JPH10213812A - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents
アクティブマトリクス型液晶表示装置Info
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- JPH10213812A JPH10213812A JP1801397A JP1801397A JPH10213812A JP H10213812 A JPH10213812 A JP H10213812A JP 1801397 A JP1801397 A JP 1801397A JP 1801397 A JP1801397 A JP 1801397A JP H10213812 A JPH10213812 A JP H10213812A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 少ない工程数でシールド電極を有するアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１上にゲート配線２及び補助
容量配線３を形成し、ゲート配線２及び補助容量配線３
上にゲート絶縁膜４を形成する。そして、データ配線
５、ドレイン電極６及びシールド電極７を形成する。補
助容量配線３とシールド電極７とは、ゲート絶縁膜４に
設けたシールド電極用コンタクトホール８を介して電気
的に接続する。さらに、層間絶縁膜９を形成し、層間絶
縁膜９上に絵素電極１０を形成する。絵素電極１０とド
レイン電極６とは、層間絶縁膜９に設けた絵素電極用コ
ンタクトホール１１を介して電気的に接続する。尚、１
２はＴＦＴである。
ィブマトリクス型液晶表示装置を提供する。 【解決手段】 絶縁性基板１上にゲート配線２及び補助
容量配線３を形成し、ゲート配線２及び補助容量配線３
上にゲート絶縁膜４を形成する。そして、データ配線
５、ドレイン電極６及びシールド電極７を形成する。補
助容量配線３とシールド電極７とは、ゲート絶縁膜４に
設けたシールド電極用コンタクトホール８を介して電気
的に接続する。さらに、層間絶縁膜９を形成し、層間絶
縁膜９上に絵素電極１０を形成する。絵素電極１０とド
レイン電極６とは、層間絶縁膜９に設けた絵素電極用コ
ンタクトホール１１を介して電気的に接続する。尚、１
２はＴＦＴである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置に関
するもので、特にアクティブマトリクス型液晶表示装置
に関するものである。
するもので、特にアクティブマトリクス型液晶表示装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置としては、互いに交差する
複数本ずつのゲート配線及びデータ配線とともに、アモ
ルファスＳｉ等により構成した薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）またはＭＩＭ素子を絶縁性基板上に形成した所謂ア
クティブマトリクス基板を用いたアクティブマトリクス
型液晶表示装置が知られている。
複数本ずつのゲート配線及びデータ配線とともに、アモ
ルファスＳｉ等により構成した薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）またはＭＩＭ素子を絶縁性基板上に形成した所謂ア
クティブマトリクス基板を用いたアクティブマトリクス
型液晶表示装置が知られている。
【０００３】このアクティブマトリクス基板に用いられ
る絶縁膜としては、ＳｉＮ等の無機材料が用いられてい
るが、最近になって感光性透明アクリル樹脂等の有機材
料も絶縁膜（有機絶縁膜）として用いられるようになっ
てきている。
る絶縁膜としては、ＳｉＮ等の無機材料が用いられてい
るが、最近になって感光性透明アクリル樹脂等の有機材
料も絶縁膜（有機絶縁膜）として用いられるようになっ
てきている。
【０００４】これらの有機絶縁膜は、例えば特開昭５８
−１７２６８５号公報に開示されているように、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の高開口率構造における
層間絶縁膜等に使用されている。
−１７２６８５号公報に開示されているように、アクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置の高開口率構造における
層間絶縁膜等に使用されている。
【０００５】図３及び図４に、高開口率構造における層
間絶縁膜に有機絶縁膜を用いたアクティブマトリクス基
板を示す。図３は従来のアクティブマトリクス基板の主
要部を示す平面図、図４は図３のＢ−Ｂ線における断面
図である。
間絶縁膜に有機絶縁膜を用いたアクティブマトリクス基
板を示す。図３は従来のアクティブマトリクス基板の主
要部を示す平面図、図４は図３のＢ−Ｂ線における断面
図である。
【０００６】図３及び図４に示すように、この高開口率
構造の特徴は、ゲート配線５１、データ配線５２及びド
レイン電極５３上に、層間絶縁膜５４を形成し、さらに
層間絶縁膜５４の上に絵素電極５５を形成することによ
り、ゲート配線５１及びデータ配線５２上に絵素電極５
５を重ね、開口率を向上させることを可能とした点にあ
る。
構造の特徴は、ゲート配線５１、データ配線５２及びド
レイン電極５３上に、層間絶縁膜５４を形成し、さらに
層間絶縁膜５４の上に絵素電極５５を形成することによ
り、ゲート配線５１及びデータ配線５２上に絵素電極５
５を重ね、開口率を向上させることを可能とした点にあ
る。
【０００７】層間絶縁膜５４の材料としては、層間絶縁
膜５４を介して絵素電極５５をゲート配線５１及びデー
タ配線５２に重畳させることによって発生する容量を低
減するために、数μｍの厚さに形成することが容易であ
ること、誘電率がＳｉＮ等と比較して小さいこと等が要
求される。したがって、層間絶縁膜５４として有機絶縁
膜が用いられるのである。
膜５４を介して絵素電極５５をゲート配線５１及びデー
タ配線５２に重畳させることによって発生する容量を低
減するために、数μｍの厚さに形成することが容易であ
ること、誘電率がＳｉＮ等と比較して小さいこと等が要
求される。したがって、層間絶縁膜５４として有機絶縁
膜が用いられるのである。
【０００８】また、この高開口率構造を形成するために
は、層間絶縁膜５４の下層に形成されるドレイン電極５
３と、層間絶縁膜５４の上層に形成される絵素電極５５
とを電気的に接続しなければならず、層間絶縁膜５４に
絵素電極用コンタクトホール５６を形成する必要があ
る。
は、層間絶縁膜５４の下層に形成されるドレイン電極５
３と、層間絶縁膜５４の上層に形成される絵素電極５５
とを電気的に接続しなければならず、層間絶縁膜５４に
絵素電極用コンタクトホール５６を形成する必要があ
る。
【０００９】感光性アクリル樹脂を層間絶縁膜５４とし
て用いれば、液状の感光性アクリル樹脂をスピン塗布法
によって絶縁性基板５７に塗布した後、フォトリソグラ
フィー法によってパターニングすることにより、絵素電
極用コンタクトホール５６を簡便に形成することができ
る。
て用いれば、液状の感光性アクリル樹脂をスピン塗布法
によって絶縁性基板５７に塗布した後、フォトリソグラ
フィー法によってパターニングすることにより、絵素電
極用コンタクトホール５６を簡便に形成することができ
る。
【００１０】また、ドレイン電極５３との間に補助容量
を形成するため、補助容量配線５８を形成する。
を形成するため、補助容量配線５８を形成する。
【００１１】このような高開口率構造のアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、高い開口率を得られるが、ゲ
ート配線５１及びデータ配線５２と絵素電極５５とが、
層間絶縁膜５４を介して重畳されているため、絵素電極
５５と各配線との間の静電容量が大きく、表示品位を低
下させるという問題点がある。
リクス型液晶表示装置は、高い開口率を得られるが、ゲ
ート配線５１及びデータ配線５２と絵素電極５５とが、
層間絶縁膜５４を介して重畳されているため、絵素電極
５５と各配線との間の静電容量が大きく、表示品位を低
下させるという問題点がある。
【００１２】この静電容量を低減させる方法として、特
開平５−１２７１９５号公報に開示されているように、
データ配線の形成されている層と絵素電極の形成されて
いる層との間の層に、シールド電極を形成する方法が提
案されている。
開平５−１２７１９５号公報に開示されているように、
データ配線の形成されている層と絵素電極の形成されて
いる層との間の層に、シールド電極を形成する方法が提
案されている。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前述し
た特開平５−１２７１９５号公報に開示されている方法
では、シールド電極を新たな層に形成するため、シール
ド電極を覆う絶縁膜が必要となり、工程数が増加すると
いう問題点がある。
た特開平５−１２７１９５号公報に開示されている方法
では、シールド電極を新たな層に形成するため、シール
ド電極を覆う絶縁膜が必要となり、工程数が増加すると
いう問題点がある。
【００１４】本発明は、以上のような従来の問題点に鑑
みなされたものであって、少ない工程数でシールド電極
を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
ることを目的としている。
みなされたものであって、少ない工程数でシールド電極
を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供す
ることを目的としている。
【００１５】
【課題を解決するための手段】前述した目的を達成する
ために、本発明の請求項１記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置は、スイッチング素子を制御するゲート
配線及びデータ配線がそれぞれ直交するようにゲート絶
縁膜を介して形成され、前記スイッチング素子の上層に
は有機絶縁膜を介して絵素電極が形成され、前記絵素電
極は前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介
して前記スイッチング素子と電気的に接続されているア
クティブマトリクス型液晶表示装置において、前記デー
タ配線が形成されている層と同じ層にシールド電極が形
成されていることを特徴としている。
ために、本発明の請求項１記載のアクティブマトリクス
型液晶表示装置は、スイッチング素子を制御するゲート
配線及びデータ配線がそれぞれ直交するようにゲート絶
縁膜を介して形成され、前記スイッチング素子の上層に
は有機絶縁膜を介して絵素電極が形成され、前記絵素電
極は前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介
して前記スイッチング素子と電気的に接続されているア
クティブマトリクス型液晶表示装置において、前記デー
タ配線が形成されている層と同じ層にシールド電極が形
成されていることを特徴としている。
【００１６】請求項２記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記シールド電極には、補助容
量配線に入力される信号と同じ信号が入力されることを
特徴としている。
晶表示装置は、請求項１記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記シールド電極には、補助容
量配線に入力される信号と同じ信号が入力されることを
特徴としている。
【００１７】請求項３記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項２記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記シールド電極は、前記ゲー
ト絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記
補助容量配線と電気的に接続されていることを特徴とし
ている。
晶表示装置は、請求項２記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置において、前記シールド電極は、前記ゲー
ト絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して、前記
補助容量配線と電気的に接続されていることを特徴とし
ている。
【００１８】請求項４記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、請求項１乃至請求項３記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記シールド電極
の幅は、前記ゲート配線の幅と同等以上であることを特
徴としている。
晶表示装置は、請求項１乃至請求項３記載のアクティブ
マトリクス型液晶表示装置において、前記シールド電極
の幅は、前記ゲート配線の幅と同等以上であることを特
徴としている。
【００１９】本発明のアクティブマトリクス型液晶表示
装置によれば、データ配線が形成されている層と同じ層
にシールド電極が形成されていることにより、シールド
電極を覆う絶縁膜を新たに形成する必要がなくなり、少
ない工程数でシールド電極を有するアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を構成することができ、絵素電極とゲ
ート配線との間の静電容量を低減することができる。
装置によれば、データ配線が形成されている層と同じ層
にシールド電極が形成されていることにより、シールド
電極を覆う絶縁膜を新たに形成する必要がなくなり、少
ない工程数でシールド電極を有するアクティブマトリク
ス型液晶表示装置を構成することができ、絵素電極とゲ
ート配線との間の静電容量を低減することができる。
【００２０】また、シールド電極には、補助容量配線に
入力される信号と同じ信号が入力されることにより、シ
ールド電極が浮遊容量を持つことによって静電シールド
効果が減少することを防止することができる。
入力される信号と同じ信号が入力されることにより、シ
ールド電極が浮遊容量を持つことによって静電シールド
効果が減少することを防止することができる。
【００２１】また、シールド電極がゲート絶縁膜に形成
されたコンタクトホールを介して補助容量配線と電気的
に接続されていることにより、補助容量配線が一箇所断
線した場合に生じる一列の絵素すべてが欠陥となる所謂
線状欠陥を防止することができ、良品の状態を保つこと
ができる。
されたコンタクトホールを介して補助容量配線と電気的
に接続されていることにより、補助容量配線が一箇所断
線した場合に生じる一列の絵素すべてが欠陥となる所謂
線状欠陥を防止することができ、良品の状態を保つこと
ができる。
【００２２】さらに、シールド電極の幅がゲート配線の
幅と同等以上であることにより、シールド電極が十分な
静電シールド効果を示し、絵素電極とゲート配線との間
の静電容量を十分に低減することができる。
幅と同等以上であることにより、シールド電極が十分な
静電シールド効果を示し、絵素電極とゲート配線との間
の静電容量を十分に低減することができる。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１及び図２を用いて、本発明の
実施の形態について説明する。図１は本発明に係わる液
晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の主要
部を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図
である。
実施の形態について説明する。図１は本発明に係わる液
晶表示装置を構成するアクティブマトリクス基板の主要
部を示す平面図、図２は図１のＡ−Ａ線における断面図
である。
【００２４】図１及び図２に示すように、絶縁性基板１
上にゲート配線２及び補助容量配線３を形成し、ゲート
配線２及び補助容量配線３上にゲート絶縁膜４を形成す
る。そして、データ配線５、ドレイン電極６及びシール
ド電極７を形成する。補助容量配線３とシールド電極７
とは、ゲート絶縁膜４に設けたシールド電極用コンタク
トホール８を介して電気的に接続する。さらに、層間絶
縁膜９を形成し、層間絶縁膜９上に絵素電極１０を形成
する。絵素電極１０とドレイン電極６とは、層間絶縁膜
９に設けた絵素電極用コンタクトホール１１を介して電
気的に接続する。尚、１２はＴＦＴである。
上にゲート配線２及び補助容量配線３を形成し、ゲート
配線２及び補助容量配線３上にゲート絶縁膜４を形成す
る。そして、データ配線５、ドレイン電極６及びシール
ド電極７を形成する。補助容量配線３とシールド電極７
とは、ゲート絶縁膜４に設けたシールド電極用コンタク
トホール８を介して電気的に接続する。さらに、層間絶
縁膜９を形成し、層間絶縁膜９上に絵素電極１０を形成
する。絵素電極１０とドレイン電極６とは、層間絶縁膜
９に設けた絵素電極用コンタクトホール１１を介して電
気的に接続する。尚、１２はＴＦＴである。
【００２５】シールド電極７は、ゲート配線２と絵素電
極１０との間に、それぞれゲート絶縁膜４と層間絶縁膜
９とを介して形成されており、シールド電極７の電位を
一定に保つ、または補助容量配線３に入力する信号と同
じ信号を入力することにより、ゲート配線２と絵素電極
１０との間の静電容量を低減することができ、高開口率
構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示品位
を向上させることができる。
極１０との間に、それぞれゲート絶縁膜４と層間絶縁膜
９とを介して形成されており、シールド電極７の電位を
一定に保つ、または補助容量配線３に入力する信号と同
じ信号を入力することにより、ゲート配線２と絵素電極
１０との間の静電容量を低減することができ、高開口率
構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置の表示品位
を向上させることができる。
【００２６】本実施の形態では、シールド電極７は、ゲ
ート絶縁膜４に設けたシールド電極用コンタクトホール
８を介して補助容量配線３と電気的に接続しているた
め、シールド電極７には、補助容量配線３と同じ信号を
入力することとなり、シールド電極７が浮遊容量を持つ
ことによって静電シールド効果が減少することを防いで
いる。
ート絶縁膜４に設けたシールド電極用コンタクトホール
８を介して補助容量配線３と電気的に接続しているた
め、シールド電極７には、補助容量配線３と同じ信号を
入力することとなり、シールド電極７が浮遊容量を持つ
ことによって静電シールド効果が減少することを防いで
いる。
【００２７】また、シールド電極７は、シールド電極用
コンタクトホール８を介して補助容量配線３と電気的に
接続しなくても、アクティブマトリクス型液晶表示装置
の表示領域外で電気的に接続しておいてもよく、シール
ド電極７と補助容量配線３とを電気的に接続せずに、シ
ールド電極７と補助容量配線３とに別々に同じ信号を入
力してもよい。シールド電極７と補助容量配線３とに別
々に同じ信号を入力すれば、補助容量配線３にかかる容
量を増加させることがない。
コンタクトホール８を介して補助容量配線３と電気的に
接続しなくても、アクティブマトリクス型液晶表示装置
の表示領域外で電気的に接続しておいてもよく、シール
ド電極７と補助容量配線３とを電気的に接続せずに、シ
ールド電極７と補助容量配線３とに別々に同じ信号を入
力してもよい。シールド電極７と補助容量配線３とに別
々に同じ信号を入力すれば、補助容量配線３にかかる容
量を増加させることがない。
【００２８】このことにより、ゲート配線２と絵素電極
１０との間の電気力線は、シールド電極７の静電シール
ド効果により減少し、ゲート配線２と絵素電極１０との
間の静電容量を低減することができる。
１０との間の電気力線は、シールド電極７の静電シール
ド効果により減少し、ゲート配線２と絵素電極１０との
間の静電容量を低減することができる。
【００２９】シールド電極７が十分な静電シールド効果
を示すためには、ゲート配線２上に形成するシールド電
極７の線幅をゲート配線２の線幅と同等以上にすること
が望ましい。シールド電極７の線幅をゲート配線２の線
幅よりも太くし、ゲート配線２をシールド電極７で十分
に覆うようにすることにより、ゲート配線２と絵素電極
１０との間の静電容量を十分に低減することができる。
を示すためには、ゲート配線２上に形成するシールド電
極７の線幅をゲート配線２の線幅と同等以上にすること
が望ましい。シールド電極７の線幅をゲート配線２の線
幅よりも太くし、ゲート配線２をシールド電極７で十分
に覆うようにすることにより、ゲート配線２と絵素電極
１０との間の静電容量を十分に低減することができる。
【００３０】シールド電極７をＴａまたはＡｌ等の金属
薄膜の遮光膜で形成する場合には、絵素内をシールド電
極７が横切るために開口率の低下は免れることができな
いが、開口率の低下を最小限にするために、ゲート配線
２上に形成するシールド電極７の線幅をゲート配線２の
線幅と同等にすることが望ましい。
薄膜の遮光膜で形成する場合には、絵素内をシールド電
極７が横切るために開口率の低下は免れることができな
いが、開口率の低下を最小限にするために、ゲート配線
２上に形成するシールド電極７の線幅をゲート配線２の
線幅と同等にすることが望ましい。
【００３１】シールド電極７を透明導電膜で形成する場
合には、開口率を低下させることがないため、ゲート配
線２を十分に覆うように、ゲート配線２の線幅よりシー
ルド電極７の線幅を太く形成することができ、ゲート配
線２と絵素電極１０との間の静電容量を十分に低減する
ことができる。
合には、開口率を低下させることがないため、ゲート配
線２を十分に覆うように、ゲート配線２の線幅よりシー
ルド電極７の線幅を太く形成することができ、ゲート配
線２と絵素電極１０との間の静電容量を十分に低減する
ことができる。
【００３２】また、すべての補助容量配線３とすべての
シールド電極７とを、シールド電極用コンタクトホール
８を介して電気的に接続しているため、補助容量配線３
の一部が欠落して断線した場合であっても、シールド電
極７を介してすべての補助容量配線３に信号が入力され
るため、補助容量配線３が断線したときに生じる一列の
絵素すべてが欠陥となる所謂線状欠陥を防止することが
でき、良品の状態を保つことができる。
シールド電極７とを、シールド電極用コンタクトホール
８を介して電気的に接続しているため、補助容量配線３
の一部が欠落して断線した場合であっても、シールド電
極７を介してすべての補助容量配線３に信号が入力され
るため、補助容量配線３が断線したときに生じる一列の
絵素すべてが欠陥となる所謂線状欠陥を防止することが
でき、良品の状態を保つことができる。
【００３３】尚、本実施の形態においては、シールド電
極が補助容量冗長配線を兼ねた構成について説明した
が、シールド電極と補助容量冗長配線とを別々に形成し
てもかまわない。
極が補助容量冗長配線を兼ねた構成について説明した
が、シールド電極と補助容量冗長配線とを別々に形成し
てもかまわない。
【００３４】
【発明の効果】以上の説明のように、本発明のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置によれば、データ配線が形
成されている層と同じ層にシールド電極が形成されてい
ることにより、少ない工程数でシールド電極を有するア
クティブマトリクス型液晶表示装置を構成することがで
き、低コストで高品位のアクティブマトリクス型液晶表
示装置を得ることができる。
ブマトリクス型液晶表示装置によれば、データ配線が形
成されている層と同じ層にシールド電極が形成されてい
ることにより、少ない工程数でシールド電極を有するア
クティブマトリクス型液晶表示装置を構成することがで
き、低コストで高品位のアクティブマトリクス型液晶表
示装置を得ることができる。
【００３５】また、シールド電極には、補助容量配線に
入力される信号と同じ信号が入力されることにより、静
電シールド効果が減少することを防止することができる
ため、絵素電極とゲート配線との間の静電容量を十分に
低減することができ、高品位のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を構成することができる。
入力される信号と同じ信号が入力されることにより、静
電シールド効果が減少することを防止することができる
ため、絵素電極とゲート配線との間の静電容量を十分に
低減することができ、高品位のアクティブマトリクス型
液晶表示装置を構成することができる。
【００３６】また、シールド電極がゲート絶縁膜に形成
されたコンタクトホールを介して補助容量配線と電気的
に接続されていることにより、補助容量配線が一箇所断
線した場合に生じる線状欠陥を防止することができ、良
品率を向上させることができる。
されたコンタクトホールを介して補助容量配線と電気的
に接続されていることにより、補助容量配線が一箇所断
線した場合に生じる線状欠陥を防止することができ、良
品率を向上させることができる。
【００３７】さらに、シールド電極の幅がゲート配線の
幅と同等以上であることにより、絵素電極とゲート配線
との間の静電容量を十分に低減することができ、高品位
のアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成すること
ができる。
幅と同等以上であることにより、絵素電極とゲート配線
との間の静電容量を十分に低減することができ、高品位
のアクティブマトリクス型液晶表示装置を構成すること
ができる。
【図１】本発明に係わる液晶表示装置を構成するアクテ
ィブマトリクス基板の主要部を示す平面図である。
ィブマトリクス基板の主要部を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】従来のアクティブマトリクス基板の主要部を示
す平面図である。
す平面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ線における断面図である。
１ 絶縁性基板 ２ ゲート配線 ３ 補助容量配線 ４ ゲート絶縁膜 ５ データ配線 ６ ドレイン電極 ７ シールド電極 ８ シールド電極用コンタクトホール ９ 層間絶縁膜 １０ 絵素電極 １１ 絵素電極用コンタクトホール １２ ＴＦＴ ５１ ゲート配線 ５２ データ配線 ５３ ドレイン電極 ５４ 層間絶縁膜 ５５ 絵素電極 ５６ 絵素電極用コンタクトホール ５７ 絶縁性基板 ５８ 補助容量配線
Claims (4)
- 【請求項１】 スイッチング素子を制御するゲート配線
及びデータ配線がそれぞれ直交するようにゲート絶縁膜
を介して形成され、前記スイッチング素子の上層には有
機絶縁膜を介して絵素電極が形成され、前記絵素電極は
前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して
前記スイッチング素子と電気的に接続されているアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置において、前記データ配
線が形成されている層と同じ層にシールド電極が形成さ
れていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶
表示装置。 - 【請求項２】 前記シールド電極には、補助容量配線に
入力される信号と同じ信号が入力されることを特徴とす
る請求項１記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記シールド電極は、前記ゲート絶縁膜
に形成されたコンタクトホールを介して、前記補助容量
配線と電気的に接続されていることを特徴とする請求項
２記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記シールド電極の幅は、前記ゲート配
線の幅と同等以上であることを特徴とする請求項１乃至
請求項３記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1801397A JPH10213812A (ja) | 1997-01-31 | 1997-01-31 | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
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Publications (1)
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| JPH10213812A true JPH10213812A (ja) | 1998-08-11 |
Family
ID=11959798
Family Applications (1)
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- 1997-01-31 JP JP1801397A patent/JPH10213812A/ja active Pending
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