JPH0990404A - 透過型液晶表示装置およびその製造方法 - Google Patents
透過型液晶表示装置およびその製造方法Info
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- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 開口率向上のために画素電極と各信号配線と
をオーバーラップさせると共に、各信号配線と画素電極
との間の容量が表示に与える影響を低減する。 【解決手段】 ＴＦＴ２４、ゲート信号配線およびソー
ス信号配線２３の上部に層間絶縁膜３８が形成され、そ
の上に画素電極２１が形成されている。画素電極２１
は、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６を介し
て接続電極２５によりＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂ
と接続されている。この層間絶縁膜３８は、フッ素系樹
脂などの有機薄膜からなり、窒化シリコンなどの無機薄
膜に比べて比誘電率が低い。また、この層間絶縁膜３８
は、容易にその膜厚を厚くすることができる。このた
め、各信号配線と画素電極２１との間の容量が低減され
る。ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと画素電極２１と
を接続する接続電極２５には透明導電膜を用いる。
をオーバーラップさせると共に、各信号配線と画素電極
との間の容量が表示に与える影響を低減する。 【解決手段】 ＴＦＴ２４、ゲート信号配線およびソー
ス信号配線２３の上部に層間絶縁膜３８が形成され、そ
の上に画素電極２１が形成されている。画素電極２１
は、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６を介し
て接続電極２５によりＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂ
と接続されている。この層間絶縁膜３８は、フッ素系樹
脂などの有機薄膜からなり、窒化シリコンなどの無機薄
膜に比べて比誘電率が低い。また、この層間絶縁膜３８
は、容易にその膜厚を厚くすることができる。このた
め、各信号配線と画素電極２１との間の容量が低減され
る。ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと画素電極２１と
を接続する接続電極２５には透明導電膜を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
（以下ＴＦＴという）などのスイッチング素子を備えた
透過型液晶表示装置およびその製造方法に関する。
（以下ＴＦＴという）などのスイッチング素子を備えた
透過型液晶表示装置およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１０は、アクティブマトリクス基板を
備えた従来の透過型液晶表示装置の構成を示す回路図で
ある。
備えた従来の透過型液晶表示装置の構成を示す回路図で
ある。
【０００３】図１０において、このアクティブマトリク
ス基板には、複数の画素電極１がマトリクス状に形成さ
れており、この画素電極１には、スイッチング素子であ
るＴＦＴ２が接続されて設けられている。このＴＦＴ２
のゲート電極にはゲート信号配線３が接続され、ゲート
電極に入力されるゲート信号によってＴＦＴ２が駆動制
御される。また、ＴＦＴ２のソース電極にはソース信号
配線４が接続され、ＴＦＴ２の駆動時に、ＴＦＴ２を介
してデータ（表示）信号が画素電極１に入力される。各
ゲート信号配線３とソース信号配線４とは、マトリクス
状に配列された画素電極１の周囲を通り、互いに直交差
するように設けられている。さらに、ＴＦＴ２のドレイ
ン電極は画素電極１および付加容量５に接続されてお
り、この付加容量５の対向電極はそれぞれ共通配線６に
接続されている。
ス基板には、複数の画素電極１がマトリクス状に形成さ
れており、この画素電極１には、スイッチング素子であ
るＴＦＴ２が接続されて設けられている。このＴＦＴ２
のゲート電極にはゲート信号配線３が接続され、ゲート
電極に入力されるゲート信号によってＴＦＴ２が駆動制
御される。また、ＴＦＴ２のソース電極にはソース信号
配線４が接続され、ＴＦＴ２の駆動時に、ＴＦＴ２を介
してデータ（表示）信号が画素電極１に入力される。各
ゲート信号配線３とソース信号配線４とは、マトリクス
状に配列された画素電極１の周囲を通り、互いに直交差
するように設けられている。さらに、ＴＦＴ２のドレイ
ン電極は画素電極１および付加容量５に接続されてお
り、この付加容量５の対向電極はそれぞれ共通配線６に
接続されている。
【０００４】図１１は従来の液晶表示装置におけるアク
ティブマトリクス基板のＴＦＴ部分の断面図である。
ティブマトリクス基板のＴＦＴ部分の断面図である。
【０００５】図１１において、透明絶縁性基板１１上
に、図１０のゲート信号配線３に接続されたゲート電極
１２が形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜１３が形
成されている。さらにその上にはゲート電極１２と重畳
するように半導体層１４が形成され、その中央部上にチ
ャネル保護層１５が形成されている。このチャネル保護
層１５の両端部および半導体層１４の一部を覆い、チャ
ネル保護層１５上で分断された状態で、ソース電極１６
ａおよびドレイン電極１６ｂとなるｎ+Ｓｉ層が形成さ
れている。一方のｎ+Ｓｉ層であるソース電極１６ａ上
には、図１０のソース信号配線４となる金属層１７ａが
形成され、他方のｎ+Ｓｉ層であるドレイン電極１６ｂ
上には、ドレイン電極１６ｂと画素電極１とを接続する
金属層１７ｂが形成されている。さらに、これらのＴＦ
Ｔ２、ゲート信号配線３およびソース信号配線４上部を
覆って層間絶縁膜１８が形成されている。
に、図１０のゲート信号配線３に接続されたゲート電極
１２が形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜１３が形
成されている。さらにその上にはゲート電極１２と重畳
するように半導体層１４が形成され、その中央部上にチ
ャネル保護層１５が形成されている。このチャネル保護
層１５の両端部および半導体層１４の一部を覆い、チャ
ネル保護層１５上で分断された状態で、ソース電極１６
ａおよびドレイン電極１６ｂとなるｎ+Ｓｉ層が形成さ
れている。一方のｎ+Ｓｉ層であるソース電極１６ａ上
には、図１０のソース信号配線４となる金属層１７ａが
形成され、他方のｎ+Ｓｉ層であるドレイン電極１６ｂ
上には、ドレイン電極１６ｂと画素電極１とを接続する
金属層１７ｂが形成されている。さらに、これらのＴＦ
Ｔ２、ゲート信号配線３およびソース信号配線４上部を
覆って層間絶縁膜１８が形成されている。
【０００６】この層間絶縁膜１８の上には、画素電極１
となる透明導電膜が形成され、この透明導電膜は、層間
絶縁膜１８を貫くコンタクトホール１９を介して、ＴＦ
Ｔ２のドレイン電極１６ｂと接続した金属層１７ｂと接
続されている。
となる透明導電膜が形成され、この透明導電膜は、層間
絶縁膜１８を貫くコンタクトホール１９を介して、ＴＦ
Ｔ２のドレイン電極１６ｂと接続した金属層１７ｂと接
続されている。
【０００７】このように、ゲート信号配線３およびソー
ス信号配線４と、画素電極１となる透明導電膜との間に
層間絶縁膜１８が形成されているので、各信号配線３，
４に対して画素電極１をオーバーラップさせることがで
きる。このような構造は、例えば特開昭５８−１７２６
８５号公報に開示されており、これによって液晶表示装
置の開口率を向上させることができると共に、各信号配
線３，４に起因する電界をシールドして液晶の配向不良
を抑制することができる。
ス信号配線４と、画素電極１となる透明導電膜との間に
層間絶縁膜１８が形成されているので、各信号配線３，
４に対して画素電極１をオーバーラップさせることがで
きる。このような構造は、例えば特開昭５８−１７２６
８５号公報に開示されており、これによって液晶表示装
置の開口率を向上させることができると共に、各信号配
線３，４に起因する電界をシールドして液晶の配向不良
を抑制することができる。
【０００８】上記層間絶縁膜１８としては、従来、窒化
シリコン（ＳｉＮ）などの無機膜をＣＶＤ法を用いて膜
厚５０００オングストローム程度に形成していた。した
がって、画素電極１には、その下側の下層構造の表面形
状が概ね反映され、通常１０００オングストローム〜２
０００オングストローム程度の段差ｄが形成される。
シリコン（ＳｉＮ）などの無機膜をＣＶＤ法を用いて膜
厚５０００オングストローム程度に形成していた。した
がって、画素電極１には、その下側の下層構造の表面形
状が概ね反映され、通常１０００オングストローム〜２
０００オングストローム程度の段差ｄが形成される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の液晶表示装
置のように、ゲート信号配線３およびソース信号配線４
と、画素電極１との間に層間絶縁膜１８を形成すると、
各信号配線３，４に対して画素電極１をオーバーラップ
させることができ、液晶表示装置の開口率向上および液
晶の配向不良を抑制することができる。ところが、この
ように、各信号配線３，４と画素電極１とをオーバーラ
ップさせる構造とした場合、各信号配線３，４と画素電
極１との間の容量が増加するという問題を有していた。
特に、窒化シリコン膜などの無機膜は比誘電率が８と高
く、ＣＶＤ法を用いて成膜しており、５０００オングス
トローム程度の膜厚となるため、この程度の膜厚では各
信号配線３，４と画素電極１との間の容量の増加が大き
くなり、以下の（１），（２）に示すような問題があっ
た。なお、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜などの無機膜
を、それ以上の膜厚に成膜しようとするのは、量産レベ
ルでは困難であった。 （１）ソース信号配線４と画素電極１とをオーバーラッ
プさせる構造とした場合、ソース信号配線４と画素電極
１との間の容量が大きくなって信号透過率が大きくな
り、保持期間の間に画素電極１に保持されているデータ
信号は、データ信号の電位によって揺動を受けることに
なる。このため、その画素の液晶に印加される実効電圧
が変動し、実際の表示において特に縦方向の隣の画素に
対して縦クロストークが観察されるという問題があっ
た。
置のように、ゲート信号配線３およびソース信号配線４
と、画素電極１との間に層間絶縁膜１８を形成すると、
各信号配線３，４に対して画素電極１をオーバーラップ
させることができ、液晶表示装置の開口率向上および液
晶の配向不良を抑制することができる。ところが、この
ように、各信号配線３，４と画素電極１とをオーバーラ
ップさせる構造とした場合、各信号配線３，４と画素電
極１との間の容量が増加するという問題を有していた。
特に、窒化シリコン膜などの無機膜は比誘電率が８と高
く、ＣＶＤ法を用いて成膜しており、５０００オングス
トローム程度の膜厚となるため、この程度の膜厚では各
信号配線３，４と画素電極１との間の容量の増加が大き
くなり、以下の（１），（２）に示すような問題があっ
た。なお、ＣＶＤ法により窒化シリコン膜などの無機膜
を、それ以上の膜厚に成膜しようとするのは、量産レベ
ルでは困難であった。 （１）ソース信号配線４と画素電極１とをオーバーラッ
プさせる構造とした場合、ソース信号配線４と画素電極
１との間の容量が大きくなって信号透過率が大きくな
り、保持期間の間に画素電極１に保持されているデータ
信号は、データ信号の電位によって揺動を受けることに
なる。このため、その画素の液晶に印加される実効電圧
が変動し、実際の表示において特に縦方向の隣の画素に
対して縦クロストークが観察されるという問題があっ
た。
【００１０】このようなソース信号配線４と画素電極１
との間の容量が表示に与える影響を減らす方法の１つと
して、例えば特開平６−２３０４２２号公報には、１ソ
ースライン毎に対応する画素に与えるデータ信号の極性
を反転させる駆動方法が提案されている。この駆動方法
では、隣接する画素の表示に相関が高い白黒表示のパネ
ルに対しては有効であったが、通常のノートブック型バ
ーソナルコンピューターのように、画素電極を縦ストラ
イプ状に配列した場合（カラー表示の場合、画素電極の
形状は、例えば正方形の画素をＲ，Ｇ，Ｂで３等分した
縦長の長方形状である縦ストライプ状をしている）に
は、ソース信号配線４に対する隣接画素は、表示色がそ
れぞれ異なっている。このため、上記１ソースライン毎
の極性反転駆動方法は、白黒表示の場合には縦クロスト
ーク低減に効果があったものの、一般的なカラー表示の
場合にはクロストーク低減に効果が不十分であった。
との間の容量が表示に与える影響を減らす方法の１つと
して、例えば特開平６−２３０４２２号公報には、１ソ
ースライン毎に対応する画素に与えるデータ信号の極性
を反転させる駆動方法が提案されている。この駆動方法
では、隣接する画素の表示に相関が高い白黒表示のパネ
ルに対しては有効であったが、通常のノートブック型バ
ーソナルコンピューターのように、画素電極を縦ストラ
イプ状に配列した場合（カラー表示の場合、画素電極の
形状は、例えば正方形の画素をＲ，Ｇ，Ｂで３等分した
縦長の長方形状である縦ストライプ状をしている）に
は、ソース信号配線４に対する隣接画素は、表示色がそ
れぞれ異なっている。このため、上記１ソースライン毎
の極性反転駆動方法は、白黒表示の場合には縦クロスト
ーク低減に効果があったものの、一般的なカラー表示の
場合にはクロストーク低減に効果が不十分であった。
【００１１】（２）画素電極１と、その画素を駆動する
ゲート信号配線３とをオーバーラップさせる構造とした
場合、ゲート信号配線３と画素電極１との間の容量が大
きくなって、ＴＦＴ２を制御するスイッチング信号に起
因して、画素への書き込み電圧のフィードスルーが大き
くなるという問題があった。
ゲート信号配線３とをオーバーラップさせる構造とした
場合、ゲート信号配線３と画素電極１との間の容量が大
きくなって、ＴＦＴ２を制御するスイッチング信号に起
因して、画素への書き込み電圧のフィードスルーが大き
くなるという問題があった。
【００１２】本発明は、上記従来の問題を解決するもの
で、画素電極と各信号配線をオーバーラップさせて液晶
表示の開口率の向上および液晶の配向不良の抑制を図る
ことができ、かつ各信号配線と画素電極との間の容量成
分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減し
て良好な表示を得ることができる透過型液晶表示装置お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
で、画素電極と各信号配線をオーバーラップさせて液晶
表示の開口率の向上および液晶の配向不良の抑制を図る
ことができ、かつ各信号配線と画素電極との間の容量成
分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減し
て良好な表示を得ることができる透過型液晶表示装置お
よびその製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の透過型液晶表示
装置は、ゲート信号配線とソース信号配線の交差部近傍
にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子の
ゲート電極に該ゲート信号配線が接続され、該ゲート電
極以外の一方電極に該ソース信号配線、他方電極に直接
または接続電極を介して画素電極が接続された透過型液
晶表示装置において、該スイッチング素子、該ゲート信
号配線および該ソース信号配線の上部に、透明度の高い
有機薄膜からなるフッ素系の層間絶縁膜が設けられ、該
層間絶縁膜の上に透明導電膜からなる該画素電極が設け
られ、そのことにより上記目的が達成される。
装置は、ゲート信号配線とソース信号配線の交差部近傍
にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング素子の
ゲート電極に該ゲート信号配線が接続され、該ゲート電
極以外の一方電極に該ソース信号配線、他方電極に直接
または接続電極を介して画素電極が接続された透過型液
晶表示装置において、該スイッチング素子、該ゲート信
号配線および該ソース信号配線の上部に、透明度の高い
有機薄膜からなるフッ素系の層間絶縁膜が設けられ、該
層間絶縁膜の上に透明導電膜からなる該画素電極が設け
られ、そのことにより上記目的が達成される。
【００１４】本発明の透過型液晶表示装置において、前
記層間絶縁膜の上に、透明導電膜からなる画素電極が、
少なくともゲート信号配線およびソース信号配線の少な
くとも一方と、少なくとも一部が重なるように設けら
れ、該層間絶縁膜を貫く滑らかなコンタクトホールを介
して該接続電極と画素電極とが接続された構成とするこ
とができる。
記層間絶縁膜の上に、透明導電膜からなる画素電極が、
少なくともゲート信号配線およびソース信号配線の少な
くとも一方と、少なくとも一部が重なるように設けら
れ、該層間絶縁膜を貫く滑らかなコンタクトホールを介
して該接続電極と画素電極とが接続された構成とするこ
とができる。
【００１５】本発明の透過型液晶表示装置において、前
記層間絶縁膜は、光学的または化学的な脱色処理により
樹脂の透明化が行われている構成とすることができる。
記層間絶縁膜は、光学的または化学的な脱色処理により
樹脂の透明化が行われている構成とすることができる。
【００１６】本発明の透過型液晶表示装置において、前
記画素電極と、前記ソース信号配線およびゲート信号配
線の少なくとも一方とが、配線幅方向に１μｍ以上重な
って設けられている構成とすることができる。
記画素電極と、前記ソース信号配線およびゲート信号配
線の少なくとも一方とが、配線幅方向に１μｍ以上重な
って設けられている構成とすることができる。
【００１７】本発明の透過型液晶表示装置において、前
記層間絶縁膜の膜厚が１．５μｍ以上である構成とする
ことができる。
記層間絶縁膜の膜厚が１．５μｍ以上である構成とする
ことができる。
【００１８】本発明の透過型液晶表示装置において、前
記接続電極が透明導電膜からなる構成とすることができ
る。
記接続電極が透明導電膜からなる構成とすることができ
る。
【００１９】本発明の透過型液晶表示装置において、前
記コンタクトホールが、各画素を構成する付加容量の上
部に設けられている構成とすることができる。
記コンタクトホールが、各画素を構成する付加容量の上
部に設けられている構成とすることができる。
【００２０】本発明の透過型液晶表示装置において、下
記式（１）で表される容量比が、１０％以下である構成
とすることができる。
記式（１）で表される容量比が、１０％以下である構成
とすることができる。
【００２１】 容量比＝Ｃsd／（Ｃsd＋Ｃls＋Ｃs） ・・・（１） 但し、Ｃsdは画素電極とソース信号配線との間の容量値
を示し、Ｃlsは各画素を構成する液晶の中間調表示にお
ける容量値を示し、Ｃsは各画素を構成する付加容量の
容量値を示す。
を示し、Ｃlsは各画素を構成する液晶の中間調表示にお
ける容量値を示し、Ｃsは各画素を構成する付加容量の
容量値を示す。
【００２２】本発明の透過型液晶表示装置において、前
記画素電極の形状が、前記ゲート信号配線に平行な辺に
比べてソース信号配線に平行な辺の方が長い長方形状で
ある構成とすることができる。
記画素電極の形状が、前記ゲート信号配線に平行な辺に
比べてソース信号配線に平行な辺の方が長い長方形状で
ある構成とすることができる。
【００２３】本発明の透過型液晶表示装置において、前
記ゲート信号配線毎に極性の反転したソース信号を、前
記ソース信号配線にゲート信号との位相差を付与して出
力し、その出力信号を前記スイッチング素子を介して前
記画素電極に供給して表示駆動する表示駆動手段が設け
られた構成とすることができる。
記ゲート信号配線毎に極性の反転したソース信号を、前
記ソース信号配線にゲート信号との位相差を付与して出
力し、その出力信号を前記スイッチング素子を介して前
記画素電極に供給して表示駆動する表示駆動手段が設け
られた構成とすることができる。
【００２４】本発明の透過型液晶表示装置の製造方法
は、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状
に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に
接続されたゲート信号配線および、該スイッチング素子
のゲート電極以外の一方電極に接続されたソース信号配
線を互いに交差するように形成し、かつ該スイッチング
素子のゲート電極以外の他方電極に接続された透明電極
よりなる接続電極を形成する工程と、該スイッチング素
子、ゲート信号配線、ソース信号配線および接続電極の
上部に、塗布法により透明度の高いフッ素系の有機薄膜
を塗布した後、これをパターニングして層間絶縁膜を形
成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該接続電極に達す
るコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上
およびコンタクトホール内に、透明導電膜からなる画素
電極を、少なくともゲート信号配線およびソース信号配
線の少なくとも一方と、少なくとも一部が重なるように
形成する工程とを含み、そのことにより上記目的が達成
される。
は、基板上に、複数のスイッチング素子をマトリクス状
に形成すると共に、該スイッチング素子のゲート電極に
接続されたゲート信号配線および、該スイッチング素子
のゲート電極以外の一方電極に接続されたソース信号配
線を互いに交差するように形成し、かつ該スイッチング
素子のゲート電極以外の他方電極に接続された透明電極
よりなる接続電極を形成する工程と、該スイッチング素
子、ゲート信号配線、ソース信号配線および接続電極の
上部に、塗布法により透明度の高いフッ素系の有機薄膜
を塗布した後、これをパターニングして層間絶縁膜を形
成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて該接続電極に達す
るコンタクトホールを形成する工程と、該層間絶縁膜上
およびコンタクトホール内に、透明導電膜からなる画素
電極を、少なくともゲート信号配線およびソース信号配
線の少なくとも一方と、少なくとも一部が重なるように
形成する工程とを含み、そのことにより上記目的が達成
される。
【００２５】本発明の透過型液晶表示装置の製造方法に
おいて、前記コンタクトホールを、ドライエッチングに
より加工するようにしてもよい。
おいて、前記コンタクトホールを、ドライエッチングに
より加工するようにしてもよい。
【００２６】上記構成により、以下、その作用を説明す
る。
る。
【００２７】本発明においては、スイッチング素子、ゲ
ート信号配線およびソース信号配線の上部に層間絶縁膜
が設けられ、その上に画素電極が設けられて、層間絶縁
膜を貫くコンタクトホールを介して接続電極によりＴＦ
Ｔの他方電極と接続されている。このように、層間絶縁
膜が設けられることにより、各信号配線と画素電極とを
オーバーラップさせることができて、開口率を向上する
ことが可能となると共に液晶の配向不良が抑制可能とな
る。しかも、この層間絶縁膜は、有機薄膜からなってい
るので、従来、用いられていた窒化シリコンなどの無機
薄膜に比べて比誘電率が低く、透明度が高い良質な膜を
生産性よく得られるので、膜厚を厚くすることが可能と
なって、各信号配線と画素電極との間の容量分が低減さ
れて信号透過率も抑制され、これにより、各信号配線と
画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストーク
などの影響をより低減してより良好な表示が得られる。
ート信号配線およびソース信号配線の上部に層間絶縁膜
が設けられ、その上に画素電極が設けられて、層間絶縁
膜を貫くコンタクトホールを介して接続電極によりＴＦ
Ｔの他方電極と接続されている。このように、層間絶縁
膜が設けられることにより、各信号配線と画素電極とを
オーバーラップさせることができて、開口率を向上する
ことが可能となると共に液晶の配向不良が抑制可能とな
る。しかも、この層間絶縁膜は、有機薄膜からなってい
るので、従来、用いられていた窒化シリコンなどの無機
薄膜に比べて比誘電率が低く、透明度が高い良質な膜を
生産性よく得られるので、膜厚を厚くすることが可能と
なって、各信号配線と画素電極との間の容量分が低減さ
れて信号透過率も抑制され、これにより、各信号配線と
画素電極との間の容量成分が表示に与えるクロストーク
などの影響をより低減してより良好な表示が得られる。
【００２８】更に、本発明は、層間絶縁膜として、比誘
電率の低いフッ素系の有機薄膜を用いているので、エー
ジングテスト等の信頼性も向上し、生産性も向上する。
また、フッ素系の材料は耐薬品性に優れるため、後工程
の条件の自由度が高く、歩留りの向上化や製造コストの
低廉化が可能となる。
電率の低いフッ素系の有機薄膜を用いているので、エー
ジングテスト等の信頼性も向上し、生産性も向上する。
また、フッ素系の材料は耐薬品性に優れるため、後工程
の条件の自由度が高く、歩留りの向上化や製造コストの
低廉化が可能となる。
【００２９】また、スイッチング素子のゲート電極以外
の他方電極に接続電極を介して画素電極を接続するよう
にすれば、ＴＦＴが小さくなった場合であっても、層間
絶縁膜を貫くコンタクトホールなどによる接続部を容易
に取ることが可能となる。
の他方電極に接続電極を介して画素電極を接続するよう
にすれば、ＴＦＴが小さくなった場合であっても、層間
絶縁膜を貫くコンタクトホールなどによる接続部を容易
に取ることが可能となる。
【００３０】この層間絶縁膜は、スピン塗布法、ロール
コート法またはスロットコート法や、他の塗布法により
塗布して有機薄膜を得、有機薄膜を硬化させた後、その
上にフォトレジストを形成し、エッチングプロセスによ
りパターニングして形成することもできる。
コート法またはスロットコート法や、他の塗布法により
塗布して有機薄膜を得、有機薄膜を硬化させた後、その
上にフォトレジストを形成し、エッチングプロセスによ
りパターニングして形成することもできる。
【００３１】また、層間絶縁膜の材料である樹脂が着色
している場合には、パターニング後に光学的または化学
的な脱色処理により樹脂を透明化することが可能であ
る。
している場合には、パターニング後に光学的または化学
的な脱色処理により樹脂を透明化することが可能であ
る。
【００３２】さらに、画素電極と各信号配線とを１μｍ
以上オーバーラップさせると、開口率を最大限にするこ
とができると共に、画素電極の各配線に対する加工精度
が粗くても良い。つまり、加工精度が粗くても画素電極
と各配線が重なっていれば、重なった各配線によって光
漏れは遮断される。
以上オーバーラップさせると、開口率を最大限にするこ
とができると共に、画素電極の各配線に対する加工精度
が粗くても良い。つまり、加工精度が粗くても画素電極
と各配線が重なっていれば、重なった各配線によって光
漏れは遮断される。
【００３３】さらに、層間絶縁膜の膜厚を１．５μｍ以
上にすると、画素電極と各信号配線とを１μｍ以上オー
バーラップさせても、各信号配線と画素電極との間の容
量は十分小さくなって信号透過率も小さくなり、容量成
分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減し
てより良好な表示が得られる。
上にすると、画素電極と各信号配線とを１μｍ以上オー
バーラップさせても、各信号配線と画素電極との間の容
量は十分小さくなって信号透過率も小さくなり、容量成
分が表示に与えるクロストークなどの影響をより低減し
てより良好な表示が得られる。
【００３４】ＴＦＴの他方電極と画素電極とを接続する
接続電極に、透明導電膜を用いれば、開口率はさらに向
上する。
接続電極に、透明導電膜を用いれば、開口率はさらに向
上する。
【００３５】さらに、層間絶縁膜を貫くコンタクトホー
ルが、遮光性の付加容量配線の上部に設けられている
と、液晶の配向乱れによる光漏れが開口部以外の遮光部
で発生することになり、コントラストの低下が生じな
い。
ルが、遮光性の付加容量配線の上部に設けられている
と、液晶の配向乱れによる光漏れが開口部以外の遮光部
で発生することになり、コントラストの低下が生じな
い。
【００３６】さらに、上記式（１）で表される容量比を
１０％以下とすると、ソース電極と画素電極との間の容
量が十分小さいので、良好な表示が得られる。
１０％以下とすると、ソース電極と画素電極との間の容
量が十分小さいので、良好な表示が得られる。
【００３７】さらに、上記本発明を適用すれば、各画素
電極の形状が、ゲート信号配線に平行な辺に比べてソー
ス信号配線に平行な辺が長い長方形であっても、縦クロ
ストークなどの容量成分による表示への影響をなくして
良好な表示が得られる。
電極の形状が、ゲート信号配線に平行な辺に比べてソー
ス信号配線に平行な辺が長い長方形であっても、縦クロ
ストークなどの容量成分による表示への影響をなくして
良好な表示が得られる。
【００３８】また、ソース信号配線から供給されるデー
タ信号の極性を、１ゲート信号配線毎に反転させると共
にゲート信号と位相差を持つようにすると、ソース信号
配線と画素電極との間の容量の影響をさらに小さくする
ことが可能となる。
タ信号の極性を、１ゲート信号配線毎に反転させると共
にゲート信号と位相差を持つようにすると、ソース信号
配線と画素電極との間の容量の影響をさらに小さくする
ことが可能となる。
【００３９】本発明の製造方法によれば、塗布法を用い
るので、従来のＣＶＤ法よりも簡単に層間絶縁膜を形成
でき、コストダウンが可能である。好ましくは、ドライ
エッチングで層間絶縁膜を処理すれば、精度よく加工で
きる。
るので、従来のＣＶＤ法よりも簡単に層間絶縁膜を形成
でき、コストダウンが可能である。好ましくは、ドライ
エッチングで層間絶縁膜を処理すれば、精度よく加工で
きる。
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００４１】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
１の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板の１画素部分の構成を示す平面図である。
【００４２】図１において、アクティブマトリクス基板
には、複数の画素電極２１がマトリクス状に設けられて
おり、これらの画素電極２１の周囲を通り、互いに直交
差するように、各ゲート信号配線２２とソース信号配線
２３が設けられている。これらのゲート信号配線２２と
ソース信号配線２３はその一部が画素電極２１の外周部
分とオーバーラップしている。また、これらのゲート信
号配線２２とソース信号配線２３の交差部分において、
画素電極２１に接続されるスイッチング素子としてのＴ
ＦＴ２４が設けられている。このＴＦＴ２４のゲート電
極にはゲート信号配線２２が接続され、ゲート電極に入
力される信号によってＴＦＴ２４が駆動制御される。ま
た、ＴＦＴ２４のソース電極にはソース信号配線２３が
接続され、ＴＦＴ２４のソース電極にデータ信号が入力
される。さらに、ＴＦＴ２４のドレイン電極は、接続電
極２５さらにコンタクトホール２６を介して画素電極２
１と接続されるとともに、接続電極２５を介して付加容
量の一方の電極２５ａと接続されている。この付加容量
の他方の電極２７は共通配線に接続されている。
には、複数の画素電極２１がマトリクス状に設けられて
おり、これらの画素電極２１の周囲を通り、互いに直交
差するように、各ゲート信号配線２２とソース信号配線
２３が設けられている。これらのゲート信号配線２２と
ソース信号配線２３はその一部が画素電極２１の外周部
分とオーバーラップしている。また、これらのゲート信
号配線２２とソース信号配線２３の交差部分において、
画素電極２１に接続されるスイッチング素子としてのＴ
ＦＴ２４が設けられている。このＴＦＴ２４のゲート電
極にはゲート信号配線２２が接続され、ゲート電極に入
力される信号によってＴＦＴ２４が駆動制御される。ま
た、ＴＦＴ２４のソース電極にはソース信号配線２３が
接続され、ＴＦＴ２４のソース電極にデータ信号が入力
される。さらに、ＴＦＴ２４のドレイン電極は、接続電
極２５さらにコンタクトホール２６を介して画素電極２
１と接続されるとともに、接続電極２５を介して付加容
量の一方の電極２５ａと接続されている。この付加容量
の他方の電極２７は共通配線に接続されている。
【００４３】図２は図１の透過型液晶表示装置における
アクティブマトリクス基板のＡ−Ａ’断面図である。
アクティブマトリクス基板のＡ−Ａ’断面図である。
【００４４】図２において、透明絶縁性基板３１上に、
図１のゲート信号配線２２に接続されたゲート電極３２
が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜３３が設けら
れている。その上にはゲート電極３２と重畳するように
半導体層３４が設けられ、その中央部上にチャネル保護
層３５がもうけられている。このチャネル保護層３５の
両端部および半導体層３４の一部を覆い、チャネル保護
層３５上で分断された状態で、ソース電極３６ａおよび
ドレイン電極３６ｂとなるｎ+Ｓｉ層が設けられてい
る。一方のｎ+Ｓｉ層であるソース電極３６ａの端部上
には、透明導電膜３７ｃと金属層３７ｂとが設けられて
２層構造のソース信号配線２３となっている。また、他
方のｎ+Ｓｉ層であるドレイン電極３６ｂの端部上に
は、透明導電膜３７ａ’と金属層３７ｂ’とが設けら
れ、透明導電膜３７ａ’は延長されて、ドレイン電極３
６ｂと画素電極２１とを接続するとともに付加容量の一
方の電極２５ａに接続される接続電極２５となってい
る。さらに、ＴＦＴ２４、ゲート信号配線２２およびソ
ース信号配線２３、接続電極２５の上部を覆って層間絶
縁膜３８が設けられている。
図１のゲート信号配線２２に接続されたゲート電極３２
が設けられ、その上を覆ってゲート絶縁膜３３が設けら
れている。その上にはゲート電極３２と重畳するように
半導体層３４が設けられ、その中央部上にチャネル保護
層３５がもうけられている。このチャネル保護層３５の
両端部および半導体層３４の一部を覆い、チャネル保護
層３５上で分断された状態で、ソース電極３６ａおよび
ドレイン電極３６ｂとなるｎ+Ｓｉ層が設けられてい
る。一方のｎ+Ｓｉ層であるソース電極３６ａの端部上
には、透明導電膜３７ｃと金属層３７ｂとが設けられて
２層構造のソース信号配線２３となっている。また、他
方のｎ+Ｓｉ層であるドレイン電極３６ｂの端部上に
は、透明導電膜３７ａ’と金属層３７ｂ’とが設けら
れ、透明導電膜３７ａ’は延長されて、ドレイン電極３
６ｂと画素電極２１とを接続するとともに付加容量の一
方の電極２５ａに接続される接続電極２５となってい
る。さらに、ＴＦＴ２４、ゲート信号配線２２およびソ
ース信号配線２３、接続電極２５の上部を覆って層間絶
縁膜３８が設けられている。
【００４５】この層間絶縁膜３８上には、画素電極２１
となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜３８を貫くコ
ンタクトホール２６を介して、接続電極２５である透明
導電膜３７ａ’によりＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂ
と接続されている。層間絶縁膜３８は、４００ｎｍ〜８
００ｎｍの光透過率が９０％以上である材料を用いるの
が、表示装置の輝度を高く維持できる点で好ましい。
となる透明導電膜が設けられ、層間絶縁膜３８を貫くコ
ンタクトホール２６を介して、接続電極２５である透明
導電膜３７ａ’によりＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂ
と接続されている。層間絶縁膜３８は、４００ｎｍ〜８
００ｎｍの光透過率が９０％以上である材料を用いるの
が、表示装置の輝度を高く維持できる点で好ましい。
【００４６】以上のように本実施形態１のアクティブマ
トリクス基板が構成され、以下のようにして製造するこ
とができる。
トリクス基板が構成され、以下のようにして製造するこ
とができる。
【００４７】まず、ガラス基板などの透明絶縁性基板３
１上に、ゲート電極３２、ゲート絶縁膜３３、半導体層
３４、チャネル保護層３５、ソース電極３６ａおよびド
レイン電極３６ｂとなるｎ+Ｓｉ層を順次成膜して形成
する。ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマ
トリクス基板の製造方法と同様にして行うことができ
る。
１上に、ゲート電極３２、ゲート絶縁膜３３、半導体層
３４、チャネル保護層３５、ソース電極３６ａおよびド
レイン電極３６ｂとなるｎ+Ｓｉ層を順次成膜して形成
する。ここまでの作製プロセスは、従来のアクティブマ
トリクス基板の製造方法と同様にして行うことができ
る。
【００４８】次に、ソース信号配線２３および接続電極
２５を構成する透明導電膜３７ａ，３７ａ’および金属
層３７ｂ，３７ｂ’を、スパッタ法により順次成膜して
所定形状にパターニングする。
２５を構成する透明導電膜３７ａ，３７ａ’および金属
層３７ｂ，３７ｂ’を、スパッタ法により順次成膜して
所定形状にパターニングする。
【００４９】さらに、その上に、層間絶縁膜３８とし
て、フッ素樹脂をスピン塗布法などの塗布法により塗布
し、その後、硬化させて、たとえば２μｍの膜厚のフッ
素樹脂膜を形成する。この樹脂膜に対して、レジストを
塗布し所望のパターンに従って露光し、たとえばアルカ
リ性の溶液によって一部のレジストを剥離し、レジスト
をマスクにしてドライエッチングする。こうして、層間
絶縁膜３８を貫通するコンタクトホール２６が形成され
ることになる。その後、残ったレジストを剥離する。ド
ライエッチングにより寸法精度よく、滑らかな、したが
って画素電極２１の断線の少ない加工がコンタクトホー
ル２６に対して行い得る。
て、フッ素樹脂をスピン塗布法などの塗布法により塗布
し、その後、硬化させて、たとえば２μｍの膜厚のフッ
素樹脂膜を形成する。この樹脂膜に対して、レジストを
塗布し所望のパターンに従って露光し、たとえばアルカ
リ性の溶液によって一部のレジストを剥離し、レジスト
をマスクにしてドライエッチングする。こうして、層間
絶縁膜３８を貫通するコンタクトホール２６が形成され
ることになる。その後、残ったレジストを剥離する。ド
ライエッチングにより寸法精度よく、滑らかな、したが
って画素電極２１の断線の少ない加工がコンタクトホー
ル２６に対して行い得る。
【００５０】その後、画素電極２１となる透明導電膜を
スパッタ法により形成し、パターニングする。これによ
り画素電極２１は、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホ
ール２６を介して、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと
接続されている透明導電膜３７ａ’と接続されることに
なる。このようにして、本実施形態１のアクティブマト
リクス基板を製造することができる。
スパッタ法により形成し、パターニングする。これによ
り画素電極２１は、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホ
ール２６を介して、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと
接続されている透明導電膜３７ａ’と接続されることに
なる。このようにして、本実施形態１のアクティブマト
リクス基板を製造することができる。
【００５１】したがって、このようにして得られたアク
ティブマトリクス基板は、ゲート信号配線２２およびソ
ース信号配線２３と、画素電極２１との間に層間絶縁膜
３８が形成されているので、各信号配線２２，２３に対
して画素電極２１をオーバーラップさせることができ
る。このため、アクティブマトリクス基板と対向基板の
間に液晶を介在させた透過型液晶表示装置の構成とした
時に、開口率を向上することができると共に、各信号配
線２２，２３に起因する電界を画素電極２１でシールド
して液晶の配向不良を抑制することができる。
ティブマトリクス基板は、ゲート信号配線２２およびソ
ース信号配線２３と、画素電極２１との間に層間絶縁膜
３８が形成されているので、各信号配線２２，２３に対
して画素電極２１をオーバーラップさせることができ
る。このため、アクティブマトリクス基板と対向基板の
間に液晶を介在させた透過型液晶表示装置の構成とした
時に、開口率を向上することができると共に、各信号配
線２２，２３に起因する電界を画素電極２１でシールド
して液晶の配向不良を抑制することができる。
【００５２】また、層間絶縁膜３８を構成するフッ素樹
脂は、比誘電率が２〜３程度であり、無機膜（窒化シリ
コンの比誘電率８）に比べて低く、また、その透明度も
高くスピン塗布法等の塗布法により容易に２μｍという
厚い膜厚にすることができる。このため、ゲート信号配
線２２と画素電極２１との間の容量および、ソース信号
配線２３と画素電極２１との間の容量を低くすることが
でき、信号がその容量を通過し難くなり、つまり信号透
過率が低くなる。その結果、各信号配線２２，２３と画
素電極２１との間の容量成分が表示に与えるクロストー
クなどの影響をより低減することができて、良好で明る
い表示を得ることができる。また、露光およびアルカリ
現像によってパターニングを行うことにより、コンタク
トホール２６のテーパ形状を良好にすることができ、画
素電極２１と接続電極３７ａ’との接続を良好にするこ
とができる。
脂は、比誘電率が２〜３程度であり、無機膜（窒化シリ
コンの比誘電率８）に比べて低く、また、その透明度も
高くスピン塗布法等の塗布法により容易に２μｍという
厚い膜厚にすることができる。このため、ゲート信号配
線２２と画素電極２１との間の容量および、ソース信号
配線２３と画素電極２１との間の容量を低くすることが
でき、信号がその容量を通過し難くなり、つまり信号透
過率が低くなる。その結果、各信号配線２２，２３と画
素電極２１との間の容量成分が表示に与えるクロストー
クなどの影響をより低減することができて、良好で明る
い表示を得ることができる。また、露光およびアルカリ
現像によってパターニングを行うことにより、コンタク
トホール２６のテーパ形状を良好にすることができ、画
素電極２１と接続電極３７ａ’との接続を良好にするこ
とができる。
【００５３】尚、フッ素材料は、他の有機材料と比べて
比誘電率が低いので、薄膜を薄く形成することが可能と
なり、したがって材料費を少なく、かつ、コンタクトホ
ールのサイズを小さくできる。更に、同じ理由により、
例えばエージングテスト等を行い、ＴＦＴ２４と画素電
極２１との間の電界で分極化させても、ＴＦＴ特性がず
れたりすることも少なく信頼性が高い。また、フッ素樹
脂は耐薬品性に優れるため、後工程で使用する薬液など
の自由度が増し、製造容易でコストダウンできる。
比誘電率が低いので、薄膜を薄く形成することが可能と
なり、したがって材料費を少なく、かつ、コンタクトホ
ールのサイズを小さくできる。更に、同じ理由により、
例えばエージングテスト等を行い、ＴＦＴ２４と画素電
極２１との間の電界で分極化させても、ＴＦＴ特性がず
れたりすることも少なく信頼性が高い。また、フッ素樹
脂は耐薬品性に優れるため、後工程で使用する薬液など
の自由度が増し、製造容易でコストダウンできる。
【００５４】さらに、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂ
と画素電極２１とを接続する接続電極２５として透明導
電膜３７ａ’を形成することにより、以下のような利点
を有する。即ち、従来のアクティブマトリクス基板にお
いては、この接続電極を金属層によって形成していたた
め、接続電極が開口部に存在すると開口率の低下の原因
となっていた。これを防ぐため、従来は、ＴＦＴまたは
ＴＦＴのドレイン電極上に接続電極を形成し、その上に
層間絶縁膜のコンタクトホールを形成してＴＦＴのドレ
イン電極と画素電極とを接続するという方法が用いられ
てきた。しかし、この従来の方法では、特に、開口率を
向上させるためにＴＦＴを小型化した場合に、コンタク
トホールを完全にＴＦＴの上に設けることができず、開
口率の低下を招いていた。また、層間絶縁膜を数μｍと
いう厚い膜厚に形成した場合、画素電極が下層の接続電
極とコンタクトするためには、コンタクトホールをテー
パ形状にする必要があり、さらにＴＦＴ上の接続電極領
域を大きく取ることが必要であった。例えば、そのコン
タクトホールの径を５μｍとした場合、コンタクトホー
ルのテーパ領域およびアラインメント精度を考慮する
と、接続電極の大きさとしては１４μｍ程度が必要であ
り（但し、他の有機材料に比べて厚みが小さく電極寸法
は小さくできる）、従来のアクティブマトリクス基板で
は、これよりも小さいサイズのＴＦＴを形成すると接続
電極に起因する開口率の低下を招いていた。これに対し
て、本実施形態１のアクティブマトリクス基板では、接
続電極２５が透明導電膜３７ａ’により形成されている
ので、開口率の低下が生じない。また、この接続電極２
５は延長されて、ＴＦＴのドレイン電極３６ｂと、透明
導電膜３７ａ’により形成された付加容量の一方の電極
２５ａとを接続する役割も担っており、この延長部分も
透明導電膜３７ａ’により形成されているので、この配
線による開口率の低下も生じない。
と画素電極２１とを接続する接続電極２５として透明導
電膜３７ａ’を形成することにより、以下のような利点
を有する。即ち、従来のアクティブマトリクス基板にお
いては、この接続電極を金属層によって形成していたた
め、接続電極が開口部に存在すると開口率の低下の原因
となっていた。これを防ぐため、従来は、ＴＦＴまたは
ＴＦＴのドレイン電極上に接続電極を形成し、その上に
層間絶縁膜のコンタクトホールを形成してＴＦＴのドレ
イン電極と画素電極とを接続するという方法が用いられ
てきた。しかし、この従来の方法では、特に、開口率を
向上させるためにＴＦＴを小型化した場合に、コンタク
トホールを完全にＴＦＴの上に設けることができず、開
口率の低下を招いていた。また、層間絶縁膜を数μｍと
いう厚い膜厚に形成した場合、画素電極が下層の接続電
極とコンタクトするためには、コンタクトホールをテー
パ形状にする必要があり、さらにＴＦＴ上の接続電極領
域を大きく取ることが必要であった。例えば、そのコン
タクトホールの径を５μｍとした場合、コンタクトホー
ルのテーパ領域およびアラインメント精度を考慮する
と、接続電極の大きさとしては１４μｍ程度が必要であ
り（但し、他の有機材料に比べて厚みが小さく電極寸法
は小さくできる）、従来のアクティブマトリクス基板で
は、これよりも小さいサイズのＴＦＴを形成すると接続
電極に起因する開口率の低下を招いていた。これに対し
て、本実施形態１のアクティブマトリクス基板では、接
続電極２５が透明導電膜３７ａ’により形成されている
ので、開口率の低下が生じない。また、この接続電極２
５は延長されて、ＴＦＴのドレイン電極３６ｂと、透明
導電膜３７ａ’により形成された付加容量の一方の電極
２５ａとを接続する役割も担っており、この延長部分も
透明導電膜３７ａ’により形成されているので、この配
線による開口率の低下も生じない。
【００５５】さらには、ソース信号配線２３を２層構造
とすることにより、ソース信号配線２３を構成する金属
層３７ｂの一部に膜の欠損があったとしても、ＩＴＯな
どの透明導電膜３７ａにより電気的に接続されるので、
ソース信号配線２３の断線を少なくできるという利点が
ある。
とすることにより、ソース信号配線２３を構成する金属
層３７ｂの一部に膜の欠損があったとしても、ＩＴＯな
どの透明導電膜３７ａにより電気的に接続されるので、
ソース信号配線２３の断線を少なくできるという利点が
ある。
【００５６】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板の１画素部分の構成を示す平面図であり、図４は図
３の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板のＢ−Ｂ’断面図である。なお、図１および図２と
同様の作用効果を奏する部材には同一の符号を付けてそ
の説明を省略する。
２の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板の１画素部分の構成を示す平面図であり、図４は図
３の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板のＢ−Ｂ’断面図である。なお、図１および図２と
同様の作用効果を奏する部材には同一の符号を付けてそ
の説明を省略する。
【００５７】本実施形態２のアクティブマトリクス基板
では、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂに接続される接
続電極２５の先端部である、画素の付加容量の一方電極
２５ａに対向する他方電極２７が、図１０の付加容量共
通配線６を通じて対向基板上に形成された対向電極に接
続される構成となっているが、層間絶縁膜３８を貫くコ
ンタクトホール２６Ａの形成位置を、この付加容量共通
配線６の一端である他方電極２７および一方電極２５ａ
の上部に形成している。つまり、このコンタクトホール
２６Ａは、遮光性の金属膜で構成されている付加容量配
線上部に設けられている。
では、ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂに接続される接
続電極２５の先端部である、画素の付加容量の一方電極
２５ａに対向する他方電極２７が、図１０の付加容量共
通配線６を通じて対向基板上に形成された対向電極に接
続される構成となっているが、層間絶縁膜３８を貫くコ
ンタクトホール２６Ａの形成位置を、この付加容量共通
配線６の一端である他方電極２７および一方電極２５ａ
の上部に形成している。つまり、このコンタクトホール
２６Ａは、遮光性の金属膜で構成されている付加容量配
線上部に設けられている。
【００５８】これにより、以下のような利点を有する。
【００５９】例えば、層間絶縁膜３８の膜厚を２μｍに
すると、液晶セルの厚みである４．５μｍと比較しても
無視できない厚みであるので、コンタクトホール２６Ａ
の周辺に液晶の配向乱れによる光漏れが発生する。した
がって、透過型液晶表示装置の開口部にこのようなコン
タクトホール２６Ａを形成した場合には、この光漏れに
よるコントラストの低下が生じる。これに対して、本実
施形態２のアクティブマトリクス基板では、付加容量共
通配線６の一端である他方電極２７および一方電極２５
ａの遮光性の金属膜上部にコンタクトホール２６Ａが形
成されているので、このような問題は生じない。つま
り、このコンタクトホール２６Ａが、遮光性の金属膜で
ある付加容量配線上部に設けられていると、液晶の配向
乱れによる光漏れが発生しても、開口部以外の遮光部で
あってコントラストの低下は生じない。これは、隣接す
るゲート信号配線２２の一部を一方電極として付加容量
を形成する場合にも同様であり、この場合には、隣接す
るゲート信号配線２２上にコンタクトホール２６Ａを形
成することにより、ゲート信号配線２２で遮光してコン
トラスト低下を防ぐことができる。
すると、液晶セルの厚みである４．５μｍと比較しても
無視できない厚みであるので、コンタクトホール２６Ａ
の周辺に液晶の配向乱れによる光漏れが発生する。した
がって、透過型液晶表示装置の開口部にこのようなコン
タクトホール２６Ａを形成した場合には、この光漏れに
よるコントラストの低下が生じる。これに対して、本実
施形態２のアクティブマトリクス基板では、付加容量共
通配線６の一端である他方電極２７および一方電極２５
ａの遮光性の金属膜上部にコンタクトホール２６Ａが形
成されているので、このような問題は生じない。つま
り、このコンタクトホール２６Ａが、遮光性の金属膜で
ある付加容量配線上部に設けられていると、液晶の配向
乱れによる光漏れが発生しても、開口部以外の遮光部で
あってコントラストの低下は生じない。これは、隣接す
るゲート信号配線２２の一部を一方電極として付加容量
を形成する場合にも同様であり、この場合には、隣接す
るゲート信号配線２２上にコンタクトホール２６Ａを形
成することにより、ゲート信号配線２２で遮光してコン
トラスト低下を防ぐことができる。
【００６０】また、このアクティブマトリクス基板は、
ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと、コンタクトホール
２６Ａとを接続する接続電極２５として透明導電膜３７
ａ’を形成しているので、コンタクトホール２６Ａを付
加容量上に形成しても開口率の低下は生じない。コンタ
クトホール２６Ａの外形サイズは、フッ素系の層間絶縁
膜を用いることにより、他の材料よりも小さく、加工時
の位置合わせに余裕がある。
ＴＦＴ２４のドレイン電極３６ｂと、コンタクトホール
２６Ａとを接続する接続電極２５として透明導電膜３７
ａ’を形成しているので、コンタクトホール２６Ａを付
加容量上に形成しても開口率の低下は生じない。コンタ
クトホール２６Ａの外形サイズは、フッ素系の層間絶縁
膜を用いることにより、他の材料よりも小さく、加工時
の位置合わせに余裕がある。
【００６１】（実施形態３）図５は、本発明の実施形態
３の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板の構成を示す一部断面図である。
３の透過型液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板の構成を示す一部断面図である。
【００６２】本実施形態３のアクティブマトリクス基板
では、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６Ｂが
付加容量共通配線６の上部に形成されており、このコン
タクトホール２６Ｂの下部に形成された透明導電膜３７
ａ’の上に金属窒化物層４１が形成されている。
では、層間絶縁膜３８を貫くコンタクトホール２６Ｂが
付加容量共通配線６の上部に形成されており、このコン
タクトホール２６Ｂの下部に形成された透明導電膜３７
ａ’の上に金属窒化物層４１が形成されている。
【００６３】これにより、以下のような利点を有する。
【００６４】層間絶縁膜３８を構成する樹脂と、透明導
電膜であるＩＴＯなど、または金属であるＴａ、Ａｌな
どとの密着性には問題がある。例えば、コンタクトホー
ル２６Ｂの開口後の洗浄工程において、コンタクトホー
ル２６Ｂの開口部から、その樹脂と下地との間の界面に
洗浄液が侵入し、樹脂の膜剥がれが生じるという問題が
あった。これに対して、本実施形態３のアクティブマト
リクス基板では、その樹脂との密着性が良好なＴａＮや
ＡｌＮなどの金属窒化物層４１を形成するので、膜剥が
れなどの密着性に関する問題は生じない。
電膜であるＩＴＯなど、または金属であるＴａ、Ａｌな
どとの密着性には問題がある。例えば、コンタクトホー
ル２６Ｂの開口後の洗浄工程において、コンタクトホー
ル２６Ｂの開口部から、その樹脂と下地との間の界面に
洗浄液が侵入し、樹脂の膜剥がれが生じるという問題が
あった。これに対して、本実施形態３のアクティブマト
リクス基板では、その樹脂との密着性が良好なＴａＮや
ＡｌＮなどの金属窒化物層４１を形成するので、膜剥が
れなどの密着性に関する問題は生じない。
【００６５】この金属窒化物層４１は、層間絶縁膜３８
を構成する樹脂や、透明導電膜である接続電極３７ａ’
およびＴａ、Ａｌなどの金属などと密着性のよいもので
あればいずれを用いてもよいが、接続電極３７ａ’と画
素電極２１とを電気的に接続する必要があるので、良好
な導電性を有している必要がある。
を構成する樹脂や、透明導電膜である接続電極３７ａ’
およびＴａ、Ａｌなどの金属などと密着性のよいもので
あればいずれを用いてもよいが、接続電極３７ａ’と画
素電極２１とを電気的に接続する必要があるので、良好
な導電性を有している必要がある。
【００６６】（実施形態４）図６は、本発明の実施形態
４の透過型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の
構成を示す一部断面図である。このアクティブマトリク
ス基板は、実施形態２の構造で用いていたチャネル保護
層３５を削減してある。よって、製造工程の簡略化や材
料費の削減化を大幅に図れる。
４の透過型液晶表示装置のアクティブマトリクス基板の
構成を示す一部断面図である。このアクティブマトリク
ス基板は、実施形態２の構造で用いていたチャネル保護
層３５を削減してある。よって、製造工程の簡略化や材
料費の削減化を大幅に図れる。
【００６７】（実施形態５）本実施形態５では、透過型
液晶表示装置の駆動方法について説明する。
液晶表示装置の駆動方法について説明する。
【００６８】本発明の透過型液晶表示装置においては、
層間絶縁膜を形成することにより各信号配線と画素電極
とをオーバーラップさせている。画素電極と各信号配線
とがオーバーラップせずに、その間に間隔が開いている
と液晶に電界の印加されない領域が発生するが、このよ
うに画素電極を各信号配線にオーバーラップさせること
により、この領域をなくすことができる。また、隣接す
る画素電極の間の液晶にも電界が印加されないが、それ
による光漏れを各信号配線により遮断することができ
る。このため、対向基板上に、両基板の貼り合わせずれ
を見込んだ形でブラックマスクを形成する必要がなくな
り、開口率を向上させることができる。また、各信号配
線に起因する電界をシールドすることもできるので、液
晶の配向不良の抑制を図ることができるという利点もあ
る。
層間絶縁膜を形成することにより各信号配線と画素電極
とをオーバーラップさせている。画素電極と各信号配線
とがオーバーラップせずに、その間に間隔が開いている
と液晶に電界の印加されない領域が発生するが、このよ
うに画素電極を各信号配線にオーバーラップさせること
により、この領域をなくすことができる。また、隣接す
る画素電極の間の液晶にも電界が印加されないが、それ
による光漏れを各信号配線により遮断することができ
る。このため、対向基板上に、両基板の貼り合わせずれ
を見込んだ形でブラックマスクを形成する必要がなくな
り、開口率を向上させることができる。また、各信号配
線に起因する電界をシールドすることもできるので、液
晶の配向不良の抑制を図ることができるという利点もあ
る。
【００６９】但し、このオーバーラップ幅は、実際の製
造工程でのばらつきを見込んで設定する必要があり、例
えば１．０μｍ程度以上に設定されることが望ましい。
造工程でのばらつきを見込んで設定する必要があり、例
えば１．０μｍ程度以上に設定されることが望ましい。
【００７０】上述のように、ソース信号配線と画素電極
とをオーバーラップさせる構造とした場合には、ソース
信号配線と画素電極との間の容量に起因してクロストー
クが発生し、表示品位を低下させるという問題があっ
た。特に、ノートブック型バーソナルコンピューターに
用いられる液晶パネルにおいては、一般的に画素を縦ス
トライプに配列するため、ソース信号配線と画素電極と
の間の容量の表示に対する影響が大きい。この理由とし
て、この配列では画素電極の形状がソース信号と隣接す
る部分を長辺とする長方形となるので、画素電極とソー
ス信号配線との間の容量が相対的に大きくなること、ま
た、隣接するソース信号配線の表示の色が異なっている
ため、信号の相関性が少なく、容量の影響をキャンセル
させることができないことなどが考えられる。
とをオーバーラップさせる構造とした場合には、ソース
信号配線と画素電極との間の容量に起因してクロストー
クが発生し、表示品位を低下させるという問題があっ
た。特に、ノートブック型バーソナルコンピューターに
用いられる液晶パネルにおいては、一般的に画素を縦ス
トライプに配列するため、ソース信号配線と画素電極と
の間の容量の表示に対する影響が大きい。この理由とし
て、この配列では画素電極の形状がソース信号と隣接す
る部分を長辺とする長方形となるので、画素電極とソー
ス信号配線との間の容量が相対的に大きくなること、ま
た、隣接するソース信号配線の表示の色が異なっている
ため、信号の相関性が少なく、容量の影響をキャンセル
させることができないことなどが考えられる。
【００７１】本発明の透過型液晶表示装置においては、
層間絶縁膜が有機薄膜かつフッ素樹脂からなるので比誘
電率が極めて小さく、また、膜厚を容易に厚くできるの
で、画素電極と各信号配線との間の容量を小さくするこ
とができる。さらにこれに加えて、ソース信号配線と画
素電極との間の容量の影響を小さくして、ノートブック
型バーソナルコンピューターにおいても縦クロストーク
を十分低減させるためには、以下のような駆動方法を用
いてることができる。
層間絶縁膜が有機薄膜かつフッ素樹脂からなるので比誘
電率が極めて小さく、また、膜厚を容易に厚くできるの
で、画素電極と各信号配線との間の容量を小さくするこ
とができる。さらにこれに加えて、ソース信号配線と画
素電極との間の容量の影響を小さくして、ノートブック
型バーソナルコンピューターにおいても縦クロストーク
を十分低減させるためには、以下のような駆動方法を用
いてることができる。
【００７２】本実施形態５の透過型液晶表示装置の駆動
方法は、ソース信号配線と画素電極との間の容量の表示
に対する影響を低減させるために、データ信号の極性を
１ゲート信号配線毎に反転させる駆動方法（以下１Ｈ反
転という）を用いて駆動する。尚、ソース信号を、デー
タ信号との位相をずらせて、例えば１／２ゲート信号分
程度位相をずらせて、駆動を行うことにより、１Ｈ反転
駆動よりも良好な表示が得られるが、以下では１Ｈ反転
駆動について述べる。
方法は、ソース信号配線と画素電極との間の容量の表示
に対する影響を低減させるために、データ信号の極性を
１ゲート信号配線毎に反転させる駆動方法（以下１Ｈ反
転という）を用いて駆動する。尚、ソース信号を、デー
タ信号との位相をずらせて、例えば１／２ゲート信号分
程度位相をずらせて、駆動を行うことにより、１Ｈ反転
駆動よりも良好な表示が得られるが、以下では１Ｈ反転
駆動について述べる。
【００７３】図７に、図８（ａ）に示す１Ｈ反転の場合
と、図８（ｂ）に示すデータ信号の極性をフィールド毎
に反転させる駆動方法（以下フィールド反転という）の
場合とについて、ソース信号配線と画素電極との間の容
量が画素の充電率に与える影響を示している。
と、図８（ｂ）に示すデータ信号の極性をフィールド毎
に反転させる駆動方法（以下フィールド反転という）の
場合とについて、ソース信号配線と画素電極との間の容
量が画素の充電率に与える影響を示している。
【００７４】図７において、縦軸の充電率差とは、中間
調の一様表示の場合と、中間調表示の中に縦方向の占有
率が３３％である黒のウィンドーパターンを表示させた
場合とにおいて、中間調表示部の液晶に印加される電圧
の実効値差の割合を示している。また、横軸の容量比と
は、ソース信号配線と画素電極との間の容量に起因する
画素電極の電圧変動に比例し、下記式（１）で定義され
る。
調の一様表示の場合と、中間調表示の中に縦方向の占有
率が３３％である黒のウィンドーパターンを表示させた
場合とにおいて、中間調表示部の液晶に印加される電圧
の実効値差の割合を示している。また、横軸の容量比と
は、ソース信号配線と画素電極との間の容量に起因する
画素電極の電圧変動に比例し、下記式（１）で定義され
る。
【００７５】 容量比＝Ｃsd／（Ｃsd＋Ｃls＋Ｃs） ・・・（１） 但し、Ｃsdは画素電極とソース信号配線との間の容量値
を示し、Ｃlsは各画素を構成する液晶の中間調表示にお
ける容量値を示し、Ｃsは各画素を構成する付加容量の
容量値を示している。なお、中間調表示とは、透過率が
５０％の場合を示している。
を示し、Ｃlsは各画素を構成する液晶の中間調表示にお
ける容量値を示し、Ｃsは各画素を構成する付加容量の
容量値を示している。なお、中間調表示とは、透過率が
５０％の場合を示している。
【００７６】図７から明かなように、本実施形態５によ
る１Ｈ反転の駆動方法は、フィールド反転による駆動方
法に比べて、ソース信号配線と画素電極との間の容量が
同じであっても、実際の液晶に印加される実効電圧への
影響を１／５〜１／１０に低減することができることが
解る。この理由は、１Ｈ反転駆動の場合には、１フィー
ルドの間に１フィールドの時間に対して十分に短い周期
で、データ信号の極性が反転されるので、＋極性の信号
と−極性の信号とが表示に与える影響がキャンセルされ
るためである。
る１Ｈ反転の駆動方法は、フィールド反転による駆動方
法に比べて、ソース信号配線と画素電極との間の容量が
同じであっても、実際の液晶に印加される実効電圧への
影響を１／５〜１／１０に低減することができることが
解る。この理由は、１Ｈ反転駆動の場合には、１フィー
ルドの間に１フィールドの時間に対して十分に短い周期
で、データ信号の極性が反転されるので、＋極性の信号
と−極性の信号とが表示に与える影響がキャンセルされ
るためである。
【００７７】ところで、対角２６ｃｍのＶＧＡパネルで
表示実験を行ったところ、中間調において充電率差が
０．６％以上になるとクロストークが顕著になって、表
示品位に問題が生じることが解った。このスペックを図
７の図中に点線で示している。図７によれば、充電率差
を０．６％以下にするためには、容量比を１０％以下に
すればよいことが解る。
表示実験を行ったところ、中間調において充電率差が
０．６％以上になるとクロストークが顕著になって、表
示品位に問題が生じることが解った。このスペックを図
７の図中に点線で示している。図７によれば、充電率差
を０．６％以下にするためには、容量比を１０％以下に
すればよいことが解る。
【００７８】図９に、対角２６ｃｍのＶＧＡパネルにお
いて、層間絶縁膜の膜厚をパラメーターとして計算した
場合の、画素電極とソース信号配線とのオーバーラップ
量と、画素電極とソース信号配線との間の容量との関係
を示している。ここで、層間絶縁膜は、上記実施態様１
で用いたフッ素系樹脂（比誘電率が２程度）とした。ま
た、このとき、加工精度を考慮すると、画素電極とソー
ス信号配線との間のオーバーラップ幅は少なくとも１μ
ｍは必要である。図７および図９によれば、オーバーラ
ップ幅を１μｍとして充電率差を０．６％以下とするた
めには、層間絶縁膜の膜厚が１．２μｍ以上であればよ
いことが解る。なお、量産時のバラツキなどを考慮する
と、１．５μｍ以上が好ましい。
いて、層間絶縁膜の膜厚をパラメーターとして計算した
場合の、画素電極とソース信号配線とのオーバーラップ
量と、画素電極とソース信号配線との間の容量との関係
を示している。ここで、層間絶縁膜は、上記実施態様１
で用いたフッ素系樹脂（比誘電率が２程度）とした。ま
た、このとき、加工精度を考慮すると、画素電極とソー
ス信号配線との間のオーバーラップ幅は少なくとも１μ
ｍは必要である。図７および図９によれば、オーバーラ
ップ幅を１μｍとして充電率差を０．６％以下とするた
めには、層間絶縁膜の膜厚が１．２μｍ以上であればよ
いことが解る。なお、量産時のバラツキなどを考慮する
と、１．５μｍ以上が好ましい。
【００７９】このように、画素電極をソース信号配線に
対してオーバーラップさせた場合、１Ｈ反転駆動を用い
ることにより、隣接するソース信号配線の信号の極性を
反転させなくても縦クロストークが認められない良好な
表示を得ることができ、ノートブック型パーソナルコン
ピュータにも十分対応することができる。
対してオーバーラップさせた場合、１Ｈ反転駆動を用い
ることにより、隣接するソース信号配線の信号の極性を
反転させなくても縦クロストークが認められない良好な
表示を得ることができ、ノートブック型パーソナルコン
ピュータにも十分対応することができる。
【００８０】（実施形態６）本実施形態６では、液晶に
印加される電圧の極性を１ゲート信号配線毎に反転させ
ると共に、対向電極に印加される信号をソース信号の極
性の反転と同期させて、交流駆動する駆動方法について
説明する。
印加される電圧の極性を１ゲート信号配線毎に反転させ
ると共に、対向電極に印加される信号をソース信号の極
性の反転と同期させて、交流駆動する駆動方法について
説明する。
【００８１】このように対向電極を駆動することによ
り、ソース信号の振幅を小さく抑えることができる。
り、ソース信号の振幅を小さく抑えることができる。
【００８２】上記図７に、対向電極を振幅５Ｖで交流駆
動した場合について、同時に示している。図７によれ
ば、対向電極を交流駆動することにより約１割程度、充
電率差が大きくなるものの、１Ｈ反転駆動を行っている
ためにフィールド反転駆動に比べて十分充電率差を小さ
くできる。したがって、この駆動方法でも、縦クロスト
ークが見られない良好な表示を実現することができる。
動した場合について、同時に示している。図７によれ
ば、対向電極を交流駆動することにより約１割程度、充
電率差が大きくなるものの、１Ｈ反転駆動を行っている
ためにフィールド反転駆動に比べて十分充電率差を小さ
くできる。したがって、この駆動方法でも、縦クロスト
ークが見られない良好な表示を実現することができる。
【００８３】なお、上記実施形態では、付加容量の一方
の電極が付加容量共通配線を通じて対向電極に接続され
る構造の透過型液晶表示装置について説明したが、付加
容量の一方の電極が、隣接する画素のゲート信号配線で
ある構造としても同様の効果が得られる。
の電極が付加容量共通配線を通じて対向電極に接続され
る構造の透過型液晶表示装置について説明したが、付加
容量の一方の電極が、隣接する画素のゲート信号配線で
ある構造としても同様の効果が得られる。
【００８４】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、層間絶縁
膜を設けることにより、各信号配線と画素電極とをオー
バーラップさせることができ、開口率を向上すると共に
液晶の配向不良を抑制できる。この層間絶縁膜はフッ素
系有機薄膜からなるため、比誘電率が無機薄膜に比べて
低く、膜厚も容易に厚くできるので、各信号配線と画素
電極との間の容量を低減することができる。よって、ソ
ース信号配線と画素電極との間の容量に起因する縦クロ
ストークを低減でき、また、画素電極とゲート信号配線
との間の容量に起因する絵素への書き込み電圧のフィー
ドスルーや製造工程のばらつきを低減できる。
膜を設けることにより、各信号配線と画素電極とをオー
バーラップさせることができ、開口率を向上すると共に
液晶の配向不良を抑制できる。この層間絶縁膜はフッ素
系有機薄膜からなるため、比誘電率が無機薄膜に比べて
低く、膜厚も容易に厚くできるので、各信号配線と画素
電極との間の容量を低減することができる。よって、ソ
ース信号配線と画素電極との間の容量に起因する縦クロ
ストークを低減でき、また、画素電極とゲート信号配線
との間の容量に起因する絵素への書き込み電圧のフィー
ドスルーや製造工程のばらつきを低減できる。
【００８５】また、この層間絶縁膜は、フッ素系樹脂を
スピン塗布法、ロールコート法およびスロットコート法
などの塗布法により塗布して硬化させ、その後、レジス
ト塗布、マスク露光およびドライエッチング加工を施す
ことにより得ることができ、ＣＶＤ法に比べて生産コス
トを低減して開口率の高い他の樹脂より寸法精度よく透
過型液晶表示装置を得ることができる。層間絶縁膜の材
料である樹脂が着色している場合には、パターニング後
に光学的または化学的な脱色処理により樹脂を透明化す
ることにより、表示色についても良好な透過型液晶表示
装置とすることができる。
スピン塗布法、ロールコート法およびスロットコート法
などの塗布法により塗布して硬化させ、その後、レジス
ト塗布、マスク露光およびドライエッチング加工を施す
ことにより得ることができ、ＣＶＤ法に比べて生産コス
トを低減して開口率の高い他の樹脂より寸法精度よく透
過型液晶表示装置を得ることができる。層間絶縁膜の材
料である樹脂が着色している場合には、パターニング後
に光学的または化学的な脱色処理により樹脂を透明化す
ることにより、表示色についても良好な透過型液晶表示
装置とすることができる。
【００８６】さらに、ＴＦＴの他方電極と画素電極とを
接続する接続電極は、透明導電膜を用いて形成すること
により、開口率をさらに向上できる。この透明導電膜
は、ソース信号配線を２層構造として同時に形成するこ
とができ、ソース信号配線を２層構造にするとソース信
号配線の断線を防ぐことができる。
接続する接続電極は、透明導電膜を用いて形成すること
により、開口率をさらに向上できる。この透明導電膜
は、ソース信号配線を２層構造として同時に形成するこ
とができ、ソース信号配線を２層構造にするとソース信
号配線の断線を防ぐことができる。
【００８７】さらに、層間絶縁膜を貫くコンタクトホー
ルの下部に金属窒化物層を形成すると、層間絶縁膜とそ
の下地との密着性を良好にでき、製造プロセス中の処理
に対して安定な透過型液晶表示装置とすることができ
る。
ルの下部に金属窒化物層を形成すると、層間絶縁膜とそ
の下地との密着性を良好にでき、製造プロセス中の処理
に対して安定な透過型液晶表示装置とすることができ
る。
【００８８】さらに、画素電極とソース信号配線とを１
μｍ以上オーバーラップさせると、開口率を向上できる
と共に、その加工精度も良好である。また、層間絶縁膜
の膜厚を１．５μｍ以上にすると、画素電極とソース信
号配線とを１μｍ以上オーバーラップさせても、ソース
信号配線と画素電極との間の容量を十分小さくすること
ができ、良好な表示を得ることができる。
μｍ以上オーバーラップさせると、開口率を向上できる
と共に、その加工精度も良好である。また、層間絶縁膜
の膜厚を１．５μｍ以上にすると、画素電極とソース信
号配線とを１μｍ以上オーバーラップさせても、ソース
信号配線と画素電極との間の容量を十分小さくすること
ができ、良好な表示を得ることができる。
【００８９】さらに、上記式（１）で表される容量比を
１０％以下とすると、ソース電極と画素電極との間の容
量が十分小さいので、さらに縦クロストークの低減の効
果がある。
１０％以下とすると、ソース電極と画素電極との間の容
量が十分小さいので、さらに縦クロストークの低減の効
果がある。
【００９０】さらに、ソース信号配線から供給されるデ
ータ信号の極性を、１ゲート信号配線毎に反転させて駆
動を行うと、さらに縦クロストークの発生を抑制でき
る。
ータ信号の極性を、１ゲート信号配線毎に反転させて駆
動を行うと、さらに縦クロストークの発生を抑制でき
る。
【００９１】さらに、各画素電極の形状が正方形に近い
もののみならず、各画素電極を縦ストライプに配列し、
各画素電極の形状をゲート信号配線に平行な辺に比べて
ソース信号配線に平行な辺が長い長方形にした場合で
も、良好な表示が得られる。従って、ノートブック型パ
ーソナルコンピューターなどに用いられる大型液晶表示
装置においても、縦クロストークが無く開口率が高い透
過型液晶表示装置を実現することができる。
もののみならず、各画素電極を縦ストライプに配列し、
各画素電極の形状をゲート信号配線に平行な辺に比べて
ソース信号配線に平行な辺が長い長方形にした場合で
も、良好な表示が得られる。従って、ノートブック型パ
ーソナルコンピューターなどに用いられる大型液晶表示
装置においても、縦クロストークが無く開口率が高い透
過型液晶表示装置を実現することができる。
【図１】本発明の実施形態１の透過型液晶表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示
す平面図である。
けるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示
す平面図である。
【図２】図１の透過型液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板のＡ−Ａ’断面図である。
マトリクス基板のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】本発明の実施形態２の透過型液晶表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示
す平面図である。
けるアクティブマトリクス基板の１画素部分の構成を示
す平面図である。
【図４】図３の透過型液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板のＢ−Ｂ’断面図である。
マトリクス基板のＢ−Ｂ’断面図である。
【図５】本発明の実施態様３の透過型液晶表示装置にお
けるアクティブマトリクス基板の一部断面図である。
けるアクティブマトリクス基板の一部断面図である。
【図６】本発明の実施形態４の透過型表示装置における
アクティブマトリクス基板の一部断面図である。
アクティブマトリクス基板の一部断面図である。
【図７】本発明の実施態様５，６の透過型液晶表示装置
と従来の液晶表示装置とにおける液晶の充電率差と容量
比との関係を示す図である。
と従来の液晶表示装置とにおける液晶の充電率差と容量
比との関係を示す図である。
【図８】ａは本発明の実施態様５，６の１Ｈ反転の場合
のデータ信号の波形図、ｂは従来のフィールド反転の場
合のデータ信号の波形図である。
のデータ信号の波形図、ｂは従来のフィールド反転の場
合のデータ信号の波形図である。
【図９】本発明の実施態様５の透過型液晶表示装置にお
ける液晶の容量比とオーバーラップ幅との関係を示す図
である。
ける液晶の容量比とオーバーラップ幅との関係を示す図
である。
【図１０】アクティブマトリクス基板を備えた従来の液
晶表示装置の構成を示す回路図である。
晶表示装置の構成を示す回路図である。
【図１１】従来の液晶表示装置におけるアクティブマト
リクス基板のＴＦＴ部分の断面図である。
リクス基板のＴＦＴ部分の断面図である。
６ 付加容量用共通配線 ２１ 画素電極 ２２ ゲート信号配線 ２３ ソース信号配線 ２４ ＴＦＴ ２５ 接続電極 ２６，２６Ａ，２６Ｂ コンタクトホール ３１ 透明絶縁性基板 ３２ ゲート電極 ３６ａ ソース電極 ３６ｂ ドレイン電極 ３７ａ，３７ａ’ 透明導電膜 ３７ｂ，３７ｂ’ 金属層 ３８ 層間絶縁膜 ４１ 窒化チタン層
Claims (12)
- 【請求項１】 ゲート信号配線とソース信号配線の交差
部近傍にスイッチング素子が設けられ、該スイッチング
素子のゲート電極に該ゲート信号配線が接続され、該ゲ
ート電極以外の一方電極に該ソース信号配線、他方電極
に直接または接続電極を介して画素電極が接続された透
過型液晶表示装置において、 該スイッチング素子、該ゲート信号配線および該ソース
信号配線の上部に、透明度の高い有機薄膜からなるフッ
素系の層間絶縁膜が設けられ、該層間絶縁膜の上に透明
導電膜からなる該画素電極が設けられた透過型液晶表示
装置。 - 【請求項２】 前記層間絶縁膜の上に、透明導電膜から
なる画素電極が、少なくともゲート信号配線およびソー
ス信号配線の少なくとも一方と、少なくとも一部が重な
るように設けられ、該層間絶縁膜を貫く滑らかなコンタ
クトホールを介して該接続電極と画素電極とが接続され
た請求項１に記載の透過型液晶表示装置。 - 【請求項３】 前記層間絶縁膜は、光学的または化学的
な脱色処理により樹脂の透明化が行われている請求項１
または２に記載の透過型液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記画素電極と、前記ソース信号配線お
よびゲート信号配線の少なくとも一方とが、配線幅方向
に１μｍ以上重なって設けられている請求項１または２
記載の透過型液晶表示装置。 - 【請求項５】 前記層間絶縁膜の膜厚が１．５μｍ以上
である請求項１〜４のいずれか一つに記載の透過型液晶
表示装置。 - 【請求項６】 前記接続電極が透明導電膜からなる請求
項１〜５のいずれか一つに記載の透過型液晶表示装置。 - 【請求項７】 前記コンタクトホールが、各画素を構成
する付加容量の上部に設けられている請求項２記載の透
過型液晶表示装置。 - 【請求項８】 下記式（１）で表される容量比が、１０
％以下である請求項１に記載の透過型液晶表示装置； 容量比＝Ｃsd／（Ｃsd＋Ｃls＋Ｃs） ・・・（１） 但し、Ｃsdは画素電極とソース信号配線との間の容量値
を示し、Ｃlsは各画素を構成する液晶の中間調表示にお
ける容量値を示し、Ｃsは各画素を構成する付加容量の
容量値を示す。 - 【請求項９】 前記画素電極の形状が、前記ゲート信号
配線に平行な辺に比べてソース信号配線に平行な辺の方
が長い長方形状である請求項１、４、５または８に記載
の透過型液晶表示装置。 - 【請求項１０】 前記ゲート信号配線毎に極性の反転し
たソース信号を、前記ソース信号配線にゲート信号との
位相差を付与して出力し、その出力信号を前記スイッチ
ング素子を介して前記画素電極に供給して表示駆動する
表示駆動手段が設けられた請求項１に記載の透過型液晶
表示装置。 - 【請求項１１】 基板上に、複数のスイッチング素子を
マトリクス状に形成すると共に、該スイッチング素子の
ゲート電極に接続されたゲート信号配線および、該スイ
ッチング素子のゲート電極以外の一方電極に接続された
ソース信号配線を互いに交差するように形成し、かつ該
スイッチング素子のゲート電極以外の他方電極に接続さ
れた透明電極よりなる接続電極を形成する工程と、 該スイッチング素子、ゲート信号配線、ソース信号配線
および接続電極の上部に、塗布法により透明度の高いフ
ッ素系の有機薄膜を塗布した後、これをパターニングし
て層間絶縁膜を形成すると共に、該層間絶縁膜を貫いて
該接続電極に達するコンタクトホールを形成する工程
と、 該層間絶縁膜上およびコンタクトホール内に、透明導電
膜からなる画素電極を、少なくともゲート信号配線およ
びソース信号配線の少なくとも一方と、少なくとも一部
が重なるように形成する工程とを含む透過型液晶表示装
置の製造方法。 - 【請求項１２】 前記コンタクトホールを、ドライエッ
チングにより加工する請求項１１に記載の透過型液晶表
示装置の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25138695A JP3646999B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 透過型液晶表示装置 |
| KR1019960042396A KR100266151B1 (ko) | 1995-09-28 | 1996-09-25 | 투과형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| US08/722,829 US6188458B1 (en) | 1995-09-28 | 1996-09-27 | Liquid crystal display device with thick interlayer insulating film under pixel electrode |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25138695A JP3646999B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 透過型液晶表示装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005005686A Division JP3938922B2 (ja) | 2005-01-12 | 2005-01-12 | 透過型液晶表示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0990404A true JPH0990404A (ja) | 1997-04-04 |
| JP3646999B2 JP3646999B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=17222074
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25138695A Expired - Fee Related JP3646999B2 (ja) | 1995-09-28 | 1995-09-28 | 透過型液晶表示装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3646999B2 (ja) |
| KR (1) | KR100266151B1 (ja) |
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| US6169593B1 (en) | 1997-12-26 | 2001-01-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Reflection-type liquid crystal display device, method for producing the same, and method for producing circuit board |
| US7538177B2 (en) | 2005-06-24 | 2009-05-26 | Asahi Glass Company, Limited | Crosslinkable fluorinated aromatic prepolymer and its uses |
| JP2009151328A (ja) * | 1999-10-15 | 2009-07-09 | Lg Display Co Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
| US8159449B2 (en) | 2006-04-14 | 2012-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having light-emitting element and liquid crystal element and method for driving the same |
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| DE69835888T2 (de) | 1997-04-11 | 2007-05-03 | Hitachi, Ltd. | Flüssigkristallanzeigevorrichtung |
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| KR20000021350A (ko) * | 1998-09-28 | 2000-04-25 | 김영환 | 액정 표시 소자의 제조방법 |
| CN1244890C (zh) * | 1998-11-26 | 2006-03-08 | 精工爱普生株式会社 | 电光装置及其制造方法和电子装置 |
| KR100690001B1 (ko) * | 2000-02-21 | 2007-03-08 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자 및 그 제조방법 |
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| TW200304227A (en) * | 2002-03-11 | 2003-09-16 | Sanyo Electric Co | Top gate type thin film transistor |
| KR101338301B1 (ko) * | 2005-09-16 | 2013-12-09 | 고에키자이단호진 고쿠사이카가쿠 신고우자이단 | 표시 장치 등의 전자 장치의 제조 장치, 제조 방법, 및표시 장치 등의 전자 장치 |
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1995
- 1995-09-28 JP JP25138695A patent/JP3646999B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1996
- 1996-09-25 KR KR1019960042396A patent/KR100266151B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR100266151B1 (ko) | 2000-09-15 |
| US6188458B1 (en) | 2001-02-13 |
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