KR20000004422A - 고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법 - Google Patents

고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 고개구율 액정표시소자에 관한 것으로, 특히, 고개구율 액정표시소자에서의 화소전극 형성방법에 관한 것이다. 본 발명의 고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법은, 박막 트랜지스터가 구비된 유리기판을 제공하는 단계; 상기 박막 트랜지스터가 덮혀지도록 유리기판 전면 상에 제1유기절연막을 도포한 후, 이를 경화시키는 단계; 상기 제1유기절연막에 대한 식각 공정을 실시하여 상기 박막 트랜지스터의 신호전극 부분을 노출시키는 제1콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1콘택홀의 내벽 및 이에 인접된 제1유기절연막 부분 상에 ITO 금속막으로 되어 상기 노출된 박막 트랜지스터 신호전극 부분과 콘택되는 제1화소전극을 형성하는 단계; 상기 제1화소전극을 포함한 제1유기절연막 상에 제2유기절연막을 도포한 후, 이를 경화시키는 단계; 상기 제2유기절연막에 대한 식각 공정을 실시하여 상기 제2유기절연막에 상기 제1화소전극을 노출시키는 제2콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 제2콘택홀의 내벽 및 화소영역에 해당하는 제2유기절연막 부분 상에 ITO 금속막으로 되어 상기 제1화소전극과 콘택되는 제2화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법
본 발명은 액정표시소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히, 고개구율 액정표시소자에서 화소전극의 형성방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시소자(Liquid Crystal Display : 이하, LCD)는 텔레비젼 및 그래픽 디스플레이 등의 표시장치에 이용된다. 특히, 각 화소마다 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor : 이하, TFT)와 같은 스위칭 소자가 구비되는 액티브 매트릭스형 LCD는 고속 응답 특성을 갖으며, 아울러, 높은 화소수에 적합하기 때문에 CRT(Cathode Ray Tube)에 필적할만한 표시 화면의 고화질화 및 대형화, 컬러화 등을 실현하는데 크게 기여하고 있다.
상기한 TFT LCD에서 고화질의 표시 화면을 얻기 위해서는 개구율의 향상이 우선적이며, 이에 따라, 종래에는 LCD의 개구율을 향상시키기 위한 방법으로서, 화소 전극이라 불리우는 투명 금속으로된 ITO(Indium Tin Oxide) 전극을 화소 영역 전체에 걸쳐 배치시키는 구조가 제안되었다.
도 1은 종래 고개구율 LCD의 단위셀을 도시한 평면도로서, 도시된 바와 같이, 게이트 라인(2)은 행방향으로 배치되어 있고, 이와 평행하게 소정 간격 이격된 위치에 보조용량 라인(4)이 배치되어 있으며, 데이터 라인(8)은 게이트 라인(2) 및 보조용량 라인(4)을 수직으로 지나도록 배치되어 있다.
그리고, 게이트 라인(2)과 데이터 라인(8)의 교차점에 인접된 상기 게이트 라인(2) 상에는 패턴의 형태로 반도체층(6)이 형성되어 있고, 데이터 라인(8)으로부터 인출되어진 드레인 전극(9a)과 상기 데이터 라인(8)의 형성시에 함께 형성된 소오스 전극(9b)이 서로 대향하여 상기 반도체층(6)과 소정 부분 오버랩되도록 배치되어 TFT를 구성하고 있다.
또한, 게이트 라인(2)과 데이터 라인(8)에 의해 한정된 화소 영역에는 ITO로된 화소 전극(12)이 배치되어 있으며, 이때, 화소 전극(12)은 소오스 전극(9b)과 콘택됨은 물론 게이트 라인(2) 및 데이터 라인(8)과 오버랩되게 화소 영역 전체에 걸쳐 배치되어 있다.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ′선을 따라 절단하여 나타낸 단면도로서, 이를 참조하여 상기한 고개구율 TFT LCD의 제조방법을 설명하면 다음과 같다. 여기서, 도 1과 동일한 부분은 동일한 도면 부호로 표시한다.
도시된 바와 같이, 유리기판(1) 상에 소정 간격 이격된 위치에 게이트 라인 및 보조용량 라인의 일부부인 게이트 전극(2a)과 보조용량 전극(4a)이 형성되고, 이러한 유리기판(1)의 전면에는 게이트 절연막(5)이 도포된다.
그리고, 게이트 전극(2) 상부의 게이트 절연막(5) 상에는 패턴의 형태로 반도체층(6)이 형성되며, 이 반도체층(5)의 일측 및 타측 상에는 소오스/드레인 전극(10a, 10b)이 형성되어 TFT가 구성된다.
또한, 상기한 구조물이 형성된 유리기판(1)의 전면 상에는 저유전상수 물질, 예를 들어, 레진막(11)이 비교적 두껍게 도포되며, 이 레진막(11)에는 소오스 전극(9b)을 노출시키는 콘택홀이 형성되고, 상기 레진막(11) 상에는 화소 영역에 해당하는 부분에 콘택홀을 통해 상기 소오스 전극(9b)과 콘택됨과 동시에 게이트 전극(2a) 및 데이터 라인(8)과 오버랩되게 화소전극(12)이 형성된다.
그러나, 상기와 같은 고개구율 TFT LCD에서는 유기절연막인 레진막과 무기물인 ITO 금속막간의 불량한 계면 접착성으로 인하여, ITO 금속막의 식각시에 선폭의 제어가 어려움은 물론 드레인 전극과 콘택되는 ITO 금속막 부분의 결합력이 레진막과 콘택되는 다른 부분에서의 결합력 보다 큰 것에 기인하여 레진막과 콘택되는 ITO 금속막 부분에서 피링 오프(Peeling Off)가 발생되는 문제점이 있었다.
따라서, 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 본 발명은, ITO 금속막의 선폭 제어를 용이하게 할 수 있는 고개구율 TFT LCD의 제조방법을 제공하는데, 그 목적이 있다.
도 1은 종래 고개구율 액정표시소자의 단위셀을 도시한 평면도.
도 2는 도 1의 Ⅱ-Ⅱ′선을 따라 절단하여 도시한 단면도.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법을 설명하기 위한 도면.
(도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명)
20 : 유리기판 21 : 신호 전극
22 : 제1유기절연막 23 : 제1콘택홀
24 : 제1화소전극 25 : 제2유기절연막
26 : 제2콘택홀 27 : 제2화소전극
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 고개구율 TFT LCD의 화소전극 형성방법은, TFT가 구비된 유리기판을 제공하는 단계; 상기 TFT가 덮혀지도록 유리기판 전면 상에 제1유기절연막을 도포한 후, 이를 경화시키는 단계; 상기 제1유기절연막에 대한 식각 공정을 실시하여 상기 TFT의 신호전극 부분을 노출시키는 제1콘택홀을 형성하는 단계; 상기 제1콘택홀의 내벽 및 이에 인접된 제1유기절연막 부분 상에 ITO 금속막으로 되어 상기 노출된 박막 트랜지스터 신호전극 부분과 콘택되는 제1화소전극을 형성하는 단계; 상기 제1화소전극을 포함한 제1유기절연막 상에 제2유기절연막을 도포한 후, 이를 경화시키는 단계; 상기 제2유기절연막에 대한 식각 공정을 실시하여 상기 제2유기절연막에 상기 제1화소전극을 노출시키는 제2콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 제2콘택홀의 내벽 및 화소영역에 해당하는 제2유기절연막 부분 상에 ITO 금속막으로 되어 상기 제1화소전극과 콘택되는 제2화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 유기절연막을 2단계에 걸쳐 형성함과 동시에 ITO 금속막도 2단계에 걸쳐 형성하기 때문에 상기 ITO 금속막이 받게 되는 스트레스를 최대한 감소시킬 수 있으며, 이에 따라, ITO 금속막의 선폭 제어를 용이하게 할 수 있다.
이하, 첨부한 도면에 의거하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하도록 한다.
도 3a 및 도 3b는 본 발명의 실시예에 따른 고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법을 설명하기 위한 공정 단면도이다.
우선, 도 3a에 도시된 바와 같이, TFT(도시안됨)가 형성된 유리기판(20) 상에 제1유기절연막(22)을 도포하고, 이어서, 하고, 베이크 또는 큐어링 공정을 실시하여 상기 제1유기절연막(22)을 경화시킨다. 이때, 제1절연막(22)의 두께는 통상의 고개구율 LCD의 제조시에 도포되는 유기절연막 두께의 절반에 해당하는 두께로 도포한다.
그런 다음, 제1유기절연막(22)에 대한 식각 공정을 수행하여 상기 제1유기절연막(22)에 TFT의 신호전극(21)을 노출시키는 제1콘택홀(23)을 형성하고, 이어서, 공지된 공정을 통해 노출된 TFT의 신호전극(21)과 콘택되게 제1콘택홀(23)의 내벽 및 이에 인접된 제1유기절연막(22) 부분 상에 ITO 금속막으로된 제1화소전극(24)을 형성한다.
다음으로, 도 3b에 도시된 바와 같이, 전체 상부에 제1유기절연막(22)의 두께와 거의 유사한 두께로 제2유기절연막(25)을 도포하고, 상기와 마찬가지로 베이크 및 큐어링 공정을 통해 상기 제2유기절연막(25)을 경화시킨다.
그런 다음, 제2유기절연막(25)에 대한 식각 공정을 실시하여 상기 제2유기절연막(25)의 소정 부분에 제1화소전극(24)을 노출시키는 제2콘택홀(26)을 형성하고, 이어서, 전체 상부에 ITO 금속막을 소정 두께로 증착한 후에 이를 패터닝하여 제2유기절연막(25) 상에 상기 제1화소전극(24)과 콘택되는 제2화소전극(27)을 형성한다.
상기에서, 유기절연막에 대한 경화 공정은 종래 보다 얇은 두께의 유기절연막을 경화시키는 것이기 때문에 상기 유기절연막의 경화성을 향상시킬 수 있게 된다. 이에 따라, 경화된 유기절연막과 ITO 금속막간의 접착력을 향상시킬 수 있는 것에 기인하여 ITO 금속막의 식각시에 상기 ITO 금속막이 받게 되는 스트레스를 감소시킬 수 있게 된다.
즉, 신호 전극과 ITO 금속막간의 결합력이 유기절연막과 ITO 금속막간의 결합력 보다 큰 것에 기인하여 종래에는 유기절연막의 두께가 두껍기 때문에 ITO 금속막의 식각 후에 유기절연막 상에 놓여지는 ITO 금속막 부분이 신호전극과 콘택된 부분에 비해 더 큰 스트레스를 받게 되지만, 본 발명에서처럼 유기절연막의 두께를 얇게 할 경우에는 유기절연막 상에 놓이는 ITO 금속막 부분이 받게 되는 스트레스를 감소시킬 수 있게 된다.
따라서, ITO 금속막이 받게 되는 스트레스를 감소시킬 수 있기 때문에 ITO 금속막으로 형성되는 화소전극의 선폭 제어가 용이하게 되며, 아울러, ITO 금속막과 유기절연막간의 접착성 불량으로 인한 결함 발생을 감소시킬 수 있게 된다.
한편, 도시되지는 않았지만, 보조용량 라인과 콘택되는 화소전극 부분도 상기와 동일한 방법을 통해 형성할 수 있으며, 이 경우에도 화소전극의 불량을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에서는 2단계에 걸쳐 화소전극을 형성하는 방법을 도시하고 설명하였지만, 2단계 이상의 공정을 통해 화소전극을 형성하는 것도 가능하다.
이상에서 설명된 바와 같이, 본 발명은 고개구율 LCD의 제조시에 2단계에 걸쳐 유기절연막 및 화소전극을 형성함으로써, 유기절연막과 ITO 금속막간의 계면 접착성을 향상시킬 수 있으며, 이에 따라, 화소전극이 받게 되는 스트레스를 감소시킬 수 있기 때문에 상기 화소전극의 선폭 제어가 용이하게 되며, 아울러, 결함 발생을 감소시킬 수 있다.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.

Claims (1)

  1. 박막 트랜지스터가 구비된 유리기판을 제공하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터가 덮혀지도록 유리기판 전면 상에 제1유기절연막을 도포한 후, 이를 경화시키는 단계;
    상기 제1유기절연막에 대한 식각 공정을 실시하여 상기 박막 트랜지스터의 신호전극 부분을 노출시키는 제1콘택홀을 형성하는 단계;
    상기 제1콘택홀의 내벽 및 이에 인접된 제1유기절연막 부분 상에 ITO 금속막으로 되어 상기 노출된 박막 트랜지스터 신호전극 부분과 콘택되는 제1화소전극을 형성하는 단계;
    상기 제1화소전극을 포함한 제1유기절연막 상에 제2유기절연막을 도포한 후, 이를 경화시키는 단계;
    상기 제2유기절연막에 대한 식각 공정을 실시하여 상기 제2유기절연막에 상기 제1화소전극을 노출시키는 제2콘택홀을 형성하는 단계; 및
    상기 제2콘택홀의 내벽 및 화소영역에 해당하는 제2유기절연막 부분 상에 ITO 금속막으로 되어 상기 제1화소전극과 콘택되는 제2화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고개구율 액정표시소자의 화소전극 형성방법.
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3230664B2 (ja) * 1998-04-23 2001-11-19 日本電気株式会社 液晶表示装置とその製造方法
JP2002311448A (ja) * 2001-02-06 2002-10-23 Advanced Display Inc 液晶表示装置及びその製造方法
KR20040043116A (ko) 2001-04-10 2004-05-22 사르노프 코포레이션 유기 박막 트랜지스터를 이용한 고성능 액티브 매트릭스화소 제공방법 및 제공장치
US7358104B2 (en) * 2002-10-08 2008-04-15 Samsung Electornics Co., Ltd. Contact portion of semiconductor device, and thin film transistor array panel for display device including the contact portion
KR100731045B1 (ko) * 2003-06-17 2007-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101427582B1 (ko) * 2007-12-12 2014-08-08 삼성디스플레이 주식회사 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
JP6347937B2 (ja) * 2013-10-31 2018-06-27 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR102383745B1 (ko) * 2016-11-11 2022-04-08 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN107275344B (zh) * 2017-06-28 2019-12-31 武汉华星光电技术有限公司 低温多晶硅阵列基板及其制作方法
CN109390277B (zh) * 2017-08-11 2021-03-16 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3307150B2 (ja) * 1995-03-20 2002-07-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
US4589733A (en) 1984-06-29 1986-05-20 Energy Conversion Devices, Inc. Displays and subassemblies having improved pixel electrodes
US5461501A (en) * 1992-10-08 1995-10-24 Hitachi, Ltd. Liquid crystal substrate having 3 metal layers with slits offset to block light from reaching the substrate
JP3051627B2 (ja) 1993-02-03 2000-06-12 シャープ株式会社 表示装置およびその製造方法
US5734452A (en) 1994-09-26 1998-03-31 Sharp Kabushiki Kaisha Two-terminal non-linear resistive device and a method for producing the same in which nickel or iron is an impurity in the zinc sulfide layer
JPH08122768A (ja) * 1994-10-19 1996-05-17 Sony Corp 表示装置
JP3133228B2 (ja) 1995-03-31 2001-02-05 シャープ株式会社 表示装置
JP3130761B2 (ja) 1995-05-15 2001-01-31 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
US6081305A (en) * 1995-05-30 2000-06-27 Hitachi, Ltd. Liquid crystal light valve and projection type liquid crystal display using such valve
US5990988A (en) * 1995-09-01 1999-11-23 Pioneer Electric Corporation Reflection liquid crystal display and a semiconductor device for the display
JP3700948B2 (ja) 1995-11-30 2005-09-28 大日本印刷株式会社 ホログラムを用いた液晶ディスプレイ装置
JP3191085B2 (ja) * 1996-01-29 2001-07-23 株式会社日立製作所 反射型液晶表示素子および液晶表示装置
JPH09311342A (ja) * 1996-05-16 1997-12-02 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置
KR100229618B1 (ko) 1996-10-09 1999-11-15 구자홍 마이크로렌즈를 가지는 액정표시장치
JPH10170902A (ja) 1996-12-06 1998-06-26 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US6307611B1 (en) 2001-10-23

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