KR970053105A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 반도체 소자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 모스 트랜지스터에 있어서 핫 케리어(hot carrier) 효과에 강한 게이트 산화막을 가지기에 적당하도록, 반도체 기판 위에 얇은 절연막을 형성한 후, 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 게이트 전극을 마스크로 사용하여 절연막을 식각제거하되, 게이트 전극 하부의 일부까지 과도식각하여 상기 게이트 전극 저면을 일부노출시키는 단계와, 반도체 기판을 얇게 식각하는 단계와, 반도체 기판을 산화시켜, 절연막에 연결되며 상기 게이트 전극의 노출된 저면에 접촉되도록 산화막을 형성하는 단계와, 게이트 전극 양측의 반도체 기판상에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자 즉 모스 트랜지스터를 제조하는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 제조방법의 각 제조공정을 도시한 제조공정도.

Claims (3)

  1. 게이트 전극 하부에 중앙부에서는 얇고 외곽부에서는 두꺼운 절연막을 가지는 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 1) 반도체 기판 위에 얇은 절연막을 형성한 후, 상기 절연막 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 2) 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하여 상기 절연막을 식각제거하되, 상기 게이트 전극 하부의 일부까지 과도식각하여 상기 게이트 전극의 저면을 일부 노출시키는 단계와, 3) 상기 반도체 기판을 얇게 식각하는 단계와, 4) 상기 반도체 기판을 산화시켜, 상기 절연막에 연결되며 상기 게이트 전극의 노출된 저면과 접촉되도록 산화막을 형성하는 단계와, 5) 상기 게이트 전극 양측의 상기 반도체 기판상에 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 3)단계에서 습식각 또는 등방성 건식각 방법으로 상기 반도체 기판을 얇게 식각하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 4)단계에서 상기 산화막을 형성한 후, 상기 5)단계에서 상기 반도체 기판 전면에 저농도의 이온주입을 하는 단계와, 상기 게이트 전극 양측에 측벽을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극 및 상기 측벽을 마스크로 고농도의 이온주입을 하여 상기 소오스/드레인 영역을 형성하는 단계를 진행하여 상기 소오스 및 드레인 영역과 채널영역사이에 엘디디 영역을 가지는 반도체 소자를 제조하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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