KR960019760A - 박막 트랜지스터 액정표시장치의 단위화소 및 그 제조방법 - Google Patents
박막 트랜지스터 액정표시장치의 단위화소 및 그 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소에 관한 것으로서, 하부 게이트형 TFT를 사용하는 LCD 단위화소에서 투명기판상에 게이트라인 및 게이트전극으로 예정되어 있는 부분에 홈이 형성되어 있는 절연완충막을 형성하고, 상기 홈을 메우는 게이트라인 및 게이트전극을 형성한 후, 후속 공정을 진행하여 반도체층 패턴과 화소전극 및 데이타라인을 구비하는 TFT LCD의 단위화소를 형성하였으므로, 게이트라인 및 게이트전극에 의한 단차가 감소되어 후속 적층막들의 단차 피복성이 향상되고, 배향막 러빙 공정시 TFT나 다른 배선 부분의 돌출되는 정도가 작아져 러빙롤과의 마찰에 의한 정전기 발생량이 감소되며, TFT부분에서의 배향막의 불안정 러빙을 방지하여 공정수율 및 소자동작의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 따른 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소의 단면도.
Claims (9)
- 투명기판상에 형성되어 있는 절연완충막과, 상기 절연완충막에서 게이트라인과 게이트전극으로 예정되어 있는 부분이 제거되어 상기 투명기판을 노출시키는 홈과, 상기 홈을 채우되 일정방향으로 연장되어 있는 게이트라인과, 상기 게이트라인의 일측이 돌출되어 있고, 상기 홈의 내측에 형성되는 게이트전극과, 상기 게이트라인과 게이트전극 및 절연완충막상에 형성되어 있는 게이트산화막과, 상기 게이트전극과 중첩되도록 게이트산화막상에 형성되어 있는 반도체층 패턴과, 상기 게이트전극 양측 상의 반도체층 패턴에 형성되어 있는 고농도 불순물층과, 상기 반도체층 패턴상에 형성되어 있는 제1필드산화막과, 상기 게이트라인 일측의 제1필드산화막 상에 형성되어 있는 화소전극과, 상기 화소전극의 일측을 상기 고농도 불순물층의 일측과 연결시키는 드레인전극과, 상기 화소전극 및 드레인전극상에 형성되어 있는 제2필드산화막과, 상기 게이트라인과는 다른 방향으로 연장되어 있어 상기 게이트라인과 형성하는 블럭의 내에 화소전극이 포함되도록 제2필드산화막상에 형성되어 있는 데이타라인과, 상기 데이타라인의 일측이 돌출되어 상기 고농도 불순물층의 타측과 연결시키는 소오스전극을 구비하는 박막 트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.
- 제1항에 있어서, 상기 투명기판이 석영 또는 유리재질로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.
- 제1항에 있어서, 상기 절연완충막이 산화막 또는 질화막으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.
- 제1항에 있어서, 상기 게이트전극 및 게이트라인이 단결정실리콘, Ti, Cr 및 Al로 이루어지는 군에서 임의로 선택되는 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.
- 제1항에 있어서, 상기 반도체층 패턴이 다결정실리콘으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.
- 제1항에 있어서, 상기 데이타라인과 소오스전극이 Ti, Cr 및 Al들 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소.
- 투명기판상에 절연완충막을 형성하고자 하는 게이트전극의 두께 만큼 형성하는 공정과, 상기 절연완충막에서 게이트전극 및 게이트라인으로 예정되어 있는 부분을 제거하여 상기 투명기판을 노출시키는 홈을 형성하는 공정과, 상기 홈을 메우는 게이트전극 및 게이트라인을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 게이트산화막을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극과 중첩되는 반도체층 패턴을 게이트산화막상에 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 양측의 반도체층 패턴에 고농도 불순물층을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제1필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 고농도 불순물층 일측 상부의 제1필드산화막을 제거하여 고농도 불순물층의 일측을 노출시키는 공정과, 상기 게이트라인 일측 상부의 제1필드산화막상에 화소전극을 형성하는 공정과, 상기 노출되는 고농도 불순물층과 접속되어 상기 화소전극과 연결시키는 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 구조의 전표면에 제2필드산화막을 형성하는 공정과, 상기 고농도 불순물층 타측상의 제2 및 제 1필드산화막을 순차적으로 제거하여 고농도 불순물층의 타측을 노출시키는 공정과, 상기 게이트라인과는 다른 방향으로 연장되며, 상기 화소전극을 상기 게이트라인과 형성하는 블럭내에 포함하는 데이타라인을 형성하는 공정과, 상기 노출되어 있는 고농도 불순물층의 타측과 접촉되는 소오스전극을 형성하여 상기 데이타라인과 접촉시키는 공정을 구비하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 절연완충막을 CVD PVD 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소의 제조방법.
- 제7항에 있어서, 상기 홈을 메우는 게이트라인 및 게이트전극의 제조방법을 상기 홈을 형성하기 위한 식각마스크를 제거하지 않은 상태에서 도전층을 도포하고 식각마스크와 그 상측의 도전층을 리프트 오프 방법으로 제거하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 액정표시장치의 단위화소의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031945A KR960019760A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 단위화소 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940031945A KR960019760A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 단위화소 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960019760A true KR960019760A (ko) | 1996-06-17 |
Family
ID=66648860
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940031945A KR960019760A (ko) | 1994-11-30 | 1994-11-30 | 박막 트랜지스터 액정표시장치의 단위화소 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960019760A (ko) |
-
1994
- 1994-11-30 KR KR1019940031945A patent/KR960019760A/ko not_active IP Right Cessation
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