KR980003722A - 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
액티브 매트릭스 기판은; 매트릭스상으로 제공되는 화소 전극; 반도체층으로 이루어지는 TFT; 주사 신호선; 데이타 신호선; 기판상에 형성된 전도성 차광막; 상기 전도성 차광막을 커버하도록 상기 기판상에 형성되는 제1절연막; 상기 제1절연막상에 형성되며, 상기 TFT를 이루는 반도체츠의 재료와 동일한 재료로 형성되는 반도체 박막; 상기 반도체 박막을 커버하도록 상기 제1반도체막상에 형성되는 제2절연막; 및 상기 제2절연막; 및 상기 제2절연막상에 형성된 저장 용향 전극을 포함한다. 상기 저장 용량 전극은 상기 주사 신호선의 재료와 동일한 재료로 형성된 금속 박막이다. 상기 저장 용량 전극은 상기 전도성 차광막에 전기적으로 접속되어 있다. 전도성 차광막과 반도체 박막 사이에 제1저장 용량이 형성된다. 저장 용량 전극과 반도체 박막 사이에는 제2저장 용량은 형성된다. 저장 용량 전극의 적어도 일부는 상기 데이타 신호선과 중첩된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 예에 따른 액티브 매트릭스 기판을 나타내는 부분 확대 평면도.
제2a도는 제1도의 선 A-A′에서의 단면도, 제2b도는 제1도의 선 B-B′에서의 단면도.
Claims (8)
- 액정층을 사이에 두고 대향 기판과 대향 배치되어 있는 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 기판은 매트릭스상으로 제공되는 표시용 화소 전극; 각 화소 전극에 대응하게 제공되며 본질적으로 반도체층으로 이루어지는 TFT; 상기 TFT를 제어하기 위한 주사 신호선; 및 상기 TFT를 거쳐 상기 화소 전극에 데이타 신호를 공급하기 위한 데이타 신호선를 포함하고, 상기 액티브 매트릭스 기판은; 기판상에 형성된 전도성 차광막; 상기 전도성 차광막을 커버하도록 상기 기판상에 형성되는 제1절연막; 상기 제1절연막상에 형성되며, 상기 TFT를 본질적으로 이루는 반도체의 재료와 동일한 재료로 형성되는 반도체 박막; 상기 반도체 박막을 커바하도록 상기 제1절연막상에 형성되는 제2절연막; 및 상기 제2절연막상에 형성된 저장 용량 전극을 더 포함하고, 상기 저장 용량 전극은 상기 주사 신호선의 재료와 동일한 재료로 형성된 금속 박막이고, 상기 저장 용량 전극은 상기 전도성 차광막에 전기적을 접속되며, 상기 전도성 차광막과 상기 반도체 박막 사이에 제1저장 용량이 형성되며, 상기 저장 용량 전극과 상기 반도체 박막 사이에 제2저장 용량이 형성되며, 저장 용량 전극의 적어도 일부가 상기 데이타 신호선과 중첩되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 차광막을 블랙 매트릭스로 기능하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 차광막은 일정 전위로 유지되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 제1항에 있어서, 상기 전도성 차광막은 상기 대향 기판상에 형성된 대향 전극을 구동하기 위한 전압과 동일한 전압으로 구동되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 제2항에 있어서, 상기 전도성 차광막은 일정 전위로 유지되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 제2항에 있어서, 상기 전도성 차광막은 상기 대향 기판상에 형성된 대향 전극을 구동하기 위한 전압과 동일한 전압으로 구동되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
- 액정층을 사이에 두고 대향 기판과 대향 배치되어 있으며, 매트릭스상으로 설치된 표시용 화소 전극; 각 화소 전극에 대응하며 본질적으로 반도체층으로 이루어지는 TFT; 상기 TFT를 제어하기 위한 주사 신호선; 및 상기 TFT를 거쳐 상기 화소 전극에 데이타 신호를 공급하기 위한 데이타 신호선을 포함하는 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 방법에 있어서; 기판상에 전도성 차광막을 형성하는 단계; 상기 전도성 차광막을 커버하도록 상기 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 전도성 차광막을 적어도 부분적으로 중첩하도록 상기 제1절연막상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층을 커버하도록 상기 제1절연막상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2절연막을 통해서 상기 전도성 차광막에 도달하는 콘택트홀을 형성하는 단계; 및 동일한 금속 박막의 저장 용량 전극과 주사 신호선을 형성 및 패턴화 하는 단계를 포함하고, 상기 저장 용량성 전극은 상기 콘택트홀을 거쳐 상기 전도성 차광막에 전기적으로 접속되며 상기 제2절연막을 거쳐 상기 반도체층과 중첩되는 것을 특징으로 하는 액티브 메트릭스 기판의 제조 방법.
- 제7항에 있어서, 상기 전도성 차광막의 형성 단계는 블랙 매트릭스를 형성하도록, 또한 외부에서 공급된 전기신호를 수신하기 위한 단자를 포함하도록 상기 전도성 차광막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP96-158681 | 1996-06-19 | ||
JP15868196A JP3433779B2 (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | アクティブマトリクス基板およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR980003722A true KR980003722A (ko) | 1998-03-30 |
KR100250093B1 KR100250093B1 (ko) | 2000-03-15 |
Family
ID=15677043
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019970025433A KR100250093B1 (ko) | 1996-06-19 | 1997-06-18 | 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5956103A (ko) |
JP (1) | JP3433779B2 (ko) |
KR (1) | KR100250093B1 (ko) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20071224 Year of fee payment: 9 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |