KR960026608A - 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 필드산화막 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 관한 것으로, 질화막의 두께증가로 인해 발생되는 스트레스를 감소키기 위하여 실리콘기판상에 실리콘질화막, 폴리실리콘층 및 실리콘질화막을 순차적으로 형성하고 필드영역을 패터닝한 후 그 측벽에 질화막스페이서를 형성시키고 실리콘기판을 리세스(Recess) 구조가 되도록 식각하므로써 질화막의 두께증가로 인한 스트레스(Stress)를 감소시키며, 산화제(Oxidant)의 확산경로를 차단시켜 버즈빅(Bird's Beak)의 발생을 최소화시킬 수 있도록 한 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
Claims (5)
- 반도체 소자의 필드산화막 형성방법에 있어서, 실리콘기판상에 제1실리콘질화막, 폴리실리콘층 및 제2실리콘질화막을 순차적으로 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 소자분리마스크를 이용하여 소자분리영역의 제2실리콘질화막, 폴리실리콘층 및 제1실리콘질화막을 순차적으로 식각하고 과도식각공정을 통하여 상기 실리콘 기판을 1차식각하는 단계와, 상기 단계로부터 전체면에 실리콘질화막을 증착하고 스페이서 식각을 실시하여 상기 제2실리콘질화막, 폴리실리콘층, 제1실리콘질화막 및 실리콘기판의 식각된 측벽에 질화막스페이서를 형성시키며 노출된 실리콘기판을 2차식각하는 단계와, 상기 단계로부터 산화공정을 실시하여 상기 필드영역에 필드산화막을 형성시킨 후 잔류된 질화막스페이서 및 제2실리콘질화막, 폴리실리콘층 그리고 제1실리콘질화막을 순차적으로 제거시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2실리콘질화막은 100Å 미만으로 형성되며, 상기 폴리실리콘층은 2000 내지 3000Å 정도 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 실리콘질화막이 1차식각 깊이는 80 내지 110Å이며, 2차식각 깊이는 300 내지 1000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막스페이스를 형성하기 위해 증착되는 실리콘질화막의 두께는 500 내지 1000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막스페이서, 제1 및 제2실리콘질화막은 H3PO4용액을 사용하여 제거시키며, 상기 폴리실리콘층은 질산: 초산: 불산용액을 사용하여 제거시키는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 필드산화막 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039476A KR960026608A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940039476A KR960026608A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960026608A true KR960026608A (ko) | 1996-07-22 |
Family
ID=66647872
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940039476A KR960026608A (ko) | 1994-12-30 | 1994-12-30 | 반도체 소자의 필드산화막 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960026608A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422960B1 (ko) * | 1997-06-28 | 2004-06-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 |
-
1994
- 1994-12-30 KR KR1019940039476A patent/KR960026608A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100422960B1 (ko) * | 1997-06-28 | 2004-06-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리절연막 형성방법 |
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