KR920007098A - 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제조방법 - Google Patents

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전영권
송승용
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문정환
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Abstract

내용 없음.

Description

절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래의 공정단면도.
제2도는 본 발명의 공정단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : P형기판 2 : 필드산화막
3 : 게이트절연막 4 : 게이트폴리실리콘막
5 : 게이트적층절연막 6 : 산화막
7 : 절연막 8 : 금속전극

Claims (3)

  1. 기판위에 필드산화막과 게이트절연막, 게이트폴리실리콘막, 게이트적층절연막을 차례로 형성하는 단계와, 게이트를 패터닝하기 위해 상기 게이트폴리실리콘막의 일부두께까지 식각한 다음 소오스/드레인의 쉘로우 접합을 위한 저농도 이온을 주입하는 단계, 산화성 분위기하에서 열처리하여 게이트폴리실리콘의 게이트 외측 및 측벽까지 산화막을 형성하는 단계, 상기 게이트적층절연막의 폭만큼 상기 산화막을 에치하고 게이트 적층절연막을 제거한 후 딥 접합을 위한 고농도 이온을 주입 및 절연막과 금속전극을 형성하는 단계가 차례로 포함됨을 특징으로 하는 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 게이트절연막은 질화막 및 질화산화막을 사용하고 게이트적층절연막은 무기 또는 유기산화막을 사용함을 특징으로 하는 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 게이트를 패터닝하기 위해 게이트폴리실리콘막의 일부 두께까지 식각하는 것과 게이트적층절연막의 폭만큼 산화막을 식각하는 것은 각각 등방성 이온건식식각법과 블랭키트 식각법으로 행함을 특징으로 하는 절연게이트형 전계효과 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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