KR960002555A - 반도체소자의 콘택 형성방법 - Google Patents
반도체소자의 콘택 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 콘택 형성방법에 관한 것으로, 반도체소자의 고집적화에따라 콘택홀의 크기가 감소함으로써 콘택저항이 증가되어 반도체소자의 신뢰성을 저하시켰다. 따라서, 본 발명은 콘택홀 형성시 상기 콘택홀의 밑부분을 등방성식각하여 언더컷을 발생시킴으로써 콘택물질과 반도체기판의 접촉면적을 확대시켜 콘택저항을 감소시킴으로써 반도체소자의 신뢰성을 향상시키고 전력소모를 감소시켜 에너지효율을 향상시킴으로써 생산성을 향상시키며 반도체소자의 고집적화를 가능하게 하는 기술이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 본 발명의 실시예에 의한 반도체소자의 콘택 형성공정을 도시한 단면도.
Claims (4)
- 반도체기판 상부에 소자분리산화막, 게이트전극 및 불순물 확산영역이 형성된 반도체소자의 콘택 형성방법에 있어서, 전체구조상부에 평탄화층을 형성하고 그 상부에 콘택마스크를 형성한 다음, 상기 콘택마스크를 이용하여 상기 평탄화층을 식각함으로써 상기 반도체기판의 불순물 확산영역이 노출되도록 콘택홀을 형성하고 상기 콘택마스크를 제거하는 공정과, 상기 콘택 형성시 손상된 부분을 제거하기 위하여 세척하는 공정과, 상기 콘택홀 하부에 언더컷을 형성하는 공정과, 상기 접합부위에 접속되도록 콘택물질을 증착함으로써 콘택을 형성하는 공정을 포함하는 반도체소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 평탄화층은 TEOS나 BPSG로 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 언더컷은 상기 불순물 확산영역을 일정깊이 등방성식각하여 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 콘택물질은 다결정실리콘을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 콘택 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940012820A KR960002555A (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체소자의 콘택 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940012820A KR960002555A (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체소자의 콘택 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960002555A true KR960002555A (ko) | 1996-01-26 |
Family
ID=66686126
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940012820A KR960002555A (ko) | 1994-06-08 | 1994-06-08 | 반도체소자의 콘택 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960002555A (ko) |
-
1994
- 1994-06-08 KR KR1019940012820A patent/KR960002555A/ko not_active Application Discontinuation
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