KR950021080A - 반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법 Download PDF

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KR950021080A
KR950021080A KR1019930028874A KR930028874A KR950021080A KR 950021080 A KR950021080 A KR 950021080A KR 1019930028874 A KR1019930028874 A KR 1019930028874A KR 930028874 A KR930028874 A KR 930028874A KR 950021080 A KR950021080 A KR 950021080A
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KR
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contact plug
semiconductor device
contact hole
forming
manufacturing
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KR1019930028874A
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박흥락
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법에 관한 것으로, 특히, 콘택 플러그의 재료를 루티늄 옥사이드(RuO2)를 이용함으로써 콘택 플러그를 형성하기 전 실리콘 기판과의 접착력을 향상시키기 위해 접착층을 형성하는 단계없이 콘택 플러그를 용이하게 형성하는 콘택 플러그 제조방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도와 제1B도는 종래의 콘택 플러그 제조방법을 도시한 단면도
제2A도와 제2B도는 본 발명에 따른 콘택 플러그의 제조방법을 도시한 단면도.

Claims (2)

  1. 반도체 소자 콘택 플러그 제조방법에 있어서, 실리콘 기판 상부에 형성된 절연막을 식각하여 콘택홀을 형성하는 단계와, 상기 절연막과 콘택홀에 메탈 오그닉 컴파운드를 이용하여 루티늄 옥사이드층을 형성하는 단계와, 상기 절연막과 콘택홀의 상부에 루티늄 옥사이드층을 형성한 컴파운드 층을 에치백하여 콘택홀에만 콘택 플러그를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 절연막과 콘택홀 상부에 컴파운드 층을 형성하는 방법은 화학증착인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930028874A 1993-12-21 1993-12-21 반도체 소자의 콘택 플러그 제조방법 KR950021080A (ko)

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