JP4873882B2 - 液晶表示装置 - Google Patents
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まず、最初に構成の概要および補助容量ライン(以下、SCラインという)の配置について説明する。図1は、本発明の実施形態に係るLCDである半透過型LCD10の構成の概略を示す図であり、図2は、LCD10の数画素分の等価回路図である。
(i)IZOやITOなどからなる画素電極28との電気的接続がとれること、
(ii)TFT30のAlなどのソース電極52と電気的にコンタクトでき、ソース電極52が省略される場合には、半導体(ここでは多結晶シリコン)能動層と電気的接続できること、
(iii)画素ごとの個別形状に反射層56をパターニングする際に、この反射層56のエッチング液によって除去されないこと、
などである。このような接続用金属層55としては、Mo、Ti、Crなどの高融点金属材料を用いることが好適である。
図10は、本実施形態に係る液晶表示装置10における各制御信号の関連を示すタイミングチャートであり、ゲート信号GV(GV1〜3)、第1の補助容量ラインSC1の電位Vsca、第2の補助容量ラインSC2の電位Vscbのタイミングを示している。
Claims (5)
- 複数の画素がマトリクス配置され、前記各画素毎にその画素における液晶に対する印加電圧を制御するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
行方向に複数延在し、ゲート電圧が印加されるゲートラインと、
列方向に複数延在し、データ信号が印加されるデータラインと、
前記ゲートラインと前記データラインとの交点に対応して各画素毎に配置されるスイッチング素子と、
各画素毎に設けられ、前記スイッチング素子に接続される画素電極と、
前記画素の各行に対してそれぞれ設けられる第1および第2の補助容量ラインと、
前記各画素毎に設けられた補助容量電極と、
を有し、
前記各画素は、画素周辺が遮光された周辺領域と、それ以外の内部領域からなり、
一の前記画素における前記補助容量電極は、前記一の画素の内部領域において、前記第1および第2の補助容量ラインのいずれか一方の前記補助容量ラインと絶縁膜を介し重畳して補助容量を形成すると共に、行方向に隣接する隣の画素のうち一方のみの画素の内部領域にまで延びており、隣の画素の内部領域の一部を利用して補助容量を形成することを特徴とする液晶表示装置。 - 複数の画素がマトリクス配置され、前記各画素毎にその画素における液晶に対する印加電圧を制御するアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、
行方向に複数延在し、ゲート電圧が印加されるゲートラインと、
列方向に複数延在し、データ信号が印加されるデータラインと、
前記ゲートラインと前記データラインとの交点に対応して各画素毎に配置されるスイッチング素子と、
各画素毎に設けられ、前記スイッチング素子に接続される画素電極と、
前記画素の各行に対してそれぞれ設けられる第1および第2の補助容量ラインと、
前記各画素毎に設けられた補助容量電極と、
を有し、
前記各画素は、画素周辺が遮光された周辺領域と、それ以外の内部領域からなり、
前記補助容量電極は、行方向において交互に前記第1又は第2補助容量ラインと絶縁膜を介し重畳して補助容量を形成すると共に、行方向に隣接する両側の画素の内部領域にまで延びており、両隣の画素の内部領域の一部を利用して補助容量を形成することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1または2に記載の液晶表示装置において、
前記画素電極が設けられている領域において、液晶層を通過してくる光を反射する反射層を備えることを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3に記載の液晶表示装置において、
前記反射層は、各画素の液晶層を光が通過してくる部分の一部のみに設けられており、前記反射層が設けられていない部分においては液晶層を通過してきた光はそのまま透過することを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項3または4に記載の液晶表示装置において、
前記第1及び第2の補助容量ラインは、前記各画素において前記反射層の形成領域内であって液晶層が位置する側に対し反対の側を通過するように配置されることを特徴とする液晶表示装置。
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