KR980005904A - 반도체 소자의 단차 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 단차 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
반도체 소자의 단차 형성방법에 대해 기재되어 있다. 이는, 반도체 기판에 부분적으로 불순물 이온을 주입하는 공정, 불순물 이온이 주입되어 있는 반도체 기판의 표면을 열산화하여 열산화막을 형성한 후 계속해서 불순물 이온을 확산시키는 웰 드라이브 인을 행하여 웰을 형성하는 공정 및 열산화막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 의하면, 전체 공정 시간을 줄일 수 있을뿐만아니라 공정을 단순화할 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 3a 도 및 3d 도는 초기공정에서 반도체 기판에 미리 단차를 형성하는 본 발명의 방법을 설명하기 위해 도시한 단면도들이다.
Claims (1)
- 반도체 기판에 부분적으로 불순물 이온을 주입하는 공정; 상기 불순물 이온이 주입되어 있는 반도체 기판의 표면을 열산화하여 열산화막을 형성한 후, 계속해서 상기 불순물 이온을 확산시키는 웰 드라이브 인을 행하여 웰을 형성하는 공정; 및 상기 열산화막을 제거하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 단차 형성방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023973A KR980005904A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 소자의 단차 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960023973A KR980005904A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 소자의 단차 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR980005904A true KR980005904A (ko) | 1998-03-30 |
Family
ID=66287696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019960023973A KR980005904A (ko) | 1996-06-26 | 1996-06-26 | 반도체 소자의 단차 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR980005904A (ko) |
-
1996
- 1996-06-26 KR KR1019960023973A patent/KR980005904A/ko not_active Application Discontinuation
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