KR970052912A - 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 - Google Patents
반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명에 의한 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법은 플라즈마 화학기상증착과 플라즈마 화학기상증착/저압 화학기상증착으로 절연막을 형성함으로써, 종래의 저압 화학기상증착에 의한 절연막 증착시 발생하는 하부 전도츠의 리프팅 현상과 고온에 의한 어택(attack) 현상을 줄일 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 의한 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법의 일실시예를 나타낸 단면도이다.
Claims (5)
- 플라즈마 화학기상증착(PE-CVD: ppasma enhanced Chemival Vapor Deposition)공정에 의해 층간 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 플라즈마 화학기상증착 공정에 의한 절연막은 PE-OX(플라즈마 산화막)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.
- 플라즈마 화학기상증착(PE-CVD) 공정에 의한 절연막과 저압 화학기상증착 (LP-CVD: low pressure Chemival Vapor Deposition)공정에 의한 절연막으로 층간 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 저압 화학기상증착 공정에 의한 절연막은 고온 산화막(HTO: High Temperature Oxide)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 플라즈마 화학기상증착 공정에 의한 절연막은 PE-OX(플라즈마 산화막)인 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067012A KR970052912A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950067012A KR970052912A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970052912A true KR970052912A (ko) | 1997-07-29 |
Family
ID=66638213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950067012A KR970052912A (ko) | 1995-12-29 | 1995-12-29 | 반도체 장치의 층간 절연막 형성 방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970052912A (ko) |
-
1995
- 1995-12-29 KR KR1019950067012A patent/KR970052912A/ko not_active Application Discontinuation
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