JP2001274138A - 半導体装置及びエッチング方法 - Google Patents
半導体装置及びエッチング方法Info
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
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- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
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-
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 製造コストが低く、Ｃｌ２等の毒性の強い物
質を使用せずに、かつ、エッチング装置の稼働率を低下
させずに製造することができ、さらに、様々なエッチン
グ装置で製造することができる半導体装置、及びエッチ
ング方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板２にチタンナイトライド膜３１
を形成し、このチタンナイトライド膜３１をエッチング
して光遮光膜３を形成する。
質を使用せずに、かつ、エッチング装置の稼働率を低下
させずに製造することができ、さらに、様々なエッチン
グ装置で製造することができる半導体装置、及びエッチ
ング方法を提供する。 【解決手段】ガラス基板２にチタンナイトライド膜３１
を形成し、このチタンナイトライド膜３１をエッチング
して光遮光膜３を形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光遮光膜を有する
半導体装置、及びチタンナイトライドを有する膜をエッ
チングするエッチング方法に関する。
半導体装置、及びチタンナイトライドを有する膜をエッ
チングするエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔ
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を積極的に用いた液晶表示装置が
普及してきた。このＴＦＴは、大きく分けて、トップゲ
ート型ＴＦＴとボトムゲート型ＴＦＴとの２種類のＴＦ
Ｔに分けられる。この２種類のＴＦＴのうち、トップゲ
ート型ＴＦＴは、ボトムゲート型ＴＦＴと比較して、低
コストで製造できるという利点があるため、この利点を
重視する場合は、トップゲート型ＴＦＴが用いられる。
このトップゲート型ＴＦＴは光遮光膜を備えている。こ
の光遮光膜の材料として、例えばＭｏ−Ｃｒ（モリブデ
ン−クロム）が用いられている。
ｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を積極的に用いた液晶表示装置が
普及してきた。このＴＦＴは、大きく分けて、トップゲ
ート型ＴＦＴとボトムゲート型ＴＦＴとの２種類のＴＦ
Ｔに分けられる。この２種類のＴＦＴのうち、トップゲ
ート型ＴＦＴは、ボトムゲート型ＴＦＴと比較して、低
コストで製造できるという利点があるため、この利点を
重視する場合は、トップゲート型ＴＦＴが用いられる。
このトップゲート型ＴＦＴは光遮光膜を備えている。こ
の光遮光膜の材料として、例えばＭｏ−Ｃｒ（モリブデ
ン−クロム）が用いられている。
【０００３】この光遮光膜は、ガラス基板に、光遮光膜
の材料であるＭｏ−Ｃｒを堆積し、この堆積したＭｏ−
Ｃｒをエッチングすることにより形成される。ところ
が、この堆積したＭｏ−Ｃｒを単純にエッチングして光
遮光膜を形成すると、この光遮光膜を覆うように例えば
絶縁膜を積層した場合、この光遮光膜のエッジの部分
で、この絶縁膜のステップカバレージが悪くなってしま
うという問題がある。この問題を解決するためには、光
遮光膜のエッジ部の形状をテーパ形状とすればよい。光
遮光膜のエッジ部をテーパ形状とすることにより、光遮
光膜の直上に形成される膜のステップカバレージを良好
にすることができる。
の材料であるＭｏ−Ｃｒを堆積し、この堆積したＭｏ−
Ｃｒをエッチングすることにより形成される。ところ
が、この堆積したＭｏ−Ｃｒを単純にエッチングして光
遮光膜を形成すると、この光遮光膜を覆うように例えば
絶縁膜を積層した場合、この光遮光膜のエッジの部分
で、この絶縁膜のステップカバレージが悪くなってしま
うという問題がある。この問題を解決するためには、光
遮光膜のエッジ部の形状をテーパ形状とすればよい。光
遮光膜のエッジ部をテーパ形状とすることにより、光遮
光膜の直上に形成される膜のステップカバレージを良好
にすることができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】光遮光膜の材料にＭｏ
−Ｃｒを用いた場合、光遮光膜のエッジ部にテーパ形状
を持たせるためには、Ｍｏ−Ｃｒを堆積した後に、この
堆積したＭｏ−ＣｒをＣｌ２（塩素）ガスでドライエッ
チングする必要がある。従って、ドライエッチング装置
に腐食防止処理を施す必要があり、設備コストが高くな
るという問題がある。また、Ｃｌ２ガスは毒性の強いガ
スであるため、慎重な取扱いが要求される。さらに、Ｃ
ｌ２ガスでドライエッチングすると、チャンバ内が汚れ
やすくなるため、チャンバ内を頻繁にクリーニングする
必要がある。従って、ドライエッチング装置の稼働率が
低下してしまうという問題がある。
−Ｃｒを用いた場合、光遮光膜のエッジ部にテーパ形状
を持たせるためには、Ｍｏ−Ｃｒを堆積した後に、この
堆積したＭｏ−ＣｒをＣｌ２（塩素）ガスでドライエッ
チングする必要がある。従って、ドライエッチング装置
に腐食防止処理を施す必要があり、設備コストが高くな
るという問題がある。また、Ｃｌ２ガスは毒性の強いガ
スであるため、慎重な取扱いが要求される。さらに、Ｃ
ｌ２ガスでドライエッチングすると、チャンバ内が汚れ
やすくなるため、チャンバ内を頻繁にクリーニングする
必要がある。従って、ドライエッチング装置の稼働率が
低下してしまうという問題がある。
【０００５】ところで、このドライエッチングする装置
としては、ＰＥ（プラズマエッチング）装置や、ＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）装置等があるが、光遮光膜
の材料にＭｏ−Ｃｒを用いた場合、ＲＩＥ装置では、光
遮光膜のエッジ部に良好なテーパ形状を持たせることが
できるが、一方、ＰＥ装置では、良好なテーパ形状を有
する光遮光膜を形成することは難しい。従って、光遮光
膜の材料にＭｏ−Ｃｒを用いた場合、光遮光膜に良好な
テーパ形状を持たせるためには、ＲＩＥ装置を使用しな
ければならず、ドライエッチング装置の種類が制限を受
けてしまうという問題もある。さらに、Ｍｏ−Ｃｒは比
較的高価な材料であり、材料コストもかかるという問題
がある。
としては、ＰＥ（プラズマエッチング）装置や、ＲＩＥ
（反応性イオンエッチング）装置等があるが、光遮光膜
の材料にＭｏ−Ｃｒを用いた場合、ＲＩＥ装置では、光
遮光膜のエッジ部に良好なテーパ形状を持たせることが
できるが、一方、ＰＥ装置では、良好なテーパ形状を有
する光遮光膜を形成することは難しい。従って、光遮光
膜の材料にＭｏ−Ｃｒを用いた場合、光遮光膜に良好な
テーパ形状を持たせるためには、ＲＩＥ装置を使用しな
ければならず、ドライエッチング装置の種類が制限を受
けてしまうという問題もある。さらに、Ｍｏ−Ｃｒは比
較的高価な材料であり、材料コストもかかるという問題
がある。
【０００６】本発明は、上記の事情に鑑み、製造コスト
が低く、Ｃｌ２等の毒性の強い物質を使用せずに、か
つ、エッチング装置の稼働率を低下させずに製造するこ
とができ、さらに、様々なエッチング装置で製造するこ
とができる半導体装置、及びエッチング方法を提供する
ことを目的とする。
が低く、Ｃｌ２等の毒性の強い物質を使用せずに、か
つ、エッチング装置の稼働率を低下させずに製造するこ
とができ、さらに、様々なエッチング装置で製造するこ
とができる半導体装置、及びエッチング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体装置は、ゲート電極と、上記ゲート電極の下
部に形成されたアモルファスシリコン膜又はポリシリコ
ン膜と、上記アモルファスシリコン膜又はポリシリコン
膜の下部に形成され、チタンナイトライドを有する光遮
光膜とを備えたことを特徴とする。
明の半導体装置は、ゲート電極と、上記ゲート電極の下
部に形成されたアモルファスシリコン膜又はポリシリコ
ン膜と、上記アモルファスシリコン膜又はポリシリコン
膜の下部に形成され、チタンナイトライドを有する光遮
光膜とを備えたことを特徴とする。
【０００８】本発明の半導体装置が備えている光遮光膜
は、チタンナイトライドを有している。従って、本発明
の半導体装置は、光遮光膜の材料に、チタンナイトライ
ドが用いられている。ここで、チタンナイトライドを堆
積し、この堆積したチタンナイトライドをドライエッチ
ングして光遮光膜を形成する場合について考える。この
ように、光遮光膜の材料にチタンナイトライドを用いる
と、エッチングガスとしてＣｌ２ガスの代わりに例えば
ＳＦ６ガスを用いても、堆積したチタンナイトライドを
テーパ形状に容易にエッチングすることができる。つま
り、光遮光膜の材料にチタンナイトライドを用いること
により、Ｃｌ２ガスを用いなくても、テーパ形状の光遮
光膜を容易に形成することができる。従って、エッチン
グ装置に腐食防止処理を施す必要はなく、設備コストを
低く抑えることができる。また、エッチングガスとし
て、Ｃｌ２ガス等の毒性の強いガスを使用しなくてもよ
いため、エッチングガスの取り扱いが容易になるという
利点がある。また、本発明では、エッチングガスとし
て、例えばＳＦ６ガス等のフッ素系ガスを用いることが
できるため、チャンバ内が汚染されにくくなる。従っ
て、チャンバのクリーニング頻度は少なくて済み、エッ
チング装置の稼働率を高くすることができる。また、光
遮光膜の材料にチタンナイトライドを用いた場合、例え
ばＰＥ装置等のＲＩＥ装置以外のエッチング装置を用い
ても、良好なテーパ形状を有する光遮光膜を容易に形成
することができる。さらに、チタンナイトライドは、Ｍ
ｏ−Ｃｒと比較して安価な材料であり、材料コストの削
減が図られる。
は、チタンナイトライドを有している。従って、本発明
の半導体装置は、光遮光膜の材料に、チタンナイトライ
ドが用いられている。ここで、チタンナイトライドを堆
積し、この堆積したチタンナイトライドをドライエッチ
ングして光遮光膜を形成する場合について考える。この
ように、光遮光膜の材料にチタンナイトライドを用いる
と、エッチングガスとしてＣｌ２ガスの代わりに例えば
ＳＦ６ガスを用いても、堆積したチタンナイトライドを
テーパ形状に容易にエッチングすることができる。つま
り、光遮光膜の材料にチタンナイトライドを用いること
により、Ｃｌ２ガスを用いなくても、テーパ形状の光遮
光膜を容易に形成することができる。従って、エッチン
グ装置に腐食防止処理を施す必要はなく、設備コストを
低く抑えることができる。また、エッチングガスとし
て、Ｃｌ２ガス等の毒性の強いガスを使用しなくてもよ
いため、エッチングガスの取り扱いが容易になるという
利点がある。また、本発明では、エッチングガスとし
て、例えばＳＦ６ガス等のフッ素系ガスを用いることが
できるため、チャンバ内が汚染されにくくなる。従っ
て、チャンバのクリーニング頻度は少なくて済み、エッ
チング装置の稼働率を高くすることができる。また、光
遮光膜の材料にチタンナイトライドを用いた場合、例え
ばＰＥ装置等のＲＩＥ装置以外のエッチング装置を用い
ても、良好なテーパ形状を有する光遮光膜を容易に形成
することができる。さらに、チタンナイトライドは、Ｍ
ｏ−Ｃｒと比較して安価な材料であり、材料コストの削
減が図られる。
【０００９】また、チタンナイトライドは、酸化されに
くい材料であるため、光遮光膜を形成した後でも、この
光遮光膜の表面に酸化膜は形成されにくい。このため、
光遮光膜に積層される膜の特性が変化しにくく、半導体
装置に所望の特性を容易に持たせることができるという
利点がある。この点については、後に詳しく説明する。
くい材料であるため、光遮光膜を形成した後でも、この
光遮光膜の表面に酸化膜は形成されにくい。このため、
光遮光膜に積層される膜の特性が変化しにくく、半導体
装置に所望の特性を容易に持たせることができるという
利点がある。この点については、後に詳しく説明する。
【００１０】ここで、本発明の半導体装置は、上記光遮
光膜のエッジ部がテーパ形状であることが好ましい。
光膜のエッジ部がテーパ形状であることが好ましい。
【００１１】光遮光膜のエッジ部をテーパ形状にするこ
とにより、光遮光膜のエッジ部において、この光遮光膜
の直上に形成される膜のステップカバレージを良好にす
ることができる。
とにより、光遮光膜のエッジ部において、この光遮光膜
の直上に形成される膜のステップカバレージを良好にす
ることができる。
【００１２】ここで、本発明の半導体装置は、上記光遮
光膜のエッジ部のテーパ角が４５度以下であることが好
ましい。
光膜のエッジ部のテーパ角が４５度以下であることが好
ましい。
【００１３】テーパ角を４５度以下にすることにより、
ステップカバレージをさらに良好にすることができる。
ステップカバレージをさらに良好にすることができる。
【００１４】また、本発明の半導体装置は、上記光遮光
膜が、チタンナイトライドを有する単層膜であってもよ
いし、チタンを有する第１の膜と、上記第１の膜に積層
され、チタンナイトライドを有する第２の膜とを備えた
積層膜であってもよい。
膜が、チタンナイトライドを有する単層膜であってもよ
いし、チタンを有する第１の膜と、上記第１の膜に積層
され、チタンナイトライドを有する第２の膜とを備えた
積層膜であってもよい。
【００１５】光遮光膜は、この光遮光膜の材料を基板上
に堆積し、この堆積した光遮光膜の材料をエッチングす
ることにより形成される。この堆積した膜をエッチング
するときのエッチング条件は、堆積した材料の種類やエ
ッチング方法などにより様々に変化するが、光遮光膜を
単層膜にすることにより、エッチング条件を簡単にする
ことができる。一方、光遮光膜を積層膜にすると、エッ
チング条件はやや複雑になるものの、光遮光膜の膜厚を
薄くすることができ、半導体装置を薄型化することがで
きる。半導体装置を薄型化できる様子については後述す
る。
に堆積し、この堆積した光遮光膜の材料をエッチングす
ることにより形成される。この堆積した膜をエッチング
するときのエッチング条件は、堆積した材料の種類やエ
ッチング方法などにより様々に変化するが、光遮光膜を
単層膜にすることにより、エッチング条件を簡単にする
ことができる。一方、光遮光膜を積層膜にすると、エッ
チング条件はやや複雑になるものの、光遮光膜の膜厚を
薄くすることができ、半導体装置を薄型化することがで
きる。半導体装置を薄型化できる様子については後述す
る。
【００１６】また、本発明のエッチング方法は、基板上
に、チタンナイトライドを有する膜を形成し、上記膜
を、塩素を主成分とし酸素が添加された混合ガスでエッ
チングすることを特徴とする。
に、チタンナイトライドを有する膜を形成し、上記膜
を、塩素を主成分とし酸素が添加された混合ガスでエッ
チングすることを特徴とする。
【００１７】塩素を主成分とし酸素が添加された混合ガ
スでエッチングすることにより、チタンナイトライドを
有する膜を、テーパ形状にエッチングすることができ
る。
スでエッチングすることにより、チタンナイトライドを
有する膜を、テーパ形状にエッチングすることができ
る。
【００１８】ここで、本発明のエッチング方法は、上記
混合ガスの酸素の添加量が、塩素の含有量に対して１０
％〜１５％であることが好ましい。
混合ガスの酸素の添加量が、塩素の含有量に対して１０
％〜１５％であることが好ましい。
【００１９】酸素の添加量を１０％〜１５％にすること
により、チタンナイトライドを有する膜を、テーパ角が
４５度以下になるように容易にエッチングすることがで
きる。
により、チタンナイトライドを有する膜を、テーパ角が
４５度以下になるように容易にエッチングすることがで
きる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。
説明する。
【００２１】図１は、本発明のエッチング方法の一実施
形態を用いて製造された、本発明の半導体装置の一実施
形態であるＴＦＴ１を示す断面図である。
形態を用いて製造された、本発明の半導体装置の一実施
形態であるＴＦＴ１を示す断面図である。
【００２２】この図１には、液晶表示装置の液晶パネル
内に備えられるＴＦＴ１が示されている。以下、このＴ
ＦＴ１について、図１とともに、このＴＦＴ１の製造方
法が概略的に示されている図２〜図１０を参照しながら
説明する。
内に備えられるＴＦＴ１が示されている。以下、このＴ
ＦＴ１について、図１とともに、このＴＦＴ１の製造方
法が概略的に示されている図２〜図１０を参照しながら
説明する。
【００２３】このＴＦＴ１を製造するにあたっては、先
ず、ガラス基板２に光遮光膜３を形成する。このため、
スパッタ装置を用いて、ガラス基板２に、光遮光膜３の
材料であるチタンナイトライドを堆積する。
ず、ガラス基板２に光遮光膜３を形成する。このため、
スパッタ装置を用いて、ガラス基板２に、光遮光膜３の
材料であるチタンナイトライドを堆積する。
【００２４】図２は、スパッタ装置のチャンバにガラス
基板２をセットした様子を示す模式図、図３は、ガラス
基板２にチタンナイトライド膜３１を形成した様子を示
す断面図である。
基板２をセットした様子を示す模式図、図３は、ガラス
基板２にチタンナイトライド膜３１を形成した様子を示
す断面図である。
【００２５】このチャンバ２００内部には、基板ホルダ
２０１が備えられており、この基板ホルダ２０１の上部
には、ピュアチタンのターゲット２０２が備えられてい
る。ガラス基板２は基板ホルダ２０１にセットされる。
このチャンバ２００内部には、Ｎ２ガスが添加されたＡ
ｒガスが導入される。これにより、ガラス基板２に、チ
タンナイトライドが堆積し、図３に示すように、チタン
ナイトライド膜３１が形成される。ところで、後述する
図６に示すように、このチタンナイトライド膜３１をエ
ッチングすることにより、光遮光膜３が形成されるが、
チタンナイトライド膜３１の膜厚が薄すぎると、光遮光
膜３に十分な光遮光機能を持たせることができないた
め、チタンナイトライド膜３１の膜厚は、やや厚めにす
る必要がある。ここでは、チタンナイトライド膜３１の
膜厚を約１００ｎｍとする。尚、ここでは、チタンナイ
トライド膜３１は、化学式がＴｉＮとＴｉ２Ｎで表され
るチタンナイトライドが主成分となっている。
２０１が備えられており、この基板ホルダ２０１の上部
には、ピュアチタンのターゲット２０２が備えられてい
る。ガラス基板２は基板ホルダ２０１にセットされる。
このチャンバ２００内部には、Ｎ２ガスが添加されたＡ
ｒガスが導入される。これにより、ガラス基板２に、チ
タンナイトライドが堆積し、図３に示すように、チタン
ナイトライド膜３１が形成される。ところで、後述する
図６に示すように、このチタンナイトライド膜３１をエ
ッチングすることにより、光遮光膜３が形成されるが、
チタンナイトライド膜３１の膜厚が薄すぎると、光遮光
膜３に十分な光遮光機能を持たせることができないた
め、チタンナイトライド膜３１の膜厚は、やや厚めにす
る必要がある。ここでは、チタンナイトライド膜３１の
膜厚を約１００ｎｍとする。尚、ここでは、チタンナイ
トライド膜３１は、化学式がＴｉＮとＴｉ２Ｎで表され
るチタンナイトライドが主成分となっている。
【００２６】チタンナイトライド膜３１を形成した後、
このチタンナイトライド膜３１をパターニングするため
に、図４に示すように、チタンナイトライド膜３１にレ
ジスト膜３２を形成する。レジスト膜３２を形成した
後、ＰＥ（プラズマエッチング）装置を用いて、チタン
ナイトライド膜３１をエッチングする。
このチタンナイトライド膜３１をパターニングするため
に、図４に示すように、チタンナイトライド膜３１にレ
ジスト膜３２を形成する。レジスト膜３２を形成した
後、ＰＥ（プラズマエッチング）装置を用いて、チタン
ナイトライド膜３１をエッチングする。
【００２７】図５は、ＰＥ装置のチャンバにガラス基板
２をセットした様子を示す模式図、図６は、チタンナイ
トライド膜３１をエッチングした後の様子を示す断面図
である。
２をセットした様子を示す模式図、図６は、チタンナイ
トライド膜３１をエッチングした後の様子を示す断面図
である。
【００２８】図５に示すように、チャンバ４００内部に
は、平行に配置された上部電極板４０１及び下部電極板
４０２が備えられている。上部電極板４０１は高周波電
源４０３に接続され、下部電極板４０２はアースされて
いる。また、上部電極板４０１には多数のガス吹出し孔
（図示せず）が形成されている。ガラス基板２は、下部
電極板４０２にセットされる。ガラス基板２を下部電極
板４０２にセットした後、チャンバ４００内の圧力を２
００ｍＴｏｒｒとし、フッ素系ガスを主成分とするエッ
チングガスを用いて、チタンナイトライド膜３１をドラ
イエッチングする。ここでは、エッチングガスとして、
ＳＦ６のフッ素ガスにＯ２を添加したガスを用い、ＳＦ
６／Ｏ２＝４４０ｓｃｃｍ／６０ｓｃｃｍとする。この
条件でエッチングすることにより、図６に示すように、
テーパ角θが約４０度のテーパ部３ａを有し、膜厚が約
１００ｎｍの光遮光膜３が形成される。ここでは、フッ
素系ガスとしてＳＦ６ガスを用いているが、このＳＦ６
ガスの代わりに、例えばＣＦ４ガス等のＳＦ６以外のフ
ッ素系ガスを用いてもよい。尚、エッチングガスに用い
られるガスの種類は、エッチング条件により変更可能で
ある。さらに、チタンナイトライド膜３１をドライエッ
チングではなくウエットエッチングして、光遮光膜３に
良好なテーパ形状を持たせることも可能である。
は、平行に配置された上部電極板４０１及び下部電極板
４０２が備えられている。上部電極板４０１は高周波電
源４０３に接続され、下部電極板４０２はアースされて
いる。また、上部電極板４０１には多数のガス吹出し孔
（図示せず）が形成されている。ガラス基板２は、下部
電極板４０２にセットされる。ガラス基板２を下部電極
板４０２にセットした後、チャンバ４００内の圧力を２
００ｍＴｏｒｒとし、フッ素系ガスを主成分とするエッ
チングガスを用いて、チタンナイトライド膜３１をドラ
イエッチングする。ここでは、エッチングガスとして、
ＳＦ６のフッ素ガスにＯ２を添加したガスを用い、ＳＦ
６／Ｏ２＝４４０ｓｃｃｍ／６０ｓｃｃｍとする。この
条件でエッチングすることにより、図６に示すように、
テーパ角θが約４０度のテーパ部３ａを有し、膜厚が約
１００ｎｍの光遮光膜３が形成される。ここでは、フッ
素系ガスとしてＳＦ６ガスを用いているが、このＳＦ６
ガスの代わりに、例えばＣＦ４ガス等のＳＦ６以外のフ
ッ素系ガスを用いてもよい。尚、エッチングガスに用い
られるガスの種類は、エッチング条件により変更可能で
ある。さらに、チタンナイトライド膜３１をドライエッ
チングではなくウエットエッチングして、光遮光膜３に
良好なテーパ形状を持たせることも可能である。
【００２９】尚、本実施形態では、上記のように、光遮
光膜３を、チタンナイトライド膜３１をエッチングして
形成している。ところで、このチタンナイトライド膜３
１は、図２に示すように、チャンバ２００内にＡｒガス
だけでなくＮ２ガスも導入することにより成膜されてい
るが、例えば、チャンバ２００内にＮ２ガスを導入せず
に、単純にＡｒガスのみを導入すると、ガラス基板２に
は、チタンナイトライド膜３１の代わりに、チタン膜が
形成される。このように、チタンナイトライド膜３１の
代わりにチタン膜を形成し、このチタン膜を、図５に示
すチャンバ４００を用いてエッチングして光遮光膜を形
成することも考えられるが、この方法では、以下のよう
な欠点がある。
光膜３を、チタンナイトライド膜３１をエッチングして
形成している。ところで、このチタンナイトライド膜３
１は、図２に示すように、チャンバ２００内にＡｒガス
だけでなくＮ２ガスも導入することにより成膜されてい
るが、例えば、チャンバ２００内にＮ２ガスを導入せず
に、単純にＡｒガスのみを導入すると、ガラス基板２に
は、チタンナイトライド膜３１の代わりに、チタン膜が
形成される。このように、チタンナイトライド膜３１の
代わりにチタン膜を形成し、このチタン膜を、図５に示
すチャンバ４００を用いてエッチングして光遮光膜を形
成することも考えられるが、この方法では、以下のよう
な欠点がある。
【００３０】図７は、ガラス基板２に、チタンナイトラ
イド膜３１の代わりにチタン膜３００が形成された様子
を示す断面図である。
イド膜３１の代わりにチタン膜３００が形成された様子
を示す断面図である。
【００３１】ガラス基板２にチタン膜３００を形成した
後、光遮光膜を形成するためには、このチタン膜３００
をエッチングする必要があるが、チタン膜３００が形成
されたガラス基板２は、通常、このチタン膜３００のエ
ッチングを行うまでの間、大気中に保管される。チタン
は非常に酸化しやすく、このため、大気中にさらされる
ことで、チタン膜３００の表面には、図７に示すよう
に、酸化膜３０１が形成される。このように、酸化膜３
０１が形成されると、この酸化膜３０１によりチタン膜
３００の表面に凹凸が形成される。この凹凸が形成され
た状態でチタン膜３００をエッチングすると、表面に凹
凸を有する光遮光膜が形成されることになる。後述する
ように、光遮光膜は何層もの膜で覆われることになる
が、光遮光膜の表面に凹凸が形成された状態でこの光遮
光膜を覆ってしまうと、光遮光膜の凹凸の影響を受け
て、この光遮光膜を覆う膜の特性が微妙に変化してしま
い、結局、所望の特性をもつＴＦＴを製造することが難
しくなる。
後、光遮光膜を形成するためには、このチタン膜３００
をエッチングする必要があるが、チタン膜３００が形成
されたガラス基板２は、通常、このチタン膜３００のエ
ッチングを行うまでの間、大気中に保管される。チタン
は非常に酸化しやすく、このため、大気中にさらされる
ことで、チタン膜３００の表面には、図７に示すよう
に、酸化膜３０１が形成される。このように、酸化膜３
０１が形成されると、この酸化膜３０１によりチタン膜
３００の表面に凹凸が形成される。この凹凸が形成され
た状態でチタン膜３００をエッチングすると、表面に凹
凸を有する光遮光膜が形成されることになる。後述する
ように、光遮光膜は何層もの膜で覆われることになる
が、光遮光膜の表面に凹凸が形成された状態でこの光遮
光膜を覆ってしまうと、光遮光膜の凹凸の影響を受け
て、この光遮光膜を覆う膜の特性が微妙に変化してしま
い、結局、所望の特性をもつＴＦＴを製造することが難
しくなる。
【００３２】これに対し、本実施形態のように、チャン
バ内にＡｒガスだけでなくＮ２ガスも導入して、ガラス
基板２にチタンナイトライド膜３１を形成した場合、チ
タンナイトライドは、チタンと比較して酸化されにくい
ため、チタンナイトライド膜３１は、大気中にさらされ
ても酸化膜が形成されにくい。従って、チタンナイトラ
イド膜３１の表面に凹凸は形成されにくく、チタンナイ
トライド膜３１の表面を平坦な面に保持することができ
る。このため、このチタンナイトライド膜３１をエッチ
ングすることにより形成された光遮光膜３の表面は平坦
な面に保持される。従って、光遮光膜３を何層もの膜で
覆っても、これら膜の特性は変化しにくく、所望の特性
をもつＴＦＴを容易に製造することができる。
バ内にＡｒガスだけでなくＮ２ガスも導入して、ガラス
基板２にチタンナイトライド膜３１を形成した場合、チ
タンナイトライドは、チタンと比較して酸化されにくい
ため、チタンナイトライド膜３１は、大気中にさらされ
ても酸化膜が形成されにくい。従って、チタンナイトラ
イド膜３１の表面に凹凸は形成されにくく、チタンナイ
トライド膜３１の表面を平坦な面に保持することができ
る。このため、このチタンナイトライド膜３１をエッチ
ングすることにより形成された光遮光膜３の表面は平坦
な面に保持される。従って、光遮光膜３を何層もの膜で
覆っても、これら膜の特性は変化しにくく、所望の特性
をもつＴＦＴを容易に製造することができる。
【００３３】ところで、本実施形態では、チタン膜を形
成せずに、チタンナイトライド膜３１を形成することに
より、光遮光膜３の表面を平坦に保持しているが、チタ
ンナイトライド膜３１を形成する代わりに、図２におい
て、最初はチャンバ２００内にＮ２ガスを導入せずに単
純にＡｒガスのみを導入し、途中から、ＡｒガスにＮ ２
ガスを添加することにより、ガラス基板２に、チタンナ
イトライド膜／チタン膜の積層膜を形成してもよい。こ
の積層膜の表面は、チタンナイトライド膜で覆われてい
るため、この積層膜の表面は酸化されにくい。従って、
この積層膜の表面に凹凸は形成されにくく、積層膜の表
面を平坦な面に保持することができる。このため、この
積層膜をエッチングすることにより形成された光遮光膜
３の表面は平坦な面に保持され、やはり、所望の特性を
もつＴＦＴを容易に製造することができる。また、光遮
光膜３をチタンナイトライド膜／チタン膜の積層膜から
形成すると、積層膜が有するチタン膜が、チタンナイト
ライド膜よりも光を遮光する作用が強いため、チタンナ
イトライド膜の膜厚が薄くても、積層膜の表面の酸化を
抑えたまま、この積層膜に十分な光遮光機能を持たせる
ことができる。従って、光遮光膜３に十分な光遮光機能
を持たせたまま、この光遮光膜の厚さを薄くすることが
でき、ＴＦＴの薄型化を図ることができるという利点が
ある。チタンナイトライド膜／チタン膜の積層膜から形
成される光遮光膜に、約１００ｎｍの膜厚を有するチタ
ンナイトライド膜３１の単層膜から形成される光遮光膜
とほぼ同じ光遮光機能を持たせるためには、チタンナイ
トライド膜／チタン膜それぞれの膜厚を、例えば約１０
ｎｍ／約７０ｎｍにすればよい。また、必要であれば、
光遮光膜３を３層以上の積層膜で構成してもよい。
成せずに、チタンナイトライド膜３１を形成することに
より、光遮光膜３の表面を平坦に保持しているが、チタ
ンナイトライド膜３１を形成する代わりに、図２におい
て、最初はチャンバ２００内にＮ２ガスを導入せずに単
純にＡｒガスのみを導入し、途中から、ＡｒガスにＮ ２
ガスを添加することにより、ガラス基板２に、チタンナ
イトライド膜／チタン膜の積層膜を形成してもよい。こ
の積層膜の表面は、チタンナイトライド膜で覆われてい
るため、この積層膜の表面は酸化されにくい。従って、
この積層膜の表面に凹凸は形成されにくく、積層膜の表
面を平坦な面に保持することができる。このため、この
積層膜をエッチングすることにより形成された光遮光膜
３の表面は平坦な面に保持され、やはり、所望の特性を
もつＴＦＴを容易に製造することができる。また、光遮
光膜３をチタンナイトライド膜／チタン膜の積層膜から
形成すると、積層膜が有するチタン膜が、チタンナイト
ライド膜よりも光を遮光する作用が強いため、チタンナ
イトライド膜の膜厚が薄くても、積層膜の表面の酸化を
抑えたまま、この積層膜に十分な光遮光機能を持たせる
ことができる。従って、光遮光膜３に十分な光遮光機能
を持たせたまま、この光遮光膜の厚さを薄くすることが
でき、ＴＦＴの薄型化を図ることができるという利点が
ある。チタンナイトライド膜／チタン膜の積層膜から形
成される光遮光膜に、約１００ｎｍの膜厚を有するチタ
ンナイトライド膜３１の単層膜から形成される光遮光膜
とほぼ同じ光遮光機能を持たせるためには、チタンナイ
トライド膜／チタン膜それぞれの膜厚を、例えば約１０
ｎｍ／約７０ｎｍにすればよい。また、必要であれば、
光遮光膜３を３層以上の積層膜で構成してもよい。
【００３４】ここでは、光遮光膜３を、積層膜をエッチ
ングして形成するのではなく、チタンナイトライドを主
成分とする単層膜（チタンナイトライド膜３１）をエッ
チングして形成するとして話を続ける。このように、単
層膜をエッチングして光遮光膜を形成することにより、
エッチング条件を簡単にすることができるという利点が
ある。
ングして形成するのではなく、チタンナイトライドを主
成分とする単層膜（チタンナイトライド膜３１）をエッ
チングして形成するとして話を続ける。このように、単
層膜をエッチングして光遮光膜を形成することにより、
エッチング条件を簡単にすることができるという利点が
ある。
【００３５】図６に示すように光遮光膜３を形成した
ら、レジスト膜３２を剥離し、図８に示すように、Ｓｉ
Ｏ２膜４を形成する。図８に示すように、光遮光膜３の
エッジ部３ａは、良好なテーパ形状に形成されているた
め、このエッジ部３ａにおいて、ＳｉＯ２膜４のステッ
プカバレージは極めて良好となる。従って、表面の形状
が平坦なＳｉＯ２膜４を形成することができる。尚、本
実施形態では、光遮光膜３のエッジ部３ａのテーパ角を
約４０度とすることにより、ＳｉＯ２膜４に良好なステ
ップカバレージを持たせているが、一般には、テーパ角
が約４０度以上であっても、ＳｉＯ２膜４に良好なステ
ップカバレージを持たせることができる。ただし、テー
パ角が９０度に近くなってくると、それに伴いステップ
カバレージは悪くなってくるため、あまりテーパ角を大
きくすることはできない。通常は、テーパ角が約４５度
以下であれば、ステップカバレージを極めて良好にする
ことができる。
ら、レジスト膜３２を剥離し、図８に示すように、Ｓｉ
Ｏ２膜４を形成する。図８に示すように、光遮光膜３の
エッジ部３ａは、良好なテーパ形状に形成されているた
め、このエッジ部３ａにおいて、ＳｉＯ２膜４のステッ
プカバレージは極めて良好となる。従って、表面の形状
が平坦なＳｉＯ２膜４を形成することができる。尚、本
実施形態では、光遮光膜３のエッジ部３ａのテーパ角を
約４０度とすることにより、ＳｉＯ２膜４に良好なステ
ップカバレージを持たせているが、一般には、テーパ角
が約４０度以上であっても、ＳｉＯ２膜４に良好なステ
ップカバレージを持たせることができる。ただし、テー
パ角が９０度に近くなってくると、それに伴いステップ
カバレージは悪くなってくるため、あまりテーパ角を大
きくすることはできない。通常は、テーパ角が約４５度
以下であれば、ステップカバレージを極めて良好にする
ことができる。
【００３６】ＳｉＯ２膜４の形成後、このＳｉＯ２膜４
の表面に、ソース電極５、ドレイン電極６、及び画素電
極７（図１参照）の材料となるＩＴＯ膜５０を形成す
る。ＳｉＯ２膜４の表面が平坦に形成されるため、ＩＴ
Ｏ膜５０は、ＳｉＯ２膜４を均一の厚さで覆うように形
成される。
の表面に、ソース電極５、ドレイン電極６、及び画素電
極７（図１参照）の材料となるＩＴＯ膜５０を形成す
る。ＳｉＯ２膜４の表面が平坦に形成されるため、ＩＴ
Ｏ膜５０は、ＳｉＯ２膜４を均一の厚さで覆うように形
成される。
【００３７】その後、このＩＴＯ膜５０をドライエッチ
ングまたはウエットエッチングすることにより、図９に
示すように、ソース電極５、ドレイン電極６、及び画素
電極７が形成される。ここで、ＩＴＯ膜５０をウエット
エッチングする場合、エッチング液には塩酸が用いられ
るが、もし仮に、ＳｉＯ２膜４にピンホール等の欠陥が
ある場合、エッチング液である塩酸がこのピンホールを
経由して光遮光膜３にまで浸透してしまう恐れがある。
ところが、光遮光膜３の材料であるチタンナイトライド
は塩酸ではエッチングされないため、仮に、塩酸が光遮
光膜３にまで浸透しても、光遮光膜３はエッチングされ
ずに済み、光遮光膜３は要求される光遮光機能を発揮す
ることができる。
ングまたはウエットエッチングすることにより、図９に
示すように、ソース電極５、ドレイン電極６、及び画素
電極７が形成される。ここで、ＩＴＯ膜５０をウエット
エッチングする場合、エッチング液には塩酸が用いられ
るが、もし仮に、ＳｉＯ２膜４にピンホール等の欠陥が
ある場合、エッチング液である塩酸がこのピンホールを
経由して光遮光膜３にまで浸透してしまう恐れがある。
ところが、光遮光膜３の材料であるチタンナイトライド
は塩酸ではエッチングされないため、仮に、塩酸が光遮
光膜３にまで浸透しても、光遮光膜３はエッチングされ
ずに済み、光遮光膜３は要求される光遮光機能を発揮す
ることができる。
【００３８】これらソース電極５、ドレイン電極６、及
び画素電極７のうち、ソース電極５は、ドレイン電極６
及び画素電極７とは離れて形成されており、ドレイン電
極６及び画素電極７は連続的に繋がって一体に形成され
ている。ソース電極５、ドレイン電極６、及び画素電極
７を形成した後、これら電極５、６、及び７を覆うよう
にＭｏＣｒ（モリブデンクロム）膜を形成し、このＭｏ
Ｃｒ膜をドライエッチングまたはウエットエッチングす
ることにより、図１０に示すように、ソースバス８が形
成される。ここで、ＭｏＣｒ膜をウエットエッチングす
る場合、エッチング液には、燐酸／硝酸／水の混合液が
用いられるが、光遮光膜３の材料であるチタンナイトラ
イドは燐酸／硝酸／水の混合液ではエッチングされない
ため、もし仮に、ＳｉＯ２膜４にピンホール等の欠陥が
あり、エッチング液が光遮光膜３にまで浸透しても、こ
の光遮光膜３はエッチングされずに済み、要求される光
遮光機能を発揮することができる。
び画素電極７のうち、ソース電極５は、ドレイン電極６
及び画素電極７とは離れて形成されており、ドレイン電
極６及び画素電極７は連続的に繋がって一体に形成され
ている。ソース電極５、ドレイン電極６、及び画素電極
７を形成した後、これら電極５、６、及び７を覆うよう
にＭｏＣｒ（モリブデンクロム）膜を形成し、このＭｏ
Ｃｒ膜をドライエッチングまたはウエットエッチングす
ることにより、図１０に示すように、ソースバス８が形
成される。ここで、ＭｏＣｒ膜をウエットエッチングす
る場合、エッチング液には、燐酸／硝酸／水の混合液が
用いられるが、光遮光膜３の材料であるチタンナイトラ
イドは燐酸／硝酸／水の混合液ではエッチングされない
ため、もし仮に、ＳｉＯ２膜４にピンホール等の欠陥が
あり、エッチング液が光遮光膜３にまで浸透しても、こ
の光遮光膜３はエッチングされずに済み、要求される光
遮光機能を発揮することができる。
【００３９】ソースバス８を形成したら、図１に示すよ
うに、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜９のアイラ
ンドパターンを形成し、ゲート絶縁膜１０及びゲート電
極１１を形成する。
うに、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）膜９のアイラ
ンドパターンを形成し、ゲート絶縁膜１０及びゲート電
極１１を形成する。
【００４０】以上のようにしてＴＦＴ１が形成される。
【００４１】本実施形態では、チタンナイトライド膜３
１を、Ｃｌ２ガスを用いずにフッ素系ガスを用いてエッ
チングしている。従って、エッチング装置に腐食防止処
理を施す必要はなく、設備コストを低く抑えることがで
きる。また、エッチングガスとして、塩素ガスではな
く、フッ素系ガスであるＳＦ６ガスを用いているため、
チャンバ４００（図５参照）内が汚れにくい。従って、
チャンバ４００のクリーニング頻度は少なくて済み、エ
ッチング装置の稼働率を高くすることができる。また、
光遮光膜３の材料であるチタンナイトライドは、比較的
安価な材料であり、材料コストの削減が図られる。
１を、Ｃｌ２ガスを用いずにフッ素系ガスを用いてエッ
チングしている。従って、エッチング装置に腐食防止処
理を施す必要はなく、設備コストを低く抑えることがで
きる。また、エッチングガスとして、塩素ガスではな
く、フッ素系ガスであるＳＦ６ガスを用いているため、
チャンバ４００（図５参照）内が汚れにくい。従って、
チャンバ４００のクリーニング頻度は少なくて済み、エ
ッチング装置の稼働率を高くすることができる。また、
光遮光膜３の材料であるチタンナイトライドは、比較的
安価な材料であり、材料コストの削減が図られる。
【００４２】尚、本実施形態では、ＳＦ６／Ｏ２＝４４
０ｓｃｃｍ／６０ｓｃｃｍとすることにより、約４０度
のテーパ部３ａを有する光遮光膜３を形成しているが、
本発明において、ＳＦ６とＯ２との比は、上記の比に限
られることはない。ただし、ＳＦ６に対してＯ２の添加
量が少なすぎると、テーパ角θがほぼ垂直になってしま
い、結局、光遮光膜３に良好なテーパ形状を持たせるこ
とができなくなり、一方、ＳＦ６に対してＯ２の添加量
が多すぎると、テーパ角θが小さくなるものの、チタン
ナイトライド膜３１のサイドエッチング量が大きくなり
所望の光遮光膜３を形成することができなくなる。一般
的には、チタンナイトライド膜３１をエッチングする場
合、フッ素系ガスに対してＯ２の添加量を約１０％〜約
１５％にすれば、テーパ角が４０度前後の良好なテーパ
形状を有する光遮光膜３を形成することができる。この
ように、チタンナイトライド膜３１をエッチングする場
合、フッ素系ガスに対するＯ２の添加量を適切な値（約
１０％〜約１５％）にすることにより、Ｃｌ２ガスを用
いなくても、良好なテーパ形状を有する光遮光膜３が形
成される。従って、やはり、Ｃｌ２ガス等の毒性の強い
ガスを使用せずに、設備コスト及び材料コストを低く抑
え、エッチング装置の稼働率を高くすることができる。
０ｓｃｃｍ／６０ｓｃｃｍとすることにより、約４０度
のテーパ部３ａを有する光遮光膜３を形成しているが、
本発明において、ＳＦ６とＯ２との比は、上記の比に限
られることはない。ただし、ＳＦ６に対してＯ２の添加
量が少なすぎると、テーパ角θがほぼ垂直になってしま
い、結局、光遮光膜３に良好なテーパ形状を持たせるこ
とができなくなり、一方、ＳＦ６に対してＯ２の添加量
が多すぎると、テーパ角θが小さくなるものの、チタン
ナイトライド膜３１のサイドエッチング量が大きくなり
所望の光遮光膜３を形成することができなくなる。一般
的には、チタンナイトライド膜３１をエッチングする場
合、フッ素系ガスに対してＯ２の添加量を約１０％〜約
１５％にすれば、テーパ角が４０度前後の良好なテーパ
形状を有する光遮光膜３を形成することができる。この
ように、チタンナイトライド膜３１をエッチングする場
合、フッ素系ガスに対するＯ２の添加量を適切な値（約
１０％〜約１５％）にすることにより、Ｃｌ２ガスを用
いなくても、良好なテーパ形状を有する光遮光膜３が形
成される。従って、やはり、Ｃｌ２ガス等の毒性の強い
ガスを使用せずに、設備コスト及び材料コストを低く抑
え、エッチング装置の稼働率を高くすることができる。
【００４３】また、本実施形態では、ａ−Ｓｉ膜１１を
備えた半導体装置を取り上げて説明したが、本発明は、
ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜を備えた半導体装置にも適
用することができる。
備えた半導体装置を取り上げて説明したが、本発明は、
ｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）膜を備えた半導体装置にも適
用することができる。
【００４４】また、本実施形態では、ソース電極５、ド
レイン電極６、及びソースバス８の他に、画素電極７を
形成しているが、本発明は、例えばＩＣ等の回路装置に
組み込まれる半導体装置のように、画素電極が不要な半
導体装置にも用いることができる。
レイン電極６、及びソースバス８の他に、画素電極７を
形成しているが、本発明は、例えばＩＣ等の回路装置に
組み込まれる半導体装置のように、画素電極が不要な半
導体装置にも用いることができる。
【００４５】また、本実施形態ではＴＦＴを取り上げて
説明したが、本発明の半導体装置は、ＴＦＴ以外の半導
体装置にも適用することが可能である。
説明したが、本発明の半導体装置は、ＴＦＴ以外の半導
体装置にも適用することが可能である。
【００４６】さらに、本発明の半導体装置は上記の実施
形態に限定されることはなく、本発明の半導体装置の用
途に応じて変更可能である。
形態に限定されることはなく、本発明の半導体装置の用
途に応じて変更可能である。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
製造コストが低く、Ｃｌ２等の毒性の強い物質を使用せ
ずに、かつ、エッチング装置の稼働率を低下させずに製
造することができ、さらに、様々なエッチング装置で製
造することができる半導体装置、及びエッチング方法が
得られる。
製造コストが低く、Ｃｌ２等の毒性の強い物質を使用せ
ずに、かつ、エッチング装置の稼働率を低下させずに製
造することができ、さらに、様々なエッチング装置で製
造することができる半導体装置、及びエッチング方法が
得られる。
【図１】本発明のトランジスタの一実施形態であるＴＦ
Ｔ１を示す断面図である。
Ｔ１を示す断面図である。
【図２】ガラス基板２がチャンバにセットされた様子を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図３】ガラス基板２にチタンナイトライド膜３１を形
成した様子を示す断面図である。
成した様子を示す断面図である。
【図４】チタンナイトライド膜３１にレジスト膜が形成
された様子を示す断面図である。
された様子を示す断面図である。
【図５】ガラス基板２がエッチング装置のチャンバにセ
ットされた様子を示す模式図、である。
ットされた様子を示す模式図、である。
【図６】チタンナイトライド膜３１をエッチングした後
の様子を示す断面図である。
の様子を示す断面図である。
【図７】ガラス基板２に、チタンナイトライド膜３１の
代わりにチタン膜が形成された様子を示す断面図であ
る。
代わりにチタン膜が形成された様子を示す断面図であ
る。
【図８】ＩＴＯ膜５０が形成された様子を示す断面図で
ある。
ある。
【図９】ＩＴＯ膜５０をエッチングした様子を示す断面
図である。
図である。
【図１０】ソース電極が形成された様子を示す断面図で
ある。
ある。
１ ＴＦＴ ２ ガラス基板 ３ 光遮光膜 ３ａ テーパ部 ４ ＳｉＯ２膜 ５ ソース電極 ６ ドレイン電極 ７ 画素電極 ８ ソースバス ９ ａ−Ｓｉ膜 １０ ゲート絶縁膜 １１ ゲート電極 ３１ チタンナイトライド膜 ３２ レジスト膜 ２００，４００ チャンバ ２０１ 基板ホルダ ２０２ ターゲット ３００ チタン膜 ３０１ 酸化膜 ４０１ 上部電極板 ４０２ 下部電極板 ４０３ 高周波電源
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Ｇｒｏｅｎｅｗｏｕｄｓｅｗｅｇ １, 5621 ＢＡ Ｅｉｎｄｈｏｖｅｎ， Ｔｈ ｅ Ｎｅｔｈｅｒｌａｎｄｓ Ｆターム(参考） 5F004 AA11 BA04 BB13 DA01 DA18 DA26 DB00 DB12 DB30 DB31 EA10 EB02 5F110 AA16 CC05 DD02 DD13 GG02 GG13 GG15 HK07 NN45 NN54 QQ04
Claims (7)
- 【請求項１】 ゲート電極と、 前記ゲート電極の下部に形成されたアモルファスシリコ
ン膜又はポリシリコン膜と、 前記アモルファスシリコン膜又はポリシリコン膜の下部
に形成され、チタンナイトライドを有する光遮光膜とを
備えたことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 前記光遮光膜のエッジ部がテーパ形状で
あることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 前記光遮光膜のエッジ部のテーパ角が４
５度以下であることを特徴とする請求項２に記載の半導
体装置。 - 【請求項４】 前記光遮光膜が、チタンナイトライドを
有する単層膜であることを特徴とする請求項１〜３のう
ちのいずれか１項に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 前記光遮光膜が、チタンを有する第１の
膜と、前記第１の膜に積層され、チタンナイトライドを
有する第２の膜とを備えた積層膜であることを特徴とす
る請求項１〜３のうちのいずれか１項に記載の半導体装
置。 - 【請求項６】 基板上に、チタンナイトライドを有する
膜を形成し、前記膜を、フッ素を主成分とし酸素が添加
された混合ガスでエッチングすることを特徴とするエッ
チング方法。 - 【請求項７】 前記混合ガスの酸素の添加量が、フッ素
の含有量に対して１０％〜１５％であることを特徴とす
る請求項６に記載のエッチング方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000069195A JP2001274138A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 半導体装置及びエッチング方法 |
| PCT/EP2001/002426 WO2001069654A2 (en) | 2000-03-13 | 2001-03-05 | Semiconductor device with light shield and corresponding etching method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000069195A JP2001274138A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 半導体装置及びエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001274138A true JP2001274138A (ja) | 2001-10-05 |
Family
ID=18588128
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000069195A Withdrawn JP2001274138A (ja) | 2000-03-13 | 2000-03-13 | 半導体装置及びエッチング方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001274138A (ja) |
| WO (1) | WO2001069654A2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0312986A1 (de) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum Rückätzen von Wolfram mit Titannitrid als Unterlage in Kontaktlöchern von höchstintegrierten Halbleiterschaltungen |
| US4895613A (en) * | 1988-06-16 | 1990-01-23 | Kenneth Carrico | Film linear stripper |
| KR100294026B1 (ko) * | 1993-06-24 | 2001-09-17 | 야마자끼 순페이 | 전기광학장치 |
| US5948702A (en) * | 1996-12-19 | 1999-09-07 | Texas Instruments Incorporated | Selective removal of TixNy |
-
2000
- 2000-03-13 JP JP2000069195A patent/JP2001274138A/ja not_active Withdrawn
-
2001
- 2001-03-05 WO PCT/EP2001/002426 patent/WO2001069654A2/en active Application Filing
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2001069654A3 (en) | 2002-01-10 |
| WO2001069654A2 (en) | 2001-09-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |