JPH0915623A - 液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】 複数の画像信号配線と、複数の走査信号配線
とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配線と
走査信号配線との交差部に画素電極とこの画素電極への
画像信号の供給を制御するスイッチング素子とを設け、
この画素電極とこの画素電極に対向して設けられた対向
電極との間に液晶材料を保持した表示領域を設けた液晶
表示装置において、前記表示領域外で前記絶縁膜を介し
て前記複数の走査信号配線の静電気を放電するための走
査信号配線用短絡配線と前記複数の画像信号配線の静電
気を放電するための画像信号配線用短絡配線を積層して
設け、この積層部の前記走査信号配線用短絡配線と前記
画像信号配線用短絡配線の少なくとも一部を露出させ
る。 【効果】 絶縁膜にコンタクトホールを形成する必要が
なく、製造プロセスが簡単で、製造歩留りを低下させる
ことがなく、静電気対策が可能な、低コストで信頼性の
高い液晶表示装置を提供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は液晶表示装置およびその
製造方法に関し、特に各画素部分に薄膜トランジスタな
どから成るスイッチング素子を設けたパネル（以下、Ｔ
ＦＴアレイパネルという）を使用したアクティブマトリ
クス方式の液晶表示装置およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】アクティブマトリクス方式の液晶表示装
置は、単純マトリクス方式と比べてコントラストが高
く、多階調表示特性に優れているため、カラー液晶表示
装置では欠かせない技術となっている。特にスイッチン
グ素子として薄膜トランジスタを使用したアクティブマ
トリクス方式の液晶表示装置は、ＣＲＴと同等の画質が
得られるようになった。

【０００３】以下、図面を参照しながら、従来の液晶表
示装置を説明する。図１０は、従来の液晶表示装置にお
けるＴＦＴアレイパネルの等価回路図、図１１は従来の
液晶表示装置におけるＴＦＴアレイパネルにおける一画
素の平面図、図１２は図１１のＡ−Ａ’線断面図であ
る。

【０００４】このアクティブマトリクス方式の液晶表示
装置は、走査信号配線２から供給される走査信号によっ
て薄膜トランジスタ３がスイッチングされ、画像信号配
線１の信号電圧をドレイン電極１４に接続された画素電
極４に印加することにより、画素電極４と対向電極（不
図示）との間に保持された液晶材料（不図示）に電圧を
印加して画像の表示を行うものである。

【０００５】この従来の液晶表示装置は、図１１および
図１２に示すように、画像信号配線１と、走査信号配線
２とを絶縁膜１２を介して交差して設け、この画像信号
配線１と走査信号配線２との交差部に、画素電極４と、
この画素電極４に画像信号を供給するゲート電極２ａ、
絶縁膜１２、半導体膜１３、ソース電極１ａおよびドレ
イン電極１４からなる薄膜トランジスタ３と、この供給
された画像信号電圧を保持するための付加容量５とをマ
トリクス状に設けた構造になっている。

【０００６】ここで、画素電極４と薄膜トランジスタ３
のドレイン電極１４、および付加容量用電極１８は、絶
縁膜１２に形成されたコンタクトホール１０ａ、１０ｂ
を介して接続されている。

【０００７】ところで、液晶表示装置の組立工程などで
ＴＦＴアレイパネルに強い静電気が帯電し、薄膜トラン
ジスタ３のゲート電極２ａとソース電極１ａとの間や、
走査信号配線２と画像信号配線１との間に静電気による
高電圧が印加され、その結果、絶縁膜１２が絶縁破壊す
ることがよく発生していた。

【０００８】そのため、従来の液晶表示装置では、図１
０に示すように、表示領域Ｘの外部に短絡環配線７を設
け、この短絡環配線７に、各走査信号配線２を接続する
と共に、高電圧保護用のトランジスタ６ａ、６ｂを介し
て各画像信号配線１を接続していた。

【０００９】この高電圧保護用のトランジスタ６ａ、６
ｂは、図１３および図１４に示すように、ゲート電極１
６ａ、１６ｂ、ゲート絶縁膜１２、ソース電極またはド
レイン電極１９ａ、１９ｂ、１９ｃ、１９ｄで構成され
ている。トランジスタ６ａのソース電極またはドレイン
電極１９ａは短絡環配線７に接続され、ソース電極また
はドレイン電極１９ｂは画像信号配線１に接続される。
また、トランジスタ６ｂのソース電極またはドレイン電
極１９ｃは画像信号配線１に接続され、ソース電極また
はドレイン電極１９ｄは短絡環配線７に接続される。ま
た、トランジスタ６ａのゲート電極１６ａはコンタクト
ホール１０ｃを介して短絡環配線７に接続され、トラン
ジスタ６ｂのゲート電極１７ｂはコンタクトホール１０
ｄを介して画像信号配線１に接続されている。なお、図
１３は、従来の液晶表示装置におけるＴＦＴアレイパネ
ルの周辺部に設けられた高電圧保護用の薄膜トランジス
タの平面図、図１４は、図１３のＢ−Ｂ’線断面図であ
る。

【００１０】また、図１５に示すように、走査信号配線
２は絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１０ｅ部
分で短絡環配線７に接続されている。なお、図１５は、
図１０のＰ部分の断面図である。

【００１１】このように、画像信号配線１を高電圧保護
用の薄膜トランジスタ６ａおよび６ｂを介して短絡環配
線７に接続すると共に、走査信号配線２を短絡環配線７
に直接接続し、静電気による電荷を短絡環配線７に放電
することにより、静電気による絶縁破壊を防止してい
た。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】上述のような従来の液
晶表示装置では、図１１および図１２に示すように、画
素電極４が、絶縁膜１２を挟んで、ドレイン電極１４お
よび付加容量用電極１８の反対側に形成されるため、画
素電極４とドレイン電極１４および付加容量用電極１８
を接続するためのコンタクトホール１０ａ、１０ｂを絶
縁膜１２に形成しなければならないという問題があっ
た。

【００１３】また、図１３および図１４に示すように、
表示領域の周辺に設けられた高電圧保護用の薄膜トラン
ジスタ６ａ、６ｂはゲート電極１６ａ、１６ｂとソース
電極またはドレイン電極１９ａ、１９ｃがコンタクトホ
ール１０ｃ、１０ｄを介して接続されるため、このコン
タクトホール１０ｃ、１０ｄを絶縁膜１２に形成する必
要があった（特開昭６３−２２０２８９号参照）。

【００１４】さらに、図１５に示すように、走査信号配
線２と短絡環配線７を絶縁膜１２に形成したコンタクト
ホール１０ｅを介して接続していた。

【００１５】このため、従来の液晶表示装置では、絶縁
膜１２にコンタクトホール１０ａ〜１０ｅを開けるため
のフォトプロセスが必要となり、製造プロセスが煩雑に
なり、製造歩留りの低下、製造コストの上昇が問題にな
っていた。

【００１６】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたものであり、絶縁膜に形成しなければな
らないコンタクトホールを極力減少させ、製造プロセス
が簡易で、製造歩留りの低下の解消および製造コストの
上昇を抑制できる液晶表示装置およびその製造方法を提
供することを目的とする。

【００１７】

【問題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係る液晶表示装置では、複数の画像信号配
線と、複数の走査信号配線とを絶縁膜を介して交差して
設け、この画像信号配線と走査信号配線との交差部に画
素電極とこの画素電極への画像信号の供給を制御するス
イッチング素子とを設け、この画素電極とこの画素電極
に対向して設けられた対向電極との間に液晶材料を保持
した表示領域を設けた液晶表示装置において、前記表示
領域外で前記絶縁膜を介して前記複数の走査信号配線と
この複数の走査信号配線を短絡させるための走査信号配
線用短絡配線を積層して設け、この積層部において前記
走査信号配線用短絡配線と前記走査信号配線の一部を露
出させたり、前記表示領域外で前記絶縁膜を介して前記
複数の画像信号配線とこの複数の画像信号配線を短絡さ
せるための画像信号配線用短絡配線を積層して設け、こ
の積層部の前記画像信号配線と前記画像信号配線用短絡
配線の一部を露出させたり、前記表示領域外で前記絶縁
膜を介して前記複数の走査信号配線を短絡させるための
走査信号配線用短絡配線と前記複数の画像信号配線を短
絡させるための画像信号配線用短絡配線を積層して設
け、この積層部の前記走査信号配線用短絡配線と前記画
像信号配線用短絡配線の一部を露出させる。

【００１８】また、本発明に係る液晶表示装置の製造方
法によれば、前記走査信号配線上に、その一端部が位置
するように、前記走査信号配線用短絡配線を前記絶縁膜
を介して形成し、この走査信号配線用短絡配線上に保護
膜を形成して、前記走査信号配線用短絡配線の一端部を
含むような形状で前記保護膜と前記絶縁膜をエッチング
して前記走査信号配線と前記走査信号配線用短絡配線を
露出させたり、前記画像信号配線用短絡配線上に、その
一端部が位置するように、前記画像信号配線を前記絶縁
膜を介して形成し、この画像信号配線上に保護膜を形成
して、前記画像信号配線の一端部を含むような形状で前
記保護膜と前記絶縁膜をエッチングして前記画像信号配
線用短絡配線と前記画像信号配線を露出させたり、前記
画像信号配線用短絡配線上に、その一端部が位置するよ
うに、前記走査信号配線用短絡配線を前記絶縁膜を介し
て形成し、この走査信号配線用短絡配線上に保護膜を形
成して、前記走査信号配線用短絡配線の一端部を含むよ
うな形状で前記保護膜と前記絶縁膜をエッチングして前
記画像信号配線用短絡配線と前記走査信号配線用短絡配
線を露出させる。

【００１９】

【作用】上記のように構成すると、絶縁膜にコンタクト
ホールを形成することなく、複数の走査信号配線と走査
信号配線用短絡配線、複数の画像信号配線と画像信号配
線用短絡配線、および走査信号配線用短絡配線と画像信
号配線用短絡配線を簡単な構成で疑似的に接続すること
ができ、走査信号配線および画像信号配線上に印加され
た静電気を短絡配線に放電することにより、静電気によ
る絶縁膜の破壊やスイッチング素子の特性劣化が防止さ
れる。また画素電極とスイッチング素子を接続したり、
付加容量用電極を形成する場合にも、絶縁膜にコンタク
トホールを形成する必要がなく、製造プロセスが簡単
で、製造歩留りを低下させることがなく、静電気対策が
可能な、低コストで信頼性の高い液晶表示装置を提供で
きる。

【００２０】

【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づき詳
細に説明する。図１、図２および図３は、本発明の一実
施例を示す図であり、図１は、液晶表示装置におけるＴ
ＦＴアレイパネルの等価回路図、図２は同じく一画素の
平面図、図３は図２のＡ Ａ’線断面図である。

【００２１】図１に示すように、画像表示領域Ｘにおい
て、画像信号配線２１と、走査信号配線２２とを交差し
て設け、この画像信号配線２１と走査信号配線２２との
各交差部に、スイッチング素子２３と、このスイッチン
グ素子２３に接続された画素電極２４を設けた構造にな
っている。また画素電極２４と前段もしくは後段の走査
信号配線２２との間に、付加容量２５が形成されるよう
に構成されている。

【００２２】前記スイチッング素子２３は、図２および
図３に示すように、基板３１上に形成されたゲート電極
２２ａ、絶縁膜３２、半導体膜３３、この半導体膜３３
上から前記絶縁膜３２上にかけて形成されたソース電極
２１ａおよびドレイン電極３４で主として構成される。
また絶縁膜３２のドレイン電極３４が形成された側に
は、画素電極２４が隣接する走査信号配線２２ｂを覆う
ように形成されている。したがって、スイッチング素子
２３のドレイン電極３４と画素電極２４は、絶縁膜３２
にコンタクトホールを形成せずに接続できる。また、画
素電極２４自体が付加容量用電極を兼ねており、画素電
極と付加容量用電極を接続するためのコンタクトホール
も不要である。

【００２３】なお、図３に示すスイッチング素子２３
は、絶縁膜３２の表面側にソース電極２１ａおよびドレ
イン電極３４を形成した逆スタガ構造のトランジスタで
あるが、絶縁膜３２を挟んだスタガ構造のトランジスタ
としてもよい。スイッチング素子２３をスタガ構造のト
ランジスタで形成する場合、半導体膜３３、ソース電極
２１ａ、ドレイン電極３４および画素電極２４を絶縁膜
３２の裏面側に配設すると共に、ゲート電極２２ａおよ
び隣接する走査信号配線２２ｂを絶縁膜３２の表面側に
配設すればよい。この場合、画像信号配線２１は絶縁膜
３２の裏面側に位置し、走査信号配線２２は絶縁膜３２
の表面側に位置することになる。

【００２４】画像表示領域Ｘ周辺部の走査信号配線２２
の外側には、図１に示すように、複数の走査信号配線２
２に帯電する静電気を放電するための走査信号配線用短
絡配線２７ａが設けられており、この走査信号配線用短
絡配線２７ａと複数の走査信号配線２２は、第１の近接
部２６ａにおいて、ごく近接して設けられている。

【００２５】また、画像表示領域Ｘ周辺部の画像信号配
線２１の外側には、複数の画像信号配線２１に帯電する
静電気を放電させるための画像信号用短絡配線２７ｂが
設けられており、この画像信号用短絡配線２７ｂと複数
の画像信号配線２１は、第２の近接部２６ｂにおいて、
ごく近接して設けられている。

【００２６】さらに、走査信号配線用短絡配線２７ａの
一端部と画像信号配線用短絡配線２７ｂの一端部は、第
３の近接部２６ｃにおいて、ごく近接して設けられてい
る。

【００２７】第一の近接部２６ａは、図４及び図５に示
すように、絶縁膜３２を介して走査信号配線２２と走査
信号配線用短絡配線２７ａの一部が重なるように積層し
て形成されている。また、これらの層上には、保護膜３
５が形成されている。この積層部分で、走査信号配線用
短絡配線２７ａおよび走査信号配線２２は露出して形成
されている。この場合、絶縁膜３２はトランジスタ２３
のゲート絶縁膜と同じ層であり、１μｍ以下、通常は５
０００Å以下であるため、両配線２２、２７ａ間に、静
電気のような数Ｋｖの高い電圧が印加された場合、放電
により、両配線２２、２７ａ間の電圧差が減少する。ま
た、数十ｖ程度の比較的低い電圧が印加された場合は、
絶縁膜３２の表面を流れる微小のリーク電流により、両
配線２２、２７ａ間の電圧差がほぼ０ｖとなる。

【００２８】また、第２の近接部２６ｂは、図６及び図
７に示すように、絶縁膜３２を介して画像信号配線２１
と画像信号配線用短絡配線２７ｂの一部が重なるように
積層して形成されている。また、これらの層上には、保
護膜３５が形成されている。この積層部分で、画像信号
配線用短絡配線２７ｂおよび画像信号配線２１は露出し
て形成されている。この場合、絶縁膜３２はトランジス
タ２３のゲート絶縁膜と同じ層であり、１μｍ以下、通
常は５０００Å以下であるため、両配線２１、２７ｂ間
に、静電気のような数Ｋｖの高い電圧が印加された場
合、放電により、両配線２１、２７ｂ間の電圧差が減少
する。また、数十ｖ程度の比較的低い電圧が印加された
場合は、絶縁膜３２の表面を流れる微小のリーク電流に
より、両配線２１、２７ｂ間の電圧差がほぼ０ｖとな
る。

【００２９】さらに、第３の近接部２６ｃは、図８及び
図９に示すように、絶縁膜３２を介して走査信号配線用
短絡配線２７ａと画像信号配線用短絡配線２７ｂの一部
が重なるように積層して形成されている。また、これら
の層上には、保護膜３５が形成されている。この積層部
分で、走査信号配線用短絡配線２７ａと画像信号配線用
短絡配線２７ｂは露出して形成されている。この場合、
絶縁膜３２はトランジスタ２３のゲート絶縁膜と同じ層
であり、１μｍ以下、通常は５０００Å以下であるた
め、両配線２７ａ、２７ｂ間に、静電気のような数Ｋｖ
の高い電圧が印加された場合、放電により、両配線２７
ａ、２７ｂ間の電圧差が減少する。また、数十ｖ程度の
比較的低い電圧が印加された場合は、絶縁膜３２の表面
を流れる微小のリーク電流により、両配線２７ａ、２７
ｂ間の電圧差がほぼ０ｖとなる。

【００３０】なお、走査信号配線用短絡配線２７ａ又は
画像信号配線用短絡配線２７ｂを広幅に設けると、この
走査信号配線用短絡配線２７ａ又は画像信号配線用短絡
配線２７ｂだけで走査信号配線２２又は画像信号配線２
１に発生した静電気をある程度吸収できるが、上述のよ
うに走査信号配線用短絡配線２７ａと画像信号配線用短
絡配線２７ｂを近接して設けると、走査信号配線２２と
画像信号配線２１の電位差を完全に無くすことができ、
走査信号配線２２と画像信号配線２１間の静電破壊を完
全に防止できる。

【００３１】また、図１に示す液晶表示装置のＴＦＴア
レイパネルの走査信号配線用短絡配線２７ａと画像信号
配線用短絡配線２７ｂは、製造工程時における絶縁膜の
静電破壊を防止するためのものであり、表示装置として
使用する場合は、この走査信号配線用短絡配線２７ａと
画像信号配線用短絡配線２７ｂは切り離される。また、
画素電極２４と対峙する部分に対向電極（不図示）が位
置するように、対向基板（不図示）を配設して、両基板
で液晶材料を挟持して液晶表示装置として機能させる。

【００３２】次に、本発明に係る液晶表示装置に用いら
れるＴＦＴアレイパネルの製造方法を図３に基づいて説
明する。ガラス基板３１上に、アルミニウム（Ａｌ）、
ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）などから成るゲート
電極２２ａと走査信号配線２２ｂを真空蒸着法やスパッ
タリング法で形成する。次に、窒化シリコン（Ｓｉ
Ｎ_x ）、酸化シリコン（ＳｉＯ₂ ）、酸化タンタル（Ｔ
ａＯ_x ）などから成るゲート絶縁膜（絶縁膜）３２をプ
ラズマＣＶＤ法やスパッタリング法で形成する。次に、
ＩＴＯなどの透明導電膜で画素電極２４を形成した後、
アモルファスシリコンなどから成る半導体膜３３とアル
ミニウム（Ａｌ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）
などから成るソース・ドレイン電極２１ａ、３４（画像
信号配線２１）を形成し、最後に窒化シリコン膜や酸化
シリコン膜などから成る保護膜３５をプラズマＣＶＤ法
などで形成する。

【００３３】第１の近接部２６ａにおいて、走査信号配
線２２と走査信号配線用短絡配線２７ａの一部を露出さ
せるには、図４及び図５に示すように、走査信号配線２
２と走査信号配線用短絡配線２７ａとが一部重なるよう
に積層して設けると共に、この走査信号配線用短絡配線
２７ａの先端部を含むようなパターンで保護膜３５及び
絶縁膜３２をエッチング除去すればよい。このようなパ
ターンで保護膜３５と絶縁膜３２を同時にエッチングす
ることで、一工程で走査信号配線２２と走査信号配線用
短絡配線２７ａを露出させることができる。なお、走査
信号配線用短絡配線２７ａの下部は、走査信号配線用短
絡配線２７ａがマスクとなって、エッチングされること
はない。第２の近接部２６ｂ及び第３の近接部２６ｃに
おいても同様である。

【００３４】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る液晶表示装
置では、表示領域外で前記絶縁膜を介して前記複数の走
査信号配線とこの複数の走査信号配線を短絡させるため
の走査信号配線用短絡配線を積層して設け、この積層部
において前記走査信号配線用短絡配線と前記走査信号配
線の一部を露出させたり、前記表示領域外で前記絶縁膜
を介して前記複数の画像信号配線とこの複数の画像信号
配線を短絡させるための画像信号配線用短絡配線を積層
して設け、この積層部の前記画像信号配線と前記画像信
号配線用短絡配線の一部を露出させたり、前記表示領域
外で前記絶縁膜を介して前記複数の走査信号配線を短絡
させるための走査信号配線用短絡配線と前記複数の画像
信号配線を短絡させるための画像信号配線用短絡配線を
積層して設け、この積層部の前記走査信号配線用短絡配
線と前記画像信号配線用短絡配線の一部を露出させるこ
とから、絶縁膜にコンタクトホールを形成することな
く、複数の走査信号配線と走査信号配線用短絡配線、複
数の画像信号配線と画像信号配線用短絡配線、および走
査信号配線用短絡配線と画像信号配線用短絡配線を簡単
な構成で疑似的に接続することができ、走査信号配線お
よび画像信号配線上に印加された静電気を短絡配線に放
電することにより、静電気による絶縁膜の破壊やスイッ
チング素子の特性劣化が防止される。また画素電極とス
イッチング素子を接続したり、付加容量用電極を形成す
る場合にも、絶縁膜にコンタクトホールを形成する必要
がなく、製造プロセスが簡単で、製造歩留りを低下させ
ることがなく、静電気対策が可能な、低コストで信頼性
の高い液晶表示装置を提供できる。

【００３５】また、本発明に係る液晶表示装置の製造方
法によれば、前記走査信号配線上に、その一端部が位置
するように、前記走査信号配線用短絡配線を前記絶縁膜
を介して形成し、この走査信号配線用短絡配線上に保護
膜を形成して、前記走査信号配線用短絡配線の一端部を
含むような形状で前記保護膜と前記絶縁膜をエッチング
して前記走査信号配線と前記走査信号配線用短絡配線を
露出させたり、前記画像信号配線用短絡配線上に、その
一端部が位置するように、前記画像信号配線を前記絶縁
膜を介して形成し、この画像信号配線上に保護膜を形成
して、前記画像信号配線の一端部を含むような形状で前
記保護膜と前記絶縁膜をエッチングして前記画像信号配
線用短絡配線と前記画像信号配線を露出させたり、前記
画像信号配線用短絡配線上に、その一端部が位置するよ
うに、前記走査信号配線用短絡配線を前記絶縁膜を介し
て形成し、この走査信号配線用短絡配線上に保護膜を形
成して、前記走査信号配線用短絡配線の一端部を含むよ
うな形状で前記保護膜と前記絶縁膜をエッチングして前
記画像信号配線用短絡配線と前記走査信号配線用短絡配
線を露出させるころから、簡単なプロセスで静電気対策
が可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る液晶表示装置の一実施例を示すＴ
ＦＴアレイパネルの平面図である。

【図２】本発明に係る液晶表示装置の一実施例を示すＴ
ＦＴアレイパネルの一画素の平面図である。

【図３】図２のＡ−Ａ’線断面図である。

【図４】請求項１に記載した液晶表示装置の一実施例を
示す平面図である。

【図５】図４のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図６】請求項４に記載した液晶表示装置の一実施例を
示す平面図である。

【図７】図６のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図８】請求項７に記載した液晶表示装置の一実施例を
示す平面図である。

【図９】図８のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図１０】従来の液晶表示装置におけるＴＦＴアレイパ
ネルを示す平面図である。

【図１１】従来の液晶表示装置におけるＴＦＴアレイパ
ネルの一画素部分を示す平面図である。

【図１２】図１１のＡ−Ａ’線断面図である。

【図１３】従来の液晶表示装置における高電圧保護用の
トランジスタ部分を示す図である。

【図１４】図１３のＢ−Ｂ’線断面図である。

【図１５】従来の液晶表示装置における短絡環配線の容
量結合部を示す断面図である。

【符号の説明】

１、１ａ、１ｂ、２１、２１ａ、２１ｂ・・・画像信号
配線およびソース電極、２、２ａ、２ｂ、２２、２２
ａ、２２ｂ・・・走査信号配線およびゲート電極、３、
２３・・・画素スイッチング用薄膜トランジスタ、４、
２４・・・画素電極、５、２５・・・付加容量、６ａ、
６ｂ・・・高電圧保護の薄膜トランジスタ、７、２７
ａ、２７ｂ・・・短絡配線、８ａ、８ｂ、２８ａ、２８
ｂ・・・検査用パッド、９ａ、９ｂ、２９ａ、２９ｂ・
・・駆動回路接続端子、１０、１０ａ、１０ｂ、１０
ｃ、１０ｄ、１０ｅ・・・コンタクトホール、１１、３
１・・・透明ガラス基板、１２、３２・・・絶縁膜、１
３、１７ａ、１７ｂ、３３・・・半導体膜、１４、３４
・・・ドレイン電極、１５、３５・・・絶縁性保護膜、
１６ａ、１６ｂ・・・高電圧保護用トランジスタのゲー
ト電極、１７ａ、１７ｂ・・・高電圧保護用トランジス
タの半導体膜、１８・・・付加容量用電極、１９ａ、１
９ｂ、１９ｃ、１９ｄ・・・高電圧保護用トランジスタ
のソースまたはドレイン電極、２６ａ・・・第１の近接
部、２６ｂ・・・第２の近接部、２６ｃ・・・第３の近
接部

Claims (9)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の画像信号配線と、複数の走査信号
   配線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配
   線と走査信号配線との交差部に画素電極とこの画素電極
   への画像信号の供給を制御するスイッチング素子とを設
   け、この画素電極とこの画素電極に対向して設けられた
   対向電極との間に液晶材料を保持した表示領域を設けた
   液晶表示装置において、前記表示領域外で前記絶縁膜を
   介して前記複数の走査信号配線とこの複数の走査信号配
   線の静電気を放電するための走査信号配線用短絡配線を
   積層して設け、この積層部において前記走査信号配線用
   短絡配線と前記走査信号配線の少なくとも一部を露出さ
   せたことを特徴とする液晶表示装置。
2. 【請求項２】 前記スイッチング素子が前記走査信号配
   線の一部をゲート電極とし、前記絶縁膜をゲート絶縁膜
   とし、このゲート絶縁膜上に半導体膜から成るチャネル
   部を設け、このチャネル部上に、前記画像信号配線の一
   部をソース電極とし、この画像信号配線から切除された
   部位をドレイン電極として構成され、このスイッチング
   素子のドレイン電極と前記画素電極が前記絶縁膜の同じ
   側に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の
   液晶表示装置。
3. 【請求項３】 前記走査信号配線上に、その一端部が位
   置するように、前記走査信号配線用短絡配線を前記絶縁
   膜を介して形成し、この走査信号配線用短絡配線上に保
   護膜を形成して、前記走査信号配線用短絡配線の一端部
   を含むような形状で前記保護膜と前記絶縁膜をエッチン
   グして前記走査信号配線と前記走査信号配線用短絡配線
   を露出させる液晶表示装置の製造方法。
4. 【請求項４】 複数の画像信号配線と、複数の走査信号
   配線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配
   線と走査信号配線との交差部に画素電極とこの画素電極
   への画像信号の供給を制御するスイッチング素子とを設
   け、この画素電極とこの画素電極に対向して設けられた
   対向電極との間に液晶材料を保持した表示領域を設けた
   液晶表示装置において、前記表示領域外で前記絶縁膜を
   介して前記複数の画像信号配線とこの複数の画像信号配
   線の静電気を放電するための画像信号配線用短絡配線を
   積層して設け、この積層部の前記画像信号配線と前記画
   像信号配線用短絡配線の少なくとも一部を露出させたこ
   とを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記画素電極と前記スイッチング素子の
   ドレイン電極が前記絶縁膜の同じ側に形成されているこ
   とを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記画像信号配線用短絡配線上に、その
   一端部が位置するように、前記画像信号配線を前記絶縁
   膜を介して形成し、この画像信号配線上に保護膜を形成
   して、前記画像信号配線の一端部を含むような形状で前
   記保護膜と前記絶縁膜をエッチングして前記画像信号配
   線用短絡配線と前記画像信号配線を露出させる液晶表示
   装置の製造方法。
7. 【請求項７】 複数の画像信号配線と、複数の走査信号
   配線とを絶縁膜を介して交差して設け、この画像信号配
   線と走査信号配線との交差部に画素電極とこの画素電極
   への画像信号の供給を制御するスイッチング素子とを設
   け、この画素電極とこの画素電極に対向して設けられた
   対向電極との間に液晶材料を保持した表示領域を設けた
   液晶表示装置において、前記表示領域外で前記絶縁膜を
   介して前記複数の走査信号配線の静電気を放電するため
   の走査信号配線用短絡配線と前記複数の画像信号配線の
   静電気を放電するための画像信号配線用短絡配線を積層
   して設け、この積層部の前記走査信号配線用短絡配線と
   前記画像信号配線用短絡配線の少なくとも一部を露出さ
   せたことを特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】 前記画素電極と前記スイッチング素子の
   ドレイン電極が前記絶縁膜の同じ側に形成されているこ
   とを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
9. 【請求項９】 前記画像信号配線用短絡配線上に、その
   一端部が位置するように、前記走査信号配線用短絡配線
   を前記絶縁膜を介して形成し、この走査信号配線用短絡
   配線上に保護膜を形成して、前記走査信号配線用短絡配
   線の一端部を含むような形状で前記保護膜と前記絶縁膜
   をエッチングして前記画像信号配線用短絡配線と前記走
   査信号配線用短絡配線を露出させる液晶表示装置の製造
   方法。