JPH11274509A - 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置 - Google Patents
薄膜トランジスタ及び液晶表示装置Info
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- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 82
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 230000010287 polarization Effects 0.000 abstract description 10
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 abstract description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 12
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 3
- 239000012945 sealing adhesive Substances 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134336—Matrix
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
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- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/78645—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film with multiple gate
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- Physics & Mathematics (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水分あるいは不純物イオンによってＴＦＴの
平坦化膜又は層間膜の分極の発生による閾値電圧の変化
を抑制し、欠点が少なく面内で均一な明るさの表示が得
られるＴＦＴ及びＬＣＤを提供する。 【解決手段】 絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、チャネルを備えた多結晶シリコン膜、チャネル上
に設けたストッパ絶縁膜、層間膜、ソース電極並びにド
レイン電極、平坦化膜及び透明電極を順に備えた薄膜ト
ランジスタであって、ソース電極又はドレイン電極のう
ちいずれか一方の電極がチャネルの上方を覆うようにし
て層間膜上に設けられているＴＦＴである。
平坦化膜又は層間膜の分極の発生による閾値電圧の変化
を抑制し、欠点が少なく面内で均一な明るさの表示が得
られるＴＦＴ及びＬＣＤを提供する。 【解決手段】 絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、チャネルを備えた多結晶シリコン膜、チャネル上
に設けたストッパ絶縁膜、層間膜、ソース電極並びにド
レイン電極、平坦化膜及び透明電極を順に備えた薄膜ト
ランジスタであって、ソース電極又はドレイン電極のう
ちいずれか一方の電極がチャネルの上方を覆うようにし
て層間膜上に設けられているＴＦＴである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平坦化膜を備えた
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、「Ｔ
ＦＴ」と称する。）及びそのＴＦＴをスイッチング素子
として用いた液晶表示装置（Liquid Crystal Display、
以下、「ＬＣＤ」と称する。）に関する。
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、「Ｔ
ＦＴ」と称する。）及びそのＴＦＴをスイッチング素子
として用いた液晶表示装置（Liquid Crystal Display、
以下、「ＬＣＤ」と称する。）に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、アクティブマトリクス方式ＬＣＤ
の駆動ドライバ素子あるいは画素駆動素子として多結晶
シリコン膜を能動層として用いたＴＦＴの開発が進めら
れている。以下に従来のＴＦＴを備えたＬＣＤについて
説明する。
の駆動ドライバ素子あるいは画素駆動素子として多結晶
シリコン膜を能動層として用いたＴＦＴの開発が進めら
れている。以下に従来のＴＦＴを備えたＬＣＤについて
説明する。
【０００３】図６に従来の画素部のＴＦＴの平面図を示
し、図７にＴＦＴを用いたＬＣＤの図６中のＣ−Ｃ線に
沿った断面図を示す。図６に示すように、画素部のＴＦ
Ｔは、ゲート信号を供給するゲート信号線Ｇと映像信号
を供給するドレイン信号線Ｄとの交差点付近に設けられ
ており、そのソースは表示電極に接続されている。
し、図７にＴＦＴを用いたＬＣＤの図６中のＣ−Ｃ線に
沿った断面図を示す。図６に示すように、画素部のＴＦ
Ｔは、ゲート信号を供給するゲート信号線Ｇと映像信号
を供給するドレイン信号線Ｄとの交差点付近に設けられ
ており、そのソースは表示電極に接続されている。
【０００４】図７に従ってＴＦＴの構造について説明す
る。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基
板１上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの
高融点金属からなるゲート電極２、ゲート絶縁膜３、及
び多結晶シリコン膜からなる能動層４を順に形成する。
その能動層４には、ゲート電極２上のチャネル７と、チ
ャネル７の両側に、チャネル７上のストッパ８をマスク
にしてイオン注入されて形成されるソース５及びドレイ
ン６が設けられている。
る。石英ガラス、無アルカリガラス等からなる絶縁性基
板１上に、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）などの
高融点金属からなるゲート電極２、ゲート絶縁膜３、及
び多結晶シリコン膜からなる能動層４を順に形成する。
その能動層４には、ゲート電極２上のチャネル７と、チ
ャネル７の両側に、チャネル７上のストッパ８をマスク
にしてイオン注入されて形成されるソース５及びドレイ
ン６が設けられている。
【０００５】そして、ゲート絶縁膜３、能動層４及びス
トッパ８上の全面に、ＳｉＯ２膜９、ＳｉＮ膜１０及び
ＳｉＯ２膜１１の順に積層された層間膜１２を形成し、
ドレイン６に対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等
の金属を充填してドレイン電極１３を形成する。更に全
面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化膜
１５を形成する。そして、その平坦化膜１５のソース５
に対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコン
タクトホールを介してドレイン５とコンタクトしたＩＴ
Ｏ（Indium Thin Oxide）から成りドレイン電極１４を
兼ねた透明電極１６を平坦化膜１５上に形成する。
トッパ８上の全面に、ＳｉＯ２膜９、ＳｉＮ膜１０及び
ＳｉＯ２膜１１の順に積層された層間膜１２を形成し、
ドレイン６に対応して設けたコンタクトホールにＡｌ等
の金属を充填してドレイン電極１３を形成する。更に全
面に例えば有機樹脂から成り表面を平坦にする平坦化膜
１５を形成する。そして、その平坦化膜１５のソース５
に対応した位置にコンタクトホールを形成し、このコン
タクトホールを介してドレイン５とコンタクトしたＩＴ
Ｏ（Indium Thin Oxide）から成りドレイン電極１４を
兼ねた透明電極１６を平坦化膜１５上に形成する。
【０００６】こうして作成されたＴＦＴを備えた絶縁性
基板１と、この基板１に対向した電極等（図略）を備え
た対向基板１７とを周辺をシール接着剤１８により接着
し、形成された空隙に液晶１９を充填する。
基板１と、この基板１に対向した電極等（図略）を備え
た対向基板１７とを周辺をシール接着剤１８により接着
し、形成された空隙に液晶１９を充填する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところが、こうした従
来のＴＦＴの構造においては、硬化時に発生するシール
接着剤からの不純物あるいは不純物イオン、又は平坦化
膜１５と接する液晶１９中の水分あるいは不純物イオ
ン、又はシール部の剥がれて浮いた箇所２０を介して外
部から進入する水分、あるいは平坦化膜１５が大気に触
れることにより付着する大気中の水分等が平坦化膜１５
表面に付着しその平坦化膜１５表面に電荷を帯びてしま
い、平坦化膜１５又は層間膜１２のそれぞれの膜の上下
で分極が発生する。
来のＴＦＴの構造においては、硬化時に発生するシール
接着剤からの不純物あるいは不純物イオン、又は平坦化
膜１５と接する液晶１９中の水分あるいは不純物イオ
ン、又はシール部の剥がれて浮いた箇所２０を介して外
部から進入する水分、あるいは平坦化膜１５が大気に触
れることにより付着する大気中の水分等が平坦化膜１５
表面に付着しその平坦化膜１５表面に電荷を帯びてしま
い、平坦化膜１５又は層間膜１２のそれぞれの膜の上下
で分極が発生する。
【０００８】そのため、ＴＦＴにバックチャネルが形成
されてしまい、ＴＦＴの閾値電圧が変化してしまうとい
う欠点があった。また、このＴＦＴをＬＣＤに用いた場
合においても、ＴＦＴの閾値電圧が増加する方向に変化
するとＴＦＴのオン電流が低下して画素が常に輝く輝点
欠陥が発生し、逆に閾値電圧が減少する方向に変化する
とオフ電流が増加し画素が十分に輝かない滅点欠陥が発
生することになり良好な表示が得られないとともに、ま
た各ＴＦＴにおいて閾値電圧がばらつくことになると面
内で均一な明るさの表示を得ることができないという欠
点があった。
されてしまい、ＴＦＴの閾値電圧が変化してしまうとい
う欠点があった。また、このＴＦＴをＬＣＤに用いた場
合においても、ＴＦＴの閾値電圧が増加する方向に変化
するとＴＦＴのオン電流が低下して画素が常に輝く輝点
欠陥が発生し、逆に閾値電圧が減少する方向に変化する
とオフ電流が増加し画素が十分に輝かない滅点欠陥が発
生することになり良好な表示が得られないとともに、ま
た各ＴＦＴにおいて閾値電圧がばらつくことになると面
内で均一な明るさの表示を得ることができないという欠
点があった。
【０００９】そこで本発明は、上記の従来の欠点に鑑み
て為されたものであり、ＴＦＴ上の平坦化膜又は層間膜
の分極を抑制させることによって、閾値電圧の安定した
ＴＦＴ、及び輝点等の欠陥を低減し、面内で均一な明る
さの表示を得ることができるＬＣＤを提供することを目
的とする。
て為されたものであり、ＴＦＴ上の平坦化膜又は層間膜
の分極を抑制させることによって、閾値電圧の安定した
ＴＦＴ、及び輝点等の欠陥を低減し、面内で均一な明る
さの表示を得ることができるＬＣＤを提供することを目
的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明のＴＦＴは、絶縁
性基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネルを備
えた多結晶シリコン膜、このチャネル上に設けたストッ
パ絶縁膜、層間膜、ソース電極並びにドレイン電極、平
坦化膜及び透明電極を順に備えた薄膜トランジスタであ
って、ソース電極又はドレイン電極のうちいずれか一方
の電極がチャネル上方に延在して層間膜上、及び／又は
透明電極がチャネル上方に延在して平坦化膜上に設けら
れている。
性基板上に、ゲート電極、ゲート絶縁膜、チャネルを備
えた多結晶シリコン膜、このチャネル上に設けたストッ
パ絶縁膜、層間膜、ソース電極並びにドレイン電極、平
坦化膜及び透明電極を順に備えた薄膜トランジスタであ
って、ソース電極又はドレイン電極のうちいずれか一方
の電極がチャネル上方に延在して層間膜上、及び／又は
透明電極がチャネル上方に延在して平坦化膜上に設けら
れている。
【００１１】また、本発明のＬＣＤは、上述の薄膜トラ
ンジスタを備えたものである。
ンジスタを備えたものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明のＴＦＴについて説
明する。図１に本発明のＴＦＴの平面図を示し、図２に
図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示す。図１に示すよ
うに、ゲート信号線Ｇとドレイン信号線Ｄとの交差点付
近に、表示電極１６を接続したＴＦＴが設けられてい
る。
明する。図１に本発明のＴＦＴの平面図を示し、図２に
図１中のＡ−Ａ線に沿った断面図を示す。図１に示すよ
うに、ゲート信号線Ｇとドレイン信号線Ｄとの交差点付
近に、表示電極１６を接続したＴＦＴが設けられてい
る。
【００１３】図２に示すように、石英ガラス、無アルカ
リガラス等からなる絶縁性基板１上に、Ｃｒ、Ｍｏ等の
高融点金属からなるゲート電極２、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ
２膜から成るゲート絶縁膜３及び多結晶シリコン膜から
なる能動層４を順に形成する。その能動層４には、ゲー
ト電極２上方のチャネル７と、そのチャネル７の両側に
イオン注入されて形成されたソース５及びドレイン６と
が設けられている。
リガラス等からなる絶縁性基板１上に、Ｃｒ、Ｍｏ等の
高融点金属からなるゲート電極２、ＳｉＮ膜及びＳｉＯ
２膜から成るゲート絶縁膜３及び多結晶シリコン膜から
なる能動層４を順に形成する。その能動層４には、ゲー
ト電極２上方のチャネル７と、そのチャネル７の両側に
イオン注入されて形成されたソース５及びドレイン６と
が設けられている。
【００１４】チャネル７の上には、ソース５及びドレイ
ン６を形成する際のイオン注入時にチャネル７にイオン
が入らないようにチャネル７を覆うマスクとして機能す
るＳｉＯ２膜から成るストッパ８が設けられる。そし
て、ゲート絶縁膜３、能動層４及びストッパ８上の全面
に、ＳｉＯ２膜９、ＳｉＮ膜１０及びＳｉＯ２膜１１の
順に積層された層間膜１２を形成する。またドレイン６
に対応してその層間膜１２に設けたコンタクトホールに
Ａｌ等の金属を充填してドレイン電極１３を形成する。
そして全面に例えば有機樹脂からなる平坦化膜１５を形
成する。この平坦化膜１５のソース５に対応した位置に
コンタクトホールを形成し、ソース５にコンタクトした
ＩＴＯ等の透明導電材料から成りソース電極１４を兼ね
た透明電極である表示電極１６を形成する。
ン６を形成する際のイオン注入時にチャネル７にイオン
が入らないようにチャネル７を覆うマスクとして機能す
るＳｉＯ２膜から成るストッパ８が設けられる。そし
て、ゲート絶縁膜３、能動層４及びストッパ８上の全面
に、ＳｉＯ２膜９、ＳｉＮ膜１０及びＳｉＯ２膜１１の
順に積層された層間膜１２を形成する。またドレイン６
に対応してその層間膜１２に設けたコンタクトホールに
Ａｌ等の金属を充填してドレイン電極１３を形成する。
そして全面に例えば有機樹脂からなる平坦化膜１５を形
成する。この平坦化膜１５のソース５に対応した位置に
コンタクトホールを形成し、ソース５にコンタクトした
ＩＴＯ等の透明導電材料から成りソース電極１４を兼ね
た透明電極である表示電極１６を形成する。
【００１５】このとき、表示電極１６は図１及び図２に
示すように、少なくともチャネル７を覆うように形成さ
れている。そうすることで、液晶中の水分あるいはシー
ル接着剤の隙間より進入した水分がチャネル上の平坦化
膜１５表面に付着することがないので、分極を防止する
ことができバックチャネルの発生を抑制できる。即ち、
ＴＦＴの閾値電圧を安定させることができるため、液晶
表示パネルの面内での輝度のバラツキを減少させること
ができる。
示すように、少なくともチャネル７を覆うように形成さ
れている。そうすることで、液晶中の水分あるいはシー
ル接着剤の隙間より進入した水分がチャネル上の平坦化
膜１５表面に付着することがないので、分極を防止する
ことができバックチャネルの発生を抑制できる。即ち、
ＴＦＴの閾値電圧を安定させることができるため、液晶
表示パネルの面内での輝度のバラツキを減少させること
ができる。
【００１６】また、各表示電極に供給される電圧は表示
領域で同じであるから例え表示領域内のある特定の場所
（例えばパネル周辺）のＴＦＴに分極によりバックチャ
ネルが発生することになったとしても、各表示領域には
チャネル上方に設けた表示電極によって同じ電圧が印加
されることから、各表示領域においては同じ程度のバッ
クチャネルの発生となるため各表示領域の明るさは均一
となる。
領域で同じであるから例え表示領域内のある特定の場所
（例えばパネル周辺）のＴＦＴに分極によりバックチャ
ネルが発生することになったとしても、各表示領域には
チャネル上方に設けた表示電極によって同じ電圧が印加
されることから、各表示領域においては同じ程度のバッ
クチャネルの発生となるため各表示領域の明るさは均一
となる。
【００１７】なお、上述のＴＦＴをＬＣＤに用いた場合
は、図３に示すように、ＴＦＴの構造は、上述の図２に
記載のようにチャネル上方の平坦化膜上に表示電極を配
したＴＦＴ構造であり、またＬＣＤの構造は、そのＴＦ
Ｔを備えた絶縁性基板１と、この基板１に対向した対向
基板１７とを周辺をシール接着剤１８により接着し、両
基板１，１７によって形成された空隙に液晶１９を充填
した構造である。
は、図３に示すように、ＴＦＴの構造は、上述の図２に
記載のようにチャネル上方の平坦化膜上に表示電極を配
したＴＦＴ構造であり、またＬＣＤの構造は、そのＴＦ
Ｔを備えた絶縁性基板１と、この基板１に対向した対向
基板１７とを周辺をシール接着剤１８により接着し、両
基板１，１７によって形成された空隙に液晶１９を充填
した構造である。
【００１８】従って、層間膜、平坦化膜表面への電荷の
蓄積や平坦化膜の上下で分極することを防止でき、閾値
電圧の安定したＴＦＴを用いるため、輝点等の欠陥を低
減し面内で均一な明るさの表示の得られるＬＣＤを得る
ことができる。＜第２の実施の形態＞以下に本発明の第
２の実施形態について説明する。
蓄積や平坦化膜の上下で分極することを防止でき、閾値
電圧の安定したＴＦＴを用いるため、輝点等の欠陥を低
減し面内で均一な明るさの表示の得られるＬＣＤを得る
ことができる。＜第２の実施の形態＞以下に本発明の第
２の実施形態について説明する。
【００１９】図４に本発明の第２の実施形態のＴＦＴの
平面図を示し、図５に図４中のＢ−Ｂ線に沿った断面図
を示す。図５に示すように、第２の実施形態のＴＦＴの
構造は、第１の実施の形態に示した層間膜１２までの構
造と同じである。第１の実施の形態と異なる点は、第１
の実施の形態においては表示電極１６が少なくともチャ
ネル７を覆っていたが、本実施の形態ではドレイン電極
１３が少なくともチャネル７を覆うようにした点であ
る。
平面図を示し、図５に図４中のＢ−Ｂ線に沿った断面図
を示す。図５に示すように、第２の実施形態のＴＦＴの
構造は、第１の実施の形態に示した層間膜１２までの構
造と同じである。第１の実施の形態と異なる点は、第１
の実施の形態においては表示電極１６が少なくともチャ
ネル７を覆っていたが、本実施の形態ではドレイン電極
１３が少なくともチャネル７を覆うようにした点であ
る。
【００２０】ドレイン電極１３は、ソース６上のコンタ
クトホールにＡｌを充填して形成する際に、チャネル７
を覆うように延在させることにより形成する。そして、
平坦化膜１５及び表示電極１６を順次形成してＴＦＴが
完成する。以上より、液晶中の水分あるいはシール接着
剤の隙間より進入した水分がチャネル上の平坦化膜１５
表面に付着して分極が発生しても、チャネル７を覆うよ
うに形成したドレイン電極１３によって層間膜１２に分
極が発生することを防止できるのでバックチャネルの発
生を抑制することができる。
クトホールにＡｌを充填して形成する際に、チャネル７
を覆うように延在させることにより形成する。そして、
平坦化膜１５及び表示電極１６を順次形成してＴＦＴが
完成する。以上より、液晶中の水分あるいはシール接着
剤の隙間より進入した水分がチャネル上の平坦化膜１５
表面に付着して分極が発生しても、チャネル７を覆うよ
うに形成したドレイン電極１３によって層間膜１２に分
極が発生することを防止できるのでバックチャネルの発
生を抑制することができる。
【００２１】また、各ドレイン電極に供給される電圧は
表示領域で同じであるから例え表示領域内のある特定の
場所（例えばパネル周辺）のＴＦＴに分極によりバック
チャネルが発生することになったとしても、各表示領域
にはチャネル上方に設けたドレイン電極によって同じ電
圧が印加されることから、同じ程度のバックチャネルの
発生となるため表示領域内において均一な明るさの表示
として見ることができる。
表示領域で同じであるから例え表示領域内のある特定の
場所（例えばパネル周辺）のＴＦＴに分極によりバック
チャネルが発生することになったとしても、各表示領域
にはチャネル上方に設けたドレイン電極によって同じ電
圧が印加されることから、同じ程度のバックチャネルの
発生となるため表示領域内において均一な明るさの表示
として見ることができる。
【００２２】即ち、ＴＦＴの閾値電圧を安定させること
ができるため、液晶表示パネルの面内での輝度のバラツ
キを減少させることができる。なお、本実施の形態にお
いてはドレイン電極１３をチャネル７上にチャネルを覆
うように形成したが、ソース電極１４をドレイン電極１
３と同時にＡｌによって形成し、チャネル７上にソース
電極１４を延在させて形成しても良い。その際、表示電
極１６は、Ａｌから成るソース電極１４とコンタクトす
ることになる。
ができるため、液晶表示パネルの面内での輝度のバラツ
キを減少させることができる。なお、本実施の形態にお
いてはドレイン電極１３をチャネル７上にチャネルを覆
うように形成したが、ソース電極１４をドレイン電極１
３と同時にＡｌによって形成し、チャネル７上にソース
電極１４を延在させて形成しても良い。その際、表示電
極１６は、Ａｌから成るソース電極１４とコンタクトす
ることになる。
【００２３】なお、本実施の形態のＴＦＴをＬＣＤに応
用した場合の構造は、例えば図３に示すＬＣＤを構成す
るＴＦＴを図４に示すＴＦＴに置き換えた構造である。
また、上述の各実施の形態においては、ＬＣＤの表示領
域の画素部のＴＦＴについて説明したが、本発明はそれ
に限定されるものではなく、表示領域に走査信号あるい
は映像信号を供給する表示領域周辺の駆動回路中のＴＦ
Ｔにも適用は可能である。その際は、ＩＴＯ膜を駆動回
路中のＴＦＴ上の層間膜上に設ける。このときのＩＴＯ
膜の電位はフローティングでもよく、対向基板上の対向
電極と同電位としてもよい。
用した場合の構造は、例えば図３に示すＬＣＤを構成す
るＴＦＴを図４に示すＴＦＴに置き換えた構造である。
また、上述の各実施の形態においては、ＬＣＤの表示領
域の画素部のＴＦＴについて説明したが、本発明はそれ
に限定されるものではなく、表示領域に走査信号あるい
は映像信号を供給する表示領域周辺の駆動回路中のＴＦ
Ｔにも適用は可能である。その際は、ＩＴＯ膜を駆動回
路中のＴＦＴ上の層間膜上に設ける。このときのＩＴＯ
膜の電位はフローティングでもよく、対向基板上の対向
電極と同電位としてもよい。
【００２４】そうした場合にも、画素部のＴＦＴと同様
にＴＦＴの閾値電圧の変化がなくなり表示領域への各信
号を安定して供給できるので、良好な表示を得ることが
できる。また、各実施の形態においては、ＴＦＴはゲー
トを２つ有するいわゆるダブルゲート構造について説明
したが、ゲートが１つであるいわゆるシングルゲート構
造でも同様の本発明の効果が得られるものである。
にＴＦＴの閾値電圧の変化がなくなり表示領域への各信
号を安定して供給できるので、良好な表示を得ることが
できる。また、各実施の形態においては、ＴＦＴはゲー
トを２つ有するいわゆるダブルゲート構造について説明
したが、ゲートが１つであるいわゆるシングルゲート構
造でも同様の本発明の効果が得られるものである。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、層間膜の上下で分極す
るのを防止できるため、バックチャネル発生を抑制によ
る閾値電圧の安定したＴＦＴを得ることができ、輝点等
の欠陥を低減し面内で均一な明るさの表示の得られるＬ
ＣＤを得ることができる。
るのを防止できるため、バックチャネル発生を抑制によ
る閾値電圧の安定したＴＦＴを得ることができ、輝点等
の欠陥を低減し面内で均一な明るさの表示の得られるＬ
ＣＤを得ることができる。
【図１】本発明の実施の形態を示すＴＦＴの平面図であ
る。
る。
【図２】本発明の実施の形態を示すＴＦＴの断面図であ
る。
る。
【図３】本発明の実施の形態を示すＬＣＤの断面図であ
る。
る。
【図４】本発明の実施の形態を示すＴＦＴの平面図であ
る。
る。
【図５】本発明の実施の形態を示すＴＦＴの断面図であ
る。
る。
【図６】従来のＴＦＴの平面図である。
【図７】従来のＬＣＤの断面図である。
１ 絶縁性基板 ２ ゲート電極 ４ 能動層 ５ ソース ６ ドレイン ７ チャネル ８ ストッパ １２ 層間膜 １５ 平坦化膜 １６ 表示電極
Claims (4)
- 【請求項１】 絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、チャネルを備えた多結晶シリコン膜、該チャネル
上に設けたストッパ絶縁膜、層間膜、ソース電極並びに
ドレイン電極、平坦化膜及び透明電極を順に備えた薄膜
トランジスタであって、前記ソース電極又はドレイン電
極のうちいずれか一方の電極が前記チャネル上方に延在
して前記層間膜上に設けられていることを特徴とする薄
膜トランジスタ。 - 【請求項２】 絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、チャネルを備えた多結晶シリコン膜、該チャネル
上に設けたストッパ絶縁膜、層間膜、ソース電極並びに
ドレイン電極、平坦化膜及び透明電極を順に備えた薄膜
トランジスタであって、前記透明電極が前記チャネル上
方に延在して前記平坦化膜上に設けられていることを特
徴とする薄膜トランジスタ。 - 【請求項３】 絶縁性基板上に、ゲート電極、ゲート絶
縁膜、チャネルを備えた多結晶シリコン膜、該チャネル
上に設けたストッパ絶縁膜、層間膜、ソース電極並びに
ドレイン電極、平坦化膜及び透明電極を順に備えた薄膜
トランジスタであって、前記ソース電極又はドレイン電
極のうちいずれか一方の電極が前記チャネル上方に延在
して前記層間膜上に設けられているとともに、前記透明
電極が前記チャネル上方に延在して前記平坦化膜上に設
けられていることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のうちいずれか１項に記
載の薄膜トランジスタを備えたことを特徴とする液晶表
示装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10078771A JPH11274509A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置 |
| TW088104407A TW499607B (en) | 1998-03-26 | 1999-03-20 | Thin film transistor and liquid display device |
| US09/274,124 US6365915B1 (en) | 1998-03-26 | 1999-03-23 | Thin film transistor |
| KR10-1999-0010384A KR100531398B1 (ko) | 1998-03-26 | 1999-03-25 | 박막 트랜지스터 및 액정 표시 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10078771A JPH11274509A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274509A true JPH11274509A (ja) | 1999-10-08 |
Family
ID=13671179
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10078771A Pending JPH11274509A (ja) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 薄膜トランジスタ及び液晶表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6365915B1 (ja) |
| JP (1) | JPH11274509A (ja) |
| KR (1) | KR100531398B1 (ja) |
| TW (1) | TW499607B (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583471B1 (en) * | 1999-06-02 | 2003-06-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device having first and second insulating films |
| JP4677654B2 (ja) * | 2000-04-19 | 2011-04-27 | 日本電気株式会社 | 透過型液晶表示装置及びその製造方法 |
| EP1187220A3 (en) * | 2000-09-11 | 2007-10-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | MOS field effect transistor with reduced on-resistance |
| US7433900B2 (en) * | 2001-04-03 | 2008-10-07 | Qnx Software Systems Gmbh & Co. Kg | Custom filesystem having file mappings to files of a real filesystem |
| US7047257B2 (en) * | 2001-04-03 | 2006-05-16 | Qnx Software Systems | Computer file management system |
| US7440980B2 (en) * | 2001-04-03 | 2008-10-21 | Qnx Software Systems Gmbh & Co. Kg | Computer file management system |
| TWI246197B (en) * | 2001-09-27 | 2005-12-21 | Prime View Int Corp Ltd | TFT LCD structure containing conductive balls and the manufacturing method thereof |
| US20040252191A1 (en) * | 2003-06-13 | 2004-12-16 | Davis J. Roger | Automobile entertainment apparatus display with integrated antenna |
| KR101080356B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2011-11-04 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치 |
| WO2007091191A1 (en) * | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Large area thin film circuits |
| TW200741383A (en) * | 2006-03-29 | 2007-11-01 | Koninkl Philips Electronics Nv | Setup for storing data in a holographic storage medium |
| CN104122721B (zh) * | 2013-06-28 | 2017-02-08 | 深超光电（深圳）有限公司 | 像素结构 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5599762A (en) * | 1979-01-26 | 1980-07-30 | Hitachi Ltd | Semiconductor memory device |
| EP0499979A3 (en) * | 1991-02-16 | 1993-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
| JPH0572562A (ja) * | 1991-09-18 | 1993-03-26 | Seiko Epson Corp | アクテイブマトリクス型表示装置 |
| JP2924506B2 (ja) * | 1992-10-27 | 1999-07-26 | 日本電気株式会社 | アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素構造 |
| JP3281700B2 (ja) | 1993-12-22 | 2002-05-13 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP3377853B2 (ja) | 1994-03-23 | 2003-02-17 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜トランジスタの作製方法 |
| JPH07302912A (ja) * | 1994-04-29 | 1995-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US5796116A (en) | 1994-07-27 | 1998-08-18 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film semiconductor device including a semiconductor film with high field-effect mobility |
| JPH08122768A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-17 | Sony Corp | 表示装置 |
| KR100204071B1 (ko) * | 1995-08-29 | 1999-06-15 | 구자홍 | 박막트랜지스터-액정표시장치 및 제조방법 |
| JP3604106B2 (ja) | 1995-09-27 | 2004-12-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3409542B2 (ja) | 1995-11-21 | 2003-05-26 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3784478B2 (ja) * | 1995-11-24 | 2006-06-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び表示装置の作製方法 |
| KR100186548B1 (ko) | 1996-01-15 | 1999-05-01 | 구자홍 | 액정표시장치의 구조 |
| JP3439014B2 (ja) * | 1996-02-29 | 2003-08-25 | 三洋電機株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP3535307B2 (ja) | 1996-03-15 | 2004-06-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP3708637B2 (ja) | 1996-07-15 | 2005-10-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| JP3669082B2 (ja) * | 1996-10-17 | 2005-07-06 | ソニー株式会社 | 液晶表示素子用薄膜トランジスタアレイ |
| US5879959A (en) | 1997-01-17 | 1999-03-09 | Industrial Technology Research Institute | Thin-film transistor structure for liquid crystal display |
-
1998
- 1998-03-26 JP JP10078771A patent/JPH11274509A/ja active Pending
-
1999
- 1999-03-20 TW TW088104407A patent/TW499607B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-03-23 US US09/274,124 patent/US6365915B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-25 KR KR10-1999-0010384A patent/KR100531398B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100531398B1 (ko) | 2005-11-28 |
| TW499607B (en) | 2002-08-21 |
| US6365915B1 (en) | 2002-04-02 |
| KR19990078272A (ko) | 1999-10-25 |
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