JPS60213062A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents

薄膜トランジスタの製造方法

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JPS60213062A
JPS60213062A JP59070440A JP7044084A JPS60213062A JP S60213062 A JPS60213062 A JP S60213062A JP 59070440 A JP59070440 A JP 59070440A JP 7044084 A JP7044084 A JP 7044084A JP S60213062 A JPS60213062 A JP S60213062A
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Yasuhiro Ukai
育弘 鵜飼
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    • G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133512—Light shielding layers, e.g. black matrix

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 この発明は例えば、液晶表示器において表示の選択のた
めに用いられる薄膜トランジスタの製造方法に関する。
〈従来技術〉 従来の薄膜トランジスタは第１図に示すように、例えば
ガラスなどの絶縁基板】１上に屹いに分離してソース電
極１２及びドレイン電極１３が形成され、そのソース電
極及びドレイン醒極間にわたって絶縁基板ｌｌ上に例え
ばアモルファスンリコ／のような半導体１ｉ１ｉ１４が
形成され、そのアモルファスシリコン半導体層１４上に
ゲート絶縁嘆１５が形成され、さらにゲート絶縁膜１５
上にゲート電極１６が形成されていた。
この薄膜トランジスタにおいてターンオン時間を短くす
る点及びドレイン電流を大きくする点から、ソース電極
１２及びドレイン電極１３の間隔、いわゆるチャネル長
りを小さくすることが望まれている。ゲート成極１６の
ソース、ドレインの配列方向における長、いわゆるゲー
ト電極長Ｌｇをチャｌル長りよりも大とし、かつゲート
４４１６の両端がソース戒＋＠１２．ドレイン醒極１３
上に位置して、絶縁基板１１と直角な方向からみてソー
ス成極１２．ドレイン′颯極１３とゲートｔ４ｉ１６と
の間に間隔が生じないようにする必要があった。しかし
チャネル長Ｌを小さくするには、ゲー）−Ｋ［１６をホ
トエツチングにより形成する際に用いるマスクと、ソー
ス１Ｅｆｆ１１２．ドし・イン電極１３をホトエツチン
グにより形成する際に用いるマスクさの相対位置合わせ
を正確に行う必要があり、この点からチャネル長りを小
さくするのには限度があり、またそのチャネル長りが小
さくなるに従って、ソース電極１２及びドレイン４．４
４１３とゲート絶縁膜１６との重なり部分の長さり、　
、　Ｌ２がチャネル長りに対して相対的に大きくなり、
このためこの市なり部分による寄生容量が大きくなりス
イッチング速度が遅くなり、かつオン抵抗が七軟的大き
くなるなどの欠点があった。
〈発明の構成〉 この発明の目的はチャネル長を小さくすることができ、
しかもオン抵抗が小さく寄生容量が小さい薄膜トランジ
スタの製造方法を提供することにある。
この発明によれば絶縁基板上にソース成極及びドレイン
電極を形成し、更にこれら間にわたって半導体層を形成
し、その半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、このゲー
ト絶縁膜上にゲー１−４．極を形成することは従来と同
様であるが、その際にゲート電極の長さをソース電極及
びドレイン（極間の長さよりも小さめにしておき、その
ゲートへ極をマスクとしてイオンの注入を行い、ツース
成極及びドレイン電極とそれぞれ連続してその内Ｉ１１
にオーミック層を形成する。このようにしてその両オー
ミック層の間がチャネル長となり、しかもゲート電極と
オーミック層を含むソースｇ＋及びドレイン電極との重
なりを極めて小さなものとすることができる。
〈実施例〉 次にこの発明による薄膜トランジスタの製造方法を第２
図を参照して説明しよう。まず第″・２図Ａに示すよう
にガラスなどの絶縁基板２１上にソース′電極２２．ド
レイン電極２３を互いに間１桶をおいて形成する。ソー
ス亀′４＠２２．　ドレイン電極２３は透明電極とされ
、例えばＩＴＯを３ないし５００オブストロング程度の
厚さに形成する。
次に第２図Ｂに示すように、ソース成極２２．ドレイン
電極２３間にわたってつまりそれらに一部重ねて絶縁基
板２１１に、例えばアモールファスシリコンのような半
導体１脅２４を形成する。この半導体１藷２４の厚さは
例えば０１ないし０．５ミクロン程度とされる。
更に第２図Ｃに示すように、その半導体層２４上にこれ
をおおってゲート絶縁膜２５を形成する。ゲート絶縁膜
２５としては、例えばＳｉＮｘを０．１ないし０．５ミ
クロンの厚さくこ形成する。
第３図りに示すようにゲート絶縁膜２５上にゲート成極
２６として例えばアルミニウムを１ミクロン程度以下の
厚さに形成する。この場合そのゲート心構２６のソース
成極２２．ドレイン電極２３配列方向における長さＬ３
は、ソース成極２２及びドレイン電極２３の間隔Ｌ４よ
りもわずかに小さくされ、従って絶縁基板２１と直角方
向から見て、ソース電極２２及びドレイン電極２３とゲ
ート電極２６との間には狭い間隔Ｌ５及びＬ６が存在し
ている。
更にこのケート（極２６をマスクとしてイオン、例えば
リンイオンを注入し、そのイオン速度を選定するこきに
よって注入されたイオンがノース成極２２及びドレイン
電極２３、更に絶縁基板２１の半導体１−２４まで達し
、これら電極２２　、２３とそれぞれ連続したオーミッ
ク層２７及び２８を形成する（第２図Ｅ）。
く効　果〉 このようにしてこのオーミック層２７　、２８間がチャ
ネルとされ、このチャネル長りはゲートｒ九極２６の長
さＬ３よりごくわずか小さな値となり、しかも絶縁基板
２１と直角な方向から見てオーミック層２７゜２８の内
側とゲート電極２６とがごくわずか重なった２２、ドレ
イン電極２３の形成する際に用いたマスクとゲート′電
極２６を形成する際に用いたマスクとのマスク合わせを
厳密に行うことなく、ゲー；・…；極２６で自動的に決
るチャネルができ、短かいチャネル長りのものでも正確
に作ることができる。
従ってチャネル長を短かくすることによりター／オン時
間が短く、トレイン電流が大きいものを容易に得ること
ができる。しかもこのオーミック層２７　、２８による
ノース成極及びドレイン電極上ゲート電極２６との市な
り分は、非常に小さなものとなり、これら間の寄生容凌
は小さなものになりこの点からもス・ｒソチンク速度も
速くなりオン抵抗も小さなものとなる。瞭にこのような
製造方法であるため、大面ｈ４　、高精細の平面表示器
、例えば液晶表示器、エレクトロミネツセンス表示器な
どのスイツチンクトランジスタとして用い、スイッチン
ク時性のばらつきの少ないものを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来の薄膜トランジスタを示す断ｔｌｌＪ図、
第２図はこの発明による薄膜トランジスタの製造方法の
列における各工程を示す断面図である。 ２１：ＩＰ３縁基板基板２：ソース電極、２３ニドレイ
ン電極、２４：半導体１−１２５：ケート絶縁膜、２６
：ゲート成極、２７　、２８　ニオ−ミック１−０特許
出願人　星電器製造株式会社 代　理　人　草　野　卓 ７１図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）絶縁基板上に分離してドレイン電極及びソース電
    極を形成する工程と、これらトレイン電極及びソース電
    極間にわたって上記絶縁基板上に半導体層を形成する工
    程と、その半導体層をおおってゲート絶縁膜を形成する
    工程と、上記ドレイン′を極及びソース電極間において
    上記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、そ
    のゲート＃を極をマスクとしてイオン注入を行い、上記
    ソース電極及びドレイン゛成極とそれぞれ連続してその
    内側にオーミック層を形成する工程とよりなる薄膜トラ
    ンジスタの製造方法。
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