KR980003722A - 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 - Google Patents

액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR980003722A
KR980003722A KR1019970025433A KR19970025433A KR980003722A KR 980003722 A KR980003722 A KR 980003722A KR 1019970025433 A KR1019970025433 A KR 1019970025433A KR 19970025433 A KR19970025433 A KR 19970025433A KR 980003722 A KR980003722 A KR 980003722A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
conductive light
film
substrate
active matrix
storage capacitor
Prior art date
Application number
KR1019970025433A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100250093B1 (ko
Inventor
겐이찌 이시구로
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Publication of KR980003722A publication Critical patent/KR980003722A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100250093B1 publication Critical patent/KR100250093B1/ko

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136209Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

액티브 매트릭스 기판은; 매트릭스상으로 제공되는 화소 전극; 반도체층으로 이루어지는 TFT; 주사 신호선; 데이타 신호선; 기판상에 형성된 전도성 차광막; 상기 전도성 차광막을 커버하도록 상기 기판상에 형성되는 제1절연막; 상기 제1절연막상에 형성되며, 상기 TFT를 이루는 반도체츠의 재료와 동일한 재료로 형성되는 반도체 박막; 상기 반도체 박막을 커버하도록 상기 제1반도체막상에 형성되는 제2절연막; 및 상기 제2절연막; 및 상기 제2절연막상에 형성된 저장 용향 전극을 포함한다. 상기 저장 용량 전극은 상기 주사 신호선의 재료와 동일한 재료로 형성된 금속 박막이다. 상기 저장 용량 전극은 상기 전도성 차광막에 전기적으로 접속되어 있다. 전도성 차광막과 반도체 박막 사이에 제1저장 용량이 형성된다. 저장 용량 전극과 반도체 박막 사이에는 제2저장 용량은 형성된다. 저장 용량 전극의 적어도 일부는 상기 데이타 신호선과 중첩된다.

Description

액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 일 예에 따른 액티브 매트릭스 기판을 나타내는 부분 확대 평면도.
제2a도는 제1도의 선 A-A′에서의 단면도, 제2b도는 제1도의 선 B-B′에서의 단면도.

Claims (8)

  1. 액정층을 사이에 두고 대향 기판과 대향 배치되어 있는 액티브 매트릭스 기판에 있어서, 상기 액티브 매트릭스 기판은 매트릭스상으로 제공되는 표시용 화소 전극; 각 화소 전극에 대응하게 제공되며 본질적으로 반도체층으로 이루어지는 TFT; 상기 TFT를 제어하기 위한 주사 신호선; 및 상기 TFT를 거쳐 상기 화소 전극에 데이타 신호를 공급하기 위한 데이타 신호선를 포함하고, 상기 액티브 매트릭스 기판은; 기판상에 형성된 전도성 차광막; 상기 전도성 차광막을 커버하도록 상기 기판상에 형성되는 제1절연막; 상기 제1절연막상에 형성되며, 상기 TFT를 본질적으로 이루는 반도체의 재료와 동일한 재료로 형성되는 반도체 박막; 상기 반도체 박막을 커바하도록 상기 제1절연막상에 형성되는 제2절연막; 및 상기 제2절연막상에 형성된 저장 용량 전극을 더 포함하고, 상기 저장 용량 전극은 상기 주사 신호선의 재료와 동일한 재료로 형성된 금속 박막이고, 상기 저장 용량 전극은 상기 전도성 차광막에 전기적을 접속되며, 상기 전도성 차광막과 상기 반도체 박막 사이에 제1저장 용량이 형성되며, 상기 저장 용량 전극과 상기 반도체 박막 사이에 제2저장 용량이 형성되며, 저장 용량 전극의 적어도 일부가 상기 데이타 신호선과 중첩되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전도성 차광막을 블랙 매트릭스로 기능하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  3. 제1항에 있어서, 상기 전도성 차광막은 일정 전위로 유지되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  4. 제1항에 있어서, 상기 전도성 차광막은 상기 대향 기판상에 형성된 대향 전극을 구동하기 위한 전압과 동일한 전압으로 구동되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  5. 제2항에 있어서, 상기 전도성 차광막은 일정 전위로 유지되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  6. 제2항에 있어서, 상기 전도성 차광막은 상기 대향 기판상에 형성된 대향 전극을 구동하기 위한 전압과 동일한 전압으로 구동되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판.
  7. 액정층을 사이에 두고 대향 기판과 대향 배치되어 있으며, 매트릭스상으로 설치된 표시용 화소 전극; 각 화소 전극에 대응하며 본질적으로 반도체층으로 이루어지는 TFT; 상기 TFT를 제어하기 위한 주사 신호선; 및 상기 TFT를 거쳐 상기 화소 전극에 데이타 신호를 공급하기 위한 데이타 신호선을 포함하는 액티브 매트릭스 기판을 제조하는 방법에 있어서; 기판상에 전도성 차광막을 형성하는 단계; 상기 전도성 차광막을 커버하도록 상기 기판상에 제1절연막을 형성하는 단계; 상기 전도성 차광막을 적어도 부분적으로 중첩하도록 상기 제1절연막상에 반도체층을 형성하는 단계; 상기 반도체층을 커버하도록 상기 제1절연막상에 제2절연막을 형성하는 단계; 상기 제1 및 제2절연막을 통해서 상기 전도성 차광막에 도달하는 콘택트홀을 형성하는 단계; 및 동일한 금속 박막의 저장 용량 전극과 주사 신호선을 형성 및 패턴화 하는 단계를 포함하고, 상기 저장 용량성 전극은 상기 콘택트홀을 거쳐 상기 전도성 차광막에 전기적으로 접속되며 상기 제2절연막을 거쳐 상기 반도체층과 중첩되는 것을 특징으로 하는 액티브 메트릭스 기판의 제조 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 전도성 차광막의 형성 단계는 블랙 매트릭스를 형성하도록, 또한 외부에서 공급된 전기신호를 수신하기 위한 단자를 포함하도록 상기 전도성 차광막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 기판의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970025433A 1996-06-19 1997-06-18 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법 KR100250093B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP96-158681 1996-06-19
JP15868196A JP3433779B2 (ja) 1996-06-19 1996-06-19 アクティブマトリクス基板およびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980003722A true KR980003722A (ko) 1998-03-30
KR100250093B1 KR100250093B1 (ko) 2000-03-15

Family

ID=15677043

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970025433A KR100250093B1 (ko) 1996-06-19 1997-06-18 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5956103A (ko)
JP (1) JP3433779B2 (ko)
KR (1) KR100250093B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400627B1 (ko) * 1999-03-18 2003-10-08 산요덴키가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시 장치

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
JP3634089B2 (ja) * 1996-09-04 2005-03-30 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
WO1999047972A1 (fr) * 1998-03-19 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Dispositif d'affichage et dispositif de projection a cristaux liquides
EP1031873A3 (en) * 1999-02-23 2005-02-23 Sel Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and fabrication method thereof
JP3463007B2 (ja) * 1999-08-26 2003-11-05 シャープ株式会社 液晶表示装置
TW478014B (en) * 1999-08-31 2002-03-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing thereof
KR100351439B1 (ko) * 1999-10-04 2002-09-09 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치
JP3753613B2 (ja) * 2000-03-17 2006-03-08 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びそれを用いたプロジェクタ
TWI301915B (ko) * 2000-03-17 2008-10-11 Seiko Epson Corp
JP4092851B2 (ja) * 2000-04-19 2008-05-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器
KR100481593B1 (ko) 2000-04-21 2005-04-08 세이코 엡슨 가부시키가이샤 전기 광학 장치
US6580475B2 (en) * 2000-04-27 2003-06-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of fabricating the same
KR100695299B1 (ko) * 2000-05-12 2007-03-14 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법
TW472993U (en) * 2000-06-08 2002-01-11 Microtek Int Inc Scanner light board capable of previewing transparent document
JP2002151699A (ja) * 2000-11-15 2002-05-24 Casio Comput Co Ltd アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP2002297058A (ja) * 2001-03-30 2002-10-09 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
TW575777B (en) * 2001-03-30 2004-02-11 Sanyo Electric Co Active matrix type display device
JP4954395B2 (ja) * 2001-07-31 2012-06-13 三菱電機株式会社 表示装置の断線修復方法
KR100635042B1 (ko) * 2001-12-14 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법
JP3700697B2 (ja) * 2002-02-12 2005-09-28 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP3788387B2 (ja) * 2002-05-10 2006-06-21 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電気光学装置の製造方法
US20040174483A1 (en) 2003-03-07 2004-09-09 Yayoi Nakamura Liquid crystal display device having auxiliary capacitive electrode
US7372528B2 (en) * 2003-06-09 2008-05-13 Samsung Electronics Co., Ltd. Array substrate, method of manufacturing the same and liquid crystal display apparatus having the same
JP4873882B2 (ja) * 2004-05-21 2012-02-08 三洋電機株式会社 液晶表示装置
TWI279010B (en) * 2004-11-12 2007-04-11 Innolux Display Corp Storing capacitor and liquid crystal display device using it
CN100383648C (zh) * 2004-11-24 2008-04-23 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 存储电容和采用该存储电容的液晶显示器
CN100356261C (zh) * 2004-12-01 2007-12-19 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 液晶显示器
JP5070743B2 (ja) * 2006-06-13 2012-11-14 カシオ計算機株式会社 薄膜トランジスタパネルおよび液晶表示装置
JP5018336B2 (ja) 2007-08-22 2012-09-05 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP5532797B2 (ja) * 2009-09-29 2014-06-25 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
KR101113394B1 (ko) * 2009-12-17 2012-02-29 삼성모바일디스플레이주식회사 액정표시장치의 어레이 기판
CN102340901A (zh) * 2011-10-24 2012-02-01 北京青云创新科技发展有限公司 导电薄膜及加热玻璃
CN103149760B (zh) * 2013-02-19 2015-03-11 合肥京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管阵列基板、制造方法及显示装置
JP2017053899A (ja) * 2015-09-07 2017-03-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN112736095A (zh) * 2021-01-15 2021-04-30 武汉华星光电技术有限公司 显示面板

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60213062A (ja) * 1984-04-09 1985-10-25 Hosiden Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタの製造方法
JP2739158B2 (ja) * 1986-11-11 1998-04-08 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
JPS6433833A (en) * 1987-07-29 1989-02-03 Canon Kk Electron emitting element
JP2808483B2 (ja) * 1990-08-30 1998-10-08 キヤノン株式会社 液晶素子
JPH0635004A (ja) * 1992-07-21 1994-02-10 Sony Corp 液晶表示装置
JP3267011B2 (ja) * 1993-11-04 2002-03-18 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置
KR0141774B1 (ko) * 1994-06-17 1998-06-15 구자홍 액정표시장치 및 그 제조방법
KR0169385B1 (ko) * 1995-03-10 1999-03-20 김광호 블랙 매트릭스 구조가 가능한 액정용 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
JPH0926603A (ja) * 1995-05-08 1997-01-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
US5815226A (en) * 1996-02-29 1998-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and method of fabricating same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100400627B1 (ko) * 1999-03-18 2003-10-08 산요덴키가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 표시 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US5956103A (en) 1999-09-21
JP3433779B2 (ja) 2003-08-04
JPH1010548A (ja) 1998-01-16
KR100250093B1 (ko) 2000-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR980003722A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 그 제조 방법
KR960015017A (ko) 컬러표시장치
US5162901A (en) Active-matrix display device with added capacitance electrode wire and secondary wire connected thereto
KR100221351B1 (ko) 액정 표시 장치
KR960024591A (ko) 액정표시장치
KR960035088A (ko) 액티브매트릭스형 표시장치
KR960042171A (ko) 액정 전기광학 장치
KR950001377A (ko) 액정 표시 장치
KR970022467A (ko) 액정 표시 장치
KR970022459A (ko) 액정표시장치
KR930018301A (ko) 액티브매트릭스 액정표시장치
KR960015020A (ko) 표시장치
KR910021604A (ko) 구동회로를 구비한 액정 표시장치
KR930002864A (ko) 액정표시 장치
KR970024311A (ko) 반도체 장치, 액티브 매트릭스 기판 및 그의 제조 방법
TW374249B (en) TFT array and a method for manufacturing the same and a method for manufacturing liquid crystal display using the same
KR970062778A (ko) 전기 광학 장치 및 그 제조 방법
KR960011523A (ko) 화상표시장치
KR960029868A (ko) 박막 트랜지스터를 사용한 능동 매트릭스 액정 디스플레이 장치
KR970011977A (ko) 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR900014920A (ko) 매트릭스 표시장치
KR970048830A (ko) 박막트랜지스터 액정표시소자 및 그의 제조방법
KR930004792A (ko) 액정 표시 장치
US7480014B2 (en) Array substrate for liquid crystal display substrate having high aperture ratio and method for fabricating the same
KR960035118A (ko) 액정표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20071224

Year of fee payment: 9

LAPS Lapse due to unpaid annual fee