JP2005084104A - 半導体装置及び電気光学装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 一対の電極間に絶縁膜が介在する回路素子構造において、これら両電極間に短絡等を生じさせず、良好に動作し得る半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板上に、下部電極（１ｆ）と、該下部電極の上且つ該下部電極に対向配置された上部電極（３１０）と、これら下部電極及び上部電極間に配置された絶縁膜とからなる保持容量（７０）を備えており、平面視して、前記上部電極の全部又は主要部は、前記下部電極の形成領域内に収まるように形成されている。
【選択図】 図２

Description

本発明は、一対の電極間に絶縁膜を挟持してなる回路素子構造を備えた半導体装置の技術分野に属する。本発明はまた、例えばアクティブマトリクス駆動の液晶装置、電子ペーパなどの電気泳動装置、ＥＬ（Electro-Luminescence）表示装置、電子放出回路素子を備えた装置（Field Emission Display及びSurface-Conduction Electron-Emitter Display）等の電気光学装置の技術分野に属する。

従来、基板上に、マトリクス状に配列された画素電極及び該電極の各々に接続された薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下適宜、「ＴＦＴ」という。）、該ＴＦＴの各々に接続され、行及び列方向それぞれに平行に設けられたデータ線及び走査線等を備えることで、いわゆるアクティブマトリクス駆動が可能な電気光学装置が知られている。

このような電気光学装置では、上記に加えて、前記基板に対向配置される対向基板を備えるとともに、該対向基板上に、画素電極に対向する対向電極等を備え、更には、画素電極及び対向電極間に挟持される液晶層等を備えることで、画像表示が行われる。すなわち、液晶層内の液晶分子は、画素電極及び対向電極間に設定された所定の電位差によって、その配向状態が適当に変更され、これにより、当該液晶層を透過する光の透過率が変化することによって画像の表示が行われることになるのである。

また、前述の電気光学装置における前記基板には、ＴＦＴ及び画素電極に接続された保持容量が備えられることがある。この保持容量により、画素電極における電位保持特性は向上され、より高品質な画像を表示することに大きく資する。かかる保持容量を備えた電気光学装置としては、例えば特許文献１に開示されているようなものがある。

特開平９−２１３７９９号公報

しかしながら、従来における電気光学装置においては次のような問題点がある。すなわち、前記の保持容量は、主に、ＴＦＴ及び画素電極に直接的に接続されている画素電位電極、これに対向配置される対向電極、並びに画素電位電極及び対向電極間に配置される誘電体膜からなるが、これらのうち画素電位電極及び対向電極間に短絡を生じさせる可能性があったことである。というのも、これら画素電位電極及び対向電極は通常、例えば四辺形、或いは多角形等の所定の形状にパターニングされるが、当該形状の端部、とりわけその角部において電界集中が生じやすいためである。

また、保持容量が、例えば下から順に、画素電位電極、誘電体膜及び対向電極という積層構造として構築されるときには、誘電体膜は、前記のように所定の形状にパターニングされた画素電位電極の上に成膜されなければならないが、この場合、当該画素電位電極と誘電体膜の上に形成される対向電極との間になるべく短絡を生じさせないために、誘電体膜は、画素電位電極を完全に覆うように形成されるのが一般的である。しかし、かかる誘電体膜の形成は、当該画素電位電極の表面と前記パターニングによって現されたその下地との「段差」をも覆うように行う必要があるから、当初の短絡防止という目的に十分に適しているとはいえない。というのも、該段差が生じている部分における誘電体膜の厚さは、その他の部分に形成された誘電体膜の厚さよりも薄くなりがちであり、時には切れ目さえも生じ得るからである。このように、段差が生じている部分では、誘電体膜の絶縁機能を十分に期待することができないため、画素電位電極及び対向電極間の短絡を生じさせる可能性が大きいのである。

かかる問題点を解消するため、従来においても、画素電位電極或いは対向電極の表面に対して陽極酸化と熱処理を施すことで絶縁体を形成するという方法が採用されることがあった。しかしながら、このような方法では、電気光学装置の製造プロセスにおいて陽極酸化処理や熱処理などの特別な工程が追加されることになるから、その分、製造コストを引き上げる要因となるし、また、そのような手間がかかる分生産性も低下することになる。

なお、前記のような問題は、より一般的に一対の電極間に絶縁膜が介在する構造においては、共通にみられるものと考えることができる。

本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、一対の電極間に絶縁膜が介在する回路素子構造において、これら両電極間に短絡等を生じさせず、良好に動作し得る半導体装置を提供することを課題とする。また、本発明は、かかる素子構造を備えた電気光学装置を提供することをも課題とする。

本発明の半導体装置は、上記課題を解決するため、基板上に、第１電極と、該第１電極の上且つ該第１電極に対向配置された第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極間に配置された絶縁膜とからなる回路素子を備えた半導体装置であって、平面視して、前記第２電極の全部又は主要部は、前記第１電極の形成領域内に収まるように形成されている。

本発明の半導体装置によれば、第１電極、第２電極及び絶縁膜からなる回路素子が備えられている。かかる回路素子の具体的形態としては、例えば、コンデンサ、或いはゲート電極膜、半導体層及びゲート絶縁膜からなる薄膜トランジスタの一部などを想定することができる。

そして、本発明によれば特に、前記第２電極の全部又は主要部は、前記第１電極の形成領域内に収まるように形成されているのである。これによれば、電界集中の生じやすい第１電極の端部と第２電極の端部とが対向し合うことがないから、両者の間で短絡が生じる可能性を著しく低減することができる。

なお、前記のようなことから、より好ましい構成としては、「前記第２電極の全部又は主要部は前記第１電極の形成領域内に収まり且つ前記全部又は主要部の外縁が該形成領域の外縁とは一致しないように形成されている」ようにするとよい。これによれば、第１電極の端面及び第２電極の端面が同一の面に載るということがないから、前記のような作用効果がより確実に享受され得る。

また、本発明にいう「主要部」とは、言い換えれば「殆ど全部」という意義を有する。例えば、第２電極が、平面視してＴ字型の形状、より詳細には、例えば縦長の第１の長方形と、その中央部に突設された第２の長方形とのシルエットとしてみることのできる形状を有するという場合には、前記第１の長方形に該当する部分は第１電極の形成領域内に収まるが、前記第２の長方形に該当する部分のうちの先端部分は、第１電極の形成領域内に収まらないというような形態を考えることができる。このような場合であっても、第１の長方形と前記先端部分を除く第２の長方形の部分については、第１電極の形成領域内に収まっているのであるから、前記と略同様な作用効果を享受できる。そして、この場合、先端部分へ通ずる第２長方形上の二辺は、たしかに第１電極の形成領域の外縁と交わる形になるが、かかる形態では、第２電極が第１電極の形成領域の全部を覆うように形成される場合に比べて第１電極の端部と対向し合う部分は相対的に減少しているから、前記のような短絡を生じさせるおそれは相応に低減されているということができるのである。

本発明の半導体装置の一態様では、前記回路素子は、前記基板上にマトリクス状に複数配列されており、相隣接する前記第２電極の少なくとも一組を接続するための接続配線を更に備えている。

この態様によれば、前記回路素子が、マトリクス状に複数配列されている。ここでマトリクス状とは、例えば当該回路素子が縦横それぞれに延在する直線に載るような正方形状又は長方形状、或いは縦若しくは横のいずれか又は双方に千鳥足に並ぶ形状等を想定することができる。

そして、本態様では特に、このようにマトリクス状に配列された回路素子を構成する前記第２電極のうち、相隣接するものの間を接続するための接続配線を備えている。したがって、ここにいう第２電極を好適に所定の電位に維持し或いは変動させるためには、相接続された一方の第２電極若しくは他方の第２電極又は接続配線と電気的コンタクトを取ればよい。この点、接続配線がなくマトリクス状に配列された第２電極のすべてが個別独立に（即ち、島状に）形成されている場合には、これらすべての第２電極について電気的コンタクトを取らなければならなくなるのとは異なる。よって、本態様によれば、当該回路素子ひいては当該半導体装置の構造の簡易化を図ることができるとともに、製造コストの低廉化を実現することができる。

この態様では、前記第２電極の上に配置された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜に前記第２電極に通ずるように穿たれたコンタクトホールとを更に備えてなり、前記接続配線は、前記層間絶縁膜の上及び前記コンタクトホールを埋めるように配置され、相隣接する前記第２電極の少なくとも一組を接続するように構成してもよい。

このような構成によれば、相隣接する第２電極は断面視して次のような構造により電気的に接続される。すなわち、一方の第２電極、第１のコンタクトホール、接続配線、第２のコンタクトホール及び他方の第２電極というようである。これによると、第２電極の全部を、第１電極の形成領域内に収めることを容易に実現することができる。すなわち、接続配線を設ける場合、その設け方によっては、当該接続配線が第１電極の形成領域の外縁と交わり、当該部分において短絡を生じさせる可能性を高める。しかるに、本構成では、前記したような構造から明らかなように、接続配線は、一方の第２電極の形成領域の一部からいったん層間絶縁膜の厚さだけ上に延びる（即ち、前記第１のコンタクトホールが存在する）から、これらを平面視すると、第２電極から横手に延びる部分は存在せず、結果、該第２電極を第１電極の形成領域内に収めることが容易になるのである。前記の他方の第２電極についても同様である。このように、本構成では、相隣接する第２電極は、あたかも個別独立に形成されているかの如き構造を呈することになる。

また、本構成では、当該接続配線と第１電極との絶縁を極めて有効に図ることができる。この場合、たしかに接続配線は平面視して第１電極の形成領域の外縁と交わる形になる。しかし、これら接続配線及び第１電極との間には、前記絶縁膜に加えて前記層間絶縁膜が存在しているのである。したがって、これらの間に短絡が生じる可能性は絶無に近い。

以上のように、本構成によれば、第２電極（ないしは接続配線）と第１電極との間に短絡が生じるという事象を殆どあり得ないものとすることができる。

この接続配線を備える態様では、前記接続配線は、前記マトリクス状の同じ一列又は同じ一行に配列された前記第２電極の全部を接続するように配置されているように構成してもよい。

このような構成によれば、同一列又は同一行に配列された第２電極のすべてが接続配線によって接続されているため、前記にいう電気的コンタクトは、これら複数の第２電極のうちの一つ及び接続配線のいずれか一つととればよい。つまり、当該同一列又は当該同一行について、ただ一つの電気的な接続点を設ければよいから、前記の構造簡易化、製造コスト低廉化等はよりよく実現されることになる。

あるいは、層間絶縁膜の上に接続配線を備える態様ではでは更に、前記接続配線は、前記マトリクス状の同じ一列又は同じ一行に配列された前記第２電極のうち相隣接する前記第２電極の各組を接続する複数の各区接続配線を含むように構成してもよい。

このような構成によれば、前記の層間絶縁膜を平面視すると、複数の各区接続配線が島状に形成されているのをみることができる。このことは、その反面として、これら各区接続配線間に前記層間絶縁膜の表面がそのまま剥き出しになった隙間を形成することが可能であることを意味する。したがって、かかる隙間には、例えば当該半導体装置に必要とされる配線及び回路素子の少なくとも一方を配設することができる。このように、本構成によれば、隙間に新たな配線及び回路素子の少なくとも一方を配設することができるから、当該半導体装置の構造をよりコンパクトにすることができる。

本発明の半導体装置の他の態様では、前記第１電極は切頭錘形状を含むとともに、その下面の面積がその上面の面積よりも大きく、前記第２電極の全部又は主要部は、前記第１電極の前記上面の領域内に収まるように形成されている。

この態様によれば、第１電極が切頭錘形状を含む。ここで「切頭錘形状」とは、例えば三角錐、四角錘その他の多角形を底面に有する錘、或いは場合により円錐等の錘形状において、その底面に略平行な裁断線でもって頂点を含む部分を切断したかのごとき形状をいう。これにより、切断面には、底面と略相似の関係にある三角形、四角形等の多角形、或いは円が現れることになる。そして、本態様においては、第１電極（ないしはそれに含まれる前記切頭錘形状）の下面の面積がその上面の面積よりも大きいのであるから、ここにいう「上面」とは前記のような切断によって新たに現れた面をいい、「下面」とは前記底面をいう場合が含まれる（なお、切頭錘形状は第１電極の一部として含まれていればよい。）。

第１電極がかかる形状を含むことにより、まず、次のような作用効果が得られる。すなわち、かかる形状の第１電極では比較的急峻な段差が生じていない。これは、切頭錘形状の側面（即ち、上面と下面に接続される面）は、いわば「斜め」の面となっているからである。したがって、このような第１電極の上に前記絶縁膜を成膜したとしても、該絶縁膜は、急峻な段差を跨ぐように形成されるのではないから、当該部分において膜厚が減少したり、或いは切れ目が生じたりすることがない。よって、この絶縁膜は当初に目された絶縁機能を如何なく発揮することになり、第２電極及び第１電極間の短絡の防止に大きく貢献することになる。

一方、本態様においては、第２電極の全部又は主要部が、前記のような第１電極の上面の領域内に収まるように形成されているのである。つまり、第２電極は、上面の端部、言い換えると最も電界集中が生じやすいと考えられる第１電極の角部（ここにいう「角部」とは前記の側面及び上面とが接続される部分）を避けるように形成されていることから、これによっても、第２電極及び第１電極間の短絡の発生が防止されることになるのである。

以上のように、本態様によれば、より確実に第２電極及び第１電極間の短絡という事象の発生を殆どあり得ないものとすることができる。

本発明の電気光学装置は、上記課題を解決するために、素子基板上に、一定方向に延在する走査線及び該走査線と交差する方向に延在するデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタ及び画素電極と、前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極と接続された保持容量とを備えてなり、前記保持容量は更に、第３電極と、平面視して、その全部又は主要部が前記第３電極の形成領域内に収まるように且つ該第３電極の上に形成された第４電極と、これら第３電極及び第４電極間に配置された絶縁膜とからなる。

本発明の電気光学装置によれば、走査線を介して供給されてくる走査信号によって薄膜トランジスタのＯＮ・ＯＦＦを制御し、これがＯＮであるとき、データ線を介して供給されてくる画像信号を、当該薄膜トランジスタを介して画素電極に伝達することができる。この場合更に、該画素電極に対向配置される対向電極、並びに、画素電極及び対向電極間に配置される電気光学物質の一例としての液晶を備えれば、これら画素電極及び対向電極間に発生する電位差によって前記液晶の状態が変じ光の透過率が変じられることで、画像の表示を行うことができる。また、本発明では、薄膜トランジスタ及び画素電極に接続されている保持容量が形成されている。かかる保持容量により、前記のように画素電極に印加された画像信号に基づく電位の保持特性を格段に向上させることができ、高コントラスト化等を達成することができる。

ここで本発明において特に、保持容量を構成する第３電極及び第４電極間の関係に特徴があり、第４電極の全部又は主要部は第３電極の形成領域内に収まるように形成されているのである。これによれば、電界集中の生じやすい第３電極の端部と第４電極の端部とが対向し合うことがないから、両者の間で短絡が生じる可能性を著しく低減することができる。なお、このようなことから、より好ましい構成としては、前記第４電極を特徴付ける「その全部又は主要部が前記第３電極の形成領域内に収まり且つ前記全部又は主要部の外縁が該形成領域の外縁とは一致しないように形成されている」ようにするとよい。これによれば、第３電極の端面及び第４電極の端面が同一の面に載るということがないから、前記のような作用効果がより確実に享受され得る。

なお、本発明にいう「主要部」とは、前記の半導体装置に関して述べたのと同様な意義を有する。また、本発明において、「前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極と接続された保持容量」というのは、具体的には、薄膜トランジスタ及び画素電極が、前記の第３電極及び第４電極のうちいずれか一方に接続されていることを意味している。

以下、本発明の電気光学装置の一態様及び他の態様のそれぞれは、前記の半導体装置の一態様及び他の態様に対応させて考えることができる。したがって、これらの態様によれば、前記で半導体装置の一態様及び他の態様として説明した各種の作用効果を略同様にえることができる。

また、本発明の電気光学装置の他の態様では、前記第３電極は前記薄膜トランジスタを構成する半導体層と同一膜からなり、前記第４電極は前記薄膜トランジスタを構成するゲート電極膜と同一膜からなる。

この態様によれば、保持容量及び薄膜トランジスタが同時に形成されることから、当該電気光学装置の構造の簡易化、コンパクト化、或いは製造コストの低廉化を図ることができる。ちなみに、本態様において「同一膜」からなるとは、例えば第３電極及び半導体層に関して言えば、まず、これらに共通の被パターニング膜を形成し、次に、当該被パターニング膜をパターニング（フォトリソグラフィ及びエッチング）することで第３電極となる部分と半導体層となる部分とを形作ることを含意する。

なお、前記の各種の態様のうちで特に、前記接続配線が「各区接続配線」を含む態様では特に、当該各区接続配線と前記データ線とを同一膜として形成することが好ましい。この場合更に、データ線は例えばアルミニウム等の低抵抗膜からなることが好ましく、これによれば、データ線から画素電極への画像信号の伝達においてその劣化を生じさせることがなく、また、第１電極間の接続もまた、アルミニウム等の低抵抗膜からなることになるから、相隣接しあう第１電極間の電気的接続をも良好に行うことができる。

本発明のこのような作用及び他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。

以下では、本発明の第１の実施の形態について図を参照しつつ説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を液晶装置に適用したものである。

〔画素部における構成〕
以下では、本発明の第１実施形態における電気光学装置の画素部における構成について、図１から図３を参照して説明する。ここに図１は、電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路であり、図２は、データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。また、図３は、図２のＡ−Ａ´断面図である。なお、図３においては、各層・各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、該各層・各部材ごとに縮尺を異ならしめてある。

なお、以下では、まず、第１実施形態に係る電気光学装置の基本的構成について予め説明した後、第１実施形態において特徴的な構成等については、後に改めて（保持容量の構成）なる項目を立てて詳述することとする。

（画素部の回路構成）
図１において、第１実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には、それぞれ、画素電極９ａと当該画素電極９ａをスイッチング制御するためのＴＦＴ３０とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線６ａが当該ＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。データ線６ａに書き込む画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線６ａ同士に対して、グループ毎に供給するようにしてもよい。

また、ＴＦＴ３０のゲートに走査線３ａが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線３ａにパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍを、この順に線順次で印加するように構成されている。画素電極９ａは、ＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるＴＦＴ３０を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線６ａから供給される画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎを所定のタイミングで書き込む。

画素電極９ａを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、対向基板に形成された対向電極との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が出射する。

ここで保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極９ａと対向電極との間に形成される液晶容量と並列に保持容量７０を付加する。この保持容量７０は、走査線３ａに並んで設けられ、固定電位側容量電極を含むとともに定電位に固定された容量線３００を含んでいる。

（画素部の具体的な構成）
上述したような回路構成は、より具体的には、図２及び図３に示すような構成を有する。図２において、ＴＦＴアレイ基板上には、上述したＴＦＴ３０、走査線３ａ、データ線６ａ、保持容量７０等のほか、透明電極８、反射電極９等が、第１層間絶縁膜４１及び第２層間絶縁膜４２を伴いつつ積層構造を構築するように設けられている。なお、上述までの画素電極９ａとは、いま述べた透明電極８及び反射電極９の両者を含意した用語である。

このうちまず、反射電極９は、ＴＦＴアレイ基板１０上にマトリクス状に形成されている。この反射電極９の各々には透過窓１４が形成され、この透過窓１４に対応する領域は透明電極８によって覆われている。このような反射電極９は、アルミニウムや銀、若しくはこれらの合金、又はチタン、窒化チタン、モリブデン、タンタル等との積層膜から構成されており、透明電極８は、ＩＴＯ（インディウム・ティン・オキサイド）等から構成されている。

このように、マトリクス状に配列された反射電極９及び透明電極８の形成領域の縦横の境界に沿っては、データ線６ａ、走査線３ａ及び容量線３００が形成されており、反射電極９の一つ一つには、透明電極８を介して、画素スイッチング用のＴＦＴ３０が電気的に接続されている。データ線６ａは例えばアルミニウム等により、走査線３ａ及び容量線３００は例えば導電性のポリシリコン等からなる。また、ＴＦＴ３０は、図２及び図３に示すように、半導体層１ａを備えており、該半導体層１ａ中には適当な不純物が導入されることで高濃度ソース領域１ｄ、高濃度ドレイン領域１ｅ及びチャネル領域１ａ´が形成されている。このうちＴＦＴ３０の高濃度ソース領域１ｄには、データ線６ａがコンタクトホール８１を介して電気的に接続されており、高濃度ドレイン領域１ｅには、透明電極８がコンタクトホール８３を介して電気的に接続されている。また、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ´の上には、これに対向するように、ゲート絶縁膜２を介して、ゲート電極たる走査線３ａが延在するように形成されている。なお、第１実施形態におけるＴＦＴ３０は、図２及び図３に示すように、いわゆるシングルゲート構造となっており、ゲート電極たる走査線３ａの両隣、ないしは前記のチャネル領域１ａ´の両隣には低濃度領域１ｂ及び低濃度領域１ｃが形成されている。

一方、反射電極９及び透明電極８の下には、図３に示すように、凹凸形成層１３、及びその上層の凹凸層７（いずれも、図２では示されない）が形成されている。ここで凹凸形成層１３及び凹凸層７は、例えば、有機系樹脂等の感光性樹脂からなり、特に前者は、基板面に点在するブロック塊を含むような形で形成される層であり、後者は、このような凹凸形成層１３を含む基板の全面を覆うような形で形成される層である。したがって、凹凸層７の表面は、凹凸形成層１３を構成するブロック塊の点在態様に応じて、いわば「うねる」こととなり、その結果、凹凸パターン９ｇが形成されることになる。図２においては、この凹凸パターン９ｇが円形状で示されており、該円形状の部分は、その他の部分に比べて、図の紙面に向かってこちら側に突出した形となっている。すなわち、当該円形状の部分における、図２の紙面に向かって向こう側には、うねった凹凸層７、そして前記ブロック塊が形成されているのである（図３参照）。

このような構成を備える第１実施形態の電気光学装置では、透明電極８及び透過窓１４を利用することで、透過モードによる画像表示を行うことが可能となり、反射電極９並びに凹凸形成層１３、凹凸層７及び凹凸パターン９ｇを利用することで、反射モードによる画像表示を行うことが可能となる。すなわち、前者の構成により規定される領域は、図示されない内部光源から発せられた光を図２の紙面向こう側からこちら側に至るように透過させる透過領域であり、後者の構成により規定される領域は、紙面こちら側から前記反射電極９に至って反射した後、再び紙面こちら側に至らせるような反射領域となる。なお、後者の場合では特に、凹凸パターン９ｇによって光の散乱反射が起きるから、画像の視野角依存性を小さくすることができる。

なお、図３においては上記のほか、ＴＦＴアレイ基板１０上に、厚さが１００〜５００ｎｍのシリコン酸化膜（絶縁膜）からなる下地保護膜１２が形成され、この下地保護膜１２とＴＦＴ３０の上に、厚さが３００〜８００ｎｍのシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜４１、更に、この第１層間絶縁膜４１の上に厚さが１００〜８００ｎｍのシリコン窒化膜からなる第２層間絶縁膜４２（表面保護膜）等が形成されている。ただし、場合により、この第２層間絶縁膜４２は、形成してなくてもよい。また、ＴＦＴアレイ基板１０側には、その最上層として、配向膜１６が形成されている。一方、対向基板２０側には、画素部間の隙間をいわば縫うように延在する遮光膜２３、基板全面に形成された対向電極２１及び配向膜２２が、この順に積層するように形成されている。

（保持容量の構成）
以下では、第１実施形態において特徴的な構成を備える保持容量７０について、前述までに参照した各図及び図４乃至図７を参照して説明する。ここに図４は図２のＢ−Ｂ´断面図であり、図５は図２に示す保持容量７０の部分のみを抜き出してその詳細を示す平面図であり、図６は第１実施形態に係る下部電極及び上部電極の立体的形状を説明するための説明図である。また、図７は図４と同趣旨の図であって、第１実施形態に対する比較例である。

保持容量７０は、図２乃至図５に示すように、下部電極１ｆ、上部電極３１０及びこれらの間に挟持される誘電体膜２ｆからなる。下部電極１ｆは、画素スイッチング用のＴＦＴ３０の半導体層１ａと同一層に形成されているとともに該半導体層１ａの延設部分を導電化したものとして形成されている。上部電極３１０は、走査線３ａと同一層に形成されているとともに容量線３００の一部に含まれるように形成されている。誘電体膜２ｆは、ゲート絶縁膜２と同一層に形成されており、ＴａＯｘ、ＳｉＯｘ等からなる。このような保持容量７０を備えることで、液晶容量における電荷の保持特性を格段に向上することができる。

より詳しくは、前記のうち容量線３００は、図２に示すように走査線３ａに平行に形成されている。また、容量線３００は、各行につき設けられた走査線３ａのそれぞれに対応するように複数形成されている。上部電極３１０は、これら各行の容量線３００が延在する方向とは直交する方向にいわば膨らませた形で、あるいは容量線３００の本線部に比べて幅広に形成されており、結果として、図２及び図５に示すように平面視して略長方形状となっている。なお、以下では、容量線３００から上部電極３１０を除いた部分は、接続配線３ｂということにする（即ち、容量線３００は、上部電極３１０及び接続配線３ｂからなる。）。

また、前記の上部電極３１０及び下部電極１ｆは、図４及び図５に示すように切頭四角錘形状を含むように形成されている。ここで切頭四角錘形状とは、図６に示すように四角錘Ｒの底面に平行な裁断線Ｓでもって頂点Ｐを含む部分を切断したかのごとき形状をいう。これにより、図においてハッチングを付した切断面Ｆには、底面よりも面積が小さいが、該底面と略相似の関係にある四角形が現れることになる。このように、上部電極３１０及び下部電極１ｆが、切頭四角錘形状を有することにより、これらそれぞれの上に形成される第１層間絶縁膜４１及び誘電体膜２ｆの表面においては、図３等に示すように急峻な段差が生じないようになっている。これは、前記の切頭四角錘形状においては、その上面及び下面と接続される側面が、単純な直方体などとは異なり「斜め」となるからである（「単純な直方体」では側面は垂直に切り立ち、したがって、その上に形成される層間絶縁膜等の表面には急峻な段差が生じる。後の図７参照）。

そして、第１実施形態においては特に、上部電極３１０は、下部電極１ｆの形成領域内に収まるように形成されている。より詳細には、図４あるいは図５に示すように上部電極３１０の下面の図中左右方向の長さＬ（３１０）は、下部電極１ｆの下面の同方向の長さＬｄ（１ｆ）、更にはその上面の同方向の長さＬｕ（１ｆ）よりも短くなっている。このような関係は、図２から明らかなように、同図中上下方向の長さ（ないしは幅）に関しても同様に成立する。このように、上部電極３１０は、下部電極１ｆの形成領域内に完全に収まるように形成されているのである。

なお、第１実施形態において、「上部電極」と呼びうるのは、下部電極１ｆと対向し保持容量７０の一方の電極として機能しうる部分と考えるのが妥当である。そうとすると、図５においては、同図にハッチングされて示されている平面視して長方形状である部分が、上部電極３１０の全部ないしは主要部といってよい。ここに「主要部」ともいい得るとするのは、接続配線３ｂのうちの一部（図中符号Ｚ参照）が下部電極１ｆと対向することから、当該部分もまた上部電極３１０と呼びうるためである。このように当該部分も上部電極３１０と呼ぶなら、上部電極３１０の「全部」が下部電極１ｆの形成領域内に収まって形成されているとはいい難くなるが、この場合、前記長方形状である部分は「主要部」と呼ぶに相応しく、且つ、この主要部はなお下部電極１ｆの形成領域内に収まって形成されているといえる。かかる点は主に言葉上の問題ではあるが、第１実施形態においては要するに、図５に示す長方形状の部分が、上部電極３１０の全部又は主要部なのである。

このような構成となる第１実施形態の電気光学装置においては、次のような作用効果を得ることができる。まず第１に、上部電極３１０が下部電極１ｆの形成領域内に収まるように形成されていることから、電界集中の生じやすい上部電極３１０の端部及び下部電極１ｆの端部が相互に向かい合うことがなく、したがって両者間に短絡を生じさせる危険性を著しく低減することができる。また、第１実施形態においては特に、図４或いは図５等に示すように上部電極３１０は、下部電極１ｆの上面の形成領域内に収まるように、言い換えると最も電界集中が生じやすいと考えられる下部電極１ｆの角部（ここにいう「角部」とは前記の側面及び上面とが接続される部分）を避けるように形成されていることから、前記の作用効果は更に効果的に享受されうることになる。

また第２に、第１実施形態においては、特に、下部電極１ｆが上述のように切頭四角錘形状を有していることから、該下部電極１ｆ上に形成される誘電体膜２ｆは、急峻な段差をもつように形成されるのではなく、比較的なだらかな面をもつように形成される。したがって、下部電極１ｆの直上にあたる部分とそうでない部分との間において、当該誘電体膜２ｆの膜厚が減少したり、或いは切れ目が生じたりすることがない。よって、この誘電体膜２ｆは当初に目された絶縁機能を如何なく発揮することになり、上部電極３１０及び下部電極１ｆ間の短絡の防止に大きく貢献することになる。

この点、比較例たる図７に示すように、上述したのとはちょうど正反対の形態、即ち上部電極３１０Ｃが下部電極１ｆＣの形成領域を越えて形成され、且つ、下部電極１ｆＣが鋭い角部をもつ単なる直方体状を有するように形成される場合を想定すると、前記のような作用効果は得られなくなる。この図においては、例えば符号Ｑ１で示すように下部電極１ｆＣの角部に電界が集中すると、それに対向して上部電極３１０Ｃが近接して存在することから、絶縁破壊が生じやすい。また、下部電極１ｆＣは単純な直方体状に形成されているために、その角部を跨いで形成されている誘電体膜２ｆの当該部分は、その膜厚が薄くなり、あるいは切れ目Ｑ２を生じさせるおそれが大きい。これによっても、上部電極３１０Ｃ及び下部電極１ｆＣ間の短絡を生じさせやすいのである。

以上述べたように、第１実施形態によれば、上部電極３１０及び下部電極１ｆ間の短絡を生じさせるおそれを著しく低減することができ、もって信頼性の高い電気光学装置を提供することができる。

ちなみに、上記においては、下部電極１ｆのみならず、上部電極３１０もまた切頭四角錘形状を有するように形成されており、更には、これら下部電極１ｆ及び上部電極３１０以外の他の構成要素（例えば、図３に示す走査線３ａ、データ線６ａ等）についても、基本的に、前記のような「切頭四角錘形状」の思想に沿うように、即ちその側面が斜めの面となるように形成されている。このようにすれば、下部電極１ｆと誘電体膜２ｆとの関係と同様に、各構成要素の上に形成される第１層間絶縁膜４１、第２層間絶縁膜４２等に急峻な段差を生じさせずに済むことになる。このような構造は、例えばＴＦＴ３０の半導体層１ａが低温ポリシリコン、或いはアモルファスシリコンからなる場合に好適である。というのも、このような場合には、高温プロセスを利用することができず層間絶縁膜の平坦化処理を行うことが困難だからである。その点、電気光学装置を構成する各種の構成要素を前記のように斜めの面を有するように形成すれば、その上に形成される層間絶縁膜は当初からある程度の平坦性を有するものとして形成することが可能であるし、またそれゆえ平坦化処理を特別行う必要がなくなる。要するに、前記の各種の構成要素が斜めの面を有するように形成されるのであれば、特別な平坦化処理を経ずとも層間絶縁膜の平坦化、更には配向膜の平坦化等をある程度図ることができるという作用効果が得られるのである。

なお、上記においては、上部電極３１０は、下部電極１ｆの上面の領域内において形成されるようになっていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、図５と同趣旨の図８に示すように、上部電極３１０´の下面の図中左右方向の長さＬ（３１０´）が、下部電極１ｆの上面の同方向の長さＬｕ（１ｆ）よりは長いが、下部電極１ｆの下面の同方向の長さＬｄ（１ｆ）よりも短くなっているような形態であってもよい。このような形態であっても、上部電極の全部又は主要部が下部電極の形成領域内に収まるように形成されていることに変わりはないからである。この形態の場合、下部電極１ｆの上面と側面とが交わる部分における電界集中の影響を受ける可能性はあるが、下部電極１ｆの下面と側面とが交わる部分におけるそれの影響を受けるおそれはない。このように、図８では、図５に比べて作用効果は若干劣ることになると考えられるものの、それ相応の作用効果を享受することはできる。

また、上記において保持容量７０はそれぞれ平面視して長方形状の上部電極３１０及び下部電極１ｆから構成されていたが、本発明はこのような形態にも限定されない。例えば図９に示すような平面視して略Ｔ字型の形状を有する上部電極５０１及び下部電極５０２からなる保持容量を想定してもよい。ちなみに、この場合であっても、「切頭錘形状」を観念することが可能であることはいうまでもない（図９中破線参照）。

さらに、上記では、アクティブマトリクス駆動方式の電気光学装置について説明したが、本発明は、このような形態に限定されるものではなく、パッシブマトリクス駆動方式の電気光学装置に対しても、本発明の適用が可能であることは言うまでもない。

（第２実施形態）
以下では、本発明の第２の実施形態について図１０及び図１１を参照して説明する。ここに図１０は、図２と同趣旨の図であって、保持容量を構成する接続配線の態様が異なるものを示しており、図１１は、図１０のＣ−Ｃ´断面図である。なお、以下の説明においては、上記第１実施形態で説明した電気光学装置に関する構成及び作用は同様であるので、その説明は簡略化、或いは省略することとし、第２実施形態において特長的な構成についてのみ説明を加えることとする。また、上記第１実施形態で参照した図面において使用した符号については、第２実施形態で参照する図面においても同一の対象を指し示す場合には、同一の符号を用いることとする。

図１０及び図１１においては、接続配線６ｂに特徴がある。すなわち、第２実施形態の電気光学装置では、各上部電極３１１の上に形成された第１層間絶縁膜４１に、該各上部電極３１１に通ずるようにコンタクトホール８８ａ及び８８ｂが形成されており、接続配線６ｂは、第１層間絶縁膜４１の上に、且つ、これらコンタクトホール８８ａ及び８８ｂを埋めるように形成されている。また、この接続配線６ｂは、第１層間絶縁膜４１の上に形成されていることからもわかるように、データ線６ａと同一膜として形成されている。

このような形態によれば、相隣接する上部電極３１１は断面視して次のような構造により電気的に接続される。すなわち、図１１にその全姿が示されている上部電極３１１は、その図中右端近傍に設けられたコンタクトホール８８ｂ、以下図中右方の、接続配線６ｂ、コンタクトホール８８ａを介して、図中右方の上部電極３１１と接続されるというようである。その逆（図中左方）もまた同じである。これによると、上部電極３１１の文字通り「全部」を、下部電極１ｆの形成領域内に収めることを容易に実現することができる。すなわち、上記の第１実施形態では、図２あるいは図５等に示したように接続配線３ｂが下部電極１ｆの形成領域の外縁と交わることが避け得なかった。したがって、当該部分において短絡を生じさせる可能性が高まるのは否めない。しかるに、第２実施形態では、前記したような構造から明らかなように、接続配線６ｂは、上部電極３１１の形成領域の一部からいったん第１層間絶縁膜４１の厚さだけ上に延びる（即ち、コンタクトホール８８ａ及び８８ｂが存在する）かたちになるから、これらを平面視すると、前記接続配線３ｂの如く上部電極３１１から横手に延びる部分は存在せず、結果、該上部電極３１１の「全部」を下部電極１ｆの形成領域内に収めることが容易になるのである。このように、第２実施形態では、相隣接する上部電極３１１は、あたかも個別独立に形成されているかの如き構造を呈することになる。

また、第２実施形態では、当該接続配線６ｂと下部電極１ｆとの絶縁を極めて有効に図ることができる。この場合、たしかに接続配線６ｂは平面視して下部電極１ｆの形成領域の外縁と交わる形になる（図１０参照）。しかし、これら接続配線６ｂ及び下部電極１ｆの間には、誘電体膜２ｆに加えて第１層間絶縁膜４１が存在しているのである。したがって、これらの間に短絡が生じる可能性は絶無に近い。

以上のように、第２実施形態によれば、上部電極３１１ないしは接続配線６ｂと下部電極１ｆとの間に短絡が生じるという事象を殆どあり得ないものとすることができるのである。

しかも第２実施形態では、接続配線６ｂは、図１１に示したように第１層間絶縁膜４１の上でアルミニウム等からなるデータ線６ａと同一膜からなるように形成されているから、電気光学装置の構造の簡易化、コンパクト化、或いは製造コストの低廉化などが実現されることになる。また、この場合、接続配線６ｂもまた低抵抗なアルミニウム等からなることになるから、相隣接する上部電極３１１間の電気的接続も低抵抗で行うことができる。

なお、上記においては、相隣接する上部電極３１１間を接続する接続配線６ｂがデータ線６ａと同一膜からなるとされているが、本発明はこのような形態にのみこだわるものではない。例えば図１１と同趣旨の図１２に示すように、接続配線４０１とデータ線６ａとが別々の層に形成されているような態様も本発明の範囲内に含まれる。この態様では、第２層間絶縁膜４２の上にデータ線６ａが形成されており、更に該データ線６ａの上に新たに第３層間絶縁膜４３が形成されている。このように、図１２においては、前記の図１１に比べて層間絶縁膜が一層余分に増えることになって製造プロセスが一段増えることにはなるが、図１２のような形態であっても、上部電極３１１があたかも個別独立に形成されておりその全部が下部電極１ｆの形成領域内に収まるように形成されていることに変わりはないから、前記とほぼ同じ作用効果が得られることにも変わりない。ちなみに、このように余分に第３層間絶縁膜４３を形成する態様では、第２層間絶縁膜４２上で接続配線４０１を断絶して形成する必要はなくなるから（図１１では、データ線６ａの形成領域を確保するため、接続配線６ｂは各別に断絶して形成する必要がある。）、図１２と同趣旨の図１３に示すように横一線すべて連続な接続配線４０２を形成するようにしてもよい。

また、上記では、図１０中左右方向に並ぶ同一行に配置された上部電極３１１のすべてについて、接続配線６ｂが形成されていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、一定数のグループを組んだ相隣接する上部電極３１１については、図１０及び図１１に示すが如き接続配線６ｂで電気的な接続は図るが、グループ同士の間では電気的な接続を図らないなどという態様も本発明の範囲内にある。

〔電気光学装置の全体構成〕
以下では、前記の電気光学装置に係る実施形態の全体構成について、図１４及び図１５を参照して説明する。ここに、図１４は、ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図であり、図１５は、図１４のＨ−Ｈ’断面図である。ここでは、電気光学装置の一例である駆動回路内蔵型のＴＦＴアクティブマトリクス駆動方式の液晶装置を例にとる。

図１４及び図１５において、本実施形態に係る電気光学装置では、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが対向配置されている。ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に液晶層５０が封入されており、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とは、画像表示領域１０ａの周囲に位置するシール領域に設けられたシール材５２により相互に接着されている。

シール材５２は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてＴＦＴアレイ基板１０上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。また、シール材５２中には、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間隔（基板間ギャップ）を所定値とするためのグラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。

シール材５２が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域１０ａの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜５３が、対向基板２０側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜５３の一部又は全部は、ＴＦＴアレイ基板１０側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。この額縁遮光膜５３より以遠の周辺領域のうち、シール材５２が配置されたシール領域の外側に位置する領域には特に、データ線駆動回路１０１及び外部回路接続端子１０２がＴＦＴアレイ基板１０の一辺に沿って設けられている。また、走査線駆動回路１０４は、この一辺に隣接する２辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして設けられている。更に、このように画像表示領域１０ａの両側に設けられた二つの走査線駆動回路１０４間をつなぐため、ＴＦＴアレイ基板１０の残る一辺に沿い、且つ、前記額縁遮光膜５３に覆われるようにして複数の配線１０５が設けられている。

また、対向基板２０の４つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材１０６が配置されている。他方、ＴＦＴアレイ基板１０にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間で電気的な導通をとることができる。

図１５において、ＴＦＴアレイ基板１０上には、画素スイッチング用のＴＦＴや走査線、データ線等の配線が形成された後の画素電極９ａ上に、配向膜が形成されている。他方、対向基板２０上には、対向電極２１の他、格子状又はストライプ状の遮光膜２３、更には最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層５０は、例えば一種又は数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。

なお、図１４及び図１５に示したＴＦＴアレイ基板１０上には、これらのデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。

（電子機器）
次に、以上詳細に説明した電気光学装置をライトバルブとして用いた電子機器の一例たる投射型カラー表示装置の実施形態について、その全体構成、特に光学的な構成について説明する。ここに、図１６は、投射型カラー表示装置の図式的断面図である。

図１６において、本実施形態における投射型カラー表示装置の一例たる液晶プロジェクタ１１００は、駆動回路がＴＦＴアレイ基板上に搭載された液晶装置を含む液晶モジュールを３個用意し、それぞれＲＧＢ用のライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂとして用いたプロジェクタとして構成されている。これらライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂには、前述した電気光学装置（図１乃至図７参照）が用いられている。液晶プロジェクタ１１００では、メタルハライドランプ等の白色光源のランプユニット１１０２から投射光が発せられると、３枚のミラー１１０６及び２枚のダイクロックミラー１１０８によって、ＲＧＢの三原色に対応する光成分Ｒ、Ｇ及びＢに分けられ、各色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂにそれぞれ導かれる。この際特に、Ｂ光は、長い光路による光損失を防ぐために、入射レンズ１１２２、リレーレンズ１１２３及び出射レンズ１１２４からなるリレーレンズ系１１２１を介して導かれる。そして、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂによりそれぞれ変調された三原色に対応する光成分は、ダイクロックプリズム１１１２により再度合成された後、投射レンズ１１１４を介してスクリーン１１２０にカラー画像として投射される。

本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨、あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う半導体装置及び電気光学装置もまた、本発明の技術的範囲に含まれるものである。

電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素における各種素子、配線等の等価回路である。 データ線、走査線、画素電極等が形成されたＴＦＴアレイ基板の相隣接する複数の画素群の平面図である。 図２のＡ−Ａ´断面図である。 図２のＢ−Ｂ´断面図である。 図２に示す保持容量の部分のみを抜き出してその詳細を示す平面図である。 第１実施形態に係る下部電極及び上部電極の立体的形状を説明するための説明図である。 図４と同趣旨の図であって、第１実施形態に対する比較例である。 図５と同趣旨であって、同図とは上部電極の大きさが異なるものを示す平面図である。 図２乃至図５に示す保持容量とは異なる形態となる保持容量を示す図である。 本発明の第２実施形態に係り、図２と同趣旨の図であって、保持容量を構成する接続配線の態様が異なるものを示す平面図である。 図１０のＣ−Ｃ´断面図である。 図１０と同趣旨の図であって、接続配線の態様が異なるものを示すものである。 図１２と同趣旨の図であって、接続配線の態様が異なるものを示すものである。 ＴＦＴアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た電気光学装置の平面図である。 図１４のＨ−Ｈ’断面図である。 本発明の電子機器の実施形態である投射型カラー表示装置の一例たるカラー液晶プロジェクタを示す図式的断面図である。

符号の説明

１０…ＴＦＴアレイ基板、３ａ…走査線、６ａ…データ線、３０…ＴＦＴ、９ａ…画素電極、８…透明電極、９…反射電極、２０…対向基板
７０…保持容量、３００…容量線、３１０、３１０´、３１１…上部電極、１ｆ…下部電極、２ｆ…誘電体膜、３ｂ、６ｂ、４０１、４０２…接続配線、４１…第１層間絶縁膜、４２…第２層間絶縁膜、８８ａ、８８ｂ…コンタクトホール

Claims (13)

1. 基板上に、第１電極と、該第１電極の上且つ該第１電極に対向配置された第２電極と、前記第１電極及び前記第２電極間に配置された絶縁膜とからなる回路素子を備えた半導体装置であって、
   平面視して、前記第２電極の全部又は主要部は、前記第１電極の形成領域内に収まるように形成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記回路素子は、前記基板上にマトリクス状に複数配列されており、
   相隣接する前記第２電極の少なくとも一組を接続するための接続配線を更に備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記第２電極の上に配置された層間絶縁膜と、
   該層間絶縁膜に前記第２電極に通ずるように穿たれたコンタクトホールとを更に備えてなり、
   前記接続配線は、
   前記層間絶縁膜の上及び前記コンタクトホールを埋めるように配置され、相隣接する前記第２電極の少なくとも一組を接続することを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記接続配線は、前記マトリクス状の同じ一列又は同じ一行に配列された前記第２電極の全部を接続するように配置されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の半導体装置。
5. 前記接続配線は、前記マトリクス状の同じ一列又は同じ一行に配列された前記第２電極のうち相隣接する前記第２電極の各組を接続する複数の各区接続配線を含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の半導体装置。
6. 前記第１電極は切頭錘形状を含むとともに、その下面の面積がその上面の面積よりも大きく、
   前記第２電極の全部又は主要部は、前記第１電極の前記上面の領域内に収まるように形成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の半導体装置。
7. 素子基板上に、
   一定方向に延在する走査線及び該走査線と交差する方向に延在するデータ線と、
   前記走査線及び前記データ線の交差領域に対応するように配置された薄膜トランジスタ及び画素電極と、
   前記薄膜トランジスタ及び前記画素電極と接続された保持容量と
   を備えてなり、
   前記保持容量は更に、
   第３電極と、平面視して、その全部又は主要部が前記第３電極の形成領域内に収まるように且つ該第３電極の上に形成された第４電極と、これら第３電極及び第４電極間に配置された絶縁膜とからなることを特徴とする電気光学装置。
8. 前記薄膜トランジスタ、前記画素電極及び前記保持容量は、前記素子基板上にマトリクス状に複数配列されており、
   相隣接する前記第４電極の少なくとも一組を接続するための接続配線を更に備えたことを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
9. 前記第４電極の上に配置された層間絶縁膜と、
   該層間絶縁膜に前記第４電極に通ずるように穿たれたコンタクトホールとを更に備えてなり、
   前記接続配線は、
   前記層間絶縁膜の上及び前記コンタクトホールを埋めるように配置され、相隣接する前記第４電極の少なくとも一組を接続することを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
10. 前記接続配線は、前記マトリクス状の同じ一列又は同じ一行に配列された前記第４電極の全部を接続するように配置されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の電気光学装置。
11. 前記接続配線は、前記マトリクス状の同じ一列又は同じ一行に配列された前記第４電極のうち相隣接する前記第４電極の各組を接続する複数の各区接続配線を含むことを特徴とする請求項９又は１０に記載の電気光学装置。
12. 前記第３電極は切頭錘形状を含むとともに、その下面の面積がその上面の面積よりも大きく、
    前記第４電極の全部又は主要部は、前記第３電極の前記上面の領域内に収まるように形成されていることを特徴とする請求項７乃至１１のいずれか一項に記載の電気光学装置。
13. 前記第３電極は前記薄膜トランジスタを構成する半導体層と同一膜からなり、
    前記第４電極は前記薄膜トランジスタを構成するゲート電極膜と同一膜からなることを特徴とする請求項７乃至１２のいずれか一項に記載の電気光学装置。
    

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