺薄膜之電 極層取代搭接線= I T 0膜亦可在其他各處當作配線使用。若例示可將 I T 0膜利用作配線之處所，則如第1 6圖所示* 在第16圖中，I TO膜用粗實線表示。 A 1〜A 3之I TO膜被用作形成保護元件之配線’ A4被用作連接掃描線5 2與墊片1 6 0 B之配線，A5 係被用作第1 5圖所示之交疊配線。 而Α6係被用作水平方向之L C 一 COM線與垂直方 向之L C — C 0M線之連接用配線.》亦即*水平方向之 L C — COM線係由閘極材料形成，垂直方向之L C — 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) C OM線係以源極材料形成，因此必須以I TO連接雙方 〇 再者，在第1 6圖中之A6 *銀點墊片1 1 0可以與 水平方向之L C - C OM線或垂直方向之L C 一 C OM線 中之任一線在同一過程中形成，而如此形成時，可介由 I TO連接未與銀點墊片1 1 0 —體形成之LC 一 COM 線（水平、垂直之任一方）與銀點墊片1 1 0即可。 其次參照第1 7圖，第1 8圖，說明在畫素部之各β 木紙張尺度適用中國國家榡準（CNS > Α4規格（210X 297公釐） 一 21 一 4 3 8 9 9 1 a? B7 五、發明説明（l9 ). 素之架構。 第1 7圖表示畫素部之平面配置° (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 配置連接在掃描線5 2及信號線5 4 ’具有轉接元件 之功能之TFT (由閘極7 2 0 ’吸極7 40 ’未沉積雜 質之真性無定形矽層475所構成），吸極740連接在 畫素電極（ITO) 340 »圖中’ K2係接觸孔’ C a d係保持電容。保持電容C a d係由相鄰接之閘極配 線與延長之畫素電極重疊而形成。 第1 8圖係沿第1 7圖B — B線之截面構造圖。與第 1 5圖所說明之構造相同》 (第3實施形態） 先參照第1 9圖〜第2 6圖，說明上述第2實施形態 之T F T基板之製造方法。 在各圖，左側爲形成畫素部之轉接電晶體之領域，中 . 央部爲形成保護元件之領域，右側爲連接外部端子之領域 (墊片部）。 經濟部中夬標準局員工消費合作社印聚 (1 )如第1 9圖所示，首先利用光平版印刷技術， 在玻璃基板（無鹼基板）4 0 0上，形成例如厚度 1800A前後之Cr構成之電極720，722 ， 900，902，904。 C r之沉積係使用磁控管濺射裝置，在5 0m To f r之減壓下進行。而C r之加工則以使用〇：又2系 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐} -22 - 經濟部中央標準扃員工消費合作社印装 4 3 89 9 1 at B7 五、發明説明（2〇 ) 氣體之乾式蝕刻爲之。 記號7 2 0，9 0 0係成爲TFT之閘極之層（閘極 層），記號7 2 2係相當於第1 7圖所示之掃描線5 2之 層記號9 0 2 ，9 0 4係由閘極層之相同材料形成之層 (閘極材料層）。 (2 )其次，如第2 0圖所示’藉電獎CVD法.，連 績形成由矽氮化膜S i Nx等構成之閘極絕緣膜9 1 〇 ’ 未沉積雜質之真性無定形矽膜以及η型矽膜（電阻層）’ 接著，藉使用S Fe系之蝕刻氣體之乾式蝕刻形成真性無 定形矽膜及η型矽膜（電阻層）之圖型。 藉此形成小島化之真性無定形矽層4 7 5 ’ 9 2 0以 及η型矽膜（電阻膜）477，922。 閘極絕綠膜9 1 0之厚度爲，例如4 Ο Ο 0Α前後’ 真性矽層475 ，920之厚度爲，例如3000Α前後 ，而電阻層477，92 2之厚度爲，例如500Α前後 〇 本過程之特徵在於，不形成對閘極絕緣膜之接觸孔。 因此，不需要光阻蝕刻膜之塗敷過程*曝光過程，及蝕刻 去除過程，可減少過程數。 (3 )然後，如第2 1圖所示，藉濺射法及照相照蝕 刻法，形成例如由C r構成之1 5 0 0Α前後之源極、吸 極層 740a，740b，930a ，930b。 本紙張尺度適用中國囤家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ：--：---TJ^:-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 -23 - 4389 9 1 Λ7 ______B7__ 五、發明説明（21 ) (4) 接著，將源極、吸極層740a，740b， 930a ’ 930b當作掩蔽，藉蝕刻去除電阻層477 ，9 2 2之中央部分，使源極與吸極分離開。 第2 1圖所示之源極、吸極層之圖型化，與第2 2圖 '所示之源極、吸極之分離蝕刻，係在同一蝕刻裝置之蝕刻 室內連續進行。亦即，先以C又2系之蝕刻氣體加工源極 、吸極層 740a，740b，930a，930b，接 著將蝕刻氣體切換成爲S Fs系之氣體，進行電阻層 47 7 ’ 922之中央部分之蝕刻。如此，由於是連續使 用乾式蝕刻，可簡化製造作業。 (5) 然後如第2 3圖所示，使用電漿CVD法形成 保護膜9 4 0。此保護膜9 4 0係例如2 0 0 0A前後之 矽氮化膜S i N X。 經濟部中央標準局員工消费合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (6) 接著，如第24圖所示，使用呂？6系之蝕刻 氣體對保護膜9 4 0進行選擇式之蝕刻。亦即，在形成墊 片部之開口部1 6 0之同時，形成接觸孔C P 1及接觸孔 K 8，K 1 0。 開口部1 6 0及接觸孔c P 1係貫穿閘絕緣膜9 1 0 及保護膜9 4 0之重疊膜所形成之開口部，接觸孔K8， K1 〇係僅貫穿保護膜940之開口部。 這時，閘極材料層9 0 2 ’ 9 0 _ 4在形成接觸孔 本紙浪尺度適用中國國家標準{ CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -24 - 43899 f at B7 五、發明説明（22 ) CPI ，開口部160時，成爲蝕刻阻止層，源極、吸極 740a ，930b則在形成接觸孔K8，Κ1〇時，成 爲蝕刻阻止層。 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁} (7 )接著，如第2 5圖所示，使用磁控管濺射裝置 ，以厚度 5 0 0 Α 前後沉積 I Τ 0 ( Indium Tin Oxide )膜，使用HC β/ΗΝ03/Η20之混合液進行蝕刻， 加工成一定之圖型。藉此完成有有源矩陣基板。在第2 5 圖，記號9 5 0係由I TO形成之畫素電極，記號9 5 2 係構成保護用二極體之一部分之由I TO形成之配線.，記 號9 5 4係連接外部端子用之I TO形成之電極（墊片） 〇 因爲使用級層涵蓋性良好之I TO作爲配線。因此可 確保良好之電氣接續》畫素電極材料可使用例如金屬氧化 物之融點高之其他透明電極材料。例如使用S n.0 X， ΖηΟχ等金屬氧化物^ 又可從第25圖清楚看出，在I TO層9 50， 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 952 ’ 與源極、吸極 740a，740b，930a， 9 3 0 b之間一定夾有保護膜9 4 0 »這表示，在基板上 之配線領域（未圖示），由I TO形成之配線層，與源極 、吸極層確實成電氣上分離之狀態。因此不會因異物引起 雙方短路。 同時’本製造方法係在最後過程（第2 5圖）始形成 ϊ TO膜，因此不必擔心受I το組成物之Sn ’ I η之 表紙張尺度適_^中國國家標準（〇奶）八4規格（210'/297公釐)~ ~ 43899 t A7 __B7 五、發明説明（23 ) 污染。 如此 > 依本實施形態之製造方法時，可縮減有源矩陣 基板之製造過程，而且可以搭載對靜電有充分之對策，可 靠度很高之薄膜電路。 再者，第25圖係將ITO膜9 52，954直接連 接在閘極層9 0 2以及閘極材料層9 0 4，但也可以介由 Mo，Ta，T i等緩衝層連接雙方。 其次再說明，使用完成之有源矩陣基板裝配液晶顯示 t 裝置之過程》 如第2 8圖所示，粘貼相對基板1 5 0 0與TFT基 板1 3 0 0，經過如第2 7圖所示之分斷過程後，封裝液 晶，接著連接驅動用I C，再如第28圖所示，經過使用 偏光板1200，1600以及使用後燈1000等之裝 配過程，而完成有源矩陣基板液晶顯示裝置。 第2 6圖表示有源矩陣液晶顯示裝置之主要部分之截 面。第2 6圖之與第1 5圖，第1 6圖相同部位標有同一 記號》 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 H. —- - - I I I n I - --- n _] _ _ HE __ HI (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在第2 6圖，左側爲有源矩陣部，中央爲形成保護元 件（靜電保護用二極體）之領域，右側爲墊片部。 在墊片.部，由ITO形成之電極（墊片）95 4上， 介由異方性導電膜5 0 0 0 ，連接液晶之驅動用I C 5 5 0 0之外部引線5 2 0 0 =記號5 1 0 0係導電性粒 子，記號5 3 0 0係薄膜帶•記號5 4 0 0係密封用之樹 脂。 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐} 0„ -ώΟ - 4. 3 R Q 〇 f 、.、^ A 7 B7_ 五、發明説明（24) 第2 6圓之驅動用I C之連接方法採使用帶狀載子之 方式（TAB方式），但也可以採用其他，如COG ( Chip 〇n Glass)方式。 本發明不限定如上述實施形態，利用正交錯構造之 T F T時，亦可變形應用之。同時對畫素電極之材料，除 了 I TO以外，亦可使用如金屬氧化物等融點高之其他透 明電極材料》例如可以使用SnOx，ZnOx等金屬氧 化物。這時之級層涵蓋性，亦可符合實用性。 若將本實施例之液晶顯示裝置使用在個人電腦等機器 之顯示裝置，製品之價值可以提高。. .: 圖式之簡單說明 第1圖〜第6圖係表示本發明薄膜元件之製造方法之 每一過程之元件之截面圖， 第7圖A〜第7圖F係說明第1圖〜第6圖所示製造 程序技術之特徵之圖， 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 ϋ-. 11 - - ill - n I -1— L·^. — I · - -- if — I m* '· (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 第8圖A〜第8圖G係對比例之每一過程之元件之截 面圖， 第9圖係表示本發明之T F T基板之構成例子之圖， 第1 0圖係表示第9圖之TFT基板之墊片周邊之構 成之圖， 第1 1圖A係表示靜電保護電路之圖，第1 1圖b係 表示靜電保護電路之等效電路圖，第1 1圖C係表示靜電 保護電路之電壓一電流特性之圖， 本紙張尺度適用中國國家標辛（CNS ) A4規格^ 210X297公釐） -27 - 43899 1 A7 _B7 五、發明説明（25 ) 第1 2圖係表示靜電保護電路之平面配置形狀之圖， 第1 3圖係使用元件之截面構造來說明第1 2圖之靜 電保護電路之架構之圖’ 第1 4圖係說明靜電保護電路之機能用之圖， 第1 5圖係表示將液晶面板之配線引出到搭接墊時之 構造例子之圖’ 第1 6圖係例示本發明之有源矩陣基板之除了畫素以 外之領域之1 τ ◦之使用處所之圖’ 第1 7圖係表示本發明之液晶顯示裝置之畫素部分之 平面配置形狀之圖’ 第1 8圖係表示沿第1 7圖之B — B線之液晶顯示裝 置之截面之圖’ 第1 9圖〜第2 5圖係分別表示本發明之有源矩陣基 板之製造方法之各過程之元件之截面圖’ 第2 6圖係表示使用第2 5圖之有源矩陣基板組合成 之液晶顯示裝置之主要部分之截面構造之圖’ 第2 7圖係說明利用格子分斷裝置之基板分斷過程之 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 圖， 第2 8圖係說明有源矩陣型之液晶顯示裝置之整體架 構之大概之圖， 第2 9圖係說明有源矩陣型之液晶顯示裝置之畫素部 分之結構之電路圖’ 第3 0圖係表示在第2 9圖之畫素部分，因以驅動液 晶之電壓波形之圖。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS } A4規格（210X 297公釐.) -28 附件2第85112581號專利申請案 4 3 89 g j中文說明書修正頁: 民國90年3月修正 五、發明說明（加 ， i - \

Q X. 'U I .ά八必 元件對照表 L—一'—_一一一一 2 :玻璃基板 4 a :閘極 4b * 4 c :閘極材料層 6 :閘極絕緣膜 8:真性無定形矽膜 1 0 :電阻接觸層 l〇a，12a :源極 l〇b，12b :汲極 1 4 :保護膜 1 6，1 8 :接觸孔 2 0 :開口部 2 2 a :配線 2 2 b :電極 3 0 : I T〇膜 4 0 :保護膜 5 2 :掃瞄線 5 4 :信號線 1 0 0 :保護膜 1 1 0 :墊片 1 2 0 :畫素 140，14〇a ’ 14〇b :第1保護兀件 150a > 150al，15〇a2，150b :第 2 保 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) i 訂---------線· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 —29 _ 43 89 9 1 A7 B7 五、發明說明（勿 護元件 1 6 0 :開口部 160a ，16〇al，160b:墊片 180 : LC-COM 線 2 0 0 :行列測試器 2 2 0 :放大器 300，320，330: ITO 膜 3 4 0 :畫素電極 3 4 2 : I T 0 膜 4 0 0 :玻璃基板 4 1 0 :閘極層 4 1 2 :閘極材料層 420，430，440:閘極層 450:閘極絕緣膜 4 6 0 :保護膜 470，472，477，477a，477b，475 :真性無定形矽膜 4 8 0 :電阻層 4 9 0 :汲極 500 ，502 :配向膜 5 2 0 :封閉材 5 4 0 :相對電極 5 6 2 :玻璃基板 6 0 0 :搭接線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -1 ----訂---------線- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30 - 438991 A7 B7 五、發明說明（洳 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 7 2 0 : 閘 極 7 2 2 > 7 4 0 電 極 7 4 0 a : 源 極 7 4 0 b ; 汲 極 9 0 0 > 9 0 2 9 0 4 9 3 0 a : 源 極 9 3 0 b : 汲 極 9 4 0 ： 保 護 膜 9 5 0 畫 素 電 極 9 5 4 : 墊 片 1 0 0 0 : 後 燈 1 2 0 0 : 偏 光 板 1 3 0 0 : T F Τ 基 板 1 4 0 0 偏 光 板 1 5 0 0 ; 基 板 1 6 0 0 * 偏 光 板 3 0 0 0 T F Τ 4 0 0 0 畫 素 部 5 0 0 0 ; 向 異 性 導 電 膜 5 1 0 0 : 導 電 性 粒 子 5 2 0 0 ; 外 部 引 線 5 3 0 0 薄 膜 帶 5 4 0 0 : 密 封 用 之 樹 脂 5 5 0 0 ; 驅 動 I C 電極 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -31 -

Claims (1)

1. 43 899 1 公告本 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 附件la 第8 5 1 1 2 5 8 7號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 0年3月修正 1 . 一種薄膜元件之製造方法，包含下列（A)〜（ Η )之製造過程， (A )在基板上形成閘極層，及與此閘極層同一材料 製成之閘極材料層之過程， (B)在上述閘極層及閘極材料層上形成閘極絕緣膜 之過程， (C )在上述閘極絕綠膜上，以具有與上述閘極層在 平面上重疊之形態，形成通道層及電阻接觸層之過程， (D )形成連接在上述電阻接觸層之源極層及吸極層 之過程* (E )藉蝕刻去除介在上述源極層與吸極層間之上述 電阻接觸層之過程， (F )形成覆蓋上述源極層，吸極層，以及上述閘極 材料層之保護膜之過程， (G )選擇式蝕刻存在於上述閘極層或上述閘極材料 層上之上述閙極絕緣膜及上述保護膜之重疊膜之一部分》 形成可以使上述閘極層或閘極材料層之表面之另一部分露 出之第1開口部，同時，選擇式蝕刻上述源極層或吸極層 上之上述保護膜之一部分，形成可以使上述源極層或吸極 層之表面之一部分露出之第2開口部之過程， (H)經由上述第1開口部或第2開口部，將導電性 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -—-1' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝·-------訂·! !1!_§ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 438991 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 材料層連接在上述閘極層，閘極材料層，上述源極層，吸 極層之至少一處之過程, 上述導電性材料層係由I T 0 ( Indium Tin Oxide ) 所構成。 2. 如申請專利範圍第1項所述之薄膜元件之製造方 法，其特徵在於， 在上述（G)過程形成之上述第1開口部係，將配線 連接到上述閘極材料層用之接觸孔，或將外部端子連接到 上述閘極材料層用之開口部。 3. —種有源矩陣基板，係以連接在配置成矩陣狀之 掃描線與信號線之薄膜電晶體（TFT)，及連接在該薄 膜電晶體之一端之畫素電極，構成畫素部之有源矩陣基板 ，其特徵在於， 具備有，配設在上述掃描線及信號線中之至少一方， 或與該線在霊氣上等效之部位與共同電位線之間，使用薄 IM 膜電晶體；電破壞防止用保護構件， 上述壞防止用保護構件含有，連接薄膜電晶體之 閘極層與汲極層之架構之二極體， 連接上述閘極層與源極、吸極層用，而選擇式去除上 述閘極層上之絕緣膜而成之第1開口部，與選擇式去除上 述源極、吸極層上之絕緣膜而成之第2開口部，係在同一 過程形成，且，上述閘極層與上述源極、吸極層，係經由 上述第1及第2開口部，由跟上述畫素電極同一材料之導 電材料層連接在一起。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) ^1/ 1 I I - - - - [ ] I - I _ . 經濟部智慧財產局員工消費合作杜印製 2 4389 9 1 B8 1 C8 _ DS 六、申請專利範圍 4 ·如申請專利範圍第3項所述之有源矩陣基板，其 特徵在於， 上述第1開口部係貫穿閘極材料層上之第1絕綠膜及 第1絕緣膜上之第2絕緣膜之重疊膜而形成，上述第2開 口部係僅貫穿源極、吸極層上之上述第2絕綠膜而形成。 5. 如申請專利範圍第3項所述之有源矩陣基板，其 特徵在於， 上述畫素電極，及跟畫素電極同一材料之上述導電材 料層係由I T 0 ( Indium Tin Oxide)膜所構成。 6. 如申請專利範圍第3項所述之有源矩陣基板，其 特徵在於， 與上述掃描線及上述信號線中之至少一方成電氣上等 效之部位，係連接外部端子用之電極（pad)，而上述 共同電位線，係在交流驅動液晶時供給成爲基準之基準電 位之線（LC—COM線），或在製造液晶顯示裝置之過 程中，共同連接用以連接上述外部端子之電極使成同電位 之線（保護膜）* 7. 如申請專利範圍第6項所述之有源矩陣基板，其 特徵在於， 上述靜電破壞防止用保護構件係設在，連接上述外部 端子之電極（pad)，與交流驅動上述液晶時供給成爲 基準之基準電位之線（L C — COM線）之間，以及’連 接上述外部端子之電極（pad)，與共同連接用以連接 上述外部端子之電極使成同電位之線（保護環）之間之雙 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--------訂*丨丨丨丨丨丨-τ·^. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 AS 438991 1 U〇 ____ 六、申請專利範圍 方。 8. 如申請專利範圍第3項所述之有源矩陣基板’其 特徵在於* 上述靜電破壞防止用保護構件具備有’共同連接第1 二極體之陽極與第2二極體之陰極’及共同連接第1二極 體之陰極與第2二極體之陽極而構成之雙方向性之一極體 〇 9. 一種使用如申請專利範圍第3項〜第8項中之任 一項所述之有源矩陣基板構成之液晶顯示裝置。 1 0 . —種有源矩陣基板之製造方法，其特徵在於’ 經過包含下列（A)〜（G)製造過程之基板製造過程’ 製造有源矩陣基板， (A)在基板上形成閘極層*與此閘極層同一材料之 閘極材料層之過程， C B )在上述閘極層及閘極材料層上形'成閘極絕緣膜 之過程> (C )在上述閘極絕緣膜上，與上述閘極層在平面上 有重疊之形態形成通道層及電阻接觸層之過程， (D )形成連接於上述電阻接觸層之源極、吸極層， 冏時在上述絕緣膜上之一定領域，形成與上述源極、吸極 層同一材料構成之源極、吸極材料層之過程， (E )形成可覆蓋上述源極、吸極層，以及上述源極 、吸極材料層之保護膜之過程， (F )選擇式蝕刻上述閘極層或閘極材料層上存在之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（2J0 X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) J裝----- - -訂i !i ―、魂丨' 一 4 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -*--------BBBBS .! ^3899 1 B8 1 C8 D8 六、申請專利範圍 上述閘極絕緣膜及上述保護膜之重疊膜，形成可使上述閘 極層或閘極材料層之表面之另一部分露出之第1開口部， 同時，選擇式蝕刻上述源極、吸極層或上述源極、吸極材 料層上之上述保護膜，形成可使上述源極、吸極層或上述 源極、吸極材料層之表面之一部分露出之第2開口部之過 程， (G )經由上述第1或第2開口部，將上述導電性材 料層連接到上述閘極層，上述閘極材料層，上述源極、吸 極層或上述源極、吸極材料層之過程， 上前導電性材料層係由I TO所構成》 1 1 .如申請專利範圍第1 0項所述之有源矩陣基板 之製造方法，其特徵在於， 經由如申請專利範圍第1 〇項之過程（A)〜（G) ，在上述有源矩陣基板上形成， 連接在掃描線與信號線之薄膜電晶體（T F T )， 連接在上述薄膜電晶體之畫素電極，以及， 連接上述薄膜電晶體之閘極層與源極、吸極層而成之 靜電破壞防止用之二極體。 12，如申請專利範圍第項所述之有源矩陣基板 之製造方法，其特徵在於， 上述過程（G )之導電性材料層，係使用與畫素電極 相同材料構成之材料層。 1 3 .如申請專利範圍第1 〇項所述之有源矩陣基板 之製造方法*其特徵在於， 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） ' ' 5 - --!1 — 裝 *--III--訂 ---ill J — ^Τ,Λ <請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 4389 9 1 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 上述過程（G )之導電性材料層使用I.TO ( Indium Tin Oxide)。 1 4 .—種液晶顯示裝置內所含之有源元件之靜電破 壤防止方法，係防止由連接在配置成矩陣狀之掃描線與信 號線之薄膜電晶體（TFT)，及連接在該薄膜電晶體之 一端之畫素電極構成畫素部之有源矩陣型液晶顯示裝置內 所含之有源元件受到靜電破壤之方法，其特徵在於， 將含有連接薄膜電晶體之閘極層與源極、汲.極層之架 構之二極體，具備有配設在上述掃描線及信號線中之至少 一方，或與該線在電氣上等效之部分與共同電位線間，使 用薄膜電晶體之靜電保護構件，連接在上述掃描線及信號 線之一方，或電氣上與該線等效之部位與共同電位線之間 ，藉此防止液晶顯示裝置內所含之有源元件受到靜電破壞 {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) /裝-----I--訂線" 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS)A4規格（210 X 297公釐） -6 -