KR950002075A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

액정장치와 같은 전기-광학장치는 투광기판 및 픽셀전극을 구동시키기 위한 다수의 박막트랜지스터를 포함한다.
박막트랜지스터상에 입사되는 바람직하지 못한 빛의 영향을 방지하기 위해, 차광층의 박막트랜지스터 및 투광기판사이에 위치된다. 픽셀전극을 상응하는 차광층의 다른 부분은 층을 선택적으로 산화 또는 질화시킴으로써 투광성으로 바뀔 수 있다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명의 실시예에 따라 얻어진 TFT를 보여주는 평면도를 나타낸다.

Claims (23)

  1. 투광기판상에 차광층을 형성하는 것; 상기 차광층의 제 1 부분상에 반도체섬을 형성하는 것; 및 상기 차광층의 제 2 부분을 산화하여 상기 제 2 부분을 투광성으로 만드는 것을 포함하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  2. 투광기판상에 차광층을 형성하는 것; 상기 차광층의 제 1 부분상에 반도체섬을 형성하는 것; 상기 차광층의 제 2 부분을 질화하여 상기 제 2 부분을 투광성으로 만드는 것을 포함하는 반도체 장치를 제조하는 방법.
  3. 제 1 항 또는제 2 항에 있어서, 상기 제 2 부분상에 투광의 픽셀전극을 형성하는 단계로 추가로 포함하는 제조방법.
  4. 제 1 항 또는제 2 항에 있어서, 상기 차광물질이 실리콘, 알루미늄, 티타늄, 몰리브덴, 탄탈 및 텅스텐으로 구성되는 그룹에서 선택되는 물질을 포함하는 제조방법.
  5. 제 1 항 또는제 2 항에 있어서, 상기 차광물질 P, As, B 또는 Al으로 도핑된 실리콘을 포함하는 제조방법.
  6. 절연표면상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체섬을 형성하는 단계; 상기 반도체섬의 주변 부분을 산화시켜서 상기 부분을 절연시키는단계; 상기 주변 부분을 포함하는 상기 반도체섬상에 게이트 절연물을 형성하기 위해 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 채널 영역 위의 상기 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계로서, 상기 게이트 전극이 반도체섬의 상기 주변 부분을 넘어 연장하는 단계를 포함하는 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  7. 절연표면상에 채널 영역, 소스 영역 및 드레인 영역을 포함하는 반도체섬을 형성하는 단계; 상기 반도체섬의 주변 부분을 질화시켜서 상기 부분을 절연시키는단계; 상기 주변 부분을 포함하는 상기 반도체섬상에 게이트 절연물을 형성하기 위해 절연막을 형성하는 단계; 및 상기 채널 영역 위의 상기 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계로서, 상기 게이트 전극이 반도체섬의 상기 주변 부분을 넘어 연장하는 단계를 포함하는 절연게이트 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  8. 투광기판; 상기 투광기판상에 형성된 기저층; 및 상기 기저층상에 형성된 광민감성의 반도체층을 포함하는 적어도 하나의 반도체 장치를 포함하고, 상기 기저층이 제 1 부분 및 제 2 부분을 포함하며, 상기 제 1 부분이 상기 반도체 장치 아래에 위치하고 차광되는 반면에 상기 제 2 부분이 투광성이 되고 상기 제 1부분과 같은 물질의 산화물, 질화물 또는 질화 산화물을 포함하는 전기-광학장치.
  9. 제 8 항에 있어서, 기저층의 상기 제 1 부분이 산화 또는 질화 즉시 투광성이 될 수 있는 물질을 포함하는 전기-광학장치.
  10. 제 8 항에 있어서, 상기 반도체층이 실리콘을 포함하는 전기-광학장치.
  11. 제 8 항에 있어서, 상기 기판이 유리를 포함하는 전기-광학장치.
  12. 투광기판; 상기 투광기판상에 형성되는 기저막으로서, 제 1 부분 및 제 2 부분을 포함하며, 상기 제 1 부분이 차광 도핑된 실리콘을 포함하는 반면에 상기 제 2 부분이 산화규소, 질화규소 및 산질화규소(siliconoxinitride)로 구성되는 그룹으로부터 선택된 투광물질을 포함하는 기저막; 상기 기저막상에 형성되는 절연막; 및 상기 절연막상에 형성되고, 기저막의 상기 제 1부분 위에 위치되는 박막트랜지스터를 포함하는 전기-광학장치.
  13. 제12항에 있어서, 상기 기저막이 제 2 부분 위에 형성되는 픽셀전극을 추가로 포함하는 전기-광학장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 도핑된 실리콘막이 200-500Å인 전기-광학장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 기판이 유리를 포함하는 전기-광학장치.
  16. 투광기판; 상기 투공기판상에 형성되는 기저막으로서, 제 1 부분 및 제 2 부분을 포함하고, 상기 제 1 부분이 차광 알루미늄을 포함하는 반면에 상기 제 2 부분이 산화알루미늄, 질화알루미늄 및 산질화알루미늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 투광물질을 포함하는 기저막; 상기 기저막상에 형성된 절연막; 산화 실리콘막상에 형성되고, 기저막의 상기 제 1 부분 위에 위치되는 박막트랜지스터를 포함하는 전기-광학장치.
  17. 제16항에 있어서, 상기 기저막의 제 2 부분 위에 형성되는 픽셀전극을 추가로 포함하는 전기-광학장치.
  18. 제16항에 있어서, 상기 기판이 유리를 포함하는 전기-광학장치.
  19. 제 1 투광기판; 상기 제 1 기판의 내부표면상에 형성되는 다수의 팩셀전극들; 각각의 상기 픽셀전극들에 대해 상기 기판의 내부 표면상에 형성되는 다수의 박막트랜지스터; 상기 제 1 기판의 내부표면을 마주보는 제 2 투광기판; 상기 제1 및 제 2 기판사이에 위치하는 광조절 매개체, 및 광이 상기 제 1 기판으로부터 상기 광조절 층으로 입사되도록 하기 위해 상기 제 1 기판의 외부 측상에 제공된 광원을 포함하고, 상게 광이 상기 박막트랜지스터 및 상기 기판사이에 형성되는 차광층에 의해 상기 박막트랜지스터상에 입사되지 못하게 되는 전기-광학장치.
  20. 제19항에 있어서, 상기 픽셀전극 및 상기 제 1 기판사이에 존재하는 상기 차광층의 한 부분이 투광성으로 전환되는 전기-광학장치.
  21. 제20항에 있어서, 차광층의 그 부분이 상기 부분을 산화 또는 질화시킴에 의해 형성되는 전기-광학장치.
  22. 제21항에 있어서, 상기 광조절층을 포함하는 전기-광학장치.
  23. 제19항에 있어서, 상기 차광층이 도핑된 실리콘, 알루미늄, 텅스텐, 탄탈, 몰리브덴 및 티타늄으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하는 전기-광학장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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